JPS6050611A - 多素子薄膜磁気ヘツド - Google Patents
多素子薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6050611A JPS6050611A JP58157650A JP15765083A JPS6050611A JP S6050611 A JPS6050611 A JP S6050611A JP 58157650 A JP58157650 A JP 58157650A JP 15765083 A JP15765083 A JP 15765083A JP S6050611 A JPS6050611 A JP S6050611A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多素子薄膜磁気ヘッドに関する。
背景技術とその問題点
多素子薄膜磁気ヘッド例えば電磁誘導型の多素子薄膜磁
気ヘッドとして、例えば第１図、第２図、第３図及び第
４図に示すように磁性フェライト例えばＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライト、 Ｎｉ−７，ｎ系フェライト等よりなる磁性
基板ｆｉｔの一生面上に、例えばＪツさ１１ＩｍのＳ
ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜（２）を介し゛（ヘット
巻線となるコイル導体（３）が形成されているものが提
案されている。このコイル導体（３）は、 Ａｊ！、Ｃ
ｕ、Ａｕ等の例えばコ字状の導電層によって形成されて
いる。ごごで、図示の例では１クーン構成とした場合で
あるが、渦巻状に数ターン構成することもできるし、多
層構造による数ターン構成とすることもできる。このコ
イル導体（３）上には、全面的に例えば厚さ１μｍのＳ
ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜（５）が形成され、こ
の絶縁膜（５）を介してコイル導体（３１−ｔ−を横切
り、その前方端部が磁気記録媒体対向面Ｓに延在して、
薄膜磁気コア（４）が形成されている。
気ヘッドとして、例えば第１図、第２図、第３図及び第
４図に示すように磁性フェライト例えばＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライト、 Ｎｉ−７，ｎ系フェライト等よりなる磁性
基板ｆｉｔの一生面上に、例えばＪツさ１１ＩｍのＳ
ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜（２）を介し゛（ヘット
巻線となるコイル導体（３）が形成されているものが提
案されている。このコイル導体（３）は、 Ａｊ！、Ｃ
ｕ、Ａｕ等の例えばコ字状の導電層によって形成されて
いる。ごごで、図示の例では１クーン構成とした場合で
あるが、渦巻状に数ターン構成することもできるし、多
層構造による数ターン構成とすることもできる。このコ
イル導体（３）上には、全面的に例えば厚さ１μｍのＳ
ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜（５）が形成され、こ
の絶縁膜（５）を介してコイル導体（３１−ｔ−を横切
り、その前方端部が磁気記録媒体対向面Ｓに延在して、
薄膜磁気コア（４）が形成されている。
このＭＶ ｎ％磁気こ１ア（４）は、例えば’ＩＶｉｌ
６０１ｔ ｍ １％！さ１０．ｃ＋ ｍのセンダスト
、パーマロイ等よりなる磁噌１１薄＋１Ａよりなる。ま
た、この薄膜磁気コア（４）の後端部は、絶縁膜（２）
及び（５）に穿設した窓（６）をｉＪＩじ゛（磁性基板
（１）と例えは直接的に接合されて磁気的に密に結合さ
れている。また、薄膜磁気コア（４）の前方端部と磁性
基板（１）との間には磁気ギヤツブｇを形成する、例え
ば厚さ ０．５μｍの非磁性ギャップスペーサ層（７）
が形成されている。このようにして、ギャップスペーサ
ＪＷ（７）の厚さによってギ十ソフ゛長が規定された磁
気ギヤノブｇを含み薄膜磁気コア（４）と磁性基板（１
１との共４ｆｔ）Ｊによって閉磁路を形成する磁気回路
が構成され、この磁気回路と交叉してコイル導体（３）
が設けられた磁気ヘッド素子りが構成されている。そし
て、このような構成による複数の磁気ヘッド素子りが磁
性基板（１）を共通として所定個配列され、共通の磁気
記録媒体対向面Ｓに各磁気ギャップｇが、所定のトラン
ク間隔をもって臨むようにし゛ζ配列される。
６０１ｔ ｍ １％！さ１０．ｃ＋ ｍのセンダスト
、パーマロイ等よりなる磁噌１１薄＋１Ａよりなる。ま
た、この薄膜磁気コア（４）の後端部は、絶縁膜（２）
及び（５）に穿設した窓（６）をｉＪＩじ゛（磁性基板
（１）と例えは直接的に接合されて磁気的に密に結合さ
れている。また、薄膜磁気コア（４）の前方端部と磁性
基板（１）との間には磁気ギヤツブｇを形成する、例え
ば厚さ ０．５μｍの非磁性ギャップスペーサ層（７）
が形成されている。このようにして、ギャップスペーサ
ＪＷ（７）の厚さによってギ十ソフ゛長が規定された磁
気ギヤノブｇを含み薄膜磁気コア（４）と磁性基板（１
１との共４ｆｔ）Ｊによって閉磁路を形成する磁気回路
が構成され、この磁気回路と交叉してコイル導体（３）
が設けられた磁気ヘッド素子りが構成されている。そし
て、このような構成による複数の磁気ヘッド素子りが磁
性基板（１）を共通として所定個配列され、共通の磁気
記録媒体対向面Ｓに各磁気ギャップｇが、所定のトラン
ク間隔をもって臨むようにし゛ζ配列される。
このような多素子薄膜磁気ヘッドを得るには、先ず第５
図に示すように磁性基板（１）上に絶縁膜（２）を被着
し、これの上に第６図にしめずように、コイル導体（３
）を所定位置に配し、コイル導体（３）上を含む全面に
絶縁膜（５）を被着する。次に、第７図に断面図をボし
、第８図に平面図をボ１−ように、前述したギャップス
ペーサ層（７）を形成する部分の絶縁膜（２）及び（５
）を基板（１）の前方側縁に沿って所定の幅、すなわち
最終的に形成する磁気ギャップｌ（のギャップデプスに
相当する幅ｄをもって）第１−エツチング等によって選
択的に除去する。次に、第９図に示すように絶縁膜（２
）及び（５）の除去部に、所要の厚さ、すなわち磁気ギ
ヤ・７プｇのギャップ長に対応する例えば０．５μｍの
厚さの非磁性ギャップスペーサ層（７）を被着する。そ
の後、第１０図に４くずように絶縁膜（２）及び（５）
に窓（６）を穿設し、全面的に磁気コアを構成するセン
ダスト、パーマｌコイ等の磁性薄膜（４′〕を例えばス
パッタリングによって形成する。そして、第１１図に刀
くし、第１図へ第４図で説明したようにこの薄に！（４
’）にソノ１−Ｕ−ソチング等を施して不要部分を除去
して所定のパターンの薄膜磁気コア（４）を形成する。
図に示すように磁性基板（１）上に絶縁膜（２）を被着
し、これの上に第６図にしめずように、コイル導体（３
）を所定位置に配し、コイル導体（３）上を含む全面に
絶縁膜（５）を被着する。次に、第７図に断面図をボし
、第８図に平面図をボ１−ように、前述したギャップス
ペーサ層（７）を形成する部分の絶縁膜（２）及び（５
）を基板（１）の前方側縁に沿って所定の幅、すなわち
最終的に形成する磁気ギャップｌ（のギャップデプスに
相当する幅ｄをもって）第１−エツチング等によって選
択的に除去する。次に、第９図に示すように絶縁膜（２
）及び（５）の除去部に、所要の厚さ、すなわち磁気ギ
ヤ・７プｇのギャップ長に対応する例えば０．５μｍの
厚さの非磁性ギャップスペーサ層（７）を被着する。そ
の後、第１０図に４くずように絶縁膜（２）及び（５）
に窓（６）を穿設し、全面的に磁気コアを構成するセン
ダスト、パーマｌコイ等の磁性薄膜（４′〕を例えばス
パッタリングによって形成する。そして、第１１図に刀
くし、第１図へ第４図で説明したようにこの薄に！（４
’）にソノ１−Ｕ−ソチング等を施して不要部分を除去
して所定のパターンの薄膜磁気コア（４）を形成する。
このようにして、各トランクに関する各薄膜磁気コア（
４）を同時に形成するものであるが、この場合、磁気コ
ア（４）、したがって磁性薄膜（４′）は磁気１（旧／
８としての磁気抵抗をできるだり小さくする必要がある
ことから、その厚さはできるだけ厚い、例えば１０μｍ
に選定される。これがため、この磁性薄膜（４′）のパ
クーニングすなわちフォトエソンチングに際しては、磁
性膜１１％（４’）の厚ざ方向のエツチングの進行と共
に、その面方向への進行、いわゆるサイドエツチングを
生じ、これがためそのパターンの縁は、裾を引いた形状
となり、第３図に示すように、磁気ギヤツブｇのトラン
ク幅方向に関する両側に裾部ａ及びｂが生じ、磁気ギャ
ップｇのトラック幅が正確に規定されずにばらつきが生
じる。
４）を同時に形成するものであるが、この場合、磁気コ
ア（４）、したがって磁性薄膜（４′）は磁気１（旧／
８としての磁気抵抗をできるだり小さくする必要がある
ことから、その厚さはできるだけ厚い、例えば１０μｍ
に選定される。これがため、この磁性薄膜（４′）のパ
クーニングすなわちフォトエソンチングに際しては、磁
性膜１１％（４’）の厚ざ方向のエツチングの進行と共
に、その面方向への進行、いわゆるサイドエツチングを
生じ、これがためそのパターンの縁は、裾を引いた形状
となり、第３図に示すように、磁気ギヤツブｇのトラン
ク幅方向に関する両側に裾部ａ及びｂが生じ、磁気ギャ
ップｇのトラック幅が正確に規定されずにばらつきが生
じる。
また、マルチＩ・ランクの場合には、エツチングしきれ
ず各トラックの′ａ欣磁気コア（４）間が薄い磁性膜の
層で磁気的につながってしまうことも生しる。
ず各トラックの′ａ欣磁気コア（４）間が薄い磁性膜の
層で磁気的につながってしまうことも生しる。
特に、トランクの間隔とし゛このガイドハンド１ｆｆｉ
ｉが狭くなる程この問題は助長され、トラック幅を正確
に得られないと高密度記録を行なうという薄膜磁気ヘッ
ド本来の目的は達成されず特性」二大きな問題を生じ、
良好な磁気記録ができないという問題があった。
ｉが狭くなる程この問題は助長され、トラック幅を正確
に得られないと高密度記録を行なうという薄膜磁気ヘッ
ド本来の目的は達成されず特性」二大きな問題を生じ、
良好な磁気記録ができないという問題があった。
発明の１−１的
本発明は、」二連の諸欠点を解消し°ζ良好な磁気記録
のできるような多素子薄膜磁気へ・７Ｆを得ることを１
」的とする。
のできるような多素子薄膜磁気へ・７Ｆを得ることを１
」的とする。
発明の概要
本発明多素子薄膜磁気ヘッドは、共通の磁性基板上に複
数の薄膜磁気ヘッド素子が配列されてなり、この各薄膜
磁気ヘッド素子は、磁性基扱−ヒに設げられたコイル導
体と、磁性基板との共（１５１）によゲζ磁気回路を構
成する薄膜磁気コアとを夫々有してなり、磁性基板上に
は、各薄膜磁気コアの前方端部十のトラック幅部に所要
の１１２−さの非磁性ギャップスペーサ層が形成される
と共に、各トラック間隔部分にギャップスペーサＩＨの
厚さよりｊすい非磁性＋Ａｌｌ：ｔ ｌ＠が破着され、
薄膜磁気コアは、少くとも」１記１−ランク幅部のギャ
ップスペーサ層−１１を含む幅に形成されてなるもので
、良好な磁気記録ができるようにしたものである。
数の薄膜磁気ヘッド素子が配列されてなり、この各薄膜
磁気ヘッド素子は、磁性基扱−ヒに設げられたコイル導
体と、磁性基板との共（１５１）によゲζ磁気回路を構
成する薄膜磁気コアとを夫々有してなり、磁性基板上に
は、各薄膜磁気コアの前方端部十のトラック幅部に所要
の１１２−さの非磁性ギャップスペーサ層が形成される
と共に、各トラック間隔部分にギャップスペーサＩＨの
厚さよりｊすい非磁性＋Ａｌｌ：ｔ ｌ＠が破着され、
薄膜磁気コアは、少くとも」１記１−ランク幅部のギャ
ップスペーサ層−１１を含む幅に形成されてなるもので
、良好な磁気記録ができるようにしたものである。
実施例
第１２図、第１３図、第１４図及び第１５図り′、ｊ、
夫々本発明の一実施例の拡大平面図、拡大側面図１．第
１２図ノｘ ｒｖ−ｘ ｒｖ綿線上断面図、Ｘ Ｖ−Ｘ
ＶｉＪ＋１−ｔ−ノ断面図で、これらの図面において
、第１図、第２図、第３図及び第４図に対応する部分に
は同一符号を付しそれらのｉ′ト細な説明は省略する。
夫々本発明の一実施例の拡大平面図、拡大側面図１．第
１２図ノｘ ｒｖ−ｘ ｒｖ綿線上断面図、Ｘ Ｖ−Ｘ
ＶｉＪ＋１−ｔ−ノ断面図で、これらの図面において
、第１図、第２図、第３図及び第４図に対応する部分に
は同一符号を付しそれらのｉ′ト細な説明は省略する。
この実施例は、第５図ないし第１１図で説明したとほぼ
同様の手順をとって得た多素子薄膜磁気ヘッドであるが
、本発明による場合、ギャップスペーサ層（７）の形成
のための絶縁膜（２）及び（５）の選択的除去のパター
ンを、従来の場合、すなわち前述の第７図及び第８図と
、第９図で説明した場合とは異るパターンとする。すな
わちこの例においζは、第１６図に平面図をポし、第１
７図で第１６図のＸ■−ｘｖｎ線上断面図として示すよ
うに、絶縁膜（２）及び（５）に対し、例えばフォトエ
ツチングによつζ、ギャップスペーサ層（７）を形成す
る部分の除去を行って除去部（８）を形成するものであ
るが、特にこの除去部（８）を各トラック毎に形成する
。そしてその幅Ｗを最終的に得る磁気ギャップｇの１−
ランク幅に選定し、奥行ｄをギャップデプスに選定する
。また、各除去部（８）間の間隔りをトラック間間隔に
設定する。そして、少くともこの除去部（８）内に所要
の厚さ、ずな才）ら何り気ギャノフ゛１（のギヤツブ長
に相当する厚さのキャップスペーサ層（７）を形成する
。
同様の手順をとって得た多素子薄膜磁気ヘッドであるが
、本発明による場合、ギャップスペーサ層（７）の形成
のための絶縁膜（２）及び（５）の選択的除去のパター
ンを、従来の場合、すなわち前述の第７図及び第８図と
、第９図で説明した場合とは異るパターンとする。すな
わちこの例においζは、第１６図に平面図をポし、第１
７図で第１６図のＸ■−ｘｖｎ線上断面図として示すよ
うに、絶縁膜（２）及び（５）に対し、例えばフォトエ
ツチングによつζ、ギャップスペーサ層（７）を形成す
る部分の除去を行って除去部（８）を形成するものであ
るが、特にこの除去部（８）を各トラック毎に形成する
。そしてその幅Ｗを最終的に得る磁気ギャップｇの１−
ランク幅に選定し、奥行ｄをギャップデプスに選定する
。また、各除去部（８）間の間隔りをトラック間間隔に
設定する。そして、少くともこの除去部（８）内に所要
の厚さ、ずな才）ら何り気ギャノフ゛１（のギヤツブ長
に相当する厚さのキャップスペーサ層（７）を形成する
。
そして、この除去部（８）内のキャップスペーサ層（７
）上を含んで、全面的に磁性薄膜（４′）を形成し、そ
の後フォトエツチングによってパターン化して第１２図
ないし第１５図に示すように薄膜磁気コア（４）を形成
するものであるが、この場合特にこの’ＡＮ’に磁気コ
ア（４）の幅Ｗ′を第１４図に示すように除去部で８）
の幅Ｗより人に選定してこの磁気コア（４）が少くとも
除去部（８）」二を含んで形成され、この磁気コア（４
）が除去部（８）外の絶縁Ｉ１％ （２１及び（５）が
積層されどギャップスペーサ層（７）に比して充分大な
るｊ１！、さをイｊする非磁性層上に跨っ−Ｃ形成され
るようにする。
）上を含んで、全面的に磁性薄膜（４′）を形成し、そ
の後フォトエツチングによってパターン化して第１２図
ないし第１５図に示すように薄膜磁気コア（４）を形成
するものであるが、この場合特にこの’ＡＮ’に磁気コ
ア（４）の幅Ｗ′を第１４図に示すように除去部で８）
の幅Ｗより人に選定してこの磁気コア（４）が少くとも
除去部（８）」二を含んで形成され、この磁気コア（４
）が除去部（８）外の絶縁Ｉ１％ （２１及び（５）が
積層されどギャップスペーサ層（７）に比して充分大な
るｊ１！、さをイｊする非磁性層上に跨っ−Ｃ形成され
るようにする。
この場合、絶縁膜（２）及び（５）は全体としてその埋
さがキャップスペーサ層（７）に比しては充分大である
ものの薄膜磁気コア（４）を構成する磁性薄＋１Ｚ（４
’）に比しては充分薄いので、これに対Ｊる選択的コー
ソチングにおいてほとんどザイト′コニノチングカ（／
−１：。
さがキャップスペーサ層（７）に比しては充分大である
ものの薄膜磁気コア（４）を構成する磁性薄＋１Ｚ（４
’）に比しては充分薄いので、これに対Ｊる選択的コー
ソチングにおいてほとんどザイト′コニノチングカ（／
−１：。
しることがなく面精度に形成されることは注目すべき点
である。
である。
このような構成による多トラツク薄膜磁気ヘッドは、絶
縁膜（２）及び（５）の除去部（８）において限定的に
所要の薄い厚さのギャップスペーサ層（７）が形成され
るので、これの上に形成された薄膜磁気コア（４）と磁
性基板（１１との間に形成される磁気ギャップｇのトラ
ック幅は除去部（８）の幅Ｗによっ゛Ｃ正確に規定され
る。すなわち、薄膜磁気コア（４）の、除去部（８）外
に延在する部分においては絶縁膜（２）及び（５）の積
層による実質的に厚い非磁性層が介在されることになる
ので、ここにおいてはほとんど磁気媒体に対する磁気ギ
ャップとして動作しない。したがって、磁性薄膜（４′
）のパターン化に際してサイドエツチングが生じて磁気
コア（４）に裾部ａ及びｂが存在する場合におい−ども
、これによって磁気ギャップｇのトランク幅が不確定化
されたりばらつきが生じたりすることがない。
縁膜（２）及び（５）の除去部（８）において限定的に
所要の薄い厚さのギャップスペーサ層（７）が形成され
るので、これの上に形成された薄膜磁気コア（４）と磁
性基板（１１との間に形成される磁気ギャップｇのトラ
ック幅は除去部（８）の幅Ｗによっ゛Ｃ正確に規定され
る。すなわち、薄膜磁気コア（４）の、除去部（８）外
に延在する部分においては絶縁膜（２）及び（５）の積
層による実質的に厚い非磁性層が介在されることになる
ので、ここにおいてはほとんど磁気媒体に対する磁気ギ
ャップとして動作しない。したがって、磁性薄膜（４′
）のパターン化に際してサイドエツチングが生じて磁気
コア（４）に裾部ａ及びｂが存在する場合におい−ども
、これによって磁気ギャップｇのトランク幅が不確定化
されたりばらつきが生じたりすることがない。
また、」二連した例においては絶縁膜（２）及び（５）
を除去して除去部（８）を形成し、これに改め′ζギャ
ソプスペーザ層（７）を形成した場合ごあるが、成る場
合は、絶縁膜（２）及び（５）の積層厚さの一部の厚さ
骨除去して残りの厚さによってギャップスペーサＩＦ４
（７）を形成するようにすることもできる。
を除去して除去部（８）を形成し、これに改め′ζギャ
ソプスペーザ層（７）を形成した場合ごあるが、成る場
合は、絶縁膜（２）及び（５）の積層厚さの一部の厚さ
骨除去して残りの厚さによってギャップスペーサＩＦ４
（７）を形成するようにすることもできる。
また、」二連実施例において＊ 映ｔ＋気コア（４）を
所定形状とする製造工程において用いたエツチング法の
代わりにリフトオフ法を用いることもできる。
所定形状とする製造工程において用いたエツチング法の
代わりにリフトオフ法を用いることもできる。
また、上述例においては、電磁誘導型の磁気ヘッドに適
用した例につい述べたが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
に適用することも可能である。
用した例につい述べたが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
に適用することも可能である。
発明の効果
上述したように本発明においては多素子ン）シ股磁気ヘ
ッドを構成する共通の磁性基根上の磁気記録媒体との対
向面側にトラック幅部においては磁気ギャップのギ中ツ
ブ長を規定する所要の博いｊνさの非磁性キャップスペ
ーサ層を形成し、１−ランク間隔部分においてはギャッ
プスペーサ層に比して充分その厚さが大きい非磁性層が
存在Ｊるようにしたごとによっ゛ζ薄膜磁気コアの両側
に裾部等のその幅を不確定化する部分が存在し′（４）
実質的研気ギャップのトランク幅を薄いギャップスペー
サ層のｌ１ｖｌ（Ｗによって規定するのでトラック幅が
正確に設定された安定した良好な磁気記録のできる多素
子磁気ヘッドを得ることができるものである。
ッドを構成する共通の磁性基根上の磁気記録媒体との対
向面側にトラック幅部においては磁気ギャップのギ中ツ
ブ長を規定する所要の博いｊνさの非磁性キャップスペ
ーサ層を形成し、１−ランク間隔部分においてはギャッ
プスペーサ層に比して充分その厚さが大きい非磁性層が
存在Ｊるようにしたごとによっ゛ζ薄膜磁気コアの両側
に裾部等のその幅を不確定化する部分が存在し′（４）
実質的研気ギャップのトランク幅を薄いギャップスペー
サ層のｌ１ｖｌ（Ｗによって規定するのでトラック幅が
正確に設定された安定した良好な磁気記録のできる多素
子磁気ヘッドを得ることができるものである。
第１図は多素子薄膜磁気ヘッドの従来例をポず平面図、
第２図は、その側面ＩＥ＋、第３図は第１図のＩｒｌ
−Ｉｌｌ線断面図、第４図は第１図のＩＶ −ＩＶ線断
面図、第５図、第６図、第７図、第９図、第１０図、第
１ｊ図は第１図例の製造工程の例を示す断面図、第８図
は第１図例の製造工程の例を示す平面図、第１２図は本
光ツＪ多素子薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す平面図、
第１３図はその側面図、第１４図は第１２図のＸＩＶ−
ＸＩＶ線断面図、第１５図は第１２図例のｘｖ−ｘｖ線
断面図、第１６図は第１２図例の製造工程の例を不ず平
面図、第１７図は第１２図例の製造工程の例を示す断面
図である。 （１）は磁性基板、（２）及び（５）は絶縁膜、（３）
はコイル導体、（４）は薄）漠磁気コア、（７）はギャ
ップスペーサ層、ｈは磁気ヘッド素子、ｇは磁気ギャッ
プである。 ・、忙＋’ｉ 間 松隈秀盛６１ゝト慴： 第３図 第４図 第８図 第９図 ３ 第１０図 第１１図 ｘｒｖ＝ 第１４図 第 百５図 第１６図 ■」ｂ 第１７図
第２図は、その側面ＩＥ＋、第３図は第１図のＩｒｌ
−Ｉｌｌ線断面図、第４図は第１図のＩＶ −ＩＶ線断
面図、第５図、第６図、第７図、第９図、第１０図、第
１ｊ図は第１図例の製造工程の例を示す断面図、第８図
は第１図例の製造工程の例を示す平面図、第１２図は本
光ツＪ多素子薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す平面図、
第１３図はその側面図、第１４図は第１２図のＸＩＶ−
ＸＩＶ線断面図、第１５図は第１２図例のｘｖ−ｘｖ線
断面図、第１６図は第１２図例の製造工程の例を不ず平
面図、第１７図は第１２図例の製造工程の例を示す断面
図である。 （１）は磁性基板、（２）及び（５）は絶縁膜、（３）
はコイル導体、（４）は薄）漠磁気コア、（７）はギャ
ップスペーサ層、ｈは磁気ヘッド素子、ｇは磁気ギャッ
プである。 ・、忙＋’ｉ 間 松隈秀盛６１ゝト慴： 第３図 第４図 第８図 第９図 ３ 第１０図 第１１図 ｘｒｖ＝ 第１４図 第 百５図 第１６図 ■」ｂ 第１７図
Claims (1)
- 共通の磁性基板上に複数の薄膜磁気ヘッド素子が配列さ
れてなり、該各薄膜磁気ヘッド素子は、上記磁性基板上
に設けられたコイル導体と、上記磁性基板との共働によ
って磁気回路を構成する薄膜磁気コアとを夫々有してな
り、上記磁性基板上には、上記各薄膜磁気コアの前方端
部下のトランク幅部に所要の厚さの非磁性ギャップスペ
ーサ層が形成されると共に、各トランク間隔部分に上記
ギヤソプスペーサ層の厚さより厚い非磁性祠料屓が被着
され、上記薄膜磁気コアは、少くとも」二記トランク幅
部のギャップスペーサ１研上を含む幅に形成されてなる
多素子薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP58157650A JPH0760490B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| US06/643,544 US4673999A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-23 | Multi channel magnetic transducer head |
| EP84305841A EP0140524B1 (en) | 1983-08-29 | 1984-08-24 | Multi channel magnetic transducer head and method of manufacturing same |
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|---|---|---|---|
| JP58157650A JPH0760490B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| JPS6050611A true JPS6050611A (ja) | 1985-03-20 |
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| DE3471788D1 (en) | 1988-07-07 |
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