JPH07118058B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH07118058B2 JPH07118058B2 JP61272617A JP27261786A JPH07118058B2 JP H07118058 B2 JPH07118058 B2 JP H07118058B2 JP 61272617 A JP61272617 A JP 61272617A JP 27261786 A JP27261786 A JP 27261786A JP H07118058 B2 JPH07118058 B2 JP H07118058B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic head
- manufacturing
- forming
- layer
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は再生用磁気抵抗効果素子を用いた記録・再生分
離型の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、該磁気抵抗
効果素子を形成する材料膜を薄膜コイルのメッキ形成用
下地導電層と共用することにより、製造工程を短縮し、
磁気抵抗効果素子を介在した磁極先端部間のギャップ長
が高精度な薄膜磁気ヘッドを低コストに製造し得るよう
にしたものである。
離型の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、該磁気抵抗
効果素子を形成する材料膜を薄膜コイルのメッキ形成用
下地導電層と共用することにより、製造工程を短縮し、
磁気抵抗効果素子を介在した磁極先端部間のギャップ長
が高精度な薄膜磁気ヘッドを低コストに製造し得るよう
にしたものである。
本発明は磁気ディスク装置や磁気テープ装置等に用いら
れる薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に係り、特に再生
用磁気抵抗効果素子を用いた記録・再生分離型の薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関するものである。
れる薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に係り、特に再生
用磁気抵抗効果素子を用いた記録・再生分離型の薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関するものである。
再生用磁気抵抗素子と記録用インダクティブ磁気ヘッド
とを一体に形成した記録・最成分離型の薄膜磁気ヘッド
は、再生出力が磁気記録媒体の速度に依存せず、比較的
大きな出力が得られるため、高トラック密度記録の再生
に極めて有利である特長を有し、従来、高トラック密度
化の要求に対して、従来からの記録・再生兼用のインダ
クティブ薄膜磁気ヘッドに取って代わるヘッドとして期
待されているが、構造が複雑で製造工程が長くなりコス
ト高となる傾向がある。このため、製造工程を簡単化す
ると共に、精度良く、且つ安価に実現できる製造方法が
必要とされる。
とを一体に形成した記録・最成分離型の薄膜磁気ヘッド
は、再生出力が磁気記録媒体の速度に依存せず、比較的
大きな出力が得られるため、高トラック密度記録の再生
に極めて有利である特長を有し、従来、高トラック密度
化の要求に対して、従来からの記録・再生兼用のインダ
クティブ薄膜磁気ヘッドに取って代わるヘッドとして期
待されているが、構造が複雑で製造工程が長くなりコス
ト高となる傾向がある。このため、製造工程を簡単化す
ると共に、精度良く、且つ安価に実現できる製造方法が
必要とされる。
従来の再生用磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略称す
る）を用いた記録・再生分離型の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、先ず、第２図（ａ）の要部断面に示すようにMn
−Znフェライト等の磁性基板からなる第一磁極１上に、
SiO2、またはAl2O3などからなる第一ギャップ層２を形
成し、その表面にMR素子形成用の例えばFe−Ni膜３を被
着し、該Fe−Ni膜３上にMR素子形成用レジストパターン
４を形成する。
る）を用いた記録・再生分離型の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、先ず、第２図（ａ）の要部断面に示すようにMn
−Znフェライト等の磁性基板からなる第一磁極１上に、
SiO2、またはAl2O3などからなる第一ギャップ層２を形
成し、その表面にMR素子形成用の例えばFe−Ni膜３を被
着し、該Fe−Ni膜３上にMR素子形成用レジストパターン
４を形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように該レジストパターン４を
マスクにしてFe−Ni膜３をイオンミリング等によりパタ
ーニングしてMR素子５を形成し、その表面に第二ギャッ
プ層６を形成する。
マスクにしてFe−Ni膜３をイオンミリング等によりパタ
ーニングしてMR素子５を形成し、その表面に第二ギャッ
プ層６を形成する。
その後、第２図（ｃ）に示すように該第二ギャップ層６
上にCuなどからなる薄膜コイルメッキ形成用の下地導電
層７を被着し、その表面に薄膜コイル形成用レジストパ
ターン８を形成した後、マスクメッキ法により薄膜コイ
ル９を形成する。
上にCuなどからなる薄膜コイルメッキ形成用の下地導電
層７を被着し、その表面に薄膜コイル形成用レジストパ
ターン８を形成した後、マスクメッキ法により薄膜コイ
ル９を形成する。
次に第２図（ｄ）に示すように前記薄膜コイル形成用レ
ジストパターン８を溶解除去し、該レジストパターン８
除去跡の不要な前記下地導電層７をイオンミリング等に
より除去する。
ジストパターン８を溶解除去し、該レジストパターン８
除去跡の不要な前記下地導電層７をイオンミリング等に
より除去する。
しかる後、第２図（ｅ）に示すように前記薄膜コイル９
上に選択的に熱硬化樹脂からなる層間絶縁層10を形成
し、その上面にFe−Ni等からなる第二磁極層11とAl2O3
などからなる絶縁保護層12を被着形成した後、更にこれ
ら構成体を一点鎖線Ａで示す部位で切断し、かつ研磨仕
上加工を行うことにより完成させている。
上に選択的に熱硬化樹脂からなる層間絶縁層10を形成
し、その上面にFe−Ni等からなる第二磁極層11とAl2O3
などからなる絶縁保護層12を被着形成した後、更にこれ
ら構成体を一点鎖線Ａで示す部位で切断し、かつ研磨仕
上加工を行うことにより完成させている。
ところで、上記のような従来の製造方法では、ヘッド構
成が記録・再生兼用のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに
比べて複雑であるため、製造工程数が長く、工程歩留り
が低下する問題がある。また特にマスクメッキ法により
薄膜コイル９を形成した後の不要な前記下地導電層７を
イオンミリング等により除去する際に、オーバミリング
により前記第二ギャップ層６の層厚が減少され、磁極1,
11先端部間のギャップ長を高精度に形成することが難し
いという欠点があった。
成が記録・再生兼用のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに
比べて複雑であるため、製造工程数が長く、工程歩留り
が低下する問題がある。また特にマスクメッキ法により
薄膜コイル９を形成した後の不要な前記下地導電層７を
イオンミリング等により除去する際に、オーバミリング
により前記第二ギャップ層６の層厚が減少され、磁極1,
11先端部間のギャップ長を高精度に形成することが難し
いという欠点があった。
本発明は上記した従来の欠点に鑑み、MR素子と薄膜コイ
ルメッキ形成用の下地導電層の形成を同時に行うように
して工程数を減少させると共に、磁極先端部間のギャッ
プ長を高精度に形成し得る新規な記録・再生分離型の薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
ルメッキ形成用の下地導電層の形成を同時に行うように
して工程数を減少させると共に、磁極先端部間のギャッ
プ長を高精度に形成し得る新規な記録・再生分離型の薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明は上記目的を達成するため、磁性基板からなる第
一磁極層上にギャップ層を介して被着したMR素子形成用
の材料膜を、薄膜コイルのメッキ形成用下地導電層と共
用して薄膜コイルを形成し、該材料膜をパターニングし
てMR素子を形成する際に、前記下地導電層上の薄膜コイ
ル形成領域以外の不要な材料膜部分も同時に除去するよ
うにする。
一磁極層上にギャップ層を介して被着したMR素子形成用
の材料膜を、薄膜コイルのメッキ形成用下地導電層と共
用して薄膜コイルを形成し、該材料膜をパターニングし
てMR素子を形成する際に、前記下地導電層上の薄膜コイ
ル形成領域以外の不要な材料膜部分も同時に除去するよ
うにする。
本発明の製造方法では、MR素子形成用の材料膜を、薄膜
コイルのメッキ形成用下地導電層としても共用すること
により、該下地導電層の形成工程及び薄膜コイル形成後
の不要な下地導電層部分の除去工程が省略され、製造工
程数を短縮することができる。また磁極先端部間のギャ
ップ層がイオンミリングされることがないため、ギャッ
プ長を高精度に形成することが可能となる。
コイルのメッキ形成用下地導電層としても共用すること
により、該下地導電層の形成工程及び薄膜コイル形成後
の不要な下地導電層部分の除去工程が省略され、製造工
程数を短縮することができる。また磁極先端部間のギャ
ップ層がイオンミリングされることがないため、ギャッ
プ長を高精度に形成することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すようにMn−Znフェライト等の
磁性基板からなる第一磁極21上に、SiO2、またはAl2O3
などからなる第一ギャップ層22を形成し、その表面にMR
素子形成用の材料膜23を被着する。
磁性基板からなる第一磁極21上に、SiO2、またはAl2O3
などからなる第一ギャップ層22を形成し、その表面にMR
素子形成用の材料膜23を被着する。
該材料膜23としては、MR素子に対するバイアス方式がセ
ルフバイアスの場合にはFe−Ni等からなる磁性膜、また
シャントバイアスの場合にはTiなどからなるバイアス印
加用導体層にFe−Ni膜等の磁性膜が直接接合された複合
材料膜、更に電流バイアスの場合にはバイアス印加用導
体層にSiO2などからなる絶縁膜を介してFe−Ni膜等の磁
性膜が接合された複合材料膜が対象となる。
ルフバイアスの場合にはFe−Ni等からなる磁性膜、また
シャントバイアスの場合にはTiなどからなるバイアス印
加用導体層にFe−Ni膜等の磁性膜が直接接合された複合
材料膜、更に電流バイアスの場合にはバイアス印加用導
体層にSiO2などからなる絶縁膜を介してFe−Ni膜等の磁
性膜が接合された複合材料膜が対象となる。
引き続き前記材料膜23の表面に薄膜コイル形成用レジス
トパターン24を形成する。ここで該材料膜23が上記した
複合材料膜である場合、該レジストパターン24をマスク
にして露出する該複合材料部分のFe−Ni等からなる磁性
膜、或いは該磁性膜及び絶縁膜をイオンミリング等によ
り選択的に除去してTiなどからなるバイアス印加用導体
層を露出させた状態にしてもよい。
トパターン24を形成する。ここで該材料膜23が上記した
複合材料膜である場合、該レジストパターン24をマスク
にして露出する該複合材料部分のFe−Ni等からなる磁性
膜、或いは該磁性膜及び絶縁膜をイオンミリング等によ
り選択的に除去してTiなどからなるバイアス印加用導体
層を露出させた状態にしてもよい。
そしてマスクより露出する材料膜23面にCuからなる薄膜
コイル25をメッキ法によって形成する。
コイル25をメッキ法によって形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように前記薄膜コイル形成用レ
ジストパターン24を溶解除去し、その表面にMR素子形成
用レジストパターン26を形成すると共に、該レジストパ
ターン26及び薄膜コイル25をマスクにして露出した材料
膜23部分をイオンミリング等により選択的に除去してMR
素子27を形成する。
ジストパターン24を溶解除去し、その表面にMR素子形成
用レジストパターン26を形成すると共に、該レジストパ
ターン26及び薄膜コイル25をマスクにして露出した材料
膜23部分をイオンミリング等により選択的に除去してMR
素子27を形成する。
その後、第１図（ｃ）に示すように前記レジストパター
ン26を溶解除去し、その表面に第二ギャップ層28を形成
する。
ン26を溶解除去し、その表面に第二ギャップ層28を形成
する。
しかる後、第１図（ｄ）に示すように従来工程と同様に
前記薄膜コイル25上に選択的に熱硬化樹脂からなる層間
絶縁層29を形成し、その上面にFe−Ni等からなる第二磁
極層30とAl2O3などからなる絶縁保護層31を被着形成し
た後、更にこれら構成体を一点鎖線Ａで示す部位で切除
し、かつ研磨仕上加工を行って媒体対向面を形成するこ
とにより完成させる。
前記薄膜コイル25上に選択的に熱硬化樹脂からなる層間
絶縁層29を形成し、その上面にFe−Ni等からなる第二磁
極層30とAl2O3などからなる絶縁保護層31を被着形成し
た後、更にこれら構成体を一点鎖線Ａで示す部位で切除
し、かつ研磨仕上加工を行って媒体対向面を形成するこ
とにより完成させる。
かくすれば、薄膜コイル形成工程が簡単化され全製造工
程数が短縮される。
程数が短縮される。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、従来のように薄膜コイルの
メッキ形成用下地導電層を個別に設ける必要がないの
で、製造工程数の短縮が可能となり、製造コストが低減
される。また工程中にギャップ層がイオンミリング加工
に曝される度合が低減されるため、該ギャップ層の膜厚
べりが極めて僅少となり、特に磁極先端部間のギャップ
層はイオンミリングされることがないため、ギャップ長
を高精度に形成することが可能となる等、実用上、多く
の優れた効果を有し、この種の記録・再生分離型薄膜磁
気ヘッドの製造に適用して極めて有利である。
ヘッドの製造方法によれば、従来のように薄膜コイルの
メッキ形成用下地導電層を個別に設ける必要がないの
で、製造工程数の短縮が可能となり、製造コストが低減
される。また工程中にギャップ層がイオンミリング加工
に曝される度合が低減されるため、該ギャップ層の膜厚
べりが極めて僅少となり、特に磁極先端部間のギャップ
層はイオンミリングされることがないため、ギャップ長
を高精度に形成することが可能となる等、実用上、多く
の優れた効果を有し、この種の記録・再生分離型薄膜磁
気ヘッドの製造に適用して極めて有利である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図 第２図（ａ）〜（ｅ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に説明するための要部断面図である。 第１図（ａ）〜（ｄ）において、 21は第一磁極、22は第一ギャップ層、23は材料層、24,2
6はレジストパターン、25は薄膜コイル、27はMR素子、2
8は第二ギャップ層、29は層間絶縁層、30は第二磁極
層、31は絶縁保護層をそれぞれ示す。
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図 第２図（ａ）〜（ｅ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に説明するための要部断面図である。 第１図（ａ）〜（ｄ）において、 21は第一磁極、22は第一ギャップ層、23は材料層、24,2
6はレジストパターン、25は薄膜コイル、27はMR素子、2
8は第二ギャップ層、29は層間絶縁層、30は第二磁極
層、31は絶縁保護層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】磁性基板からなる第一磁極上に第一、第二
ギャップ層で挟まれた磁気抵抗効果素子と薄膜コイルと
を形成するに際し、 上記磁気抵抗効果素子を形成する材料膜を第一ギャップ
層上に、薄膜コイルのメッキ形成用下地導電層として形
成し、その材料膜上のコイル形成予定領域にレジストマ
スクを用いたメッキ法により薄膜コイルを形成し、かつ
材料膜の薄膜コイル形成領域及び磁気抵抗効果素子形成
予定領域以外の部分を除去して磁気抵抗効果素子を形成
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61272617A JPH07118058B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61272617A JPH07118058B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127413A JPS63127413A (ja) | 1988-05-31 |
| JPH07118058B2 true JPH07118058B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17516428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61272617A Expired - Lifetime JPH07118058B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118058B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140112A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-04-03 | Nippon Electric Co | Jikihetsudo |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61272617A patent/JPH07118058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140112A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-04-03 | Nippon Electric Co | Jikihetsudo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63127413A (ja) | 1988-05-31 |
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