JPH01146109A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JPH01146109A
JPH01146109A JP30660387A JP30660387A JPH01146109A JP H01146109 A JPH01146109 A JP H01146109A JP 30660387 A JP30660387 A JP 30660387A JP 30660387 A JP30660387 A JP 30660387A JP H01146109 A JPH01146109 A JP H01146109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
layer
magnetic pole
magnetic
frame
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Pending
Application number
JP30660387A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Koshikawa
越川 誉生
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01146109A publication Critical patent/JPH01146109A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、 めっき下地膜を介して第二磁極形成用めっきフレームを
形成する領域面を、該めっきフレーム形成用レジスト膜
が厚く塗着形成出来るように改善して、該めっきフレー
ムの高さ(厚さ)を高く(厚く)形成し、それによって
良好な矩形断面形状の第二磁極層を容易に形成すること
を目的とし、スライダとなる基板上に第一磁極層、ギャ
ップ層及び層間絶縁層で挟まれた薄膜コイルを順に積層
形成した後、薄膜コイルを被覆した層間絶縁層上の第二
磁極形成用めっきフレーム形成予定領域以外の領域に絶
縁層を少なくとも一層以上形成する工程と、前記めっき
フレーム形成予定領域を含む絶縁層上にめっき下地膜を
形成し、該めっき下地膜上の該めっきフレーム形成予定
領域内にレジスト膜のパターニングによる第二磁極形成
用めっきフレームを形成する工程と、該めっきフレーム
をマスクとするマスクめっき法により前記めっき下地膜
上に磁性層を形成した後、該めっきフレームで囲まれた
磁性層部分以外の磁性層及びめっきフレームを除去する
工程を行って、第二磁極層を形成して構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に係り、特に第一磁極層上にギャップ層及
び薄膜コイル等を介して対向配置する第二磁極層を精度
よく、かつ容易に形成する方法に関するものである。
磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドは、磁
気記録の高密度化に伴ってその形状も微細化されると共
に、益々高精度化が要求されている。このため記録再生
に直接的に寄与する磁極、特に第二磁極の高精度化とそ
の形成の容易化が必要とされている。
〔従来の技術〕
従来の薄膜磁気ヘッドは第5図(a)の平面図及びその
第5図(a)に示すA−A”切断線に沿った第5図(ト
))の要部断面図に示すように、Ni−Fe等からなる
第一磁極層2が形成された、例えばA2□03・TiC
等からなる非磁性基板1上にへ1201等からなるギャ
ップ層3を介して熱硬化性樹脂などからなる層間絶縁層
4で挟まれた形に銅(Cu)からなる薄膜コイル5が形
成配設され、その上面に図示しないめっき下地膜を介し
、かつフレームめっき法によってNi−Fe等からなる
第二磁極層6が形成され、更にこれらはA2□08等の
保護膜7によって被覆した後、前記基板lをスライダ形
状に加工している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところでこのような薄膜磁気ヘッドの製造において、例
えば第6図(a)の平面図及びその第6図(a)に示す
B−B’切断線に沿った第6図ら)の要部断面図に示す
ように、前記第一磁極層2が形成された非磁性基板1上
にギャップ層3を介して熱硬化性樹脂などからなる層間
絶縁層4で挟まれた形の薄膜コイル5を周知の方法によ
り形成し、その薄膜コイル5を被覆した層間絶縁層4上
に第二磁極層6をマスクめっき法により形成する場合、
Ni−Feからなるめっき下地膜11を介してレジスト
膜12を塗着し、該レジスト膜12をパターニングして
第7図(a)の平面図及びその第7図(a)に示すB−
B’切断線に沿った第7図(b)の要部断面図に示すよ
うに第二磁極形成用のめっきフレーム13を形成する。
その後、第8図(a)の平面図及びその第8図(a)に
示すB−B’切断線に沿った第8図ら)の要部断面図に
示すように、該めっきフレーム13をマスクにしてマス
クめっき法により前記めっき下地膜11上にNi−Fe
からなる磁性層14を形成し、図示しない次の工程でこ
の磁性層14の内のめっきフレーム13で囲まれた中の
磁性層14部分を残して他の磁性層14、めっきフレー
ム13及びめっき下地膜11を除去することにより第二
磁極層6を形成しているが、該第二磁極層6の形状を画
定する前記めっきフレーム13を形成するための前記レ
ジスト膜12の膜厚が、その形成面の平坦でないことに
起因して薄くなり、該めっきフレーム13の高さも結果
的に低くなるため、前記磁性膜14のめっき形成時に該
磁性膜14がめつきフレーム13を乗り越えて形成され
る。
従って、その断面形状が所定の矩形形状とならずに変形
するばかりでなく、該磁性膜14がめつきフレーム13
を乗り越えて接続した状態となり、その後の製造工程が
困難となる等の欠点があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、めっき下地膜を介して
第二磁極形成用めっきフレームを形成する領域面を、該
めっきフレーム形成用レジスト膜が厚く塗着形成出来る
ように改善して、該めっきフレームの高さ(厚さ)を高
く(厚く)形成し、それによって良好な矩形断面形状の
第二磁極層を容易に形成するようにした新規な薄膜磁気
ヘッドの製造方法を堤供することを目的とするものであ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記した目的を達成するため、スライダとなる
基板上に第一磁極層、ギャップ層及び層間絶縁層で挟ま
れた薄膜コイルを順に積層形成した後、薄膜コイルを被
覆した層間絶縁層上の第二磁極形成用めっきフレーム形
成予定領域以外の領域に絶縁層を少なくとも一層以上積
層形成して該めっきフレーム形成予定領域を凹形状とし
、そのめっきフレーム形成予定領域を含む絶縁層上にめ
っき下地膜を形成する。
次に該めっき下地膜上の該めっきフレーム形成予定領域
内にレジスト膜のパターニングによる第二磁極形成用め
っきフレームを形成し、該めっきフレームをマスクとす
るマスクめっき法により前記めっき下地膜上に磁性層を
形成する。
その後、該めっきフレームで囲まれた第二磁極形成用磁
性層部分以外の磁性層部分、めっきフレーム、及びめっ
き下地膜を順に除去することによって第二磁極層を形成
する。
〔作 用〕
本発明の製造方法では、薄膜コイルを被覆した層間絶縁
層上の第二磁極形成用めっきフレーム形成予定領域が少
なくとも一層以上積層形成された絶縁層により凹形状に
しているため、該めっきフレーム形成予定領域内に第二
磁極形成用めっきフレームを形成するためのレジスト膜
が厚く塗着でき、該めっきフレームを高く(厚く)形成
することが可能となる。従って、マスクめっき法により
めっきフレームで画定されて形成される第二磁極層は、
該めっきフレーム上にはみ出すことなく、良好な矩形断
面形状とすることができる。
〔実施例〕
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
第1図(萄、(b)乃至第4図(a)、 (b)は本発
明に係るmW磁気ヘッドの製造方法の一実施例を工程順
に示す図であり、各図(a)は平面図、また各図(b)
は各図(a)に示すB−B’切断線に沿った要部断面図
である。
先ず、第1図(a)、 (b)に示すように、Ni−F
e等からなる第一磁極層22が形成された、例えばA2
□0゜・TiC等からなる非磁性基板21上にA f 
203等からなるギャップ層23を介して熱硬化性樹脂
などからなる層間絶縁1ii24で挟まれた形に銅(C
u)からなる薄膜コイル25を形成し、その薄膜コイル
25を被覆した層間絶縁層24上に少なくとも一層以上
積層した熱硬化性樹脂を塗着し、該熱硬化性樹脂をパタ
ーニングして凹形状の第二磁極形成用めっきフレーム形
成予定領域27を設けた絶縁N26を形成する。
次に第2図(a)、(ト))に示すように、そのめっき
フレーム形成予定領域27を含む絶縁層26上にNi−
Feからなるめっき下地膜28をスパッタリング法等に
より被着形成した後、該めっき下地膜28上にレジスト
膜29を塗着する。この際、レジスト膜29は凹形状の
第二磁極形成用めっきフレーム形成予定領域27内から
外部へ流れ出ることがないので厚く塗着される。
従って、該レジスト膜29をパターニングして前記めっ
きフレーム形成予定領域内にレジスト膜29による第二
磁極の形状を画定するめっきフレーム30を形成するこ
とにより、高い(厚い)めっきフレーム30を設けるこ
とができる。
次に第3図(a)、 (b)に示すように、前記めっき
フレー牟30をマスクにしてマスクめっき法により前記
めっき下地膜28上にNi−Fe等からなる第二磁極形
成用の磁性層31を形成する。この際、前記めっきフレ
ーム30の高さ(厚さ)が高い(厚い)ので、該磁性層
31の一部が従来のように該めっきフレーム30トには
み出して形成されることがなくなる。
従って、該めっきフレーム30で囲まれた前記磁性層部
分31a以外の磁性FJ31b、めっきフレーム30及
びめっき下地M2Bを除去することにより、第4図(a
)、 (b)に示すように前記磁性層部分31aからな
る矩形断面形状の良好な第二磁極層32を容易に形成す
ることが可能となる。
〔発明の効果〕
以−Fの説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、良好な矩形断面形状を有
する第二磁極層を容易に形成することが可能となる優れ
た利点を有し、当該薄膜磁気ヘッドの製造歩留りの向上
、高性能化が実現できる等、顕著なる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (b)乃至第4図(a)、 (b)は
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例 を工程順に示す図であり、各図(a)は平面図、また各
図(b)は各図(a)に示すB−B゛切断線に沿った要
部断面図、 第5図(a)、 (b)は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明するための図であり、図(a)は平面図、ま
た図(b)は図(a)に示すA−A”切断線に沿った要
部断面図、 第6図(a)、 (b)乃至第8図(a)、 (b)は
従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程での問題点を説明 するための図であり、各図(a)は平面図、各図(b)
は各図(a)に示すB−B’切断線に沿った要部断面図
である。 第1図(a)、 (b)乃至第4図(a)、 (b)ニ
おイテ、  。 21は非磁性基板、22は第一磁極層、23はギャップ
層、24は層間絶縁層、25は薄膜コイル、26は絶縁
層、27はめっきフレーム形成予定領域、28はめっき
下地膜、29はレジスト膜、30はめっきフレーム、3
1は磁性層、31a、 31bは磁性層部分、32は第
二磁極層をそれぞれ示す。 第1図(0)    第11fflrb18nFfrメ
−yvフt−t、ngxgm            
 B−81hvコ第3図(0)     第3図(b) 、t1月、才=J!&#fffA’r#l1zI   
       B−B’h?tm第4図(0)    
 第4図(b) 、T)1乳mAへ、l−6平iロ          
     ハ −A′訴曲の第5図に)    第5図
Φ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. スライダとなる基板(21)上に第一磁極層(22)、
    ギャップ層(23)及び層間絶縁層(24)で挟まれた
    薄膜コイル(25)を順に積層形成した後、薄膜コイル
    (25)を被覆した層間絶縁層(24)上の第二磁極形
    成用めっきフレーム形成予定領域(27)以外の領域に
    絶縁層(26)を少なくとも一層以上形成する工程と、
    前記めっきフレーム形成予定領域(27)を含む絶縁層
    (26)上にめっき下地膜(28)を形成し、該めっき
    下地膜(28)上の該めっきフレーム形成予定領域(2
    7内にレジスト膜(29)のパターニングによる第二磁
    極形成用めっきフレーム(30)を形成する工程と、該
    めっきフレーム(30)をマスクとするマスクめっき法
    により前記めっき下地膜(28)上に磁性層(31)を
    形成した後、該めっきフレーム(30)で囲まれた磁性
    層部分(31a)以外の磁性層部分(31b)及びめっ
    きフレーム(30)を除去する工程を行って、第二磁極
    層(32)を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
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