JPH1186220A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH1186220A JPH1186220A JP25073997A JP25073997A JPH1186220A JP H1186220 A JPH1186220 A JP H1186220A JP 25073997 A JP25073997 A JP 25073997A JP 25073997 A JP25073997 A JP 25073997A JP H1186220 A JPH1186220 A JP H1186220A
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- coils
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドのコイル形成時に、狭いコイ
ル隙間のめっき下地膜除去を容易にし、コイル間の短絡
防止とコイル抵抗値の増大抑制をはかる。 【解決手段】 絶縁層２上にコイルめっき下地膜９を形
成した後、このコイルめっき下地膜９の上に薄膜フォト
レジスト１０を塗布する。そして、コイル６のフォトレ
ジストパターンを形成し、コイル隙間部１１に相当する
部分の薄膜フォトレジスト１０を磁極の範囲外で、かつ
コイル６と直交する領域を残して除去し、さらに、残り
の薄膜フォトレジスト１０を除去する。次に、厚膜フォ
トレジスト１２を塗布し、コイル６のフォトレジストパ
ターンを形成する。そして、コイル６に相当する領域の
厚膜フォトレジスト１２を除去する。続いて、電気めっ
きによりコイル６を形成する。最後に、残りの厚膜フォ
トレジスト１２と不要なコイルめっき下地膜９とを除去
する。
ル隙間のめっき下地膜除去を容易にし、コイル間の短絡
防止とコイル抵抗値の増大抑制をはかる。 【解決手段】 絶縁層２上にコイルめっき下地膜９を形
成した後、このコイルめっき下地膜９の上に薄膜フォト
レジスト１０を塗布する。そして、コイル６のフォトレ
ジストパターンを形成し、コイル隙間部１１に相当する
部分の薄膜フォトレジスト１０を磁極の範囲外で、かつ
コイル６と直交する領域を残して除去し、さらに、残り
の薄膜フォトレジスト１０を除去する。次に、厚膜フォ
トレジスト１２を塗布し、コイル６のフォトレジストパ
ターンを形成する。そして、コイル６に相当する領域の
厚膜フォトレジスト１２を除去する。続いて、電気めっ
きによりコイル６を形成する。最後に、残りの厚膜フォ
トレジスト１２と不要なコイルめっき下地膜９とを除去
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に
薄膜磁気ヘッドにおける導体コイル層の形成方法に関す
る。
等に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に
薄膜磁気ヘッドにおける導体コイル層の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、図３に示すように、
基板上に形成された磁性層，絶縁層および導体層などを
積層した多層膜から構成されており、その形成方法を説
明すると、まず、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる基板１上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる絶縁
層２をスパッタリングにて成膜し、次いで、下部磁極め
っき下地膜（図示せず）をスパッタリングにより成膜す
る。この下部磁極めっき下地膜にはＴｉ／ＮｉＦｅから
なる２層膜を成膜する。そして、この上にフォトレジス
トを塗布し、フォトリソグラフィー技術により下部磁極
をめっきするためのフォトレジストフレームを形成す
る。
基板上に形成された磁性層，絶縁層および導体層などを
積層した多層膜から構成されており、その形成方法を説
明すると、まず、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる基板１上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる絶縁
層２をスパッタリングにて成膜し、次いで、下部磁極め
っき下地膜（図示せず）をスパッタリングにより成膜す
る。この下部磁極めっき下地膜にはＴｉ／ＮｉＦｅから
なる２層膜を成膜する。そして、この上にフォトレジス
トを塗布し、フォトリソグラフィー技術により下部磁極
をめっきするためのフォトレジストフレームを形成す
る。
【０００３】次に、電気めっき法により下部磁極３を形
成した後、フォトレジストを剥離し、下部磁極３以外の
不要なめっき膜及び下部磁極めっき下地膜をケミカルエ
ッチングおよびイオンミリングによって除去する。
成した後、フォトレジストを剥離し、下部磁極３以外の
不要なめっき膜及び下部磁極めっき下地膜をケミカルエ
ッチングおよびイオンミリングによって除去する。
【０００４】続いて、スパッタリングによりアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなるギャップ層４を成膜後、その上
にフォトレジストを塗布する。そして、フォトリソグラ
フィー技術によりパターニング後、フォトレジストを２
５０〜３００℃でハードキュアすることにより有機絶縁
層５ａを形成する。
（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなるギャップ層４を成膜後、その上
にフォトレジストを塗布する。そして、フォトリソグラ
フィー技術によりパターニング後、フォトレジストを２
５０〜３００℃でハードキュアすることにより有機絶縁
層５ａを形成する。
【０００５】図２は、従来の薄膜磁気ヘッドにおけるコ
イル部の形成工程を示す断面図である。
イル部の形成工程を示す断面図である。
【０００６】次に、図２および図３を参照して、従来の
薄膜磁気ヘッドのコイル部形成について詳細に説明す
る。ここで、図３中に示すａ部，ｂ部は、それぞれ上下
磁極側のコイル断面と上下磁極のない側のコイル断面と
を表わしており、ａ部，ｂ部とでは断面構造が異なる
が、ここではａ部側のコイル部形成を例に挙げて説明す
る。
薄膜磁気ヘッドのコイル部形成について詳細に説明す
る。ここで、図３中に示すａ部，ｂ部は、それぞれ上下
磁極側のコイル断面と上下磁極のない側のコイル断面と
を表わしており、ａ部，ｂ部とでは断面構造が異なる
が、ここではａ部側のコイル部形成を例に挙げて説明す
る。
【０００７】従来、この種の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、導体コイル（以下、コイルという）を形成する方法
として、例えば、図２に示すように、有機絶縁層５上に
コイルめっき下地膜を形成しＣｕを主体としたコイルめ
っき下地膜９をスパッタリング等により成膜し、その上
に厚膜のフォトレジスト１３を塗布する。そして、フォ
トリソグラフィー技術を用いて渦巻き状のフォトレジス
トパターンを形成する（図２（ａ）参照）。次いで、電
気Ｃｕめっきを行ってコイル６を形成した後（図２
（ｂ）参照）、厚膜のフォトレジスト１２を除去する
（図２（ｃ）参照）。最後に不要なコイルめっき下地膜
９をケミカルエッチング、もしくはイオンミリング等で
除去する（図２（ｄ）参照）。
は、導体コイル（以下、コイルという）を形成する方法
として、例えば、図２に示すように、有機絶縁層５上に
コイルめっき下地膜を形成しＣｕを主体としたコイルめ
っき下地膜９をスパッタリング等により成膜し、その上
に厚膜のフォトレジスト１３を塗布する。そして、フォ
トリソグラフィー技術を用いて渦巻き状のフォトレジス
トパターンを形成する（図２（ａ）参照）。次いで、電
気Ｃｕめっきを行ってコイル６を形成した後（図２
（ｂ）参照）、厚膜のフォトレジスト１２を除去する
（図２（ｃ）参照）。最後に不要なコイルめっき下地膜
９をケミカルエッチング、もしくはイオンミリング等で
除去する（図２（ｄ）参照）。
【０００８】このようにして形成されたコイル６上に、
図３に示すように、先の操作と同様の方法で有機絶縁層
５ｂ，上部磁極７を積層し、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）か
らなるオーバーコート膜８をスパッタリングで成膜する
ことにより、薄膜磁気ヘッド（インダクティブ素子）が
完成する。
図３に示すように、先の操作と同様の方法で有機絶縁層
５ｂ，上部磁極７を積層し、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）か
らなるオーバーコート膜８をスパッタリングで成膜する
ことにより、薄膜磁気ヘッド（インダクティブ素子）が
完成する。
【０００９】次に、コイルの形成に関して、例えば、特
開平４−１２９０１５号公報には、コイル上側の間隔を
Ｓ（μｍ）、高さをＨ（μｍ）としたとき、Ｓ≧０．２
Ｈ＋０．５となるような高さを規定し、めっき下地膜除
去時のイオンビームの入射を容易にする技術が開示され
ている。
開平４−１２９０１５号公報には、コイル上側の間隔を
Ｓ（μｍ）、高さをＨ（μｍ）としたとき、Ｓ≧０．２
Ｈ＋０．５となるような高さを規定し、めっき下地膜除
去時のイオンビームの入射を容易にする技術が開示され
ている。
【００１０】また、コイルめっき下地膜の除去に関し
て、例えば、特開平４−１２９０１５号公報には、イオ
ンミリングのみにより除去する技術が、そして、特開平
２−８３８１１号公報には、最初、イオンミリング等に
よるドライエッチング法により下地膜を完全に除去せ
ず、ケミカルエッチングによって最終的に下地膜を除去
する技術がそれぞれ開示されている。
て、例えば、特開平４−１２９０１５号公報には、イオ
ンミリングのみにより除去する技術が、そして、特開平
２−８３８１１号公報には、最初、イオンミリング等に
よるドライエッチング法により下地膜を完全に除去せ
ず、ケミカルエッチングによって最終的に下地膜を除去
する技術がそれぞれ開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コイルの間隔が
狭く、かつ高さ（厚さ）が高く（大きく）なるとイオン
ビームが入射しにくくなり、しかも、下地膜の金属がコ
イルの側壁に再付着しやすくなる。すなわち、イオンミ
リング等の、いわゆるドライエッチング法ではコイル間
隔が狭く、コイル高さが高くなるのに従って、図２
（ｂ）に示すコイル隙間部１１のコイルめっき下地膜９
の除去が困難になり、これを除去するのに長時間を要す
るという欠点がある。
た従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コイルの間隔が
狭く、かつ高さ（厚さ）が高く（大きく）なるとイオン
ビームが入射しにくくなり、しかも、下地膜の金属がコ
イルの側壁に再付着しやすくなる。すなわち、イオンミ
リング等の、いわゆるドライエッチング法ではコイル間
隔が狭く、コイル高さが高くなるのに従って、図２
（ｂ）に示すコイル隙間部１１のコイルめっき下地膜９
の除去が困難になり、これを除去するのに長時間を要す
るという欠点がある。
【００１２】また、コイル間隔を狭くすると、イオンビ
ームが入射しにくくなるため、コイルの高さを低くする
必要があるが、コイルの高さを低くすると、断面積が減
少してコイルの電気抵抗が増加するという問題が生じ
る。さらに、ケミカルエッチングによるコイルめっき下
地膜の除去の場合でも、コイル間の隙間を狭くすると、
その隙間にエッチング液がに入りにくく、また、エッチ
ング液が隙間に入っても、その中でエッチング液が澱む
ことにより、エッチング時間のばらつきが大きくなると
いう欠点がある。
ームが入射しにくくなるため、コイルの高さを低くする
必要があるが、コイルの高さを低くすると、断面積が減
少してコイルの電気抵抗が増加するという問題が生じ
る。さらに、ケミカルエッチングによるコイルめっき下
地膜の除去の場合でも、コイル間の隙間を狭くすると、
その隙間にエッチング液がに入りにくく、また、エッチ
ング液が隙間に入っても、その中でエッチング液が澱む
ことにより、エッチング時間のばらつきが大きくなると
いう欠点がある。
【００１３】さらに、コイルめっき時にフォトレジスト
マスクとコイルめっき下地膜との密着性が悪いと、コイ
ルの隙間部分にもめっきが付着することにより、コイル
間で短絡不良が発生し、製造歩留まりが低下するという
問題がある。
マスクとコイルめっき下地膜との密着性が悪いと、コイ
ルの隙間部分にもめっきが付着することにより、コイル
間で短絡不良が発生し、製造歩留まりが低下するという
問題がある。
【００１４】本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの製造方
法におけるコイルめっき工程において、下地膜の除去時
間のばらつきを低減し、コイルめっき時における製造歩
留まりを向上させるとともに、コイル隙間の小さくして
コイル部の小型縮小化をはかり、かつコイル抵抗の増加
を抑えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
法におけるコイルめっき工程において、下地膜の除去時
間のばらつきを低減し、コイルめっき時における製造歩
留まりを向上させるとともに、コイル隙間の小さくして
コイル部の小型縮小化をはかり、かつコイル抵抗の増加
を抑えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部磁極層と
上部磁極層との間にギャップ層，絶縁層，導体コイル層
を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前
記導体コイル層の形成が、（イ）前記絶縁層上に導体コ
イルめっき下地膜を形成する工程、（ロ）前記導体コイ
ルめっき下地膜の上に第１のフォトレジストを膜状に塗
布する工程、（ハ）前記第１のフォトレジストにより導
体コイルのフォトレジストパターンを形成する工程、
（ニ）前記導体コイルの隙間に相当する部分の前記第１
のフォトレジストを磁極の範囲外で、かつ前記導体コイ
ルと直交する領域を残して除去する工程、（ホ）前記第
１のフォトレジストの残りを除去する工程、（ヘ）前記
（ホ）項までの工程で形成された形成層上に第２のフォ
トレジストを膜状に塗布する工程、（ト）前記第２のフ
ォトレジストにより前記導体コイルのフォトレジストパ
ターンを形成する工程、（チ）前記導体コイルに相当す
る領域の前記第２のフォトレジストを除去する工程、
（リ）電気めっきにより前記導体コイルを形成する工
程、（ヌ）残りの前記第２のフォトレジストを除去する
工程、（ル）不要な前記導体コイルめっき下地膜を除去
する工程、よりなることを特徴とする。
上部磁極層との間にギャップ層，絶縁層，導体コイル層
を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前
記導体コイル層の形成が、（イ）前記絶縁層上に導体コ
イルめっき下地膜を形成する工程、（ロ）前記導体コイ
ルめっき下地膜の上に第１のフォトレジストを膜状に塗
布する工程、（ハ）前記第１のフォトレジストにより導
体コイルのフォトレジストパターンを形成する工程、
（ニ）前記導体コイルの隙間に相当する部分の前記第１
のフォトレジストを磁極の範囲外で、かつ前記導体コイ
ルと直交する領域を残して除去する工程、（ホ）前記第
１のフォトレジストの残りを除去する工程、（ヘ）前記
（ホ）項までの工程で形成された形成層上に第２のフォ
トレジストを膜状に塗布する工程、（ト）前記第２のフ
ォトレジストにより前記導体コイルのフォトレジストパ
ターンを形成する工程、（チ）前記導体コイルに相当す
る領域の前記第２のフォトレジストを除去する工程、
（リ）電気めっきにより前記導体コイルを形成する工
程、（ヌ）残りの前記第２のフォトレジストを除去する
工程、（ル）不要な前記導体コイルめっき下地膜を除去
する工程、よりなることを特徴とする。
【００１６】また、フォトレジストＡの膜厚をｔａと
し，フォトレジストＢの膜厚をｔｂとするとき、ｔａ＜
ｔｂであり、かつフォトレジストＡの膜厚ｔａは、０．
１〜１μｍであることを特徴とする。
し，フォトレジストＢの膜厚をｔｂとするとき、ｔａ＜
ｔｂであり、かつフォトレジストＡの膜厚ｔａは、０．
１〜１μｍであることを特徴とする。
【００１７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コ
イル形成時において、コイルめっき下地膜の成膜後に、
薄膜のフォトレジストをマスクとしてコイル隙間に相当
する部分のコイルめっき下地膜を予め除去するため、コ
イル隙間が小さくなっても、コイルめっき下地膜除去が
容易に行える。
イル形成時において、コイルめっき下地膜の成膜後に、
薄膜のフォトレジストをマスクとしてコイル隙間に相当
する部分のコイルめっき下地膜を予め除去するため、コ
イル隙間が小さくなっても、コイルめっき下地膜除去が
容易に行える。
【００１８】また、コイルを電気めっきにより形成する
場合、コイル隙間にコイルめっき下地膜がないので、コ
イル間の短絡が発生しない。しかも、コイルめっき下地
膜のうち、一部はコイルと直交するように残っているた
め、コイル下地膜の抵抗値のばらつきが減少し、コイル
外周部から内周部にかけてめっき膜厚がほぼ均一とな
る。
場合、コイル隙間にコイルめっき下地膜がないので、コ
イル間の短絡が発生しない。しかも、コイルめっき下地
膜のうち、一部はコイルと直交するように残っているた
め、コイル下地膜の抵抗値のばらつきが減少し、コイル
外周部から内周部にかけてめっき膜厚がほぼ均一とな
る。
【００１９】そして、最終的なコイルめっき下地膜除去
工程は、コイルめっきに直交する一部とコイルめっきの
範囲外であり、コイルめっきに直交する部分はコイル隙
間を十分に設けているので、下地膜の除去を容易に行う
ことができる。
工程は、コイルめっきに直交する一部とコイルめっきの
範囲外であり、コイルめっきに直交する部分はコイル隙
間を十分に設けているので、下地膜の除去を容易に行う
ことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施の形態を実現するコイルの形成工程を示す断面図
である。なお、図中、従来例と同形状の構成部材は、同
じ符号を用いた。また、本実施例による薄膜磁気ヘッド
は、コイル形成前までの工程は、従来の技術の項（図３
を参照）と同様であり、重複を避けるために説明を省略
する。
いて図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施の形態を実現するコイルの形成工程を示す断面図
である。なお、図中、従来例と同形状の構成部材は、同
じ符号を用いた。また、本実施例による薄膜磁気ヘッド
は、コイル形成前までの工程は、従来の技術の項（図３
を参照）と同様であり、重複を避けるために説明を省略
する。
【００２１】次に、図１および図３を参照して、本発明
の薄膜磁気ヘッドのコイル部形成について詳細に説明す
る。ここで、図３中に示すａ部，ｂ部は、従来の技術の
項で説明したように、それぞれ上下磁極側のコイル断面
と上下磁極のない側のコイル断面とでは断面構造が異な
るが、ここではａ部側のコイル部形成を例に挙げて説明
する。
の薄膜磁気ヘッドのコイル部形成について詳細に説明す
る。ここで、図３中に示すａ部，ｂ部は、従来の技術の
項で説明したように、それぞれ上下磁極側のコイル断面
と上下磁極のない側のコイル断面とでは断面構造が異な
るが、ここではａ部側のコイル部形成を例に挙げて説明
する。
【００２２】まず、有機絶縁層５ａ上にＴｉ、またはＣ
ｒおよびＣｕからなるコイルめっき下地膜９をスパッタ
リングにより成膜した後、コイルを形成する面に薄膜フ
ォトレジスト１０を塗布する。この薄膜フォトレジスト
１０の膜厚は０．１〜１μｍになるようにする。そし
て、薄膜フォトレジスト１０を塗布した後、フォトリソ
グラフィー技術を用いて後の工程で形成されるコイルの
隙間に相当するコイル隙間部１１のフォトレジストのみ
を除去する（図１（ａ）を参照）。
ｒおよびＣｕからなるコイルめっき下地膜９をスパッタ
リングにより成膜した後、コイルを形成する面に薄膜フ
ォトレジスト１０を塗布する。この薄膜フォトレジスト
１０の膜厚は０．１〜１μｍになるようにする。そし
て、薄膜フォトレジスト１０を塗布した後、フォトリソ
グラフィー技術を用いて後の工程で形成されるコイルの
隙間に相当するコイル隙間部１１のフォトレジストのみ
を除去する（図１（ａ）を参照）。
【００２３】このとき、磁極部以外の範囲でコイル部分
の少なくとも一部はコイル間隔を大きくし、かつコイル
巻き線部に直交するように薄膜フォトレジスト１０を除
去せずに残しておく。
の少なくとも一部はコイル間隔を大きくし、かつコイル
巻き線部に直交するように薄膜フォトレジスト１０を除
去せずに残しておく。
【００２４】次に、先に形成した薄膜フォトレジスト１
０のパターンをマスクとしてイオンミリングもしくはケ
ミカルエッチングにより、コイルめっき下地膜９の一部
を除去後（図１（ｂ）を参照）、薄膜フォトレジスト１
０を除去し（図１（ｃ）を参照）、厚膜フォトレジスト
１２を塗布する。このとき、塗布する厚膜フォトレジス
ト１２は有機絶縁層５上で３〜５μｍになるようにす
る。厚膜フォトレジスト１２塗布後、先の手順と同様に
してコイルに相当する部分のみ厚膜フォトレジスト１２
を除去する（図１（ｄ）を参照）。
０のパターンをマスクとしてイオンミリングもしくはケ
ミカルエッチングにより、コイルめっき下地膜９の一部
を除去後（図１（ｂ）を参照）、薄膜フォトレジスト１
０を除去し（図１（ｃ）を参照）、厚膜フォトレジスト
１２を塗布する。このとき、塗布する厚膜フォトレジス
ト１２は有機絶縁層５上で３〜５μｍになるようにす
る。厚膜フォトレジスト１２塗布後、先の手順と同様に
してコイルに相当する部分のみ厚膜フォトレジスト１２
を除去する（図１（ｄ）を参照）。
【００２５】次に、電気Ｃｕめっきによってコイル６を
形成する（図１（ｅ）を参照）。このとき、コイルめっ
き下地膜９のうち、コイル隙間部１１に相当する部分を
先の工程で除去しているが、一部はコイル導体巻き線部
に直交するようにコイル下地膜９を残しているため、電
気的に導通するとともに、コイル６の外周から内周部に
かけてコイル下地膜９の抵抗値はほぼ均一となるので、
コイルの面内膜厚のばらつきが減少する。
形成する（図１（ｅ）を参照）。このとき、コイルめっ
き下地膜９のうち、コイル隙間部１１に相当する部分を
先の工程で除去しているが、一部はコイル導体巻き線部
に直交するようにコイル下地膜９を残しているため、電
気的に導通するとともに、コイル６の外周から内周部に
かけてコイル下地膜９の抵抗値はほぼ均一となるので、
コイルの面内膜厚のばらつきが減少する。
【００２６】電気Ｃｕめっきによるコイル形成後、厚膜
フォトレジスト１２を除去し（図１（ｆ）を参照）、イ
オンミリングもしくはケミカルエッチングにて不要なコ
イルめっき下地膜９を除去することにより、コイル形成
工程は完了する（図１（ｇ）を参照）。
フォトレジスト１２を除去し（図１（ｆ）を参照）、イ
オンミリングもしくはケミカルエッチングにて不要なコ
イルめっき下地膜９を除去することにより、コイル形成
工程は完了する（図１（ｇ）を参照）。
【００２７】これにより、コイル隙間部１１は一部（導
通部分）を残してすべて除去されており、残りのコイル
隙間部分のコイルめっき下地膜９は、コイル隙間を広く
しているので、イオンミリングによる除去の場合は、イ
オンビームがコイル隙間に十分に入射でき、長時間のエ
ッチング時間を必要とせず、コイル抵抗値が増大しな
い。また、ケミカルエッチングによる除去の場合は、コ
イル隙間でのエッチング液の澱みがほとんどなく、エッ
チング時間のばらつきが少なくなる。
通部分）を残してすべて除去されており、残りのコイル
隙間部分のコイルめっき下地膜９は、コイル隙間を広く
しているので、イオンミリングによる除去の場合は、イ
オンビームがコイル隙間に十分に入射でき、長時間のエ
ッチング時間を必要とせず、コイル抵抗値が増大しな
い。また、ケミカルエッチングによる除去の場合は、コ
イル隙間でのエッチング液の澱みがほとんどなく、エッ
チング時間のばらつきが少なくなる。
【００２８】このようにして形成されたコイル６上に、
先の操作と同様に、有機絶縁層５ｂ，上部磁極７を積層
し、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなるオーバーコート膜
８をスパッタリングで成膜することにより、薄膜磁気ヘ
ッド（インダクティブ素子）が完成する。また、本発明
の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、インダクティブ素子と
磁気抵抗効果ヘッド素子とを備えた複合型の薄膜磁気ヘ
ッドにも利用可能である。
先の操作と同様に、有機絶縁層５ｂ，上部磁極７を積層
し、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなるオーバーコート膜
８をスパッタリングで成膜することにより、薄膜磁気ヘ
ッド（インダクティブ素子）が完成する。また、本発明
の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、インダクティブ素子と
磁気抵抗効果ヘッド素子とを備えた複合型の薄膜磁気ヘ
ッドにも利用可能である。
【００２９】次に、図１，図３を参照してさらに詳細に
説明する。コイル６の形成時において、コイルめっき下
地膜９の成膜後に薄膜フォトレジスト１０をマスクとし
てコイル隙間部１１に相当する部分のコイルめっき下地
膜９を予め除去する。このとき、マスクとなる薄膜フォ
トレジスト１０の膜厚が０．１〜１μｍと非常に薄いた
め、コイル隙間部１１を狭くしても、イオンミリングの
場合にはイオンビームが十分入射し、また、ケミカルエ
ッチングの場合にはエッチング液の澱みが殆どなく、コ
イルめっき下地膜９を容易に除去することができる。そ
して、薄膜フォトレジスト１０を除去した後、厚膜フォ
トレジスト１２をマスクとしてコイル６を電気めっきに
より形成する。
説明する。コイル６の形成時において、コイルめっき下
地膜９の成膜後に薄膜フォトレジスト１０をマスクとし
てコイル隙間部１１に相当する部分のコイルめっき下地
膜９を予め除去する。このとき、マスクとなる薄膜フォ
トレジスト１０の膜厚が０．１〜１μｍと非常に薄いた
め、コイル隙間部１１を狭くしても、イオンミリングの
場合にはイオンビームが十分入射し、また、ケミカルエ
ッチングの場合にはエッチング液の澱みが殆どなく、コ
イルめっき下地膜９を容易に除去することができる。そ
して、薄膜フォトレジスト１０を除去した後、厚膜フォ
トレジスト１２をマスクとしてコイル６を電気めっきに
より形成する。
【００３０】ここで、先にコイル隙間部１１のコイルめ
っき下地膜９を除去しているため、本来電気めっき時の
コイルめっき下地膜９の抵抗値はコイル外周から内周部
にかけて徐々に大きくなるはずであるが、磁極以外の一
部にコイル６と直交するようにコイルめっき下地膜９を
残しておくことにより、各巻き線が同一点で短絡するの
で、抵抗値の変動がほとんどなくなる。また、最も狭く
なるコイル隙間部１１にコイルめっき下地膜９がないの
で、厚膜フォトレジスト１２とコイルめっき下地膜９の
密着力が低下し、コイル間が短絡するという不良がなく
なる。
っき下地膜９を除去しているため、本来電気めっき時の
コイルめっき下地膜９の抵抗値はコイル外周から内周部
にかけて徐々に大きくなるはずであるが、磁極以外の一
部にコイル６と直交するようにコイルめっき下地膜９を
残しておくことにより、各巻き線が同一点で短絡するの
で、抵抗値の変動がほとんどなくなる。また、最も狭く
なるコイル隙間部１１にコイルめっき下地膜９がないの
で、厚膜フォトレジスト１２とコイルめっき下地膜９の
密着力が低下し、コイル間が短絡するという不良がなく
なる。
【００３１】次に、厚膜フォトレジスト１２を除去し、
さらに、エッチングにより不要なコイルめっき下地膜９
を除去する。このとき、コイルめっき下地膜９はコイル
外とコイル隙間の広い一部分のみとなるため、イオンミ
リングの場合には長時間ミリングを必要としないのでコ
イル抵抗値が増大せず、また、ケミカルエッチングの場
合にはエッチング液の澱みが殆ど起こらないのでエッチ
ング時間がばらつかず、不要なコイルめっき下地膜９を
容易に除去することができる。
さらに、エッチングにより不要なコイルめっき下地膜９
を除去する。このとき、コイルめっき下地膜９はコイル
外とコイル隙間の広い一部分のみとなるため、イオンミ
リングの場合には長時間ミリングを必要としないのでコ
イル抵抗値が増大せず、また、ケミカルエッチングの場
合にはエッチング液の澱みが殆ど起こらないのでエッチ
ング時間がばらつかず、不要なコイルめっき下地膜９を
容易に除去することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、コイル隙間を小さくでき、コイル
部を小型縮小化できる。また、コイル隙間を小さくした
分、コイル幅を広くでき、しかも、イオンミリングによ
ってコイルめっき下地膜除去時に、コイルが長時間イオ
ンビームに露呈されることがなく、従って、コイル膜厚
が減少せず、コイル抵抗値の増大を抑制できる。さら
に、コイルめっき前に予めコイル隙間に相当する部分の
コイルめっき下地膜を除去するので、コイル間の短絡を
防止できる。
ヘッドの製造方法は、コイル隙間を小さくでき、コイル
部を小型縮小化できる。また、コイル隙間を小さくした
分、コイル幅を広くでき、しかも、イオンミリングによ
ってコイルめっき下地膜除去時に、コイルが長時間イオ
ンビームに露呈されることがなく、従って、コイル膜厚
が減少せず、コイル抵抗値の増大を抑制できる。さら
に、コイルめっき前に予めコイル隙間に相当する部分の
コイルめっき下地膜を除去するので、コイル間の短絡を
防止できる。
【図１】本発明の一実施の形態を実現するコイルの形成
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるコイルの形成工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 絶縁層 ３ 下部磁極 ４ ギャップ層 ５，５ａ，５ｂ 有機絶縁層 ６ コイル ７ 上部磁極 ８ オーバーコート膜 ９ コイルめっき下地膜 １０ 薄膜フォトレジスト １１ コイル隙間部 １２ 厚膜フォトレジスト １３ フォトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 下部磁極層と上部磁極層との間にギャッ
プ層，絶縁層，導体コイル層を順次形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記導体コイル層の形成が以
下の工程よりなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 （イ）前記絶縁層上に導体コイルめっき下地膜を形成す
る工程 （ロ）前記導体コイルめっき下地膜の上に第１のフォト
レジストを膜状に塗布する工程 （ハ）前記第１のフォトレジストにより導体コイルのフ
ォトレジストパターンを形成する工程 （ニ）前記導体コイルの隙間に相当する部分の前記第１
のフォトレジストを磁極の範囲外で、かつ前記導体コイ
ルと直交する領域を残して除去する工程 （ホ）前記第１のフォトレジストの残りを除去する工程 （ヘ）前記（ホ）項までの工程で形成された形成層上に
第２のフォトレジストを膜状に塗布する工程 （ト）前記第２のフォトレジストにより前記導体コイル
のフォトレジストパターンを形成する工程 （チ）前記導体コイルに相当する領域の前記第２のフォ
トレジストを除去する工程 （リ）電気めっきにより前記導体コイルを形成する工程 （ヌ）残りの前記第２のフォトレジストを除去する工程 （ル）不要な前記導体コイルめっき下地膜を除去する工
程 - 【請求項２】 フォトレジストＡの膜厚をｔａとし，フ
ォトレジストＢの膜厚をｔｂとするとき、ｔａ＜ｔｂで
あることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項３】 フォトレジストＡの膜厚ｔａは、０．１
〜１μｍであることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25073997A JPH1186220A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25073997A JPH1186220A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186220A true JPH1186220A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17212329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25073997A Pending JPH1186220A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1186220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100842780B1 (ko) | 2006-06-09 | 2008-07-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
| CN110182752A (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种电镀形成微细结构的方法、微细结构以及电子器件 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25073997A patent/JPH1186220A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100842780B1 (ko) | 2006-06-09 | 2008-07-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
| CN110182752A (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种电镀形成微细结构的方法、微细结构以及电子器件 |
| CN110182752B (zh) * | 2018-02-22 | 2022-02-11 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种电镀形成微细结构的方法、微细结构以及电子器件 |
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