JP3222318B2 - 薄膜形成方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、積層薄膜を所望の形
状にパターン化する薄膜形成方法と、磁気記録装置に用
いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の高記録密度
化、データの高転送速度化、多チャンネル化等に対応し
て薄膜磁気ヘッドが注目されている。特に再生出力がヘ
ッド走行速度に依存しない磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドが注目されている。図２はこの発明の実施例により作
製した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図である
が、従来のものと基本的に同じ構造であるので、図２を
参照しながらその動作を簡単に説明しておく。なお、図
２において、１は基板、５は第１絶縁層、６は磁気抵抗
効果素子（以下「ＭＲ素子」と称す）、８は第２絶縁
層、９はヨーク、１０は第３絶縁層、１１はバイアス
層、１３は第４絶縁層、１４は上部磁性層、１５はテー
プ慴動面に形成した耐摩耗膜、１６は磁気ギャップ層、
１８は保護層である。

【０００３】磁気テープなどの媒体から出た磁束は、ヨ
ーク９を通ってＭＲ素子６に到達する。さらに、その磁
束は、後ろ側のヨーク９を通って上部磁性層１４を通り
ヘッド表面に戻るという磁気回路を通る。信号を感知す
るＭＲ素子６には、ＭＲ素子６の磁化方向を適切な方向
に向け効率よい再生ができるようにバイアス磁界が印加
される。バイアス層１１はそこに電流を流しそのバイア
ス磁界を発生させるためのものである。

【０００４】以下に従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。図６は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法（主としてバイアス層１１の形成方法）を示す工程断
面図であり、図５はバイアス層１１形成後の平面図であ
る。図７は図５のＣ−Ｃ´断面図である。なお、図６は
図５のＢ−Ｂ´に対応する位置における断面を示す。

【０００５】基板１上に、第１絶縁層５、ＭＲ素子６、
リード層７（図５参照）、第２絶縁層８、ヨーク９、第
３絶縁層１０を順次形成した後、３層の積層薄膜からな
るバイアス層１１を形成する（図６（ａ））。つぎに、
バイアス層１１の上に所定の形状のフォトレジスト１２
を形成し、このフォトレジスト１２をマスクにしてイオ
ンミリングでバイアス層１１を所定の形状に加工し、Ｍ
Ｒ素子６に適正なバイアス磁界を付与するためのバイア
ス層１１とする（図６（ｂ），（ｃ））。

【０００６】その後、第４絶縁層１３、磁気ギャップ層
１６、上部磁性層１４、保護層１８を形成した後、保護
層１８が平坦になるようにラッピングし（図６
（ｄ））、保護基板（図示せず）を接着し、テープ摺動
面を所定の形状に加工し、さらにチップ化した後、テー
プ摺動面に耐摩耗膜１５（図２参照）としてＣｒＮをス
パッタし、最後にリード端子取り出し部からワイヤボン
ディング等の方法で外部回路と接続する。

【０００７】なお、バイアス層１１を構成する３層の積
層薄膜は、低電流で効率よく動作させるために比抵抗の
小さいＡｕの蒸着膜と、Ａｕの蒸着膜は第３絶縁層１０
および第４絶縁層１３との密着性が悪いためＡｕの蒸着
膜の上下に形成したＴａやＣｒなどの密着層とからな
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
は、バイアス層１１をイオンミリングで所定の形状に形
成しているが、ヨーク９の段差部（斜面上）では均一に
ミリングされないために、ＡｕやＴａ等が残ってバイア
ス残り部１７（図５，図７）となり、テープ摺動面加工
後に摺動面に露出する。そしてチップ化した後、図２の
ヘッド断面図に示すように、摺動面を保護するための耐
摩耗膜１５を成膜するが、ヨーク９の段差部に残ったバ
イアス残り部１７を介して耐摩耗膜１５とバイアス層１
１がショートするという問題点があった。その対策とし
て、段差部上に付着した膜も平坦部と同様に均一にエッ
チングされるケミカルエッチングが考えられるが、バイ
アス層１１を構成する上下層として形成した密着層が同
時にエッチングされ、特にバイアス層１１上の第４絶縁
層１３との密着性が悪く剥離するという問題点があっ
た。

【０００９】この発明の第１の目的は、積層薄膜を凹凸
の上に形成してもパターン化する際に不要な部分が残る
ことなく、かつ積層薄膜がその上下に形成される膜等と
密着性を良好に保つことのできる薄膜形成方法を提供す
ることである。また、この発明の第２の目的は、ヨーク
の段差部にバイアス層の不要な部分が残ることなく、か
つバイアス層がその上下に形成される絶縁膜と密着性を
良好に保つことのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜形成
方法は、第１，第２および第３の薄膜からなる積層薄膜
を所望の形状にパターン化する薄膜形成方法であって、
第１の薄膜の上に第１の薄膜とは異なる材質の第２の薄
膜、第１の薄膜と同じ材質でかつ膜厚が第１の薄膜より
も厚い第３の薄膜を順次積層形成する工程と、第３の薄
膜の上にレジストパターンを形成しこのレジストパター
ンをマスクにして少なくとも第３の薄膜をイオンミリン
グする工程と、レジストパターンを除去する工程と、第
２の薄膜をケミカルエッチングする工程と、第１の薄膜
をケミカルエッチングする工程とを含むことを特徴とす
る。

【００１１】請求項２記載の薄膜形成方法は、請求項１
記載の薄膜形成方法において、第１および第３の薄膜に
影響を及ぼさないエッチング液を用いて第２の薄膜をケ
ミカルエッチングし、第２の薄膜に影響を及ぼさないエ
ッチング液を用いて第１の薄膜をケミカルエッチングす
ることを特徴とする。請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、磁気抵抗効果素子と、媒体からの信号磁束
を磁気抵抗効果素子に導入するヨークと、第１，第２お
よび第３の導体膜の積層膜からなり磁気抵抗効果素子に
適正なバイアス磁界を与えるバイアス層と、上部磁性層
とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、ヨーク
上に絶縁膜を介して第１の導体膜、第１の導体膜とは異
なる材質の第２の導体膜、第１の導体膜と同じ材質でか
つ膜厚が第１の導体膜よりも厚い第３の導体膜を順次積
層形成する工程と、第３の導体膜の上にレジストパター
ンを形成しこのレジストパターンをマスクにして少なく
とも第３の導体膜をイオンミリングする工程と、レジス
トパターンを除去する工程と、第２の導体膜をケミカル
エッチングする工程と、第１の導体膜をケミカルエッチ
ングする工程とを含むことを特徴とする。

【００１２】請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、第１および第３の導体膜に影響を及ぼさないエッチ
ング液を用いて第２の導体膜をケミカルエッチングし、
第２の導体膜に影響を及ぼさないエッチング液を用いて
第１の導体膜をケミカルエッチングすることを特徴とす
る。

【００１３】

【作用】この発明の薄膜形成方法によれば、第１，第２
および第３の薄膜からなる積層薄膜を所望の形状にパタ
ーン化するために、レジストパターンをマスクにして少
なくとも第３の薄膜をイオンミリングした後、第２の薄
膜をケミカルエッチングするが、このとき第２の薄膜と
第３の薄膜とは材質が異なるため、第３の薄膜に影響を
及ぼさないエッチング液を用いて第２の薄膜をエッチン
グし、さらに、第１の薄膜をケミカルエッチングする
が、このとき第１の薄膜と第２の薄膜とは材質が異なる
ため、第２の薄膜に影響を及ぼさないエッチング液を用
いて第１の薄膜をエッチングすることにより、サイドエ
ッチングなどの進行もなく良好なパターンが得られる。
なお、第１の薄膜をケミカルエッチングするときに同じ
材質の第３の薄膜もエッチングされるが、第３の薄膜の
方が第１の薄膜より膜厚を厚く形成しているため、第１
の薄膜のエッチング終了時には第３の薄膜は残ってい
る。そのため、積層薄膜を構成する第１，第２および第
３の薄膜を例えば導体膜とし、その上下に絶縁膜が形成
されるとすれば、第１および第３の薄膜に絶縁膜と密着
性のよい薄膜を用いることにより、積層薄膜とその上下
の絶縁膜との密着性は良好に保たれる。また、第１およ
び第２の薄膜のエッチングにケミカルエッチングを用い
ているため、この積層薄膜を凹凸のある上に形成したと
きでも、平坦部と同様に均一にエッチングされ、凹凸の
段差部等にエッチングされずに不要な部分が残ったりす
ることがない。

【００１４】この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１，第２および第３の導体膜からなるバイアス
層を所望の形状にパターン化するために、レジストパタ
ーンをマスクにして少なくとも第３の導体膜をイオンミ
リングした後、第２の導体膜をケミカルエッチングする
が、このとき第２の導体膜と第３の導体膜とは材質が異
なるため、第３の導体膜に影響を及ぼさないエッチング
液を用いて第２の導体膜をエッチングし、さらに、第１
の導体膜をケミカルエッチングするが、このとき第１の
導体膜と第２の導体膜とは材質が異なるため、第２の導
体膜に影響を及ぼさないエッチング液を用いて第１の導
体膜をエッチングすることにより、サイドエッチング量
も小さく高精度で良好なパターンが得られる。なお、第
１の導体膜をケミカルエッチングするときに同じ材質の
第３の導体膜もエッチングされるが、第３の導体膜の方
が第１の導体膜より膜厚を厚く形成しているため、第１
の導体膜のエッチング終了時には第３の導体膜は残って
いる。そのため、第１および第３の導体膜に絶縁膜と密
着性のよい導体膜を用いることにより、バイアス層とそ
の上下に形成される絶縁膜との密着性は良好に保たれ
る。また、第１および第２の導体膜のエッチングにケミ
カルエッチングを用いているため、ヨークの段差部にバ
イアス層の不要な部分が残ることなく、例えばテープ慴
動面に形成される耐摩耗膜とバイアス層とがショートす
るのを防止できる。

【００１５】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１はこの発明による薄膜形成方法を示す
工程断面図である。基板１上に、下部密着層（第１の薄
膜）２，導体層（第２の薄膜）３，上部密着層（第３の
薄膜）４を順次蒸着する（図１（ａ））。ここで上部密
着層４は、下部密着層２と同質でかつ膜厚を下部密着層
２よりも厚く形成しておく。

【００１６】つぎに、上部密着層４の上に所定の形状の
フォトレジスト１２を形成し（図１（ｂ））、このフォ
トレジスト１２をマスクにして上部密着層４と導体層３
の一部をイオンミリングする（図１（ｃ））。その後、
フォトレジスト１２を剥離液にて除去する（図１
（ｄ））。つぎに、上部密着層４をマスクにして導体層
３および下部密着層２をそれぞれケミカルエッチングす
る。ここで、導体層３のエッチング液は密着層２，４に
影響を及ぼさず、下部密着層２のエッチング液は導体層
３に影響を及ぼさないものを用いている。下部密着層２
のエッチングの際、同質の膜で形成された上部密着層４
も均一にエッチングされる。しかし上部密着層４の方が
下部密着層２より膜厚が厚いため、下部密着層２のエッ
チング終了時においても上部密着層４は残る（図１
（ｅ））。

【００１７】以上のようにこの実施例によれば、上部密
着層４および導体層３の一部をイオンミリングで形成
し、導体層３および下部密着層２のケミカルエッチング
をお互いに影響を及ぼさないエッチング液を用いている
ため、サイドエッチング量は小さく良好なパターンが得
られる。また、下部密着層２とともに上部密着層４もエ
ッチングされるが、はじめに上部密着層４の方が下部密
着層２より膜厚を厚く形成しているため、下部密着層２
のエッチング終了時においても上部密着層４は残り、そ
の上に形成する薄膜（図示せず）との密着性が良好に保
たれる。当然、この場合、下部密着層２の下の基板１と
の密着性も良好である。また、導体層３および下部密着
層２のエッチングにケミカルエッチングを用いているた
め、この積層薄膜を凹凸のある上に形成したときでも、
平坦部と同様に均一にエッチングされ、凹凸の段差部等
にエッチングされずに不要な部分が残ったりすることが
ない。

【００１８】なお、この実施例では、上部密着層４およ
び導体層３の一部をイオンミリングを行ったが、上部密
着層４だけのイオンミリングを実施しても、また上部密
着層４および導体層３の全部のイオンミリングを実施し
ても同様の効果が得られる。次にこの発明の薄膜形成方
法を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図２
はこの発明の実施例により作製した磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの断面図であり、図４はこの実施例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法（主としてバイアス層１１の形成方
法）を示す工程断面図であり、図３はバイアス層１１形
成後の平面図である。なお、図４は図３のＡ−Ａ´に対
応する位置における断面を示す。

【００１９】基板１上に、第１絶縁層５、ＭＲ素子６、
リード層７（図３）、第２絶縁層８、ヨーク９、第３絶
縁層１０を順次形成した後、バイアス層１１を形成す
る。このバイアス層１１は、図１に示す下部密着層２，
導体層３および上部密着層４からなる積層薄膜と同様、
３層の積層薄膜として形成する。まず、バイアス層１１
を構成する下部密着層（第１の導体膜）としてＴａを３
０ｎｍ、中間の導体層（第２の導体膜）としてＡｕを５
００ｎｍ、上部密着層（第３の導体膜）としてＴａを６
０ｎｍを積層する（図４（ａ））。

【００２０】つぎに、バイアス層１１の上にフォトレジ
スト１２をリソグラフィーで所定の形状に形成し、この
フォトレジスト１２をマスクにしてバイアス層１１の上
部密着層および導体層の一部をイオンミリングする（図
４（ｂ））。その後、フォトレジスト１２を剥離液で除
去し、ヨーク９上の平坦部および段差部に残っているバ
イアス層１１の導体層を、ヨウ素／ヨウ化カリウム混合
水溶液でケミカルエッチングする（図４（ｃ））。この
とき、ヨウ素／ヨウ化カリウム混合水溶液はバイアス層
１１の上部および下部密着層であるＴａにはまったく影
響を及ぼさない。

【００２１】つぎに、水洗した後、バイアス層１１の下
部密着層を、６０℃に加熱した水酸化ナトリウム水溶液
でケミカルエッチングし、所望の形状のバイアス層１１
を得る（図４（ｄ））。ここで、密着層であるＴａのエ
ッチング液として水酸化ナトリウムの水溶液を用いる
が、このエッチング液はフォトレジストを溶解するので
レジスト流れ防止のため、下部密着層のエッチング前ま
でにフォトレジスト１２を除去しておかなければならな
い。フォトレジスト１２を除去しているため、下部密着
層をエッチングする際、上部密着層も同時にエッチング
されるが、上部密着層のほうが下部密着層より厚膜のた
め、下部密着層のエッチング終了時においても上部密着
層は残ることになる。また、水酸化ナトリウム水溶液は
中間の導体層であるＡｕにはまったく影響を及ぼさない
ため、サイドエッチングなどの進行はない。

【００２２】つぎに、第４絶縁層１３、磁気ギャップ層
１６、上部磁性層１４を形成する（図４（ｅ））。その
後、図２に示すように、保護層１８を形成し、その表面
が平坦になるようにラッピングし、保護基板（図示せ
ず）を接着し、テープ摺動面を所定の形状に加工し、さ
らにチップ化した後、テープ摺動面に耐摩耗膜１５とし
てＣｒＮをスパッタし、最後にリード端子取り出し部か
らワイヤボンディング等の方法で外部回路と接続する。

【００２３】以上のようにこの実施例の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、下部密着層，導体層および上部密
着層からなるバイアス層１１の形成において、下部密着
層と導体層をケミカルエッチングするため、ヨーク９の
段差部においても導体膜が残らず、したがってテープ摺
動面においてバイアス層１１の導体膜が露出せず、耐摩
耗膜１５とバイアス層１１とはショートしない。また、
上部密着層は下部密着層と同質であるがはじめに膜厚を
厚く形成しているため、下部密着層のケミカルエッチン
グ終了時にも消失せずに残り、上部の第４絶縁層１３と
の密着性も良好に維持できる。下部の第３絶縁層１０と
の密着性も良好であるのは言うまでもない。また、上部
密着層とともに導体層の一部をもイオンミリング除去し
ているため、ケミカルエッチングによる導体層のサイド
エッチングも少なくなり、特に高精度のパターンが保た
れる。

【００２４】なお、この実施例では、バイアス層１１の
形成において、上部密着層および導体層の一部をイオン
ミリングを行ったが、上部密着層だけのイオンミリング
を実施しても、また上部密着層および導体層の全部のイ
オンミリングを実施しても同様の効果が得られる。ま
た、この実施例では、薄膜磁気ヘッドのバイアス層の形
成方法について述べたが、より複雑な表面凹凸を持つ積
層型薄膜磁気ヘッドにおいても容易に薄膜形成ができ良
好なパターンが得られる。また、この実施例のＴａ／Ａ
ｕ／Ｔａのパターニング以外にも、上下が同じ材質の積
層膜においても高精度なパターンが得られる。

【００２５】

【発明の効果】この発明の薄膜形成方法は、第１，第２
および第３の薄膜からなる積層薄膜を所望の形状にパタ
ーン化するために、レジストパターンをマスクにして少
なくとも第３の薄膜をイオンミリングした後、第２の薄
膜をケミカルエッチングするが、このとき第２の薄膜と
第３の薄膜とは材質が異なるため、第３の薄膜に影響を
及ぼさないエッチング液を用いて第２の薄膜をエッチン
グし、さらに、第１の薄膜をケミカルエッチングする
が、このとき第１の薄膜と第２の薄膜とは材質が異なる
ため、第２の薄膜に影響を及ぼさないエッチング液を用
いて第１の薄膜をエッチングすることにより、サイドエ
ッチングなどの進行もなく良好なパターンが得られる。
なお、第１の薄膜をケミカルエッチングするときに同じ
材質の第３の薄膜もエッチングされるが、第３の薄膜の
方が第１の薄膜より膜厚を厚く形成しているため、第１
の薄膜のエッチング終了時には第３の薄膜は残ってい
る。そのため、積層薄膜を構成する第１，第２および第
３の薄膜を例えば導体膜とし、その上下に絶縁膜が形成
されるとすれば、第１および第３の薄膜に絶縁膜と密着
性のよい薄膜を用いることにより、積層薄膜とその上下
の絶縁膜との密着性は良好に保たれる。また、第１およ
び第２の薄膜のエッチングにケミカルエッチングを用い
ているため、この積層薄膜を凹凸のある上に形成したと
きでも、平坦部と同様に均一にエッチングされ、凹凸の
段差部等にエッチングされずに不要な部分が残ったりす
ることがない。

【００２６】この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１，第２および第３の導体膜からなるバイアス層を所
望の形状にパターン化するために、レジストパターンを
マスクにして少なくとも第３の導体膜をイオンミリング
した後、第２の導体膜をケミカルエッチングするが、こ
のとき第２の導体膜と第３の導体膜とは材質が異なるた
め、第３の導体膜に影響を及ぼさないエッチング液を用
いて第２の導体膜をエッチングし、さらに、第１の導体
膜をケミカルエッチングするが、このとき第１の導体膜
と第２の導体膜とは材質が異なるため、第２の導体膜に
影響を及ぼさないエッチング液を用いて第１の導体膜を
エッチングすることにより、サイドエッチング量も小さ
く高精度で良好なパターンが得られる。なお、第１の導
体膜をケミカルエッチングするときに同じ材質の第３の
導体膜もエッチングされるが、第３の導体膜の方が第１
の導体膜より膜厚を厚く形成しているため、第１の導体
膜のエッチング終了時には第３の導体膜は残っている。
そのため、第１および第３の導体膜に絶縁膜と密着性の
よい導体膜を用いることにより、バイアス層とその上下
に形成される絶縁膜との密着性は良好に保たれる。ま
た、第１および第２の導体膜のエッチングにケミカルエ
ッチングを用いているため、ヨークの段差部にバイアス
層の不要な部分が残ることなく、例えばテープ慴動面に
形成される耐摩耗膜とバイアス層とがショートするのを
防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の薄膜形成方法を示す工程断
面図である。

【図２】この発明の実施例により作製した薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図３】この発明の実施例による薄膜磁気ヘッドのバイ
アス層形成後の平面図である。

【図４】この発明の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す工程断面図である。

【図５】従来の薄膜磁気ヘッドのバイアス層形成後の平
面図である。

【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程断
面図である。

【図７】従来の薄膜磁気ヘッドのバイアス層形成後の断
面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部密着層（第１の薄膜） ３ 導体層（第２の薄膜） ４ 上部密着層（第３の薄膜） ５ 第１絶縁層 ６ ＭＲ素子 ７ リード ８ 第２絶縁層 ９ ヨーク １０ 第３絶縁層 １１ バイアス層 １２ フォトレジスト １３ 第４絶縁層 １４ 上部磁性層 １５ 耐摩耗膜 １６ 磁気ギャップ層 １８ 保護層

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１，第２および第３の薄膜からなる積
   層薄膜を所望の形状にパターン化する薄膜形成方法であ
   って、 前記第１の薄膜の上に前記第１の薄膜とは異なる材質の
   前記第２の薄膜、前記第１の薄膜と同じ材質でかつ膜厚
   が前記第１の薄膜よりも厚い前記第３の薄膜を順次積層
   形成する工程と、前記第３の薄膜の上にレジストパター
   ンを形成しこのレジストパターンをマスクにして少なく
   とも前記第３の薄膜をイオンミリングする工程と、前記
   レジストパターンを除去する工程と、前記第２の薄膜を
   ケミカルエッチングする工程と、前記第１の薄膜をケミ
   カルエッチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜
   形成方法。
2. 【請求項２】 第１および第３の薄膜に影響を及ぼさな
   いエッチング液を用いて第２の薄膜をケミカルエッチン
   グし、前記第２の薄膜に影響を及ぼさないエッチング液
   を用いて前記第１の薄膜をケミカルエッチングすること
   を特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。
3. 【請求項３】 磁気抵抗効果素子と、媒体からの信号磁
   束を前記磁気抵抗効果素子に導入するヨークと、第１，
   第２および第３の導体膜の積層膜からなり前記磁気抵抗
   効果素子に適正なバイアス磁界を与えるバイアス層と、
   上部磁性層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
   て、 前記ヨーク上に絶縁膜を介して前記第１の導体膜、前記
   第１の導体膜とは異なる材質の前記第２の導体膜、前記
   第１の導体膜と同じ材質でかつ膜厚が前記第１の導体膜
   よりも厚い前記第３の導体膜を順次積層形成する工程
   と、前記第３の導体膜の上にレジストパターンを形成し
   このレジストパターンをマスクにして少なくとも前記第
   ３の導体膜をイオンミリングする工程と、前記レジスト
   パターンを除去する工程と、前記第２の導体膜をケミカ
   ルエッチングする工程と、前記第１の導体膜をケミカル
   エッチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 第１および第３の導体膜に影響を及ぼさ
   ないエッチング液を用いて第２の導体膜をケミカルエッ
   チングし、前記第２の導体膜に影響を及ぼさないエッチ
   ング液を用いて前記第１の導体膜をケミカルエッチング
   することを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。