JP3037125B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘導型ヘッド素子
を具えた薄膜磁気ヘッド、或いは誘導型ヘッド素子及び
磁気抵抗効果型(ＭＲ)ヘッド素子を一体に具えた複合型
の薄膜磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ハードディスクドライブ装置等
に装備されている浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドは、図
５に示す如く、ヘッドスライダーとなる基板(１)の表面
に空気ベアリング面Ｓを形成すると共に、その側面に、
信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用の磁
気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２とを具えている。

【０００３】図６は、２つのヘッド素子Ｈ１及びＨ２を
磁気記録媒体との対向面側から見た構成を表わしてい
る。基板(１)上に、下部シールド層(10)、絶縁層(15)、
ＭＲ素子層(14)、電極層(11)(11)及び絶縁層(16)が積層
されて、磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２が構成されてい
る。又、該ヘッド素子上には、下部コア層(２)、下部絶
縁層(図示省略)、コイル層(図示省略)、上部絶縁層(図
示省略)、ギャップスペーサ層(６)及び上部コア層(７)
が積層されて、誘導型ヘッド素子Ｈ１が構成されてい
る。

【０００４】図５に示す如く誘導型ヘッド素子Ｈ１は、
上部コア層(７)を包囲して伸びるコイル層(５)を具え、
該コイル層(５)の両端部は、一対のターミナル層(12)(1
2)を経て、一対のバンプ層(13)(13)へ接続されている。
一方、磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２は、前記ＭＲ素子
層から伸びる一対の電極層(11)(11)が、一対のターミナ
ル層(12)(12)を経て一対のバンプ層(13)(13)へ接続され
ている。電極層(11)及びターミナル層(12)は、両ヘッド
素子と共に保護層(90)によって覆われており、バンプ層
(13)は、保護層(90)を垂直に貫通して、表面が保護層(9
0)から露出している。

【０００５】図７は、誘導型ヘッド素子Ｈ１の図６Ａ−
Ａ線に沿う断面を表わしている。誘導型ヘッド素子Ｈ１
の製造工程においては、下部コア層(２)、下部絶縁層
(３)、コイル層(５)、上部絶縁層(４)及びギャップスペ
ーサ層(６)を順次形成した後、ギャップスペーサ層(６)
の全表面に、スパッタリングによって上部コア層となる
磁性層を成膜する。そして、磁性層の全面にレジスト層
を形成した後、レジスト層の表面にマスクを用いた露光
及び現像処理を施して、上部コア層に応じた平面形状の
レジスト層に成形する。次に、レジスト層及び磁性層の
表面にイオンビームエッチングを施して、磁性層を上部
コア層(７)に成形する。この際、上部コア層(７)のトラ
ック幅方向の両側面をトラック幅方向に対して垂直に成
形するために、イオンビームは、レジスト層及び磁性層
の表面に対して略垂直に照射される。その後、有機溶剤
或いは剥離剤を用いた洗浄によってレジスト層を除去
し、図７に示す誘導型ヘッド素子を完成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記誘導型
ヘッド素子Ｈ１においては、図７に示す様に下部コア層
(２)の表面から下部絶縁層(３)の表面にかけて段差部Ｃ
1が形成されると共に、下部絶縁層(３)の表面から上部
絶縁層(４)の表面にかけて段差部Ｃ2が形成され、更に
上部絶縁層(４)の表面から上部コア層(７)の表面にかけ
て段差部Ｃ3が形成されている。従って、イオンビーム
エッチングによって上部コア層(７)に成形すべき磁性層
には、上記段差部Ｃ1、Ｃ2に対応して同様の段差部が生
じると共に、該磁性層を上部コア層(７)に成形するため
のレジスト層表面との間にも、前記段差部Ｃ3と対応す
る位置に同様の段差部が生じることとなる。

【０００７】このため、上記の如き段差部を有する磁性
層にイオンビームエッチングを施す過程では、イオンビ
ームの性質から段差部でのエッチングが他の平坦部より
も速く進行し、上部コア層(７)の成形が完了した時点で
はギャップスペーサ層(６)までエッチングされることに
なり、図７の如く段差部Ｃ1、Ｃ2及びＣ3にてギャップ
スペーサ層(６)が深く削り取られて、下方の下部コア層
(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)の一部が露出
する虞れがある。

【０００８】特に、上記段差部Ｃ1、Ｃ2については、下
部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)の表
面に、ギャップスペーサ層(６)となる資材を成膜する過
程で、段差部Ｃ1、Ｃ2の斜面に成膜資材が充分に付着せ
ず、段差部Ｃ1、Ｃ2における膜厚は、他の平坦部の膜厚
よりも小さくなるため、該薄肉部がイオンビームエッチ
ングによって完全に除去されて、下部コア層(２)及び下
部絶縁層(３)が露出することになる。

【０００９】この様に、下部コア層(２)、下部絶縁層
(３)及び上部絶縁層(４)の一部が露出すると、次のレジ
スト層除去工程にて、これらの露出部が有機溶剤或いは
剥離剤にさらされ、膨潤する問題がある。又、ギャップ
スペーサ層(６)が上記段差部にて分断されると、下部コ
ア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)に対する
ギャップスペーサ層(６)の付着強度が低下し、有機溶剤
或いは剥離剤による洗浄時に、ギャップスペーサ層(６)
及びその上面に形成されている上部コア層(７)が剥離す
る虞れがある。この結果、薄膜磁気ヘッドの製造工程の
歩留まりが低下する問題があった。本発明の目的は、上
述の下部コア層、下部絶縁層及び上部絶縁層の膨潤を防
止すると共に、ギャップスペーサ層及び上部コア層の剥
離を防止することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドは、基板上に誘導型ヘッド素子を具え、該ヘッド素子
は、下部コア層(２)上に、コイル層(５)が下部絶縁層
(３)と上部絶縁層(４)との間に挟まれて形成されると共
に、上部絶縁層(４)上にはギャップスペーサ層(６)を介
して上部コア層(７)が形成され、ヘッド素子全体が保護
層(９)によって覆われている。ここで、上部コア層(７)
のトラック幅方向の両側には、ギャップスペーサ層(６)
を覆って非磁性補強層(８)が形成されている。

【００１１】上記薄膜磁気ヘッドにおいては、非磁性補
強層(８)が上部コア層(７)の側面とギャップスペーサ層
(６)の表面とを互いに連結して、上部コア層(７)のギャ
ップスペーサ層(６)に対する付着強度を高めている。こ
こで、非磁性補強層(８)は非磁性資材から形成されてい
るので、下部コア層(２)と上部コア層(７)とを互いに磁
気的に短絡させることはない。

【００１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
板上に下部コア層(２)、下部絶縁層(３)、コイル層
(５)、上部絶縁層(４)及びギャップスペーサ層(６)を順
次形成する第１薄膜形成工程と、ギャップスペーサ層
(６)上に上部コア層(７)を形成する第２薄膜形成工程
と、上部コア層(７)のトラック幅方向の両側にギャップ
スペーサ層(６)を覆って非磁性補強層(８)を形成する第
３薄膜形成工程と、上部コア層(７)及び非磁性補強層
(８)を覆って保護層(９)を形成する第４薄膜形成工程と
を具えている。

【００１３】本発明の製造方法においては、第２薄膜形
成工程にて、イオンビームエッチングを施すことにより
下部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)の
一部が露出したとしても、該露出部は第３工程にて、レ
ジスト層除去工程に先立って非磁性補強層(８)に覆われ
るので、レジスト層除去工程では、これらの層(２)(３)
(４)の露出部が有機溶剤或いは剥離剤にさらされること
はなく、下部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁
層(４)が膨潤することはない。又、ギャップスペーサ層
(６)がイオンビームエッチングによって分断されたとし
ても、該分断部に非磁性補強層(８)が介在して、下部コ
ア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)に対する
ギャップスペーサ層(６)の付着強度を高めるので、ギャ
ップスペーサ層(６)及びその上面に形成されている上部
コア層(７)の剥離が防止される。

【００１４】具体的構成において、第２薄膜形成工程
は、ギャップスペーサ層(６)の表面に上部コア層(７)と
なる磁性層(70)を形成する工程と、前記磁性層(70)の表
面に、上層部が上部コア層(７)に応じた平面形状を有す
ると共に下層部が上層部よりもトラック幅方向に縮小し
たレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を介し
て前記磁性層(70)にイオンビームエッチングを施して、
磁性層(70)を上部コア層(７)に成形する工程とを有し、
第３薄膜形成工程は、ギャップスペーサ層(６)の表面に
非磁性補強層(８)を成膜する工程と、前記レジスト層を
除去する工程とを有している。

【００１５】上記具体的構成においては、前記レジスト
層は、下層部が上層部よりもトラック幅方向に縮小した
形状を有しているので、非磁性補強層形成工程にて、非
磁性補強層(８)はレジスト層のトラック幅方向の両側面
には付着せず、レジスト層の上面に付着した非磁性補強
層(８)と、上部コア層(７)のトラック幅方向の両側にギ
ャップスペーサ層(６)を覆って付着した非磁性補強層
(８)とは互いに分離される。従って、次のレジスト層除
去工程にて、レジスト層の上面に付着した非磁性補強層
(８)のみがレジスト層と共に除去されることとなる。

【００１６】又、他の具体的構成においては、前記レジ
スト層は、上部コア層(７)よりもトラック幅方向の幅が
狭い平面形状を有する下部レジスト層(81)と、下部レジ
スト層(81)のトラック幅方向の両側面から外側に突出し
て上部コア層(７)に応じた平面形状を有する上部レジス
ト層(82)とから構成される。或いは、前記レジスト層
は、上面が上部コア層(７)に応じた平面形状を有すると
共に、トラック幅方向の両側面が基板側に縮小したテー
パ面となっている。

【００１７】上記レジスト層の具体的形状によれば、非
磁性補強層形成工程にて、レジスト層の上面に付着した
非磁性補強層(８)と、上部コア層(７)のトラック幅方向
の両側にギャップスペーサ層(６)を覆って付着した非磁
性補強層(８)とを確実に分離することが出来る。

【００１８】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法によれば、下部コア層、下部絶縁層及び上部絶縁層が
非磁性補強層に覆われているので、下部コア層、下部絶
縁層及び上部絶縁層の膨潤が防止されると共に、ギャッ
プスペーサ層及び上部コア層の剥離が防止される。これ
によって、製造工程の歩留まりが改善されることとな
る。又、上部コア層の側面とギャップスペーサ層の表面
とが非磁性補強層により互いに連結されて、上部コア層
のギャップスペーサ層に対する付着強度が高められるの
で、前記上部コア層の剥離が確実に防止される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハードディスク
ドライブ装置等に装備される浮動式の複合型薄膜磁気ヘ
ッドに実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明
する。

【００２０】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドにおける磁
気抵抗効果型ヘッド素子は、図６に示す従来の積層構造
と同様に、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣからなり、必要に応じて上面
に絶縁層(図示省略)が形成された基板(１)上に、下部シ
ールド層(10)が形成され、該下部シールド層(10)上に、
絶縁層(15)を介してＭＲ素子層(14)及び電極層(11)(11)
が順次形成されている。更に、ＭＲ素子層(14)及び電極
層(11)を覆って絶縁層(16)が形成されている。一方、誘
導型ヘッド素子においては、図１に示す如く、前記絶縁
層(図示省略)の上面に下部コア層(２)が形成され、下部
コア層(２)上に、下部絶縁層(３)、コイル層(５)及び上
部絶縁層(４)が順次形成されている。更に、上部絶縁層
(４)上には、ギャップスペーサ層(６)を介して上部コア
層(７)が形成され、該上部コア層(７)のトラック幅方向
の両側には、ギャップスペーサ層(６)を覆って、Ａl₂Ｏ
₃又はＳiＯ₂等からなる厚さ数千Åの非磁性補強層(８)
が形成されて、下部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上
部絶縁層(４)に対するギャップスペーサ層(６)の付着強
度が高められている。そして、上部コア層(７)及び非磁
性補強層(８)を覆って保護層(９)が形成されている。

【００２１】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程にお
いては、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣからなり、必要に応じて上面に
Ａl₂Ｏ₃等からなる絶縁層(図示省略)が形成された基板
(１)上に、Ｎi−Ｆe合金又はＦe−Ａl−Ｓi合金等から
なる下部シールド層(10)、Ａl₂Ｏ₃等からなる絶縁層(1
5)、Ｎi−Ｆe合金又はソフト膜等からなるＭＲ素子層(1
4)、Ｃu、Ｗ、Ｃo−Ｐt合金又はＣo−Ｐt−Ｃr合金等か
らなる電極層(11)、Ａl₂Ｏ₃等からなる絶縁層(16)、及
びＮi−Ｆe合金又はＣo系アモルファス等からなる下部
コア層(２)を順次形成した後、フォトレジストからなる
下部絶縁層(３)、Ｃuからなるコイル層(５)及びフォト
レジストからなる上部絶縁層(４)を順次形成する。ここ
までの工程は従来と同じである。

【００２２】図２(ａ)乃至(ｄ)及び図３(ａ)乃至(ｄ)
は、上部絶縁層(４)の形成後、上部コア層(７)を形成す
るまでの具体的な工程を示している。先ず、図２(ａ)の
如く、下部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層
(４)を覆って、スパッタリングによりＡl₂Ｏ₃又はＳiＯ
₂からなるギャップスペーサ層(６)を成膜する。ここ
で、下部コア層(２)及び下部絶縁層(３)上の段差部Ｃ1
及びＣ2の斜面には成膜資材が充分に付着せず、段差部
Ｃ1、Ｃ2における膜厚は、他の平坦部の膜厚よりも小さ
くなる。その後、同図(ｂ)の如く、ギャップスペーサ層
(６)の全表面に、スパッタリングによって、Ｎi−Ｆe合
金又はＣo系アモルファス等からなる磁性層(70)を成膜
する。該磁性層(70)には、図示の如く前記段差部Ｃ1、
Ｃ2に対応して同様の段差部が形成されることになる。

【００２３】次に、同図(ｃ)の如く、磁性層(70)の全表
面に、ＰＭＭＡ系の遠紫外線用レジストを塗布し、例え
ば１.０μｍの厚さを有する下部レジスト層(81)を形成
する。その後、下部レジスト層(81)の全表面に、ｇ線用
或いはｉ線用のレジストを塗布し、例えば７.０μｍの
厚さを有する上部レジスト層(82)を形成する。そして、
上部レジスト層(82)の表面に、上部コア層に応じた開口
形状を有するマスクを介して、ｇ線或いはｉ線による露
光を施した後、現像処理を施し、同図(ｄ)の如く、上部
レジスト層(82)を上部コア層に応じた平面形状に成形す
る。上部レジスト層(82)は、トラック幅方向の幅が例え
ば２０〜３０μｍに形成される。

【００２４】続いて、下部レジスト層(81)及び上部レジ
スト層(82)の表面に、遠紫外線による露光を施した後、
ＰＭＭＡ系の遠紫外線用レジストの除去が可能な現像液
で現像処理を施す。この結果、図３(ａ)の如く、下部レ
ジスト層(81)の両側面には、上部レジスト層(82)の両側
面よりも内側へ向けて夫々、０.１〜１.０μｍのアンダ
ーカットが生じ、下部レジスト層(81)は、上部レジスト
層(82)のトラック幅方向の幅よりも狭い幅に成形され
て、両レジスト層(81)(82)は所謂２層レジスト状を呈す
ることになる。ここで、これらのレジスト層(81)(82)の
代わりに、図４に示す如く、上面が上部コア層に応じた
平面形状を有すると共に、トラック幅方向の両側面が基
板側に縮小したテーパ面であるレジスト層(83)を形成し
てもよい。又、断面がキノコ型のレジスト層を形成する
ことも可能である。

【００２５】更に、図３(ａ)に示す磁性層(70)及び上部
レジスト層(82)の表面に略垂直にイオンビームを照射し
て、同図(ｂ)の如く、磁性層(70)を上部コア層(７)に成
形する。この過程で、磁性層(70)の表面及び上部レジス
ト層(82)の表面が被エッチング面となって、エッチング
が深さ方向に進行する。この際、被エッチング面には、
磁性層(70)の表面に前述の段差部が形成されており、更
に磁性層(70)の表面から上部レジスト層(82)の表面にか
けて段差部が形成されているため、これらの段差部では
他の平坦部よりもエッチングが速く進行して、深く削ら
れ、エッチングはギャップスペーサ層(６)の表面に及ぶ
ことになる。ここで、段差部Ｃ1、Ｃ2では、前述の如く
ギャップスペーサ層(６)の膜厚が小さいので、図３(ｂ)
に示す如く上部コア層(７)の成形が完了した時点では、
段差部Ｃ1、Ｃ2にてギャップスペーサ層(６)が完全に削
除され、下方の下部コア層(２)及び下部絶縁層(３)の一
部が露出することになる。又、段差部Ｃ3においても、
エッチング速度が速いためにギャップスペーサ層(６)が
削除されて、図示の如く上部絶縁層(４)の一部が露出す
る虞れがある。

【００２６】続いて、図３(ｃ)の如く、上部レジスト層
(82)及びギャップスペーサ層(６)を覆って、スパッタリ
ングにより、Ａl₂Ｏ₃又はＳiＯ₂等からなる非磁性補強
層(８)をギャップスペーサ層(６)と同等の厚さ、例えば
数千Åの厚さに成膜する。ここで、上部レジスト層(82)
が下部レジスト層(81)のトラック幅方向の両側面から外
側に突出しているので、非磁性補強層(８)は下部レジス
ト層(81)の両側面には付着せず、上部レジスト層(82)上
の非磁性補強層(８)とギャップスペーサ層(６)上の非磁
性補強層(８)とは分離される。

【００２７】その後、ノルマルメチルピロリドンＮＭＰ
等による超音波洗浄を施し、同図(ｄ)の如く、下部レジ
スト層(81)及び上部レジスト層(82)を除去する。ここ
で、洗浄液は、非磁性補強層(８)に遮断されて下部コア
層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)へ浸透する
ことはない。この結果、上部レジスト層(82)の上面に付
着している非磁性補強層(８)は、これらのレジスト層(8
1)(82)と共に除去されることになる。この様に、リフト
オフ法を採用することによって、上部コア層(７)のトラ
ック幅方向の両側に、目的とする非磁性補強層(８)が形
成されるのである。

【００２８】その後、周知の工程により、ターミナル層
及びバンプ層を順次形成した後、スパッタリングによっ
てＡl₂Ｏ₃からなる保護層(９)を形成する。更に、該保
護層(９)の表面に研磨を施して、バンプ層を露出させ、
該露出面に、金メッキを施して、ワイヤボンディングの
ためのパッド層を形成し、複合型薄膜磁気ヘッドを完成
する。

【００２９】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
下部コア層(２)、下部絶縁層(３)及び上部絶縁層(４)が
非磁性補強層(８)に覆われているので、これらの層の膨
潤が防止されると共に、ギャップスペーサ層(６)及び上
部コア層(７)の剥離が防止される。これによって、製造
工程の歩留まりが改善されることとなる。又、非磁性補
強層(８)は、上部コア層(７)のトラック幅方向の両側面
にも付着し、上部コア層(７)の側面とギャップスペーサ
層(６)の表面とを互いに連結するので、前記レジスト層
除去工程における上部コア層(７)の剥離を確実に防止す
ることが出来る。

【００３０】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。例えば、上記実施の形態におい
ては、下部レジスト層(81)の材料としては、ＰＭＭＡ系
の遠紫外線用レジストを採用し、上部レジスト層(82)の
材料としては、ｇ線用或いはｉ線用のレジストを採用し
ているが、これらの材料に限らず、後工程で露光を施す
際に用いる光源に対して感度が異なるものであればよ
い。又、非磁性補強層(８)は、Ａl₂Ｏ₃やＳiＯ₂に限ら
ず、周知の他の非磁性材料、望ましくは非磁性且つ非導
電性材料から形成することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドの誘導型ヘ
ッド素子部を表わす断面図である。

【図２】本発明における上部コア層形成工程の前半を示
す工程図である。

【図３】同上の後半を示す工程図である。

【図４】他の実施例におけるレジスト層の形状を表わす
断面図である。

【図５】複合型薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

【図６】２つのヘッド素子部の積層構造を模式的に表わ
す斜視図である。

【図７】従来の誘導型ヘッド素子部における不具合を説
明する図６Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【符号の説明】

(２) 下部コア層 (３) 下部絶縁層 (４) 上部絶縁層 (５) コイル層 (６) ギャップスペーサ層 (７) 上部コア層 (８) 非磁性補強層 (９) 保護層 Ｃ1 段差部 Ｃ2 段差部 Ｃ3 段差部

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−48420（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235017（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−286411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−172520（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に誘導型ヘッド素子を具え、該ヘ
   ッド素子は、下部コア層(２)上に、コイル層(５)が下部
   絶縁層(３)と上部絶縁層(４)との間に挟まれて形成され
   ると共に、上部絶縁層(４)上にはギャップスペーサ層
   (６)を介して上部コア層(７)が形成され、ヘッド素子全
   体が保護層(９)によって覆われている薄膜磁気ヘッドに
   おいて、上部コア層(７)のトラック幅方向の両側には、
   ギャップスペーサ層(６)を覆って非磁性補強層(８)が形
   成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 基板上に下部コア層(２)、下部絶縁層
   (３)、コイル層(５)、上部絶縁層(４)及びギャップスペ
   ーサ層(６)を順次形成する第１薄膜形成工程と、ギャッ
   プスペーサ層(６)上に上部コア層(７)を形成する第２薄
   膜形成工程と、上部コア層(７)のトラック幅方向の両側
   にギャップスペーサ層(６)を覆って非磁性補強層(８)を
   形成する第３薄膜形成工程と、上部コア層(７)及び非磁
   性補強層(８)を覆って保護層(９)を形成する第４薄膜形
   成工程とを具えた薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 第２薄膜形成工程は、ギャップスペーサ
   層(６)の表面に上部コア層(７)となる磁性層(70)を形成
   する工程と、前記磁性層(70)の表面に、上層部が上部コ
   ア層(７)に応じた平面形状を有すると共に下層部が上層
   部よりもトラック幅方向に縮小したレジスト層を形成す
   る工程と、前記レジスト層を介して前記磁性層(70)にイ
   オンビームエッチングを施して、磁性層(70)を上部コア
   層(７)に成形する工程とを有し、第３薄膜形成工程は、
   ギャップスペーサ層(６)の表面に非磁性補強層(８)を成
   膜する工程と、前記レジスト層を除去する工程とを有し
   ている請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 前記レジスト層は、上部コア層(７)より
   もトラック幅方向の幅が狭い平面形状を有する下部レジ
   スト層(81)と、下部レジスト層(81)のトラック幅方向の
   両側面から外側に突出して上部コア層(７)に応じた平面
   形状を有する上部レジスト層(82)とから構成される請求
   項３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 前記レジスト層は、上面が上部コア層
   (７)に応じた平面形状を有すると共に、トラック幅方向
   の両側面が基板側に縮小したテーパ面である請求項３に
   記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。