JP2001067614A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2001067614A
JP2001067614A JP24228299A JP24228299A JP2001067614A JP 2001067614 A JP2001067614 A JP 2001067614A JP 24228299 A JP24228299 A JP 24228299A JP 24228299 A JP24228299 A JP 24228299A JP 2001067614 A JP2001067614 A JP 2001067614A
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magnetic
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pole portion
yoke
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Satoshi Uejima
聡史 上島
Junichi Hokushin
純一 北辰
Jiichi Tajima
滋一 田島
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 第２のポール部及び第２のヨーク部を異なる
プロセスで形成する場合に、第２のヨーク部のＡＢＳ側
端面を、良好な垂直性を有するように形成し得る薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 第２のポール部２２０及び第２のヨーク
部２２１を異なるプロセスで形成する場合に、第１の磁
性膜２１、ギャップ膜２４、コイル膜２３、絶縁膜２５
及び第２のポール部２２０を形成した後、露出する表面
にメッキ下地膜Ｍ１を形成する。次に、メッキ下地膜Ｍ
１の表面に、ネガ型レジスト膜を塗布する。次に、ネガ
型レジスト膜を、露光し、現像することにより、第２の
ヨーク部２２１のためのパターンを画定するレジストフ
レームを形成する。そして、第２のヨーク部２２１のた
めのメッキを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通
常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に、
第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイ
ル膜を支持する絶縁膜を形成した後に形成される。第２
の磁性膜を形成するに当たっては、絶縁膜を含むウエハ
ーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例
えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッ
キ下地膜の表面にポジティブ．フォトレジスト（以下ポ
ジ型レジストと称する）を塗布し、塗布されたポジ型レ
ジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第２の磁性
膜のためのポジ型レジストフレームを作成する。次に、
ポジ型レジストフレームによって囲まれた領域内に、第
２の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。ポ
ジ型レジストフレームの外部にもメッキ膜が析出する
が、このメッキ膜は除去される。
【０００３】第２の磁性膜形成工程において生じる問題
点の一つは、ポジ型レジストを用いているために発生す
る。即ち、ポジ型レジストフレームを形成するためのフ
ォトリソグラフィ工程において、露光光が、第２の磁性
膜を形成する領域内に照射され、この領域内に存在する
絶縁膜の表面で反射し、その反射光のために、フォトマ
スクで画定されるべき領域外まで、ポジ型レジストが露
光されてしまい、ポジ型レジストフレームのパターン精
度、延ては第２の磁性膜のパターン精度が低下してしま
うことである。
【０００４】この問題は、特に、ポール部において、顕
著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜
を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後
方には絶縁膜が位置しており、絶縁膜はギャップ膜の面
からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上
がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応
し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対
応する。
【０００５】第２の磁性膜は、スロートハイト零点まで
はギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成
し、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かって、
エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００６】従って、第２の磁性膜のためのポジ型レジ
ストフレームをフォトリソグラフィによって形成する場
合、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かってエ
イペックス角で傾斜する傾斜部分に付着したポジ型レジ
ストをも露光しなければならない。
【０００７】このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下
地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によっ
て反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の
方向に反射される。このため、ポール部の露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果と
なり、ポール部に対応するポジ型レジストフレームに、
パターン崩れを生じる。
【０００８】ポール部におけるポジ型レジストフレーム
のパターン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μ
ｍ以下まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合
に極めて大きな障害となる。
【０００９】記録トラック幅の狭小化に適した技術とし
て、例えば、特開平７ー２２５９１７号公報は、第２の
磁性膜を形成する場合に、第２のポール部及びバックギ
ャップ部を先に形成しておき、次に、第２の磁性膜のヨ
ーク部を形成する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を開
示している。即ち、第２の磁性膜において、第２のポー
ル部及び第２のヨーク部を異なるプロセスで形成するの
である。この薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性膜に含ま
れる第２のヨーク部は、一端が第２のポール部の上で立
ち上がる。第２のヨーク部は、書き込み磁束の伝送効率
の向上等の観点から、空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面
と称する）側の端面が、ＡＢＳ面とほぼ平行（膜面に対
してほぼ直交）する垂直面となるように形成することが
理想である。
【００１０】ところが、ポジ型レジストを用いて、第２
のヨーク部のためのレジストフレームを形成すると、第
２のヨーク部の形成領域に露光光が当たるために、上述
した反射による問題点を生じるから、第２のヨーク部に
おいて、ＡＢＳ面側の端面を、理想的な垂直面となるよ
うに形成することが困難である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、第２
の磁性膜において、第２のポール部及び第２のヨーク部
を異なるプロセスで形成する場合に、第２のヨーク部の
ＡＢＳ側端面を、良好な垂直性を有するように形成し得
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、２つの態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法を開示する。
【００１３】第１の態様に係る製造方法の適用される薄
膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを
含む。前記スライダは、媒体対向面側にＡＢＳ面を有す
る。
【００１４】前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜
と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性
膜とを含み、前記スライダによって支持されている。前
記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部
とを含む。前記第１のポール部は、前記ＡＢＳ面側の端
部によって構成される。前記第１のヨーク部は、前記第
１のポール部に連続し、前記ＡＢＳ面を基準にして前記
第１のポール部の後方に延びる。前記ギャップ膜は、少
なくとも前記第１のポール部の面上に備えられている。
前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
ク部の上方に備えられている。
【００１５】前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、
第２のヨーク部とを含む。前記第２のポール部は、前記
ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向する。
前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、
一端が前記第２のポール部に連続し、前記第２のポール
部の上で立ち上がり、他端が後方において前記第１のヨ
ーク部と結合されている。
【００１６】第１の態様に係る製造方法は、前記薄膜磁
気ヘッドの製造に当たり、次のような工程を含む。ま
ず、前記第１の磁性膜、前記ギャップ膜、前記コイル
膜、前記絶縁膜及び前記第２のポール部を形成した後、
露出する表面にメッキ下地膜を形成する。次に、前記メ
ッキ下地膜の表面に、ネガティブ．フォトレジスト（以
下ネガ型レジストと称する）膜を形成する。次に、前記
ネガ型レジスト膜を、露光し、現像することにより、前
記第２のヨーク部のためのパターンを画定するレジスト
フレームを形成する。次に、前記第２のヨーク部のため
のフレームメッキを行う。
【００１７】上述したように、本発明に係る製造方法で
は、メッキ下地膜の表面に、ネガ型レジスト膜を塗布し
た後、ネガ型レジスト膜を、露光し、現像することによ
り、第２のヨーク部のためのパターンを画定するレジス
トフレームを形成する。
【００１８】この工程によれば、第２のヨーク部のため
のパターンを画定するレジストフレームを形成するに当
たって、ネガ型レジスト膜を露光する際の光は、第２の
ヨーク部を形成する領域の外部に照射される。この点、
露光光が、第２のヨーク部を形成する領域内に照射され
なければならないポジ型レジストの場合と、決定的に異
なる。ポジ型レジストを用いた場合と異なって、露光の
ための光が第２のヨーク部を形成する領域内に存在する
絶縁膜の表面で反射することがなくなる。従って、高精
度のパターンを得ることができる。
【００１９】また、第２の磁性膜において、第２のポー
ル部及び第２のヨーク部を異なるプロセスで形成し、記
録トラック幅を超狭小化した薄膜磁気ヘッドを製造する
場合に、第２のヨーク部のＡＢＳ面側の端面を、ＡＢＳ
面とほぼ平行（膜面に対してほぼ直交）する垂直となる
理想形に近い状態に形成することができる。
【００２０】第２の態様に係る製造方法も、第１の態様
と同様の薄膜磁気ヘッドを製造するために適用される。
第２の態様に係る製造方法では、まず、前記第１の磁性
膜、前記ギャップ膜、前記コイル膜、前記絶縁膜及び前
記第２のポール部を形成した後、露出する表面にメッキ
下地膜を形成する。次に、前記メッキ下地膜の表面に、
下地有機樹脂膜を形成する。下地有機樹脂膜を形成する
ことが、第１の態様とは異なる点である。
【００２１】次に、前記下地有機樹脂膜の表面に、ネガ
型レジスト膜を塗布する。次に、前記ネガ型レジスト膜
を、露光し、現像することにより、前記第２のヨーク部
のためのパターンを画定するレジストフレームを形成す
る。次に、前記レジストフレームによって覆われていな
い前記下地有機樹脂膜を除去する。次に、前記第２のヨ
ーク部のためのフレームメッキを行う。
【００２２】第２の態様に係る製造方法においても、ネ
ガ型レジスト膜を用いるので、第１の態様に係る製造方
法と同様の作用効果を奏する。更に、第２の態様に係る
製造方法において、メッキ下地膜の表面に下地有機樹脂
膜が付着されているので、下地有機樹脂膜を介して、ネ
ガ型レジスト膜を、メッキ下地膜に間接的に密着させ、
ネガ型レジスト膜の剥離等を防止できる。
【００２３】下地有機樹脂膜を用いる第２の態様では、
ネガ型レジスト膜として、化学増幅型レジスト材料を用
いることができる。化学増幅型レジスト材料でなるネガ
型レジスト膜は、光反応速度が速いという利点がある。
この場合も、メッキ下地膜の表面に下地有機樹脂膜が付
着されているので、ネガ型レジスト膜の密着性を高め、
剥離等を防止できる。
【００２４】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法によって
製造される薄膜磁気ヘッドの一例を示す斜視図、図２は
図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これ
らの図において、寸法は誇張されている。図示された薄
膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１つの誘導
型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００２６】スライダ１は媒体対向面側にレール部１
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面がＡＢ
Ｓ面１３、１４として用いられる。レール部１１、１２
は２本に限らない。例えば、１〜３本のレール部を有す
ることがあり、レール部を持たない平面となることもあ
る。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々
の幾何学的形状が付され、種々の形状を持つＡＢＳとさ
れることもある。何れのタイプであっても、本発明の適
用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック
材料によって構成される。
【００２７】薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１
と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜
２３と、絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ
１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポ
ール部２１０、及び、第１のヨーク部２１１を有する。
第１のポール部２１０は、ＡＢＳ１３、１４側の端部に
よって構成されている。第１のヨーク部２１１は、第１
のポール部２１０に連続し、ＡＢＳ１３、１４を基準に
して第１のポール部２１０の後方に延びている。コイル
膜２３は絶縁膜２５によって支持されている。ギャップ
膜２４は、少なくとも第１のポール部２１０の面上に備
えられている。絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持し、
第１のヨーク部２１１の上方に備えられる。
【００２８】第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２
０と、第２のヨーク部２２１とを含む。第２のポール部
２２０は、ギャップ膜２４を介して、第１のポール部２
１０と対向している。第２のヨーク部２２１は、絶縁膜
２５の上に備えられ、第２のポール部２２０に連続し、
後方で第１のヨーク部２１１と結合されている。
【００２９】第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２
の磁性膜２２、コイル膜２３、絶縁膜２５及び保護膜２
６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００３０】まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、Co
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
【００３１】第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等
の軟磁性材料を用いて、２〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等
を用いることができる。その詳細については、本発明に
係る製造方法において更に具体的に説明する。
【００３２】コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構
成される。コイル膜２３の膜厚は１〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
【００３３】ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
【００３４】絶縁膜２５はフォトレジスト材料を硬化さ
せて形成することが好ましい。絶縁膜２５は、コイル膜
２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数
が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３
〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００３５】保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料に
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
【００３６】コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、絶縁膜２５によって支持
され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるよう
に形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電
極２７、２８に導通されている（図１参照）。コイル膜
２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、
２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００３７】図示された薄膜磁気ヘッドは、更に、第２
の絶縁膜２７を含む。第２の絶縁膜２７は、ＡＢＳ１
３、１４側において、第１の絶縁膜２５の基部に備えら
れ、スロートハイトＴＨ０を決定する。
【００３８】また、第２の磁性膜２２において、第２の
ヨーク部２２１は、第１の絶縁膜２５の上に備えられ、
一端が第２のポール部２２０に結合され、他端が、後方
結合部２２３により、第１のヨーク部２１１と結合され
ている。
【００３９】図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スラ
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
【００４０】第２の磁性膜２２の第２のヨーク部２２１
は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されてい
るから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによっ
て発生した磁界を、第２のヨーク部２２１によって、第
１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良
く伝送することができる。
【００４１】図１〜３に示した薄膜磁気ヘッドは、誘導
型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用とし
てＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換素子
２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の媒体
移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方向ａ
１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一致す
る。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄膜磁
気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８及び
薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３３、３
４が設けられている。
【００４２】ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造の
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図１参照）。
【００４３】＜第１の態様に係る製造方法＞次に、図１
〜３に示した薄膜磁気ヘッドについて、第１の態様に係
る製造方法を説明する。図４〜図２７は第１の態様に係
る製造方法に含まれる工程を示す図である。図４〜図２
７において、図１〜３に示された構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。本発明
に係る製造方法はウエハー上で実行されるが、図はウエ
ハー上の一素子のみを示してある。また、図示上の都合
から、各図面において、寸法は必ずしも一致していな
い。更に、寸法は誇張されている。
【００４４】まず、図４、５を参照して説明する。図４
はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分
の正面断面図、図５は図４の５ー５線に沿った断面図で
ある。図示するように、スライダとなる基体１上に第１
の磁性膜２１、ギャップ膜２４、コイル膜２３を支持す
る絶縁膜２５、及び、第２の磁性膜を構成する第２のポ
ール部２２０がすでに形成されている。ＭＲ素子３、第
１のシールド膜３１、絶縁膜３２及びリード導体３５等
も既に形成されている。これらの構成部分は当業者に周
知のプロセスに従って形成する。
【００４５】次に、図６、７に示すように、絶縁膜２５
及び第２のポール部２２０を含む全面に、第２の磁性膜
をメッキによって形成するためのメッキ下地膜（シード
膜）Ｍ１を形成する。メッキ下地膜Ｍ１は例えばパーマ
ロイ膜でなり、スパッタ等の手段によって形成する。
【００４６】次に、図８に示すように、メッキ下地膜Ｍ
１の表面にネガ型レジスト膜５を塗布する。ネガ型レジ
スト膜５はスピンコート法によって塗布することができ
る。ネガ型レジスト膜５としては、周知のものを用いる
ことができる。
【００４７】次に、ネガ型レジスト膜５に対して第２の
磁性膜２２を構成する第２のヨーク部２２１（図２、３
参照）のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。ま
ず、図９に示すように、ネガ型レジスト膜５に対してフ
ォトマスク６を当てて露光する。次に現像する。これに
より、図１０〜１２に示すように、レジストフレーム５
１を形成する。
【００４８】ここで、第２のヨーク部のためのパターン
を画定するレジストフレーム５１を形成するに当たっ
て、ネガ型レジスト膜５を露光する際の光Ｌ１は、第２
のヨーク部を形成する領域ＡＲ１の外部に位置する開口
部６１、６２を通して照射される。この点、露光光が、
第２のヨーク部を形成する領域ＡＲ１の内部に照射され
なければならないポジ型レジストの場合と、決定的に異
なる。ネガ型レジスト膜５を用いた場合、ポジ型レジス
トを用いた場合と異なって、露光のための光Ｌ１が第２
のヨーク部を形成する領域ＡＲ１の内部に存在する絶縁
膜２５の表面で反射することがなくなる。従って、高精
度のパターンを得ることができる。
【００４９】次に、図１３〜１５に示すように、レジス
トフレーム５１によって囲まれたパターン５２の内部、
及び、外部に、第２のヨーク部のためのメッキ膜Ｍ２を
付着させる。パターン５２の内部に形成されたメッキ膜
Ｍ２は第２のヨーク部２２１となる。このように、第２
の磁性膜２２において、第２のポール部２２０及び第２
のヨーク部２２１を異なるプロセスで形成するので、例
えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラック幅を
有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００５０】また、ネガ型レジスト膜５を用いるので、
第２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２１を異な
るプロセスで形成し、記録トラック幅を超狭小化した薄
膜磁気ヘッドを製造する場合に、第２のヨーク部２２１
のＡＢＳ面側の端面２２４（図１３参照）を、ＡＢＳ面
とほぼ平行（膜面に対してほぼ直交）する垂直となる理
想形に近い状態に形成することができる。
【００５１】次に、レジストフレーム５１を除去する。
レジストフレーム５１は、有機溶剤による溶解法、もし
くは、アッシング等のドライエッチング法の適用によっ
て除去することができる。レジストフレーム５１の除去
された除去跡５３には、図１６、１７に示すように、メ
ッキ下地膜Ｍ１が露出する。
【００５２】次に、レジストフレーム５１の除去跡５３
に露出するメッキ下地膜Ｍ１を除去する。メッキ下地膜
Ｍ１はミリング等のドライエッチング法の適用によって
除去することができる。図１８、１９は除去跡５３から
メッキ下地膜を除去した後の状態を示している。
【００５３】次に、図２０、２１に図示するように、レ
ジストフレームの除去跡５３、及び除去跡５３によって
囲まれている領域５２（図１９参照）の内部のメッキ膜
Ｍ２を、レジストカバー７によって覆う。レジストカバ
ー７はポジ型レジストまたはネガ型レジストの何れでも
よい。
【００５４】次に、図２２、２３に示すように、レジス
トカバー７によって覆われていない領域のメッキ膜Ｍ２
を除去する。メッキ膜Ｍ２はミリング等のドライエッチ
ング法または化学的エッチング法によって除去できる。
【００５５】次に、レジストカバー７を除去する。レジ
ストカバー７は有機溶剤による溶解法、もしくは、アッ
シング等のドライエッチング法の適用によって除去する
ことができる。これにより、図２４〜２６に示すよう
に、第２のヨーク部２２１が形成される。第２のヨーク
部２２１は、絶縁膜２５の上に備えられ、一端が第２の
ポール部２２０に連続し、第２のポール部２２０の上で
立ち上がり、他端が後方において、第１の磁性膜２１を
構成する第１のヨーク部２１１と、結合部２２３を介し
て、結合される。
【００５６】この後、図２７に示すように、保護膜２６
を形成する。保護膜２６は、Al2O3またはSiO2等でな
り、スパッタ等の手段によって形成される。
【００５７】＜第２の態様に係る製造方法＞第２の態様
に係る製造方法においても、第１の態様に係る製造方法
と同じように、図４〜７に図示されたプロセスを経る。
即ち、図４、５に示したように、スライダとなる基体１
上に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、コイル膜２３
を支持する絶縁膜２５、及び、第２の磁性膜を構成する
第２のポール部２２０を形成した後、図６、７に示たよ
うに、絶縁膜２５及び第２のポール部２２０を含む全面
に、第２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッ
キ下地膜Ｍ１を形成する。メッキ下地膜Ｍ１は例えばパ
ーマロイ膜でなり、スパッタ等の手段によって形成す
る。
【００５８】第２の態様に係る製造方法では、この後の
工程が、第１の態様に係る製造方法と異なる。即ち、図
２８、２９に示すように、メッキ下地膜ＭＩの表面に、
下地有機樹脂膜Ｂ１を塗布する。下地有機樹脂膜Ｂ１
は、後に塗布するネガ型レジスト膜に使用している溶媒
に溶解しない有機樹脂であればよい。例えば、ポリサル
フォンポリマーの誘導体 またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体 から選択された一種が適している。これらは、スピンコ
ート等の手段によって形成することができる。
【００５９】次に、図３０に示すように、下地有機樹脂
膜Ｂ１の表面に、ネガ型レジスト膜５を塗布する。ネガ
型レジスト膜５はスピンコート法によって塗布すること
ができる。ネガ型レジスト膜５としては、周知のものを
用いることができる。
【００６０】次に、ネガ型レジスト膜５に対して、第２
の磁性膜２２を構成する第２のヨーク部２２１（図２、
３参照）のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。
まず、図３１に示すように、ネガ型レジスト膜５に対し
てフォトマスク６を当て露光する。図３１の露光工程の
後、現像することにより、図３２〜３４に示すようなレ
ジストフレーム５１が得られる。
【００６１】既に述べたように、ネガ型レジスト膜５を
露光する際の光Ｌ１は、第２のヨーク部を形成する領域
の外部に位置する開口部６１、６２（図３１参照）を通
して照射される。このため、露光光Ｌ１が第２のヨーク
部を形成する領域の内部に存在する絶縁膜２５の表面で
反射することがなくなる。従って、高精度のパターンを
得ることができる。
【００６２】更に、メッキ下地膜Ｍ１の表面に下地有機
樹脂膜Ｂ１が付着されているので、下地有機樹脂膜Ｂ１
を介して、ネガ型レジストフレーム５１を、メッキ下地
膜Ｍ１に間接的に密着させ、ネガ型レジストフレーム５
１の剥離等を防止できる。
【００６３】特に好ましくは、ネガ型レジスト膜として
化学増幅型レジスト材料を用いることができる。この場
合、化学増幅型レジスト材料でなるネガ型レジスト膜５
は、光の照射された部分で、ネガ型レジストを構成する
化学増幅型レジスト中で発生する酸の作用で固まり、フ
レーム５１が形成される。
【００６４】一方、メッキ下地膜Ｍ１は、一般には、Ｆ
ｅ成分を含有する磁性材料、典型的には、パーマロイに
よって構成されており、Ｆｅ成分が、ある確率で、メッ
キ下地膜Ｍ１の表面に現れる。メッキ下地膜の表面に現
れたＦｅ成分は、水酸化物になり易く、その表面には水
酸基が存在する。
【００６５】もし、下地有機樹脂膜Ｂ１がない場合は、
この水酸化物の水酸基と、化学増幅型レジスト材料でな
るネガ型レジスト膜５に含まれる酸とが結びつく。この
ため、化学増幅型レジスト材料でなるネガ型レジスト膜
５において、硬化に寄与する酸が減少し、メッキ下地膜
５に対する化学増幅型レジスト材料でなるネガ型レジス
トフレーム５１の密着性が低下する。
【００６６】本発明に係る第２の態様では、メッキ下地
膜Ｍ１の表面に下地有機樹脂膜Ｂ１が付着されているの
で、ネガ型レジスト膜５を構成する化学増幅型レジスト
に含まれる酸が水酸基と結びつくのを阻止できる。従っ
て、化学増幅型レジスト材料でなるネガ型レジストフレ
ーム５１の密着性を高め、剥離等を防止できる。
【００６７】ここでいう化学増幅型レジストは、アルカ
リ可溶性樹脂と、感光性酸発生剤と、アルカリ可溶性樹
脂に架橋反応を生じさせる架橋剤とを含む。
【００６８】次に、図３５、３６に示すように、レジス
トフレーム５１によって囲まれたパターンの内部、及
び、外部において、下地有機樹脂膜Ｂ１を除去する。下
地有機樹脂膜Ｂ１は、アッシング等のドライエッチング
法の適用によって除去することができる。この後、第１
の態様に係る製造方法において説明された図１３〜図２
７に図示されたプロセスを実行する。
【００６９】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００７０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
２の磁性膜において、第２のポール部及び第２のヨーク
部を異なるプロセスで形成する場合に、第２のヨーク部
のＡＢＳ側端面を、良好な垂直性を有するように形成し
得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
【図３】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドのポール部分
を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る製造方法の第１の態様に含まれる
工程を示す断面図である。
【図５】図４の５ー５線に沿った断面図である。
【図６】図４、５に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
【図７】図６の７ー７線に沿った断面図である。
【図８】図６、７に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
【図９】図８に示した製造工程の後の工程を示す断面図
である。
【図１０】図９に示した製造工程の後の工程を示す断面
図である。
【図１１】図１０の１１ー１１線に沿った断面図であ
る。
【図１２】図１０、１１に示した製造工程における平面
図である。
【図１３】図１０〜１２に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図１４】図１３の１４ー１４線に沿った断面図であ
る。
【図１５】図１３、１４に示した製造工程における平面
図である。
【図１６】図１３〜１５に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図１７】図１６に示した製造工程における平面図であ
る。
【図１８】図１６、１７に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図１９】図１８に示した製造工程における平面図であ
る。
【図２０】図１８、１９に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２１】図２０に示した製造工程における平面図であ
る。
【図２２】図２０、２１に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２３】図２２に示した工程における平面図である。
【図２４】図２２、２３に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２５】図２４の２５ー２５線に沿った断面図であ
る。
【図２６】図２４、２５に示した工程における平面図で
ある。
【図２７】図２４〜２６に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２８】本発明に係る製造方法の第２の態様に含まれ
る工程を示す断面図である。
【図２９】図２８の２９ー２９線に沿った断面図であ
る。
【図３０】図２８、２９に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図３１】図３０に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
【図３２】図３１に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
【図３３】図３２の３３ー３３線に沿った断面図であ
る。
【図３４】図３３に示した工程における平面図である。
【図３５】図３３、３４に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図３６】図３５に示した工程における平面図である。
【符号の説明】
２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２１０ 第１のポール部 ２２０ 第２のポール部 ２１１ 第１のヨーク部 ２２１ 第２のヨーク部 ２３ コイル膜 ２４ ギャップ膜 ２５ 絶縁膜 ５ ネガ型レジスト Ｂ１ 下地有機樹脂膜 Ｍ１ メッキ下地膜
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月５日（１９９９．１１．
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２８】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３０】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３１】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田島 滋一 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA12 BA41 BA71 BB03 DA02 DA04 DA09 DA31 5D034 BA03 BA17 BA19 BB03 DA07

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
    子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
    しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
    と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、
    前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
    部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
    によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
    前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
    の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
    上に備えられており、 前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
    ク部の上方に備えられており、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
    部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
    第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、一
    端が前記第２のポール部に連続し、前記第２のポール部
    の上で立ち上がり、他端が後方において前記第１のヨー
    ク部と結合されており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前記第１の磁性膜、
    前記ギャップ膜、前記コイル膜、前記絶縁膜及び前記第
    ２のポール部を形成した後、露出する表面にメッキ下地
    膜を形成し、 前記メッキ下地膜の表面に、ネガティブ．フォトレジス
    ト膜を塗布し、 前記ネガティブ．フォトレジスト膜を、露光し、現像す
    ることにより、前記第２のヨーク部のためのパターンを
    画定するレジストフレームを形成し、 前記第２のヨーク部のためのメッキを行う工程を含む薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
    子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
    しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
    と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、
    前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
    部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
    によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
    前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
    の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
    上に備えられており、 前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
    ク部の上方に備えられており、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
    部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
    第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、一
    端が前記第２のポール部に連続し、前記第２のポール部
    の上で立ち上がり、他端が後方において前記第１のヨー
    ク部と結合されており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前記第１の磁性膜、
    前記ギャップ膜、前記コイル膜、前記絶縁膜及び前記第
    ２のポール部を形成した後、露出する表面にメッキ下地
    膜を形成し、 前記メッキ下地膜の表面に、下地有機樹脂膜を形成し、 前記下地有機樹脂膜の表面に、ネガティブ．フォトレジ
    スト膜を塗布し、 前記ネガティブ．フォトレジスト膜を、露光し、現像す
    ることにより、前記第２のヨーク部のためのパターンを
    画定するレジストフレームを形成し、 前記レジストフレームによって覆われていない前記下地
    有機樹脂膜を除去し、 前記第２のヨーク部のためのメッキを行う工程を含む薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載された製造方法であっ
    て、 前記ネガティブ．フォトレジスト膜は、化学増幅型レジ
    スト材料でなる製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された製
    造方法であって、 前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含ん
    でおり、 前記第１の絶縁膜は、前記コイル膜を支持しており、 前記第２の絶縁膜は、前記空気ベアリング面側において
    前記第１の絶縁膜の基部に備えられ、スロートハイト零
    点を決定する製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載された製
    造方法であって、 磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002197617A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3850772B2 (ja) 2002-08-21 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法
US7413845B2 (en) * 2004-04-23 2008-08-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Elimination of write head plating defects using high activation chemically amplified resist
JP6027819B2 (ja) * 2012-08-20 2016-11-16 日東電工株式会社 配線回路基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620227A (ja) 1992-07-03 1994-01-28 Yamaha Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH0644526A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Yamaha Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5452164A (en) 1994-02-08 1995-09-19 International Business Machines Corporation Thin film magnetic write head
JP2914343B2 (ja) * 1997-04-07 1999-06-28 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置
US6163436A (en) * 1997-11-19 2000-12-19 Tdk Corporation Thin film magnet head with improved performance
US6104576A (en) * 1998-04-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer
US6111724A (en) * 1998-04-10 2000-08-29 International Business Machines Corporation Method of making a magnetic write head with plated self-aligned zero throat height defining layer without reflective notching of a second pole tip

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