JP2002214799A - マスクパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

マスクパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2002214799A
JP2002214799A JP2001013319A JP2001013319A JP2002214799A JP 2002214799 A JP2002214799 A JP 2002214799A JP 2001013319 A JP2001013319 A JP 2001013319A JP 2001013319 A JP2001013319 A JP 2001013319A JP 2002214799 A JP2002214799 A JP 2002214799A
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Yoshihiko Kakihara
芳彦 柿原
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    • B82—NANOTECHNOLOGY
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リフトオフ法により狭小な幅を有するパター
ンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされ
る層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状
の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成
を可能にする。 【解決手段】 マスクパターン形成面上に第１のレジス
ト３２を塗布する第１の塗布工程と、第１のレジスト３
２上に第２のレジスト３３を塗布する第２の塗布工程
と、第１及び第２のレジスト３２及び３３を所定のパタ
ーンに露光し、第１及び第２のレジスト中に、目的とす
るマスクパターンの外側部３３ｂと、このマスクパター
ンすなわちブリッジ部３３ａの両端とが連結されて保持
されるブリッジ状パターンの潜像、もしくはブリッジ状
パターンの反転パターンの潜像を形成する露光工程と、
第１及び第２のレジスト３２及び３３に対し、異なる溶
解速度を有する現像液によって、第１のレジスト３２を
ブリッジ状パターンのブリッジ部を除去して外側部のみ
を残存するパターンに現像し、第２のレジスト３３をブ
リッジ状パターンに現像する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にリフトオフに
よるパターン化がなされる場合に用いて好適なマスクパ
ターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗
効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に係
わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の小型大容量
化が進むなかで、その記録再生ヘッドとして、狭トラッ
ク化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易で高分解能記
録が可能な、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドが注目
されている。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶縁膜等の薄
膜が多層に積層され、さらに導体コイルやリード線及び
端子が形成された構成の磁気ヘッドである。そしてこの
薄膜磁気ヘッドにおいて、高記録密度化に伴って、従来
のいわゆるインダクティブ型磁気ヘッドより高い感度を
有するＭＲ（磁気抵抗効果）素子が、再生ヘッドの感磁
部として用いられている。
【０００４】ＭＲ素子による磁気センサーは、感度の良
い磁気センサーとして、また、これを感磁部とする磁気
ヘッドは、大きな線形密度で、例えば磁気記録媒体から
の記録信号磁界を読み取る変換器として、広く一般に用
いられている。
【０００５】通常一般のＭＲ素子は、その抵抗が、素子
の磁化方向と素子中を流れるセンス電流の通電方向との
なす角度の余弦の２乗に比例して変化する異方性磁気抵
抗効果を利用するものである。
【０００６】これに対し、最近では、センス電流の流れ
ている素子の抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間で
の伝導電子のスピン依存性と異層界面でのスピン依存散
乱により発生する、スピンバルブ効果を用いた巨大磁気
抵抗効果（ＳＶＧＭＲ）素子、またはトンネル電流を利
用したいわゆるＴＭＲ素子が、例えば５０〜１００Ｇｂ
／ｉｎｃｈ2 以上という高密度の記録再生に適した再生
用磁気ヘッドとして用いられる方向にある。
【０００７】これらＳＶＧＭＲ素子やＴＭＲ素子は、異
方性磁気抵抗効果におけるよりも抵抗変化が大きく、こ
れを用いて感度の高い磁気センサーや磁気ヘッドを構成
することができる。
【０００８】ところで、薄膜磁気ヘッドの高記録密度化
には、上述したような磁性膜や絶縁膜の積層された薄膜
磁気ヘッドを製造する際に、その狭トラック化が不可欠
となる。特に上述したような、ＳＶＧＭＲ素子、ＴＭＲ
素子を用いるような高密度記録に適した薄膜磁気ヘッド
においては、０．３μｍ以下という微細なトラック幅を
構成する必要がある。
【０００９】従ってこのようなＳＶＧＭＲ素子等を用い
た薄膜磁気ヘッドにおいて、そのトラック幅を規制する
部分、例えば上述のＳＶＧＭＲ素子あるいはＴＭＲ素子
を０．３μｍ程度にパターニングし、更にその両側から
ＳＶＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を挟み込むように、これら
に安定バイアス磁界を印加する硬磁性層を成膜する。
【００１０】一例として、このようにＳＶＧＭＲ素子の
両側が硬磁性層等と接合されて成るいわゆるアバッティ
ッド・ジャンクションをリフトオフ法を用いて形成する
方法を図１８及び図１９を参照して模式的に説明する。
【００１１】図示しないが、先ず非磁性基板上に、下層
シールド磁性層、下地層、非磁性層等を被着した後、図
１８Ａに示すように、例えば反強磁性層、固定層、スペ
ーサ層及び自由層等より成る例えばＳＶＧＭＲ素子を構
成する構造の磁気抵抗効果膜３１ａを成膜した後、例え
ば第１及び第２のレジスト３２及び３３を塗布する。３
０は非磁性層を示す。
【００１２】ここで第１及び第２のレジスト３２及び３
３は、現像液に対し異なる溶解速度を有する材料に選定
する。例えば第１のレジスト３２をアルカリ可溶ポリイ
ミドとし、第２のレジストを化学増幅型レジスト又はノ
ボラックレジストとして、後述する現像工程において、
アルカリ現像液を用いる。
【００１３】また、第１のレジスト３２の膜厚は例えば
０．１μｍ〜０．１５μｍ、第２のレジスト３３の膜厚
は０．４μｍ〜１．０μｍ程度とする。塗布条件は、例
えば３０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍで３０〜６０秒の
条件とする。
【００１４】塗布した後、プリベークを行う。ベーク条
件は、例えば第１のレジスト３２に対して１７０℃〜２
００℃で３０分〜１時間、第２のレジスト３３に対して
１５０℃〜１７０℃で３０分〜１時間とする。
【００１５】この後、図１８Ｂに示すように、露光マス
ク３４をマスクとして第１及び第２のレジスト３２及び
３３を露光する。
【００１６】次に、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド）２．３８％溶液などのア
ルカリ現像液に、例えば６０秒〜１２０秒浸して現像を
行う。このとき、第１のレジスト３２が、第２のレジス
ト３３に比し現像速度（すなわち溶解速度）が速いの
で、図１８Ｃに示すように、第１のレジスト３２の幅が
第２のレジスト３３に比し小となる。すなわち頂部断面
は幅広で、これを支持する土台部に切れ込みが生じてこ
の支持部断面が幅狭となったいわば断面茸状のリフトオ
フレジスト３５が形成される。
【００１７】この後、イオンミリング等の異方性エッチ
ングによって図１８Ｄに示すように、磁気抵抗効果膜３
１ａをパターニングする。磁気抵抗効果膜３１ａは、リ
フトオフレジスト３５から露出した部分が除去され、所
要のトラック幅をもって形成された磁気抵抗効果素子３
１、この場合ＳＶＧＭＲ素子が形成される。
【００１８】このとき、リフトオフレジスト３５もイオ
ンビームによりエッチングされるが、実際の磁気抵抗効
果膜３１ａの膜厚が０．０４μｍ〜０．０６μｍである
のに対し、レジスト３５の厚さは０．５μｍ〜１．２μ
ｍと十分厚いので、レジスト３５の形状は保持される。
【００１９】次に、図１９Ａに示すように、全面的に、
ＣｏＣｒＰｔやＣｏＰｔ等より成る硬磁性層３６と、Ｔ
ａやＴｉＷ等より成る電極層３７をスパッタリング等に
より被着する。図示しないが、下地層、中間保護層等を
設けてもよい。
【００２０】このとき、各層３６及び３７は、磁気抵抗
効果素子３１の両側に成膜されると共に、リフトオフレ
ジスト３５の上にも成膜される。しかしながら、リフト
オフレジスト３５の下部に切れ込みがあることから、磁
気抵抗効果素子３１の両側に被着された硬磁性層３６及
び電極層３７と、リフトオフレジスト３５の上の硬磁性
層３６及び電極層３７との間に、隙間３８が生じる。
【００２１】この後、再びアセトンやＮＭＰ（ナノメチ
ルピロリドン）といった有機溶剤に浸すことにより、こ
の隙間３８に有機溶剤が浸透してリフトオフレジスト３
５が溶解されると共に、この上の硬磁性層３６及び電極
層３７が除去されて、図１９Ｂに示すように、所定のト
ラック幅Ｔｗを有し、その両側に硬磁性層３６が接合さ
れた磁気抵抗効果素子３１、例えばＳＶＧＭＲ素子を形
成することができる。
【００２２】上述の例においては、リフトオフレジスト
として２層構造のレジストを形成した場合について説明
したが、その他図２０Ａに示すようなイメージリバース
型のリフトオフレジスト３５や、図２０Ｂに示すような
溶解促進剤偏析１層型のリフトオフレジスト３５を用い
ることができる。図２０Ｃは上述の２層構造のリフトオ
フレジストを示す。
【００２３】例えば溶解促進剤偏析１層型のレジストを
用いる場合、パターン露光後に、ポストエクスポージャ
ーベークを行うことにより、レジストの中に含まれてい
る溶解促進剤がレジストの下部分に偏析し、この後現像
を行うと、溶解促進剤が偏析した下部分が他の部分に比
べて現像溶解速度が速いため、図２０Ｂに示すように、
レジストの下部が上部に比し細くなって、いわば切れ込
みが発生した形状となり、リフトオフが可能となる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなリフトオフにより形成した磁気抵抗効果素子３１、
例えばＳＶＧＭＲ素子やＴＭＲ素子のトラック幅Ｔｗを
狭小化するためには、リフトオフレジスト３５の幅も狭
小化する必要がある。例えば図１９Ａに示すように、切
れ込み部分の幅をｗ1 とし、頂部を支持するいわゆる土
台部分の幅をｗ2とすると、リフトオフレジスト３５の
頂部の幅は、 （ｗ1 ×２）＋ｗ2 が限界となる。
【００２５】一方、リフトオフにより除去する層の膜厚
は、例えば下地層、硬磁性層、中間保護膜、電極層など
からなり、これらの全膜厚は１５０ｎｍ〜２００ｎｍ
（０．１５μｍ〜０．２μｍ）となる。
【００２６】したがって、各層をリフトオフしてパター
ニングするためには、リフトオフレジストの切れ込み部
分の幅ｗ1 は０．１μｍ程度以上必要となる。図２１Ａ
に示すように、切れ込み部分の幅をこれ以下の例えば
０．０５μｍ〜０．０２μｍと小さくしてしまうと、リ
フトオフする膜の厚さが大であるために、リフトオフ時
に完全に除去できなくなって、いわゆるバリが発生する
という問題が生じる。
【００２７】また、図２１Ｂに示すように、切れ込み部
分を確保するためにリフトオフレジストの土台部分を狭
小化すると、リフトオフレジスト自体が倒れてしまう恐
れがある。
【００２８】つまり、リフトオフ自体を支える土台部分
の幅ｗ2 は少なくとも０．０５μｍ〜０．１μｍ以上必
要であることから、上述の式により、リフトオフレジス
ト３５の幅は、現状では、０．３μｍ〜０．２５μｍ程
度までしか狭小化できないこととなる。
【００２９】更に、これらリフトオフ用のレジストの材
料としては、紫外線のＧ線光、Ｉ線光に感光するものし
かなく、より高分解能な露光方式であるエキシマレーザ
や電子線描画により感光するリフトオフ用のレジストが
現在、存在しない。
【００３０】したがって、従来のリフトオフ方式では、
ｉ線露光の分解能の０．２５μｍ〜０．２μｍ程度の幅
までしか、再生トラックの狭トラック化ができないこと
となり、より狭い幅のトラック形成の実現が望まれてい
る。
【００３１】また特開平１１−３４５４０６号公報に
は、レジスト剥離時にバリを生じさせないリフトオフ用
マスクパターンの形成方法が提案されている。この方法
は、２層構造のレジストを用いるもので、下層レジスト
は橋脚部を構成するように柱状にパターニングされ、上
層レジストはこの橋脚部に架け渡したブリッジ状にパタ
ーニングされる。
【００３２】このような構成のレジストを用いることに
よって、リフトオフの際に除去された膜の一部が再付着
するいわゆるバリの発生を抑制することができる。しか
しながらこの場合、リフトオフレジストの形成に２回の
露光、現像工程が必要となるという問題がある。
【００３３】本発明は、上述したような磁気記録媒体の
高記録密度化に伴って要求されているトラック幅の狭小
化を実現するものであり、より狭い幅のパターニングを
可能とするマスクパターンの形成方法と、これを用いた
薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法
及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスクパター
ンの形成方法であって、このマスクパターン形成面上に
第１のレジストを塗布する第１の塗布工程と、第１のレ
ジスト上に第２のレジストを塗布する第２の塗布工程
と、これら第１及び第２のレジストを所定のパターンに
露光し、第１及び第２のレジスト中に、目的とするマス
クパターンの外側部と、当該マスクパターンの両端とが
連結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もし
くはこのブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形
成する露光工程と、第１及び第２のレジストに対し、異
なる溶解速度を有する現像液によって、第１のレジスト
をブリッジ状パターンのブリッジ部を除去して外側部の
みを残存するパターンに現像し、第２のレジストをブリ
ッジ状パターンに現像する。
【００３５】また本発明は、第１のレジストの現像液に
対する溶解速度が、第２のレジストの現像液に対する溶
解速度より速い材料に選定する。または、第１及び第２
のレジストを、異なる現像液により現像される材料にそ
れぞれ選定する。
【００３６】また更に本発明は、薄膜パターンの形成方
法であって、薄膜パターン形成面上に、第１の薄膜を被
着した後、この第１の薄膜上に、上述のマスクパターン
の形成方法と同様の方法によりマスクパターンを形成す
る。
【００３７】そして更に、マスクパターンを覆って全面
的に少なくとも第２の薄膜を被着する工程と、第１及び
第２のレジストより成るマスクパターンをリフトオフす
ることにより、マスクパターン上の少なくとも第２の薄
膜を除去する。
【００３８】また、本発明は、磁気抵抗効果素子を製造
するにあたって、磁気抵抗効果素子を構成する薄膜を形
成した後、この薄膜上に、上述のマスクパターンの形成
方法と同様の方法によりマスクパターンを形成する。
【００３９】そして、この磁気抵抗効果素子上のマスク
パターンを覆って全面的に、少なくとも硬磁性層を被着
した後、マスクパターンをリフトオフすることによりこ
のマスクパターン上の少なくとも硬磁性層を除去する。
【００４０】そしてまた本発明においては、磁気抵抗効
果素子を、少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転す
る軟磁性材料から成る自由層と、強磁性材料から成る固
定層と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層と、自
由層と固定層との間に介在されるスペーサ層とが積層さ
れた積層構造部より成るいわゆる巨大磁気抵抗効果素子
として構成する。
【００４１】このとき、上述の積層構造部に対するセン
ス電流の通電方向を、積層構造部の膜面に沿う方向とす
るいわゆるＣＩＰ（Current In Plane）型構成とする
か、または積層構造部の積層方向とするいわゆるＣＰＰ
（Current Perpendicular Plane ）型構成とする。
【００４２】また、スペーサ層を、非磁性中間層として
ＳＶＧＭＲ型素子とするか、またはスペーサ層をトンネ
ルバリア層より構成して、いわゆるＴＭＲ型素子とす
る。
【００４３】更に本発明は、薄膜磁気ヘッドを製造する
にあたって、その感磁部の磁気抵抗効果素子を形成する
際に、上述のマスクパターンの形成方法と同様の方法に
より作成したマスクパターンを用いて磁気抵抗効果素子
を構成する薄膜のパターニングを行う。
【００４４】すなわち、磁気抵抗効果素子を構成する薄
膜を形成する工程と、この薄膜上にマスクパターンを形
成するマスクパターン形成工程と、マスクパターンから
露出している薄膜をエッチングにより除去してこの薄膜
を所定の形状とするエッチング工程と、マスクパターン
を覆って全面的に、少なくとも硬磁性層を被着する工程
と、このマスクパターンをリフトオフすることによりマ
スクパターン上の少なくとも硬磁性層を除去する工程と
を有する。
【００４５】このような本発明によれば、マスクパター
ンの下層の第１のレジストは外側部のみが残存し、上層
の第２のレジストは、所定の幅を有するブリッジ状パタ
ーンとして形成され、且つその両端が外側部に保持され
た構成とすることから、このブリッジ部の断面構成は、
第１のレジストが除去されて、第２のレジストのみが宙
に浮いた構造となる。以下これを図１を参照して説明す
る。
【００４６】図１Ａにおいて、３２は第１のレジスト、
３３は第２のレジストを示す。第２のレジストは、ブリ
ッジ部３３ａと、その両端に連結されてブリッジ部３３
ａを保持する外側部３３ｂとより構成される。図１Ａの
例においては、外側部３３ｂがブリッジ部３３ａの外周
を取り巻く構造とした場合を示す。
【００４７】図１Ｂに第２のレジスト３３を示す。ブリ
ッジ部３３ａは、例えばこれにより磁気抵抗効果素子を
パターニングする場合はトラック幅を規制する部分とな
り、この幅Ｔｗをより微細化することによって、高密度
記録の再生が可能となる。
【００４８】一方、第１のレジスト３２は、上述したよ
うに、第２のレジストと比較してその現像液に対する溶
解速度が速いものに選定されるか、または第２のレジス
トの現像液とは異なる現像液に対して現像される材料に
よりレジスト材を選定して、第１のレジスト３２のブリ
ッジ部が除去されるまで現像を行うことによって、図１
Ｃに示すように、ブリッジ部３３ａが除去され、外側部
のみ（この例では外周部）が残存するパターンとして形
成される。
【００４９】したがって、このようなマスクパターンに
よりリフトオフを行う場合は、従来のリフトオフレジス
トの切れ込みに相当する隙間が、第２のレジスト３３の
ブリッジ部３３ａの下部に生じた空間によって確保さ
れ、この第２のレジスト３３上に薄膜を成膜した後、ア
セトンやＮＭＰ（ナノメチルピロリドン）などの有機溶
剤にひたせば、バリ等を生じることなく確実にリフトオ
フを行うことができる。
【００５０】すなわち、従来のようにリフトオフレジス
トの切れ込み部分の幅の限界を考慮する必要がなくなる
ことから、ブリッジ状パターンの幅を従来の限界を越え
る微細な幅として、薄膜等のパターニングを生産性及び
歩留りよく製造することが可能となる。
【００５１】更に、より微細な幅を有するパターンの例
えばＳＶＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を製造することが可能
となる。すなわち、上述の第２のレジスト３３のブリッ
ジ部３３ａの幅を適切に選定することによって、例えば
０．１５μｍ〜０．０５μｍという従来のリフトオフ法
では不可能であった微細なトラック幅Ｔｗを確実に、精
度良く製造することが出来る。また、バリの発生やリフ
トオフレジストの倒れなどを回避して歩留りの向上をは
かることができて、上述したようなＳＶＧＭＲ素子やＴ
ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドの更なる高記録密度化
が可能となる。
【００５２】
【発明の実施の形態】本発明マスクパターンの形成方法
を、薄膜磁気ヘッドの製造にあたって、その感磁部とし
て磁気抵抗効果素子（例えばＳＶＧＭＲ素子）を構成す
る薄膜パターンを形成する際に適用した実施形態を図面
を参照して詳細に説明するが、本発明はこの例に限定さ
れるものではない。
【００５３】図２は、薄膜磁気ヘッドの一例の略線的拡
大斜視図である。この例においては、基板上に、センス
電流を積層膜面に沿う方向に通電するいわゆるＣＩＰ型
構成のＳＶＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドとインダクテ
ィブ型薄膜磁気ヘッドとを設けて成る複合型の薄膜磁気
ヘッドの例を示す。
【００５４】この場合、ＡｌＴｉＣ等より成る非磁性基
板１上に、Ａｌ2 Ｏ3 等より成る非磁性層２、ＮｉＦｅ
等より成る下層シールド３、Ａｌ2 Ｏ3 等より成る再生
ヘッドの下部ギャップを構成する非磁性層４等が被着さ
れ、この上に、両側をＣｏＣｒＰｔやＣｏＰｔ等より成
る硬磁性層６に、トラック幅を規制する所定の幅をもっ
て挟まれて成る磁気抵抗効果素子５、硬磁性層６上に成
膜されたＴａ、ＴｉＷ等より成る電極層７が形成され、
更にこれらの上に全面的に被着され、再生ヘッドの上部
ギャップを構成するＡｌ2 Ｏ3 等より成る非磁性層８、
更にＮｉＦｅ等より成る中間シールド層９が設けられ
て、再生ヘッド部２０が構成される。
【００５５】上述したようにこの再生ヘッド部２０のト
ラック幅は、磁気抵抗効果素子５の幅によって規制さ
れ、高密度記録の再生を実現するためには、この幅を例
えば０．２５μｍ以下に狭小化することが必要となる。
【００５６】そしてこの上にＡｌ2 Ｏ3 等より成る非磁
性層１０が成膜され、この上に平坦化層１１を被着した
後、コイル状にパターニングされて成る薄膜コイル１２
が形成され、更に平坦化層１３が被着された後、ＮｉＦ
ｅ等より成る記録コア１４が所定の記録トラック幅を有
するパターンとして形成されて、記録ヘッド部１５が構
成される。１６は、磁気記録媒体と対接ないしは対向す
る前方面で、例えば磁気ヘッドが磁気記録媒体との相対
的移行による空気流によって浮上する構成とした場合
は、いわゆるＡＢＳ(Air Bearing Surface）面となる。
【００５７】磁気抵抗効果素子５は例えば、外部磁界に
応じて磁化が回転する軟磁性材料から成る自由層と、強
磁性材料から成る固定層と、この固定層の磁化を固定す
る反強磁性層と、自由層と固定層との間に介在されるス
ペーサ層とが積層された積層構造部より構成されるいわ
ゆるＳＶＧＭＲ素子、またはＴＭＲ素子とする。
【００５８】また例えば図３にその一例の略線的拡大断
面図を示すように、デュアルタイプのＳＶＧＭＲ素子と
してもよい。図３において、３０はＡｌ2 Ｏ3 等より成
る非磁性層で、この上に順次スパッタリング等によっ
て、Ｔａ等より成る下地層２１、ＰｔＭｎ等より成る第
１の反強磁性層２２、ＣｏＦｅ等より成る第１の固定層
２３、Ｃｕ等の非磁性中間層より成る第１のスペーサ層
２４、例えばＣｏＦ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅの三層構造よ
り成る自由層兼磁束ガイド層２５、Ｃｕ等の非磁性中間
層より成る第２のスペーサ層２６、ＣｏＦｅ等より成る
第２の固定層２７、ＰｔＭｎ等より成る第２の反強磁性
層２８、Ｔａ等より成る保護膜２９が成膜されて、磁気
抵抗効果素子３１、この場合デュアル型ＳＶＧＭＲ素子
が構成される。
【００５９】このような磁気抵抗効果素子３１におい
て、第１及び第２の反強磁性層２２、２８によって第１
及び第２の固定層２３、２７の磁化の向きが一定方向に
固定される。一方、自由層兼磁束ガイド層２５の磁化の
向きは、図１において説明したように、磁気抵抗効果素
子３１の両側に設けられる硬磁性層６によって例えば固
定層２３、２７の磁化の向きと直行する方向に揃えられ
る。
【００６０】そして、磁気記録媒体に記録された記録磁
化の向きによって自由層兼磁束ガイド層２５の磁化の向
きが変動し、ＳＶＧＭＲ素子に通電するセンス電流によ
って上述したスピン依存性によって変動する抵抗変化を
検出して、磁気記録媒体上の記録信号を電気的出力とし
て読み出すことができる。
【００６１】次に、磁気抵抗効果素子３１を構成する薄
膜をパターニングする工程について説明する。
【００６２】先ず、図４に一部を拡大した断面を示すよ
うに、磁気抵抗効果素子、例えば上述の図３において説
明したデュアル型構成のＳＶＧＭＲ素子を構成する磁気
抵抗効果膜３１ａの各層を、順次スパッタリング等によ
り成膜する。３０は、非磁性層を示し、例えば図２にお
いて説明した再生ヘッド部２０の下部ギャップを構成す
る非磁性層４に対応する。図示しないが、必要に応じて
この非磁性層３０の上に下地層等を介してから磁気抵抗
効果膜３１を設けてもよい。
【００６３】そしてこの上に、アルカリ可溶ポリイミド
等より成る第１のレジスト３２を、例えば膜厚を０．０
５μｍ〜０．１μｍとして、スピンコート法等によっ
て、例えば３０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ、３０秒〜
６０秒等の塗布条件で塗布する。
【００６４】続いて、第１のレジスト３２の上に、この
第１のレジスト３２とは、現像液に対する溶解速度の異
なる材料の第２のレジスト３３を塗布する。この例にお
いては、例えば化学増幅型レジストや、ノボラックレジ
スト等の、上述の第１のレジスト３２と比較して、現像
液に対する溶解速度の遅い材料を用いる。
【００６５】この場合、膜厚は例えば０．３μｍ〜０．
６μｍと、第１のレジスト３２に比し厚く選定する。塗
布条件は、第１のレジスト３２と同様に例えば３０００
ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ、３０秒〜６０秒等の塗布条件
でスピンコート法により塗布する。
【００６６】次に、図５に示すように、露光マスク３４
をマスクとして、パターン露光を行う。Ｌは露光用のＧ
線光、Ｉ線光、またはより狭小な幅のパターニングが可
能なエキシマレーザ光、あるいは電子ビーム等を示す。
【００６７】尚、第２のレジスト３３として、化学増幅
型レジストを用いる場合は、主にエキシマレーザと電子
線（ＥＢ）描画の露光、ノボラックレジストを用いる場
合はｉ線露光をそれぞれ行う。
【００６８】このときの露光パターンの形状は、上述の
図１Ａ及びＢにおいて説明したようなブリッジ部と外側
部とから成るパターンとする。
【００６９】尚、この場合はポジ型のレジストを用いる
ため、非露光部が残存するようにブリッジ状パターンの
反転パターンの潜像を露光する。ネガ型のレジストを用
いる場合はブリッジ状パターンの潜像を露光すればよ
い。
【００７０】この後、上記第１及び第２のレジストに対
し、異なる溶解速度を有する現像液によって、現像を行
う。この例においては、アルカリ現像液の例えばＴＭＡ
Ｈ２．３８％溶液を用いて現像を行う。
【００７１】このとき、適切な現像時間をもって現像す
ることにより、図６に一部を拡大した斜視図を示すよう
に、第２のレジスト３３を、目的とするトラック幅に対
応する幅を有するブリッジ部３３ａと、外側部３３ｂと
より成るブリッジ状パターンに形成することができる。
【００７２】一方、第１のレジスト３２は、第２のレジ
スト３３に対しこの現像液に対する溶解速度が速いの
で、ブリッジ状パターンのブリッジ部が除去されて、外
側部この場合外周部のみが残存するパターンに現像され
る。
【００７３】図７は、図６のＡＡ’線上の断面図を示
し、第１のレジストのブリッジ部分が除去され、第２の
レジスト３３のブリッジ部の下部に空間が生じた状態を
模式的に示す。図７において、ブリッジ部３３ａを斜線
を付して示し、その他の部分は外側部３３ｂを示す。
【００７４】次に、図８に示すように、イオンミリング
等の異方性エッチングにより、第２のレジスト３３の外
側に露出した部分の磁気抵抗効果膜３１ａを除去して、
所定の幅を有する磁気抵抗効果素子を構成する部分をパ
ターニングする。３８は第２のレジストのブリッジ部３
３ａの下部の隙間を示す。また、図８においてＡＡ’線
上の断面図を図９に示す。図９においては、第２のレジ
スト３３の外側部は省略する。
【００７５】その後、図１０に示すように、全面的に、
ＣｏＣｒＰｔやＣｏＰｔ等より成る硬磁性層３６、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ａｕ等より成る電極層３７をスパッタリング
等により成膜する。図示しないが硬磁性層３６の下層に
Ｃｒ、ＴｉＷ等より成る下地層、また硬磁性層３６と電
極層３７との間にＴａ、ＴｉＷ等より成る中間保護膜を
設けてもよい。
【００７６】このとき、第２のレジスト３３のブリッジ
部の下部に、空間が生じた構造となっていることから、
第２のレジスト３３上に硬磁性層３６及び電極層３７が
被着された状態でも、これらと磁気抵抗効果素子３１の
両側に成膜された各層３６及び３７との間に隙間３８が
確保される。図１０におけるＡＡ’線上の断面図を図１
１に示す。図１１において、第２のレジスト３３の外周
部と、これの上に成膜した硬磁性層及び電極層は省略す
る。
【００７７】したがって、この後上述のアセトンやＮＭ
Ｐなどの有機溶剤にひたしてリフトオフすることによ
り、図１２に示すように、第１及び第２のレジストと共
に、これらレジスト上に被着された硬磁性層層３６及び
電極層３７等を確実に除去することができる。
【００７８】したがって、図１２におけるＡＡ’線上の
断面図を図１３に示すように、磁気抵抗効果素子３１の
両側が硬磁性層３６に挟まれたアバッティッド・ジャン
クションを、所定のトラック幅Ｔｗをもって形成するこ
とができる。
【００７９】そしてこの後、図１４に示すように、磁気
抵抗効果素子及び硬磁性層３６、電極層３７の、トラッ
ク幅と直交するいわば奥行き方向の長さを規制するため
のレジスト２９を、通常のフォトリソグラフィーの方法
と同様に形成する。
【００８０】そしてこのレジスト３９をマスクとして、
イオンミリング等の異方性エッチングを行う。このと
き、図１５に示すように、レジスト３９によって奥行き
方向を規制されて、その外側に露出した部分の磁気抵抗
効果膜３１ａと、硬磁性層３６及び電極層３７の外側に
露出した部分の磁気抵抗効果膜３１ａが除去されて、ト
ラック幅方向と奥行き方向に規制された所定形状の磁気
抵抗効果膜３１を形成することができる。
【００８１】また、電極層３７もごく薄くエッチングさ
れるが、磁気抵抗効果素子３１に比しエッチングされに
くいため、上面に低い段差ができる程度となる。
【００８２】次に、レジスト３９を有機溶剤により除去
して、図１６に示すように、所定のトラック幅Ｔｗと、
所定の奥行きＨを有する磁気抵抗効果素子３１、そして
そのトラック幅方向の両側に接合して硬磁性層３６が設
けられたいわゆるアバッティッドジャンクションを形成
することができる。
【００８３】この後、図示しないが、例えば図２におい
て説明したと同様の各層を成膜し、また記録ヘッド部を
形成した後、通常の薄膜磁気ヘッドの製造工程と同様
に、基体を切断した後、磁気記録媒体と対接ないしは対
向する前方面を例えば研磨した、この前方面に上述した
磁気抵抗効果素子３１の端面が露出するようになされ
て、薄膜磁気ヘッドが形成される。
【００８４】このような本発明によれば、上述したよう
に、リフトオフレジストの切れ込み等を考慮することな
く、第２のレジスト３３のブリッジ部の幅を狭小化する
ことができる。
【００８５】また、レジストの露光の際に、Ｇ線、Ｉ線
露光に限ることなく、上述したように、エキシマレーザ
や電子線描画によるより高分解能のパターニングが可能
となることから、従来のリフトオフ法では不可能であっ
た微細なパターニングを行うことができる。
【００８６】したがって、従来のリフトオフ法では、切
れ込み形状及び成膜する層の厚さの問題、また露光用光
の問題から、０．３μｍないしは０．２５μｍが限界で
あったが、本発明による場合は、０．１５μｍ〜０．０
５μｍの寸法領域のトラック形成が可能となる。
【００８７】尚、上述の例においては、第１のレジスト
３２及び第２のレジスト３３に対して同一の現像液によ
って現像を行う場合について説明したが、異なる現像液
によって現像を行う材料に選定することもできる。
【００８８】例えば第１のレジスト３２をアルカリ可溶
ポリイミドとし、第２のレジスト３３を例えば主鎖切断
型レジストとする。現像液は、第１のレジスト３２に対
してはアルカリ現像液の例えばＴＭＡＨ２．３８％溶
液、第２のレジスト３３に対しては混合キシレン等を用
いることができる。
【００８９】この場合、主鎖切断型のレジストに対する
露光は、電子線描画により行う。
【００９０】更に、上述の例においては、図１７Ａに示
すように、磁気抵抗効果素子３１として、膜面に沿う方
向にセンス電流を通電するいわゆるＣＩＰ型ＧＭＲとし
た場合について説明したが、図１７Ｂに示すように、磁
気抵抗効果素子３１の膜面に垂直な方向、即ち積層方向
に通電するいわゆるＣＰＰ型ＧＭＲを形成する場合、ま
たこれを感磁部とした薄膜磁気ヘッドを製造する場合に
ついても、適用することができる。図１７において、矢
印Ｉｓはセンス電流の通電方向をそれぞれ示す。
【００９１】ＣＰＰ型ＧＭＲ素子を構成する場合は、上
述の電極層３７を硬磁性層３６の上に成膜することな
く、例えば下地層等を介してＧＭＲ素子の上下に配置す
ることはいうまでもない。この場合も、上述のＣＩＰ型
構成のＧＭＲ素子と同様に、そのトラック幅Ｔｗを従来
は得られなかった０．１５μｍ〜０．０５μｍといった
寸法形状とすることができ、同様に高記録密度化を可能
にする。
【００９２】また、本発明は、図２において説明したよ
うなデュアル型構成のＳＶＧＭＲ素子に限ることなく、
例えば、磁化固定層と自由層との間のスペーサ層を、ト
ンネルバリア層として、トンネル電流を利用して抵抗変
化を検出して読み出しを行ういわゆるＴＭＲ素子を形成
する場合、またこれを感磁部とした薄膜磁気ヘッドを製
造する場合についても、同様に適用することができるこ
とはいうまでもない。
【００９３】更に、異方性磁気抵抗効果を有する軟磁性
膜を用いた薄膜磁気ヘッドや、スピンバルブ型以外の巨
大磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドにも適用可
能である。
【００９４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、従来
のリフトオフレジストにおいて問題となっていた、レジ
スト上に成膜する薄膜の膜厚や、切れ込み形状を考慮す
る必要がなく、またエキシマレーザや電子線描画による
パターニングが可能となることから、従来より微細な幅
をもったマスクパターンを形成し、これにより薄膜をパ
ターニングする場合は、従来に比し狭小な幅を有する薄
膜を形成することができる。
【００９５】したがって、これを磁気抵抗効果素子の製
造にあたって、その磁気抵抗効果素子のトラック幅を規
制する微細な幅をパターニングする際に適用することに
よって、従来は不可能であった０．１５μｍ〜０．０５
μｍという狭小なトラック幅をもって磁気抵抗効果素
子、またはこれを感磁部として構成した薄膜磁気ヘッド
を精度よく製造することができる。またバリの発生や、
リフトオフレジストの倒れなどを回避することができ
て、歩留りの向上をはかることもできる。これにより、
薄膜磁気ヘッドのさらなる高記録密度化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｃは、マスクパターンの説明図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドの一例の略線的拡大斜視図であ
る。
【図３】磁気抵抗効果素子の一例の略線的拡大断面図で
ある。
【図４】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図５】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図６】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図７】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図８】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図９】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図であ
る。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１１】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１２】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１３】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１４】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１５】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１６】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程図で
ある。
【図１７】Ａ及びＢは磁気抵抗効果素子の各例の説明図
である。
【図１８】薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図である。
【図１９】薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図である。
【図２０】リフトオフレジストの各例の説明図である。
【図２１】リフトオフレジストの説明図である。
【符号の説明】
１・・・基板、２・・・非磁性層、３・・・下層シール
ド、４・・・非磁性層、５・・・磁気抵抗効果素子、６
・・・硬磁性層、７・・・電極層、８・・・非磁性層、
９・・・中間シールド層、１０・・・非磁性層、１１・
・・平坦化層、１２・・・薄膜コイル、１３・・・平坦
化層、１４・・・記録コア、１５・・・記録ヘッド部、
１６・・・前方面、２０・・・再生ヘッド部、３１・・
・磁気抵抗効果素子、３１ａ・・・磁気抵抗効果膜、３
２・・・第１のレジスト、３３・・・第２のレジスト、
３３ａ・・・ブリッジ部、３３ｂ・・・外側部、３４・
・・露光マスク、３６・・・硬磁性層、３７・・・電極
層、３８・・・隙間、３９・・・レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｈ０１Ｌ 43/12

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスクパターン形成面上に第１のレジス
    トを塗布する第１の塗布工程と、 上記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する第２
    の塗布工程と、 上記第１及び第２のレジストを所定のパターンに露光
    し、上記第１及び第２のレジスト中に、目的とするマス
    クパターンの外側部と、該マスクパターンの両端とが連
    結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしく
    は該ブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成す
    る露光工程と、 上記第１及び第２のレジストに対し、異なる溶解速度を
    有する現像液によって、上記第１のレジストを上記ブリ
    ッジ状パターンのブリッジ部を除去して上記外側部のみ
    を残存するパターンに現像し、上記第２のレジストを上
    記ブリッジ状パターンに現像することを特徴とするマス
    クパターンの形成方法。
  2. 【請求項２】 上記第１及び第２のレジストを、上記第
    １のレジストの現像液に対する溶解速度が、上記第２の
    レジストの現像液に対する溶解速度より速い材料に選定
    することを特徴とする上記請求項１に記載のマスクパタ
    ーンの形成方法。
  3. 【請求項３】 上記第１及び第２のレジストを、異なる
    現像液により現像される材料にそれぞれ選定することを
    特徴とする上記請求項１に記載のマスクパターンの形成
    方法。
  4. 【請求項４】 薄膜パターン形成面上に、第１の薄膜を
    被着する工程と、 上記第１の薄膜上に第１のレジストを塗布する第１の塗
    布工程と、 上記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する第２
    の塗布工程と、 上記第１及び第２のレジストを所定のパターンに露光
    し、上記第１及び第２のレジスト中に、目的とするマス
    クパターンの外側部と、該マスクパターンの両端とが連
    結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしく
    は該ブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成す
    る露光工程と、 上記第１及び第２のレジストに対し、異なる溶解速度を
    有する現像液によって、上記第１のレジストを上記ブリ
    ッジ状パターンのブリッジ部を除去して上記外側部のみ
    を残存するパターンに現像し、上記第２のレジストを上
    記ブリッジ状パターンに現像して２層構造のマスクパタ
    ーンを形成するマスクパターン形成工程と、 上記マスクパターンをマスクとして、上記第１の薄膜を
    エッチングして、上記ブリッジ状パターンのブリッジ部
    の幅を有するパターンに上記第１の薄膜をパターニング
    するパターニング工程と、 上記マスクパターンを覆って全面的に少なくとも第２の
    薄膜を被着する工程と、 上記第１及び第２のレジストより成るマスクパターンを
    リフトオフすることにより、上記マスクパターン上の少
    なくとも第２の薄膜を除去することを特徴とする薄膜パ
    ターンの形成方法。
  5. 【請求項５】 上記第１及び第２のレジストを、上記第
    １のレジストの現像液に対する溶解速度が、上記第２の
    レジストの現像液に対する溶解速度より速い材料に選定
    することを特徴とする上記請求項４に記載の薄膜パター
    ンの形成方法。
  6. 【請求項６】 上記第１及び第２のレジストを、異なる
    現像液により現像される材料にそれぞれ選定することを
    特徴とする上記請求項４に記載の薄膜パターンの形成方
    法。
  7. 【請求項７】 磁気抵抗効果素子を構成する薄膜を形成
    する工程と、 上記薄膜上にマスクパターンを形成するマスクパターン
    形成工程と、上記マスクパターンから露出している上記
    薄膜をエッチングにより除去して当該薄膜を所定の形状
    として磁気抵抗効果素子を形成する工程と、 上記磁気抵抗効果素子上の上記マスクパターンを覆って
    全面的に、少なくとも硬磁性層を被着する工程と、 上記マスクパターンをリフトオフすることにより上記マ
    スクパターン上の少なくとも上記硬磁性層を除去する工
    程とを有し、 上記マスクパターン形成工程は、 上記薄膜上に第１のレジストを塗布する第１の塗布工程
    と、 上記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する第２
    の塗布工程と、 上記第１及び第２のレジストを所定のパターンに露光
    し、上記第１及び第２のレジスト中に、目的とするマス
    クパターンの外側部と、該マスクパターンの両端とが連
    結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしく
    は該ブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成す
    る露光工程と、 上記第１及び第２のレジストに対し、異なる溶解速度を
    有する現像液によって、上記第１のレジストを上記ブリ
    ッジ状パターンのブリッジ部を除去して上記外側部のみ
    を残存するパターンに現像し、上記第２のレジストを上
    記ブリッジ状パターンに現像することを特徴とする磁気
    抵抗効果素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 上記第１及び第２のレジストを、上記第
    １のレジストの現像液に対する溶解速度が、上記第２の
    レジストの現像液に対する溶解速度より速い材料に選定
    することを特徴とする上記請求項７に記載の磁気抵抗効
    果素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 上記第１及び第２のレジストを、異なる
    現像液により現像される材料にそれぞれ選定することを
    特徴とする上記請求項７に記載の磁気抵抗効果素子の製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 上記磁気抵抗効果素子は、 少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する軟磁性材
    料から成る自由層と、強磁性材料から成る固定層と、該
    固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と上
    記固定層との間に介在されるスペーサ層とが積層された
    積層構造部より構成されることを特徴とする上記請求項
    ７、８又は請求項９に記載の磁気抵抗効果素子の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 上記少なくとも、外部磁界に応じて磁
    化が回転する軟磁性材料から成る自由層と、強磁性材料
    から成る固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性
    層と、上記自由層と上記固定層との間に介在されるスペ
    ーサ層とが積層された積層構造部に対するセンス電流の
    通電方向を、上記積層構造部の膜面に沿う方向とするこ
    とを特徴とする上記請求項１０に記載の磁気抵抗効果素
    子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 上記少なくとも、外部磁界に応じて磁
    化が回転する軟磁性材料から成る自由層と、強磁性材料
    から成る固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性
    層と、上記自由層と上記固定層との間に介在されるスペ
    ーサ層とが積層された積層構造部に対するセンス電流の
    通電方向を、上記積層構造部の積層方向とすることを特
    徴とする上記請求項１０に記載の磁気抵抗効果素子の製
    造方法。
  13. 【請求項１３】 上記スペーサ層が、非磁性中間層より
    成ることを特徴とする上記請求項１１又は請求項１２に
    記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 上記スペーサ層が、トンネルバリア層
    より成ることを特徴とする上記請求項１２に記載の磁気
    抵抗効果素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜の形成
    工程と、 上記薄膜上にマスクパターンを形成するマスクパターン
    形成工程と、 上記マスクパターンから露出している上記薄膜をエッチ
    ングにより除去して当該薄膜を所定の形状とするエッチ
    ング工程と、 上記マスクパターンを覆って全面的に、少なくとも硬磁
    性層を被着する工程と、 上記マスクパターンをリフトオフすることにより上記マ
    スクパターン上の少なくとも上記硬磁性層を除去する工
    程とを有し、 上記マスクパターン形成工程は、 上記薄膜上に第１のレジストを塗布する第１の塗布工程
    と、 上記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する第２
    の塗布工程と、 上記第１及び第２のレジストを所定のパターンに露光
    し、上記第１及び第２のレジスト中に、目的とするマス
    クパターンの外側部と、該マスクパターンの両端とが連
    結されて保持されるブリッジ状パターンの潜像、もしく
    は該ブリッジ状パターンの反転パターンの潜像を形成す
    る露光工程と、 上記第１及び第２のレジストに対し、異なる溶解速度を
    有する現像液によって、上記第１のレジストを上記ブリ
    ッジ状パターンのブリッジ部を除去して上記外側部のみ
    を残存するパターンに現像し、上記第２のレジストを上
    記ブリッジ状パターンに現像することを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記第１及び第２のレジストを、上記
    第１のレジストの現像液に対する溶解速度が、上記第２
    のレジストの現像液に対する溶解速度より速い材料に選
    定することを特徴とする上記請求項１５に記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記第１及び第２のレジストを、異な
    る現像液により現像される材料にそれぞれ選定すること
    を特徴とする上記請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記薄膜は、 少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する軟磁性材
    料から成る自由層と、強磁性材料から成る固定層と、該
    固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と上
    記固定層との間に介在されるスペーサ層とが積層された
    積層構造部より構成されることを特徴とする上記請求項
    １５、１６又は請求項１７に記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  19. 【請求項１９】 上記少なくとも、外部磁界に応じて磁
    化が回転する軟磁性材料から成る自由層と、強磁性材料
    から成る固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性
    層と、上記自由層と上記固定層との間に介在されるスペ
    ーサ層とが積層された積層構造部に対するセンス電流の
    通電方向を、上記積層構造部の膜面に沿う方向とするこ
    とを特徴とする上記請求項１８に記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  20. 【請求項２０】 上記少なくとも、外部磁界に応じて磁
    化が回転する軟磁性材料から成る自由層と、強磁性材料
    から成る固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性
    層と、上記自由層と上記固定層との間に介在されるスペ
    ーサ層とが積層された積層構造部に対するセンス電流の
    通電方向を、上記積層構造部の積層方向とすることを特
    徴とする上記請求項１８に記載の磁気ヘッドの製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 上記スペーサ層が、非磁性中間層より
    成ることを特徴とする上記請求項１９又は請求項２０に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記スペーサ層が、トンネルバリア層
    より成ることを特徴とする上記請求項２０に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004335698A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US8298430B2 (en) 2007-10-25 2012-10-30 Tdk Corporation Method of etching magnetoresistive film by using a plurality of metal hard masks

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335698A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
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