JP3763505B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、更に詳しくは、コイル絶縁膜の上に形成される第２の磁性膜（上部磁性膜）の形成工程に係る。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイル膜を支持するコイル絶縁膜を形成した後に形成される。第２の磁性膜を形成するに当たっては、コイル絶縁膜を含むウエハーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッキ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。レジストフレームの外部にもメッキ膜が析出するが、このメッキ膜は除去される。
【０００３】
第２の磁性膜形成工程において生じる問題点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、露光光がコイル絶縁膜の表面で反射し、その反射光のために、フォトマスクで画定されるべき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜のパターン精度が低下してしまうことである。
【０００４】
この問題は、特に、ポール部において、顕著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後方にはコイル絶縁膜が位置しており、コイル絶縁膜はギャップ膜の面からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対応する。
【０００５】
第２の磁性膜は、スロートハイト零点まではギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成し、スロートハイト零点からコイル絶縁膜の上面に向かって、エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００６】
従って、第２の磁性膜のためのレジストフレームをフォトリソグラフィによって形成する場合、スロートハイト零点からコイル絶縁膜の上面に向かってエイペックス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストをも露光しなければならない。
【０００７】
このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によって反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の方向に反射される。このため、ポール部の露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレームに、パターン崩れを生じる。
【０００８】
ポール部におけるレジストフレームのパターン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極めて大きな障害となる。
【０００９】
特開平９ー１８０１２７号公報は、上部磁性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像することにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレームを形成する技術を開示している。レジストフレームを形成した後、反射防止膜を、アッシング等の手段によって除去し、次に、第２の磁性膜をメッキ等の手段によって形成する。
【００１０】
上述した従来技術の場合、反射防止膜は、レジストフレームによって囲まれた内部パターンの全面に存在する。レジストフレームの内部パターンには、上部磁性膜のポール部に対応するポール部領域と、ヨーク部に対応するヨーク部領域とが存在する。従って、反射防止膜は、ポール部領域と、ヨーク部領域との両領域において除去する必要がある。
【００１１】
ところが、レジストフレームにおいて、ポール部領域と、ヨーク部領域とでは、開口面積が著しく異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に狭小化される傾向にある。このため、レジストフレームによって囲まれた内部パターンに付着している反射防止膜を除去する場合、ヨーク部領域と、ポール部領域とでは、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域では、ヨーク部領域よりも、長時間のエッチング時間を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッチングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がると共に、レジストフレーム高さが低くなってしまう。このような現象が生じると、第２の磁性膜のパターン精度が低下するとともに、所定の膜厚を有する磁性膜を形成するのが困難になる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１３】
本発明のもう一つの課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１４】
本発明の更にもう一つの課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のヨーク部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう一つの課題は、狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題解決のため、本発明に係る製造方法の適用される薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性膜、第２の磁性膜、コイル膜、コイル絶縁膜及びギャップ膜を含む。前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜は、媒体対向面側となる端部が前記ギャップ膜を介して互いに対向し、対向領域がポール部を構成する。前記コイル絶縁膜は、コイル膜を支持し、媒体対向面側となる前記端部の後方において、前記ポール部から立ち上がる傾斜部を有する。前記第２の磁性膜は、前記ポール部の後方において、前記コイル絶縁膜の前記傾斜部に沿って立ち上がっている。
【００１７】
上述した薄膜磁気ヘッドを製造するに当たり、本発明に係る製造方法は、次の工程を含む。まず、第１の磁性膜、ギャップ膜、コイル膜及びコイル絶縁膜を形成した後、第２の磁性膜を形成する前、前記コイル絶縁膜の表面のうち、前記ポール部に対応する領域を除いて、少なくとも前記傾斜部に反射防止膜を形成する。
【００１８】
次に、前記反射防止膜及び前記絶縁膜を覆うフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して前記第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形成する。
【００１９】
次に、前記レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する前記反射防止膜を除去する。次に、前記反射防止膜の除去された前記パターン内に、前記第２の磁性膜を形成する。次に、前記レジストフレーム及び残存している前記反射防止膜を除去する。
【００２０】
上述したように、第２の磁性膜を形成する前、コイル絶縁膜の表面のうち、少なくとも、傾斜部を含む表面に反射防止膜を形成してあるので、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレームを形成する工程において、露光光が、コイル絶縁膜の傾斜部分で反射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、ポール部を覆うフォトレジストの露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、ポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるようになる。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有するポール部を形成することができる。また、ポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２１】
また、レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する反射防止膜を除去したあと、反射防止膜の除去されたパターン内に、第２の磁性膜を形成するので、第２の磁性膜の磁気的特性が反射防止膜の影響を受けることがない。
【００２２】
しかも、反射防止膜は、ポール部に対応する領域には形成されていないので、第２の磁性膜を形成するに当たって、ポール部に対応する領域では反射防止膜を除去する必要はない。ヨーク部領域となるレジストフレームのパターン内に存在する反射防止膜だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレームのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、ポール部及びヨーク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００２３】
更に、第２の磁性膜を形成した後、反射防止膜は、レジストフレームと共に除去されるので、最終製品としての薄膜磁気ヘッドが反射防止膜による影響を受けることがない。
【００２４】
反射防止膜は、好ましくは、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる。このような材料は、反射率が低いほか、アッシング等のドライエッチングによって容易に除去できる。
【００２５】
本発明の他の目的、構成及び利点は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る製造方法によって得ようとする薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これらの図において、寸法は誇張されている。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００２７】
スライダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面がＡＢＳ１３、１４として用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることもある。何れのタイプであっても、本発明の適用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成される。
【００２８】
薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜２３と、コイル絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポール部２１０を有する。コイル膜２３はコイル絶縁膜２５によって支持されている。第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２の磁性膜２２、コイル膜２３、コイル絶縁膜２５及び保護膜２６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有し、通常の手段に従って製造することができる。その好ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００２９】
まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法やスパッタ法等を用いることができる。
【００３０】
第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等を用いることができる。その詳細については、本発明に係る製造方法において更に具体的に説明する。
【００３１】
コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ましい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を用いることが好ましい。
【００３２】
ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成することができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成する場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
【００３３】
コイル絶縁膜２５はフォトレジスト材料を硬化させて形成することが好ましい。コイル絶縁膜２５は、コイル膜２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００３４】
保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料によって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成することが好ましい。
【００３５】
コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路を構成する。コイル膜２３は、コイル絶縁膜２５によって支持され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電極２７、２８に導通されている（図１参照）。コイル膜２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００３６】
図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スライダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているから、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用いられる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができる。
【００３７】
第２の磁性膜２２のヨーク部２２１は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されているから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによって発生した磁界を、ヨーク部２２１によって、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良く伝送することができる。
【００３８】
図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドは、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３３、３４が設けられている。
【００３９】
ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造のものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロイ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ねている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によって構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されている（図１参照）。
【００４０】
次に、図１、２に示した薄膜磁気ヘッドに、本発明に係る製造方法を適用した例を説明する。図３〜図３２は本発明に係る製造方法に含まれる工程を示す図である。図３〜図３２において、図１、２に示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上で実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示してある。
【００４１】
まず、図３〜５を参照して説明する。図３はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面図、図５は図３、図５に示した磁気変換素子部分の平面図である。図３〜図５は図示上の都合から寸法は必ずしも一致していない。また、寸法は誇張されている。図示するように、スライダとなる基体１上に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、及び、コイル膜２３を支持するコイル絶縁膜２５がすでに形成されている。コイル絶縁膜２５を含む全面には、第２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッキ下地膜（シード膜）が形成されている。ＭＲ素子３、第１のシールド膜３１、絶縁膜３２及びリード導体３５等も既に形成されている。これらの構成部分は当業者に周知のプロセスに従って形成する。
【００４２】
コイル絶縁膜２５はギャップ膜２４の面から、ある角度θで傾斜しながら立ち上がる傾斜部２５０を有する。傾斜部２５０の立ち上がり開始点がスロートハイトゼロ点ＴＨ０に対応し、立ち上がり角度θがエイペックス角に対応する。
【００４３】
次に、図６〜８に示すように、反射防止膜４を形成する。反射防止膜４は、コイル絶縁膜２５の表面のうち、少なくとも、傾斜部２５０を含む表面に形成する。図示では、反射防止膜４は、コイル絶縁膜２５の全表面を含む領域を覆うように形成されている。反射防止膜４は、好ましくは、ポリサルフォンポリマーの誘導体
またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体
から選択された一種でなる。これらは、スピンコート等の手段によって形成することができる。
【００４４】
次に、少なくとも、傾斜部２５０に反射防止膜４が残るように、反射防止膜４をパターンニングする。反射防止膜４のパターンニングに当たっては、まず、反射防止膜４の全面にフォトレジストを塗布する。次に、フォトリソグラフィ工程により、必要な領域にのみ、反射防止膜４のためのマスクとなるフォトレジストが残るように、フォトレジストをパターンニングする。図９〜図１１はこのようにしてパターンニングされたフォトレジストによるマスクパターン５を示している。マスクパターン５は、コイル絶縁膜２５の傾斜部２５０、特に、ポール部領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０を覆い、ポール部領域Ｐ０は覆わない形状とする。
【００４５】
この後、図１２〜図１４に示すように、マスクパターン５によって覆われていないポール部領域Ｐ０からは、反射防止膜４を除去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッチングによって除去できる。これにより、マスクパターン５によって覆われていなかったポール部領域Ｐ０には、反射防止膜がなくなる。このように、必要な箇所に限って反射防止膜４を残すので、他の工程、または他の部分を構成する材料組成等に対する反射防止膜４の悪影響を回避することができる。
【００４６】
次に、図１５〜図１７に示すように、マスクパターン５を除去した後、図１８〜図２０に示すように、反射防止膜４及びコイル絶縁膜２５を覆うフォトレジスト６を塗布する。フォトレジスト６はスピンコート法によって塗布することができる。このフォトレジスト６に対してフォトマスクＰＨＭを当て、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。これにより、図２１〜２３に示すように、レジストフレーム６０を形成する。ここで、ポール部領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０に反射防止膜４が存在するので、フォトレジスト６に対して第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する際、露光光が、コイル絶縁膜２５の傾斜部２５０に形成されたメッキ下地膜で反射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、ポール部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、レジストフレーム６０によって囲まれた内側のパターン６１のうち、ポール部領域Ｐ０に対応するパターンをも、フォトリソグラフィ工程精度によって定まる高精度の形状に設定できるようになる。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場合、これらの反射防止材料は、反射率が低いので、ポール部領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０のパターンを、より高精度で設定できる。
【００４７】
図３３は反射防止膜４を持たない従来例を示す。反射防止膜を持たない場合、傾斜部２５０に、既に形成されているメッキ下地膜によって、露光光Ｄｐ１が反射される。反射された露光光Ｄｐ１の一部は、ポール部領域Ｐ０の方向にも反射される。このため、ポール部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンとは異なる結果となり、ポール部領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０にパターン崩れを生じる。
【００４８】
次に、図２４〜２６に示すように、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に存在する反射防止膜４（図２１〜２３参照）を除去する。反射防止膜４はアッシング等のドライエッチング法の適用によって除去することができる。ここで、ポール部領域Ｐ０には反射防止膜が残らないように、反射防止膜４をパターンニングしてある（図１２〜図１７参照）ので、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。
【００４９】
次に、図２７〜２９に示すように、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に、第２の磁性膜２２を形成する。第２の磁性膜２２は、スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ膜２４及び第１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２２０を構成し、スロートハイト零点ＴＨ０からコイル絶縁膜２５の上面に向かって、エイペックス角θで傾斜するように形成される。
【００５０】
ここで、第２のポール部２２０のを画定するレジストフレーム６０のパターンが、フォトマスクの露光パターンによってほぼ定まる高精度の寸法、形状に設定されているから、高精度のパターンを有する第２のポール部２２０を形成することができる。また、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム６０のパターン６１を高精度で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。しかも、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４を除去した後、レジストフレーム６０の内部に第２の磁性膜２２を形成する（図２４〜図２６参照）ので、第２の磁性膜２２の磁気的特性が反射防止膜４の影響を受けることがない。
【００５１】
更に、図１２〜図１７を参照して説明したように、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がないので、第２の磁性膜２２のポール部２２０及びヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することができる。
【００５２】
次に、図３０〜３２に示すように、レジストフレーム６０及びその下等に残存している反射防止膜４を除去する。レジストフレーム６０及び反射防止膜４は、有機溶剤による溶解法、もしくは、アッシング等のドライエッチング法の適用によって除去することができる。このように、第２の磁性膜２２を形成した後、反射防止膜４は、レジストフレーム６０と共に除去されるので、最終製品としての薄膜磁気ヘッド（図１、図２参照）が反射防止膜４による影響を受けることがない。
【００５３】
しかも、傾斜部２５０には反射防止膜４が残るが、ポール部領域Ｐ０には反射防止膜が残らないように、反射防止膜４をパターンニングしてある（図１２〜図１７参照）ので、第２の磁性膜２２を形成するに当たって、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。このため、第２の磁性膜２２のポール部２２０及びヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することができる。
【００５４】
本発明に係る製造方法は、ポール部領域に反射防止膜を形成しなければよいのであって、このような状態は、例えば、ポール部領域に、予め、ある種の膜を形成しておき、その上に付着された反射防止膜を、前記膜とともに除去することによっても実現することができる。
【００５５】
第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４及び第２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例えば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
【００５６】
また、実施例は、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
【００５７】
更に、図示は省略するが、図３０〜３２に図示された工程の後も、図１、２に図示された薄膜磁気ヘッドを得るために必要な工程が実行されることは言うまでもない。これらの工程には、従来より周知の工程を採用することができる。
【００５８】
以上、好適な具体的実施例を参照して本発明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れることなく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得ることは、当業者にとって明らかである。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｂ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｃ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のヨーク部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｄ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の一つを示す断面図である。
【図４】図３の４ー４線に沿って切断したときの端面図である。
【図５】図３、４に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図６】図３〜５に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図７】図６の７ー７線に沿って切断したときの端面図である。
【図８】図６、７に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図９】図６〜８に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１０】図９の１０ー１０線に沿って切断したときの端面図である。
【図１１】図９、１０に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１２】図９〜１１に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿って切断したときの端面図である。
【図１４】図１２、１３に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１５】図１２〜１４に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５の１６ー１６線に沿って切断したときの端面図である。
【図１７】図１５、１６に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１８】図１５〜１７に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１９】図１８の１９ー１９線に沿って切断したときの端面図である。
【図２０】図１８、１９に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２１】図１８〜２０に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２２】図２１の２２ー２２線に沿って切断したときの端面図である。
【図２３】図２１、２２に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２４】図２１〜２３に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２５】図２４の２５ー２５線に沿って切断したときの端面図である。
【図２６】図２４、２５に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２７】図２４〜２６に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２８】図２７の２８ー２８線に沿って切断したときの端面図である。
【図２９】図２７、２８に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図３０】図２７〜２９に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図３１】図３０の３１ー３１線に沿って切断したときの端面図である。
【図３２】図３０、３１に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図３３】従来製造方法の問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
２ 薄膜磁気変換素子
２１ 第１の磁性膜
２２ 第２の磁性膜
２１０ 第１のポール部
２２０ 第２のポール部
２３ コイル膜
２４ ギャップ膜
２５ コイル絶縁膜
２５０ 傾斜部
４ 反射防止膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、更に詳しくは、コイル絶縁膜の上に形成される第２の磁性膜（上部磁性膜）の形成工程に係る。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイル膜を支持するコイル絶縁膜を形成した後に形成される。第２の磁性膜を形成するに当たっては、コイル絶縁膜を含むウエハーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッキ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。レジストフレームの外部にもメッキ膜が析出するが、このメッキ膜は除去される。
【０００３】
第２の磁性膜形成工程において生じる問題点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、露光光がコイル絶縁膜の表面で反射し、その反射光のために、フォトマスクで画定されるべき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜のパターン精度が低下してしまうことである。
【０００４】
この問題は、特に、ポール部において、顕著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後方にはコイル絶縁膜が位置しており、コイル絶縁膜はギャップ膜の面からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対応する。
【０００５】
第２の磁性膜は、スロートハイト零点まではギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成し、スロートハイト零点からコイル絶縁膜の上面に向かって、エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００６】
従って、第２の磁性膜のためのレジストフレームをフォトリソグラフィによって形成する場合、スロートハイト零点からコイル絶縁膜の上面に向かってエイペックス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストをも露光しなければならない。
【０００７】
このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によって反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の方向に反射される。このため、ポール部の露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレームに、パターン崩れを生じる。
【０００８】
ポール部におけるレジストフレームのパターン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極めて大きな障害となる。
【０００９】
特開平９ー１８０１２７号公報は、上部磁性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像することにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレームを形成する技術を開示している。レジストフレームを形成した後、反射防止膜を、アッシング等の手段によって除去し、次に、第２の磁性膜をメッキ等の手段によって形成する。
【００１０】
上述した従来技術の場合、反射防止膜は、レジストフレームによって囲まれた内部パターンの全面に存在する。レジストフレームの内部パターンには、上部磁性膜のポール部に対応するポール部領域と、ヨーク部に対応するヨーク部領域とが存在する。従って、反射防止膜は、ポール部領域と、ヨーク部領域との両領域において除去する必要がある。
【００１１】
ところが、レジストフレームにおいて、ポール部領域と、ヨーク部領域とでは、開口面積が著しく異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に狭小化される傾向にある。このため、レジストフレームによって囲まれた内部パターンに付着している反射防止膜を除去する場合、ヨーク部領域と、ポール部領域とでは、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域では、ヨーク部領域よりも、長時間のエッチング時間を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッチングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がると共に、レジストフレーム高さが低くなってしまう。このような現象が生じると、第２の磁性膜のパターン精度が低下するとともに、所定の膜厚を有する磁性膜を形成するのが困難になる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１３】
本発明のもう一つの課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１４】
本発明の更にもう一つの課題は、コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のヨーク部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう一つの課題は、狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題解決のため、本発明に係る製造方法の適用される薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性膜、第２の磁性膜、コイル膜、コイル絶縁膜及びギャップ膜を含む。前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜は、媒体対向面側となる端部が前記ギャップ膜を介して互いに対向し、対向領域がポール部を構成する。前記コイル絶縁膜は、コイル膜を支持し、媒体対向面側となる前記端部の後方において、前記ポール部から立ち上がる傾斜部を有する。前記第２の磁性膜は、前記ポール部の後方において、前記コイル絶縁膜の前記傾斜部に沿って立ち上がっている。
【００１７】
上述した薄膜磁気ヘッドを製造するに当たり、本発明に係る製造方法は、次の工程を含む。まず、第１の磁性膜、ギャップ膜、コイル膜及びコイル絶縁膜を形成した後、第２の磁性膜を形成する前、前記コイル絶縁膜の表面のうち、前記ポール部に対応する領域を除いて、少なくとも前記傾斜部に反射防止膜を形成する。
【００１８】
次に、前記反射防止膜及び前記絶縁膜を覆うフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して前記第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形成する。
【００１９】
次に、前記レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する前記反射防止膜を除去する。次に、前記反射防止膜の除去された前記パターン内に、前記第２の磁性膜を形成する。次に、前記レジストフレーム及び残存している前記反射防止膜を除去する。
【００２０】
上述したように、第２の磁性膜を形成する前、コイル絶縁膜の表面のうち、少なくとも、傾斜部を含む表面に反射防止膜を形成してあるので、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレームを形成する工程において、露光光が、コイル絶縁膜の傾斜部分で反射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、ポール部を覆うフォトレジストの露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、ポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるようになる。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有するポール部を形成することができる。また、ポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２１】
また、レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する反射防止膜を除去したあと、反射防止膜の除去されたパターン内に、第２の磁性膜を形成するので、第２の磁性膜の磁気的特性が反射防止膜の影響を受けることがない。
【００２２】
しかも、反射防止膜は、ポール部に対応する領域には形成されていないので、第２の磁性膜を形成するに当たって、ポール部に対応する領域では反射防止膜を除去する必要はない。ヨーク部領域となるレジストフレームのパターン内に存在する反射防止膜だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレームのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、ポール部及びヨーク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００２３】
更に、第２の磁性膜を形成した後、反射防止膜は、レジストフレームと共に除去されるので、最終製品としての薄膜磁気ヘッドが反射防止膜による影響を受けることがない。
【００２４】
反射防止膜は、好ましくは、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる。このような材料は、反射率が低いほか、アッシング等のドライエッチングによって容易に除去できる。
【００２５】
本発明の他の目的、構成及び利点は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る製造方法によって得ようとする薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これらの図において、寸法は誇張されている。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００２７】
スライダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面がＡＢＳ１３、１４として用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることもある。何れのタイプであっても、本発明の適用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成される。
【００２８】
薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜２３と、コイル絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポール部２１０を有する。コイル膜２３はコイル絶縁膜２５によって支持されている。第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２の磁性膜２２、コイル膜２３、コイル絶縁膜２５及び保護膜２６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有し、通常の手段に従って製造することができる。その好ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００２９】
まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法やスパッタ法等を用いることができる。
【００３０】
第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等を用いることができる。その詳細については、本発明に係る製造方法において更に具体的に説明する。
【００３１】
コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ましい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を用いることが好ましい。
【００３２】
ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成することができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成する場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
【００３３】
コイル絶縁膜２５はフォトレジスト材料を硬化させて形成することが好ましい。コイル絶縁膜２５は、コイル膜２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００３４】
保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料によって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成することが好ましい。
【００３５】
コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路を構成する。コイル膜２３は、コイル絶縁膜２５によって支持され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電極２７、２８に導通されている（図１参照）。コイル膜２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００３６】
図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スライダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているから、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用いられる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができる。
【００３７】
第２の磁性膜２２のヨーク部２２１は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されているから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによって発生した磁界を、ヨーク部２２１によって、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良く伝送することができる。
【００３８】
図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドは、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３３、３４が設けられている。
【００３９】
ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造のものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロイ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ねている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によって構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されている（図１参照）。
【００４０】
次に、図１、２に示した薄膜磁気ヘッドに、本発明に係る製造方法を適用した例を説明する。図３〜図３２は本発明に係る製造方法に含まれる工程を示す図である。図３〜図３２において、図１、２に示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上で実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示してある。
【００４１】
まず、図３〜５を参照して説明する。図３はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面図、図５は図３、図５に示した磁気変換素子部分の平面図である。図３〜図５は図示上の都合から寸法は必ずしも一致していない。また、寸法は誇張されている。図示するように、スライダとなる基体１上に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、及び、コイル膜２３を支持するコイル絶縁膜２５がすでに形成されている。コイル絶縁膜２５を含む全面には、第２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッキ下地膜（シード膜）が形成されている。ＭＲ素子３、第１のシールド膜３１、絶縁膜３２及びリード導体３５等も既に形成されている。これらの構成部分は当業者に周知のプロセスに従って形成する。
【００４２】
コイル絶縁膜２５はギャップ膜２４の面から、ある角度θで傾斜しながら立ち上がる傾斜部２５０を有する。傾斜部２５０の立ち上がり開始点がスロートハイトゼロ点ＴＨ０に対応し、立ち上がり角度θがエイペックス角に対応する。
【００４３】
次に、図６〜８に示すように、反射防止膜４を形成する。反射防止膜４は、コイル絶縁膜２５の表面のうち、少なくとも、傾斜部２５０を含む表面に形成する。図示では、反射防止膜４は、コイル絶縁膜２５の全表面を含む領域を覆うように形成されている。反射防止膜４は、好ましくは、ポリサルフォンポリマーの誘導体
【００４４】
次に、少なくとも、傾斜部２５０に反射防止膜４が残るように、反射防止膜４をパターンニングする。反射防止膜４のパターンニングに当たっては、まず、反射防止膜４の全面にフォトレジストを塗布する。次に、フォトリソグラフィ工程により、必要な領域にのみ、反射防止膜４のためのマスクとなるフォトレジストが残るように、フォトレジストをパターンニングする。図９〜図１１はこのようにしてパターンニングされたフォトレジストによるマスクパターン５を示している。マスクパターン５は、コイル絶縁膜２５の傾斜部２５０、特に、ポール部領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０を覆い、ポール部領域Ｐ０は覆わない形状とする。
【００４５】
この後、図１２〜図１４に示すように、マスクパターン５によって覆われていないポール部領域Ｐ０からは、反射防止膜４を除去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッチングによって除去できる。これにより、マスクパターン５によって覆われていなかったポール部領域Ｐ０には、反射防止膜がなくなる。このように、必要な箇所に限って反射防止膜４を残すので、他の工程、または他の部分を構成する材料組成等に対する反射防止膜４の悪影響を回避することができる。
【００４６】
次に、図１５〜図１７に示すように、マスクパターン５を除去した後、図１８〜図２０に示すように、反射防止膜４及びコイル絶縁膜２５を覆うフォトレジスト６を塗布する。フォトレジスト６はスピンコート法によって塗布することができる。このフォトレジスト６に対してフォトマスクＰＨＭを当て、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。これにより、図２１〜２３に示すように、レジストフレーム６０を形成する。ここで、ポール部領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０に反射防止膜４が存在するので、フォトレジスト６に対して第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する際、露光光が、コイル絶縁膜２５の傾斜部２５０に形成されたメッキ下地膜で反射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、ポール部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、レジストフレーム６０によって囲まれた内側のパターン６１のうち、ポール部領域Ｐ０に対応するパターンをも、フォトリソグラフィ工程精度によって定まる高精度の形状に設定できるようになる。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場合、これらの反射防止材料は、反射率が低いので、ポール部領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０のパターンを、より高精度で設定できる。
【００４７】
図３３は反射防止膜４を持たない従来例を示す。反射防止膜を持たない場合、傾斜部２５０に、既に形成されているメッキ下地膜によって、露光光Ｄｐ１が反射される。反射された露光光Ｄｐ１の一部は、ポール部領域Ｐ０の方向にも反射される。このため、ポール部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンとは異なる結果となり、ポール部領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０にパターン崩れを生じる。
【００４８】
次に、図２４〜２６に示すように、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に存在する反射防止膜４（図２１〜２３参照）を除去する。反射防止膜４はアッシング等のドライエッチング法の適用によって除去することができる。ここで、ポール部領域Ｐ０には反射防止膜が残らないように、反射防止膜４をパターンニングしてある（図１２〜図１７参照）ので、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。
【００４９】
次に、図２７〜２９に示すように、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に、第２の磁性膜２２を形成する。第２の磁性膜２２は、スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ膜２４及び第１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２２０を構成し、スロートハイト零点ＴＨ０からコイル絶縁膜２５の上面に向かって、エイペックス角θで傾斜するように形成される。
【００５０】
ここで、第２のポール部２２０のを画定するレジストフレーム６０のパターンが、フォトマスクの露光パターンによってほぼ定まる高精度の寸法、形状に設定されているから、高精度のパターンを有する第２のポール部２２０を形成することができる。また、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム６０のパターン６１を高精度で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。しかも、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４を除去した後、レジストフレーム６０の内部に第２の磁性膜２２を形成する（図２４〜図２６参照）ので、第２の磁性膜２２の磁気的特性が反射防止膜４の影響を受けることがない。
【００５１】
更に、図１２〜図１７を参照して説明したように、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がないので、第２の磁性膜２２のポール部２２０及びヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することができる。
【００５２】
次に、図３０〜３２に示すように、レジストフレーム６０及びその下等に残存している反射防止膜４を除去する。レジストフレーム６０及び反射防止膜４は、有機溶剤による溶解法、もしくは、アッシング等のドライエッチング法の適用によって除去することができる。このように、第２の磁性膜２２を形成した後、反射防止膜４は、レジストフレーム６０と共に除去されるので、最終製品としての薄膜磁気ヘッド（図１、図２参照）が反射防止膜４による影響を受けることがない。
【００５３】
しかも、傾斜部２５０には反射防止膜４が残るが、ポール部領域Ｐ０には反射防止膜が残らないように、反射防止膜４をパターンニングしてある（図１２〜図１７参照）ので、第２の磁性膜２２を形成するに当たって、レジストフレーム６０によって囲まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４だけを除去すればよい。このため、ヨーク部領域と、ポール部領域Ｐ０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。このため、第２の磁性膜２２のポール部２２０及びヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することができる。
【００５４】
本発明に係る製造方法は、ポール部領域に反射防止膜を形成しなければよいのであって、このような状態は、例えば、ポール部領域に、予め、ある種の膜を形成しておき、その上に付着された反射防止膜を、前記膜とともに除去することによっても実現することができる。
【００５５】
第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４及び第２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例えば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
【００５６】
また、実施例は、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
【００５７】
更に、図示は省略するが、図３０〜３２に図示された工程の後も、図１、２に図示された薄膜磁気ヘッドを得るために必要な工程が実行されることは言うまでもない。これらの工程には、従来より周知の工程を採用することができる。
【００５８】
以上、好適な具体的実施例を参照して本発明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れることなく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得ることは、当業者にとって明らかである。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｂ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｃ）コイル絶縁膜の上に形成される磁性膜のヨーク部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｄ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の一つを示す断面図である。
【図４】図３の４ー４線に沿って切断したときの端面図である。
【図５】図３、４に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図６】図３〜５に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図７】図６の７ー７線に沿って切断したときの端面図である。
【図８】図６、７に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図９】図６〜８に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１０】図９の１０ー１０線に沿って切断したときの端面図である。
【図１１】図９、１０に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１２】図９〜１１に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿って切断したときの端面図である。
【図１４】図１２、１３に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１５】図１２〜１４に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５の１６ー１６線に沿って切断したときの端面図である。
【図１７】図１５、１６に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図１８】図１５〜１７に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図１９】図１８の１９ー１９線に沿って切断したときの端面図である。
【図２０】図１８、１９に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２１】図１８〜２０に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２２】図２１の２２ー２２線に沿って切断したときの端面図である。
【図２３】図２１、２２に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２４】図２１〜２３に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２５】図２４の２５ー２５線に沿って切断したときの端面図である。
【図２６】図２４、２５に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図２７】図２４〜２６に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図２８】図２７の２８ー２８線に沿って切断したときの端面図である。
【図２９】図２７、２８に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図３０】図２７〜２９に示した製造工程の後の工程を示す断面図である。
【図３１】図３０の３１ー３１線に沿って切断したときの端面図である。
【図３２】図３０、３１に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図である。
【図３３】従来製造方法の問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
２ 薄膜磁気変換素子
２１ 第１の磁性膜
２２ 第２の磁性膜
２１０ 第１のポール部
２２０ 第２のポール部
２３ コイル膜
２４ ギャップ膜
２５ コイル絶縁膜
２５０ 傾斜部
４ 反射防止膜
Claims (4)
- 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性膜、第２の磁性膜、コイル膜、コイル絶縁膜及びギャップ膜を含み、
前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜は、媒体対向面側となる端部が前記ギャップ膜を介して互いに対向し、対向領域がポール部を構成し、
前記コイル絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、媒体対向面側となる前記端部の後方において、前記ポール部から立ち上がる傾斜部を有しており、
前記第２の磁性膜は、前記ポール部の後方において、前記コイル絶縁膜の前記傾斜部に沿って立ち上がっており、
前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性膜、前記ギャップ膜及び前記コイル絶縁膜を形成した後、前記第２の磁性膜を形成する前、前記ポール部に対応する領域を除き、前記コイル絶縁膜の表面のうち少なくとも前記傾斜部に反射防止膜を形成し、
次に、前記反射防止膜及び前記コイル絶縁膜を覆うフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して前記第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形成し、
次に、前記レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する前記反射防止膜を除去し、
次に、前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内に、前記第２の磁性膜を形成し、前記レジストフレーム及び残存している前記反射防止膜を除去する、
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性膜、第２の磁性膜、コイル膜、コイル絶縁膜及びギャップ膜を含み、
前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜は、媒体対向面側となる端部が前記ギャップ膜を介して互いに対向し、対向領域がポール部を構成し、
前記コイル絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、媒体対向面側となる前記端部の後方において、前記ポール部から立ち上がる傾斜部を有しており、
前記第２の磁性膜は、前記ポール部の後方において、前記コイル絶縁膜の前記傾斜部に沿って立ち上がっており、
前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性膜、前記ギャップ膜及び前記コイル絶縁膜を形成した後、前記第２の磁性膜を形成する前、前記コイル絶縁膜の表面のうちの少なくとも前記傾斜部を含む表面と、前記ポール部に対応する領域とに、反射防止膜を形成し、
次に、少なくとも前記傾斜部に反射防止膜が残り、前記ポール部に対応する領域に反射防止膜が残らないように、前記反射防止膜をパターンニングし、
次に、前記反射防止膜及び前記コイル絶縁膜を覆うフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して前記第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形成し、
次に、前記レジストフレームによって囲まれたパターン内に存在する前記反射防止膜を除去し、
次に、前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内に、前記第２の磁性膜を形成し、
次に、前記レジストフレーム及び残存している前記反射防止膜を除去する、
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項１または２の何れかに記載された製造方法であって、前記反射防止膜は、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項１、２または３のの何れかに記載された製造方法であって、
磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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