JP4263331B2 - レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜素子又は厚膜素子におけるレジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
レジストパターンを形成する場合、その露光に用いる露光マスクの開口部の幅は、得ようとするレジストパターンの開口部の幅以下に設定することが常識であった。例えば、厚さが３μｍ以上の厚膜によるポジ型レジストの孤立トレンチパターンを形成する場合、そのトレンチに対応する露光マスクのトレンチ開口部の幅（Ｔ_ＷＭ）は、得ようとするレジストトレンチの幅（Ｔ_ＷＲ）に対して、Ｔ_ＷＭ≦Ｔ_ＷＲと必ず設定されていた。
【０００３】
しかしながら、レジストパターンをその上に形成しようとする面に段差がある場合、例えば得ようとするレジストトレンチが段差にまたがっている場合、従来の露光方法によると、段差近傍のレジスト解像度が低下し、トレンチ形状が悪化してしまうという問題があった。なお、本明細書で述べる段差とは、平面に対する段差の立ち上がり角度θが０°＜θ＜９０°の段差であり、その高さは規定しない。また、段差近傍とは、段差からの距離が、形成するレジスト幅又はトレンチ幅の約１０倍以下の範囲を指している。
【０００４】
図１は、なぜ段差近傍のレジスト解像度が低下してトレンチ形状の悪化が生じるのかを説明するための図であり、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図、同図（Ｃ）はそのＣ−Ｃ線断面図をそれぞれ示している。
【０００５】
これらの図において、１０は基板、１１は基板１０の表面に形成された立ち上がり角度θを有する段差、１２は基板１０及び段差１１上に形成されたポジ型レジスト層、１２ａは現像により溶解するレジスト感光部、１３はトレンチ幅Ｔ_ＷＲを有するトレンチパターン、１４は露光マスク、１５は段差１１の端縁１１ａから距離Ｄだけ離れた段差近傍位置をそれぞれ示している。
【０００６】
このように段差１１にまたがってレジスト層１２にトレンチパターン１３を形成する場合、露光マスク１４を通過してレジスト層１２内へ入った露光光の一部は、段差１１の表面で段差１１の存在する部分とは反対方向に反射して段差近傍位置１５におけるレジスト層１２を余分に感光させる。段差近傍位置１５におけるレジスト層１２は、露光マスク１４を介した本来の露光光によっても感光されるため、反射による露光光だけ余分に感光されることとなり、これが段差にまたがった部分のレジスト層の解像度を平坦な表面におけるレジスト解像度より低下させることとなる。また、この反射光の存在によりトレンチパターンが崩れて高精度のレジストパターン形成が難しくなる。
【０００７】
一般に、例えば薄膜素子等のマイクロデバイスにおいては、段差の存在する位置近傍に高精度のレジストパターンを形成しなければならないことがしばしばあることから、このようなレジストパターンの形状崩れは大きな問題となる。
【０００９】
ポジ型レジストの孤立トレンチパターンを形成する際の解像度及び焦点深度を向上させる目的で、露光マスクにハーフトーン型等の位相シフトマスクを用いることも提案されているが（特開平９−１７９２８９号公報、特開平１１−３０５４１５号公報）、段差にまたがってトレンチパターンを形成する場合及び高反射面上にトレンチパターンを形成する場合には、このような位相シフトマスクは全くその効果が得られない。
【００１０】
従って本発明の目的は、段差近傍においてもレジスト解像度の低下を防止でき、高精度のレジストパターンを得ることができるレジストパターン形成方法及びこの方法によって形成したレジストパターンを用いたフレームめっき方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、立ち上がり角度が９０°未満の傾斜側面を備えた段差を有する面上に、開口内に傾斜側面が含まれる開口部を有する孤立トレンチパターンのレジストパターンを形成する方法であって、ポジ型レジスト材料によってレジスト層を形成し、露光マスクの開口部の幅（Ｗ_Ｍ、以下マスク幅と称する）と形成すべきレジストパターンの露光マスクの開口部に対応する開口部の底部幅（Ｗ_Ｒ）との比（Ｗ _Ｍ ／Ｗ _Ｒ ）が１１５〜２００％となる露光マスクを用いると共に比（Ｗ _Ｍ ／Ｗ _Ｒ ）が１００％の場合の露光量より小さい露光量によってレジスト層を露光するレジストパターン形成方法、この方法により形成したレジストパターンをフレームとしてめっきを行なった後、レジストパターンを除去するフレームめっき方法、及びこのフレームめっき方法により磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１３】
本発明者の研究によれば、ポジ型レジスト材料は、露光量を小さくするとトレンチ幅が狭くなって最終的にそのレジスト材料の解像度となるまで狭くなるが、その最狭のトレンチ幅は露光マスクのマスク幅に依存しないことが見出された。即ち、このポジ型レジスト材料を用いた場合、レジストパターンの例えばトレンチ等の開口部の底部幅（Ｗ_Ｒ）に対する露光マスクのマスク幅（Ｗ_Ｍ）の比（Ｗ_Ｍ／Ｗ_Ｒ、以下マスクバイアスと称する）を大きくすると、同じ幅のトレンチパターンを形成する際にも必要となる露光量が少なくて済むのである。
【００１４】
従って、本発明のように、ポジ型レジスト材料を用いかつマスクバイアスを１００％より大きくすることによって、必要とする露光量を減少させることができる。このため、段差によって反射される露光量も減少させることができるから、この反射による段差近傍のレジストパターンへの悪影響を大幅に低減させることができる。また、必要とする露光量が少なくて済むため、露光時間が短縮化されスループットが増大する。
【００１５】
比（Ｗ _Ｍ ／Ｗ _Ｒ ）、即ちマスクバイアスは、好ましくは１３０〜１７０％である。
【００１７】
レジスト層の膜厚が３μｍ以上であること、及び／又はレジストパターンの開口部の幅が１μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
ポジ型レジスト材料が、主成分がアルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤との混合物（一般的なポジ型レジスト材料）であるか、主成分が酸触媒反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物、又は樹脂と酸反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物（化学増幅型ポジ型レジスト材料）であるか、又は感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物（一体型ポジ型レジスト材料）であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図２は本発明の一実施形態として薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及び浮上面（ＡＢＳ）方向から見た断面図をそれぞれ示している。
【００２０】
なお、本実施形態は、インダクティブ記録ヘッド部と磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合である。ただし、本発明が、インダクティブ記録ヘッド部のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについても適用可能であることはいうまでもない。
【００２１】
まず、ＡｌＴｉＣ等のセラミック材料による図示しない基板上に、絶縁層２０を積層する。この絶縁層２０は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の絶縁材料を、スパッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２２】
次いで、その上に下部シールド２１用の層を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層２２を積層する。下部シールド２１用の層は、ＦｅＡｉＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは２００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャップ用の絶縁層２２は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の絶縁材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２３】
次いで、絶縁層２２上のＭＲ素子２３を形成し、このＭＲ素子２３の両端に電気的に接続されるようにリード導体２４を形成する。ＭＲ素子２３は、磁性体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好ましく、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニットを積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０回が好ましい。ＭＲ素子２３全体としての層厚は、５〜１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好ましい。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっき法等が用いられる。リード導体２４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
【００２４】
次いで、ＭＲ素子２３及びリード導体２４上に、シールドギャップ用の絶縁層２５を積層する。この絶縁層２５は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２５】
以上述べたＭＲ再生ヘッド部の各層は、レジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリング法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
【００２６】
次いで、ＭＲ素子２３の上部シールドを兼用する記録ヘッド部の下部磁極２６用の磁性層を積層し、その上に記録ギャップ２７用の絶縁層を積層する。下部磁極２６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成する。記録ギャップ２７用の絶縁層は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２７】
その後、記録ギャップ２７上に、コイル２８及びこのコイル２８を取り囲む絶縁層２９を形成する。コイル２８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめっき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成する。絶縁層２９は、フォトレジスト材料を熱硬化させて、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２８】
以上の工程を経て得た層構造が、図２（Ａ）に示されている。なお、コイル２８は、同図に示す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、また、単層であってもよい。
【００２９】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、このように形成した絶縁層２９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側のヨーク部とを有する上部磁極３０をフレームめっき法で形成する。上部磁極３０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上部磁極３０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、同図のごとくなるように形成される。
【００３０】
以下、このような形状の上部磁極３０を形成するためのフレームめっき法について説明する。
【００３１】
図３は、本実施形態におけるフレームめっき法による上部磁極の形成工程を説明する工程図である。
【００３２】
図３（Ａ）に示す記録ギャップ２７上に、図３（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好ましくはめっきすべき層と同様の成分による金属下地膜３１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００３３】
次いで、図３（Ｃ）に示すように、金属下地膜３１上にポジ型レジスト材料３２を塗布し、図３（Ｄ）に示すようにレジストパターン３３を形成する。本発明の要部であるこのレジストパターン形成工程については、後で詳しく説明する。
【００３４】
次いで、図３（Ｅ）に示すように、このように形成した被覆層付のレジストパターン３３を枠として用いてＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料をめっきしてめっき層３４を得る。その後、図３（Ｆ）に示すように、レジストパターン３３を有機溶剤等を用いて剥離する。
【００３５】
次いで、図３（Ｇ）に示すように、めっき層３４をマスクとして用い、レジストパターン除去跡の金属下地膜３１をイオンミリング等で除去する。
【００３６】
次いで、図３（Ｈ）に示すように、めっき層３４の残すべき部分の上部及び周囲をレジスト層３５で覆う。その後、図３（Ｉ）に示すように、ウェットエッチング等で不要な部分のめっき層３４及び金属下地膜３１を除去し、さらに有機溶剤等を用いて、レジスト層３５を剥離することにより、図３（Ｊ）に示すような上部磁極３０が形成される。
【００３７】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、このようにして形成した上部磁極３０をマスクとして、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを行い、記録ギャップ２７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極２６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を除去する。
【００３８】
これにより、図２（Ｄ）に示すように、上部磁極３０の下端に、記録ギャップ２７を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部２６ａが下部磁極２６に形成される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層３６を積層する。この保護層３６は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００３９】
次に上述したレジストパターンの形成工程について説明する。
【００４０】
まず、レジストパターンを作成すべき面上、本実施形態では金属下地膜３１上、にポジ型レジスト材料を塗布してレジスト層を形成する。本実施形態では、レジスト層は、膜厚が３μｍ以上の厚膜である。
【００４１】
ポジ型レジスト材料としては、一般的なポジ型レジスト材料、化学増幅型ポジ型レジスト材料又は一体型ポジ型レジスト材料が用いられる。
【００４２】
一般的なレジスト材料としては、アルカリ可溶性フェノール樹脂と例えばナフトキノンジアジド等の感光剤との混合物が用いられる。具体的には、例えばクラリアントジャパン社のＡＺＰ４０００シリーズ、ＡＺ９２００シリーズ若しくはＡＺＥＸＰ．１１３１シリーズ、富士フィルムオーリン社のＦＭＲＳシリーズ、東京応化社のＴＧＭＲシリーズ等が用いられる。
【００４３】
化学増幅型ポジ型レジスト材料としては、主成分が酸触媒反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物、又は樹脂と酸反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物が用いられる。具体的には、例えばクラリアントジャパン社のＡＺ ＤＸシリーズ、日本合成ゴム（ＪＳＲ）社のＫＲＦシリーズ、信越化学工業社のＳＥＰＲシリーズ、富士フィルムオーリン社のＦＫＲシリーズ、東京応化社のＴＤＵＲシリーズ、シプレイ社のＡＰＥＸ−Ｅシリーズ等が用いられる。
【００４４】
一体型ポジ型レジスト材料としては、感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物が用いられる。具体的には、下記構造式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．２７モルの１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物、
【００４５】
【化１】

ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数である。
又は、
【００４６】
（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
【００４７】
【化２】

ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数であり、式（２）、（３）及び（４）において、Ｒは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜２０のアラルキル基である。
若しくは、
【００４８】
（Ｂ）ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．３モルの割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した（Ａ）の高分子化合物
を含有するレジスト組成物が用いられる。
【００４９】
次いで、必要に応じてプリベークを行なった後、所定のマスクパターンを有する露光マスクを用いてこのレジスト層を露光する。本実施形態では、特にこの露光に、レジストフレーム間の底部間隔に対する露光マスクのマスク幅の比（Ｗ_Ｍ／Ｗ_Ｒ、マスクバイアス）が１００％より大きい露光マスクが使用される。レジストトレンチを形成する場合には、トレンチの底部幅に対するマスク幅の比（マスクバイアス）が１００％より大きい露光マスクが使用される。なお、本実施形態におけるレジストフレームの間隔は、１μｍ以下である。
【００５０】
このマスクバイアスは、好ましくは１１５〜２００％であり、より好ましくは１３０〜１７０％である。
【００５１】
このようなポジ型レジスト材料を用いた場合、レジストフレーム間隙又はレジストトレンチ等の開口部の底部幅（Ｗ_Ｒ）に対する露光マスクのマスク幅（Ｗ_Ｍ）の比であるマスクバイアス（Ｗ_Ｍ／Ｗ_Ｒ）を大きくすると、同じ幅のレジストフレーム間隙又はレジストトレンチを形成する際にも必要となる露光量が少なくて済む。
【００５２】
図４は、０．６μｍという一定のレジストフレーム間隔又はレジストトレンチ幅を形成する際に、そのためのマスク幅と必要な露光量との関係について実際に求めた結果を示す特性図である（ただし、マスク幅及び露光量以外の条件は一定とした）。
【００５３】
同図から明らかのように、ポジ型レジスト材料を用いかつマスクバイアスを１００％より大きくすることによって、必要とする露光量を減少させることができる。このため、段差によって反射される露光量も減少させることができるから、この反射による段差近傍のレジストパターンへの悪影響を大幅に低減させることができる。また、必要とする露光量が少なくて済むため、露光時間が短縮化されスループットが増大する。
【００５４】
以上のごとき露光を行なった後、必要に応じて露光後加熱（ＰＥＢ）を行ない、現像を行なうことにより、図３（Ｄ）に示すごときレジストフレーム３３が形成される。
【００５５】
【実施例】
マスク幅を変えて、孤立トレンチパターンを実際に形成してその形状の良否を判断した。形状の良否判定は、測長ＳＥＭにより、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて断面を露出させることにより、レジストトレンチの段差近傍を観察し、トレンチ底部及び上部におけるレジストフレーム部分にパターン崩れがあるか否かで行なった。
【００５６】
パターン形成条件は、以下の通りである。基板：ＮｉＦｅ、段差高さ：１．０μｍ、段差角度θ：２５°、レジスト材料：信越化学工業社製ＳＩＰＲ、レジスト層の膜厚：８μｍ、トレンチ幅：０．６μｍ、プリベーク：１００℃−１８０秒、露光波長：３６５ｎｍ、ＮＡ：０．３、σ：０．３、露光後加熱：１１０℃−６０秒、現像：２．３８％ＴＭＡＨ、５０秒×８回。
【００５７】
マスク幅とトレンチ形状の良否判定結果とが表１に示されている。
【００５８】
【表１】

【００５９】
表１より、トレンチ幅を０．６μｍとした場合、マスク幅が０．７〜１．２μｍであれば良好なトレンチ形状が得られ、マスク幅が０．８〜１．０μｍであれば非常に良好なトレンチ形状が得られることが分かる。従って、マスクバイアスは、好ましくは１１５〜２００％であり、より好ましくは１３０〜１７０％であることとなる。
【００６０】
以上の実施形態及び実施例は、レジストフレーム間隔又はレジストトレンチ幅が均一な場合について想定しているが、本発明はレジストフレーム間隔又はレジストトレンチ幅が等幅である場合に限定されるものではなく、いかなる形状の場合であってもその効果が得られるものである。例えば、幅広の部分を有するトレンチパターンのその幅広の部分を段差近傍に形成しようとすると、従来技術では幅広部分が過露光となって現像液が幅の狭い部分に過度に回り込み、その部分のパターン崩れが起き易かったが、本発明ではマスク幅が大きいので必要とする露光量が低減されるから幅広の部分への露光量も少なくなり、そのような不都合が起きにくくなる。
【００６１】
なお、上述した実施形態は、薄膜磁気ヘッドの上部磁極を形成するためのフレームめっき処理においてレジストパターンを形成するものであるが、本発明のパターン形成方法は、これに限定されるものではなく、薄膜素子又は厚膜素子におけるいかなるレジストパターンの形成にも適用されるものである。
【００６２】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、ポジ型レジスト材料を用いかつマスクバイアスを１００％より大きくすることによって、必要とする露光量を減少させることができる。このため、段差によって反射される露光量も減少させることができるから、この反射による段差近傍のレジストパターンへの悪影響を大幅に低減させることができる。また、必要とする露光量が少なくて済むため、露光時間が短縮化されスループットが増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】なぜ段差近傍のレジスト解像度が低下してトレンチ形状の悪化が生じるのかを説明するための図であり、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図、同図（Ｃ）はそのＣ−Ｃ線断面図をそれぞれ示している。
【図２】本発明の一実施形態として薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。
【図３】図２の実施形態におけるフレームめっき法による上部磁極の形成工程を説明する工程図である。
【図４】一定のレジストフレーム間隔又はレジストトレンチ幅を形成する際に、そのためのマスク幅と必要な露光量との関係について実際に求めた結果を示す特性図である。
【符号の説明】
２０、２２、２５、２９ 絶縁層
２１ 下部シールド
２３ ＭＲ素子
２４ リード導体
２６ 下部磁極
２７ 記録ギャップ
２８ コイル
３０ 上部磁極
３１ 金属下地膜
３２ ポジ型レジスト材料
３３ レジストパターン
３４ めっき層
３５ レジスト層
３６ 保護層

Claims (9)

1. 立ち上がり角度が９０°未満の傾斜側面を備えた段差を有する面上に、開口内に前記傾斜側面が含まれる開口部を有する孤立トレンチパターンのレジストパターンを形成する方法であって、ポジ型レジスト材料によってレジスト層を形成し、露光マスクの開口部の幅（Ｗ_Ｍ）と前記形成すべきレジストパターンの該露光マスクの開口部に対応する前記開口部の底部幅（Ｗ_Ｒ）との比（Ｗ _Ｍ ／Ｗ _Ｒ ）が１１５〜２００％となる露光マスクを用いると共に該比（Ｗ _Ｍ ／Ｗ _Ｒ ）が１００％の場合の露光量より小さい露光量によって該レジスト層を露光することを特徴とするレジストパターン形成方法。
2. 前記比（Ｗ_Ｍ／Ｗ_Ｒ）が１３０〜１７０％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記レジスト層の膜厚が３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記レジストパターンの開口部の幅を１μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記ポジ型レジスト材料が、主成分がアルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤との混合物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記ポジ型レジスト材料が、主成分が酸触媒反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物、又は樹脂と酸反応性官能基を持つ樹脂と酸発生剤との混合物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記ポジ型レジスト材料が、感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の方法により形成したレジストパターンをフレームとしてめっきを行なった後、該レジストパターンを除去することを特徴とするフレームめっき方法。
9. 請求項８に記載のフレームめっき方法により磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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