JP3355175B2 - フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法 - Google Patents

フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレームめっき方
法、およびこのフレームめっき方法を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの磁極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面（媒体対向面）での幅、すなわちトラック幅を数
ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック
構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成す
るために半導体加工技術が利用されている。
【０００４】トラック幅を規定する磁極を形成する方法
としては、例えばフレームめっき法が用いられる。従来
のフレームめっき法では、例えば特開昭５０−９５１４
７号公報に示されるように、下地の上に電極膜を形成
し、その上にレジスト層を形成し、このレジスト層をフ
ォトリソグラフィ工程によりパターニングして、めっき
のためのフレーム（外枠）を形成する。そして、このフ
レームを用い、先に形成した電極膜をシード層としてめ
っきを行ってめっきパターンを形成する。
【０００５】従来のフレームめっき法では、光学的な手
法を用いてレジスト層をパターニングし、得られたフレ
ームを用いてめっきパターンを形成するため、理論的
に、光学的な限界によって決まる寸法よりも微細なめっ
きパターンを形成することは不可能であった。従って、
フレームめっき法を用いて、光学的な限界によって決ま
る寸法よりも微細な磁極を形成することも不可能であっ
た。
【０００６】ところで、例えば特開平６−２５０３７９
号公報、特開平１０−７３９２７号公報、特開平１１−
２０４３９９号公報には、微細なレジストパターンの形
成方法として、以下のような方法が示されている。すな
わち、この方法は、酸を発生させる材料を含む第１のレ
ジストによって第１のレジストパターンを形成し、この
第１のレジストパターンを、酸の存在により架橋反応を
生ずる水溶性の第２のレジストで覆い、第１のレジスト
パターン中に酸を発生させ、第２のレジストのうち第１
のレジストパターンに接する界面近傍部分に架橋膜を形
成し、第２のレジストのうちの非架橋部分を剥離して第
２のレジストパターンを形成するという方法である。以
下、この方法を、本出願において、微細レジストパター
ン形成方法と言う。
【０００７】上記微細レジストパターン形成方法は、特
開平１０−７３９２７号公報や特開平１１−２０４３９
９号公報に示されるように、一般の半導体製造技術にお
けるドライエッチング等のドライ工程向けに開発された
ものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上述の微
細レジストパターン形成方法によって形成されたレジス
トパターンをフレームめっき法におけるフレームに用い
ることにより、光学的な限界によって決まる寸法よりも
微細なめっきパターンを形成することを考えた。
【０００９】しかしながら、本発明者が実験したとこ
ろ、単純に微細レジストパターン形成方法によって形成
されたレジストパターンをフレームに用いて、フレーム
めっき法によってめっきパターンを形成しても、微細な
めっきパターンは得られないことが分かった。
【００１０】ここで、図２３ないし図３３を参照して、
実験で行っためっきパターンの形成方法について説明
し、併せて、この方法では微細なめっきパターンは得ら
れないことを説明する。
【００１１】この方法では、まず、図２３に示したよう
に、形成しようとするめっき層の下地となる層１５１の
上に、必要に応じて、導電性を有する材料によってめっ
き用の下地膜１５２を形成する。
【００１２】次に、図２４に示したように、酸を発生さ
せる材料を含む第１のレジストを塗布し、これをプリベ
ークして、第１のレジスト層１５３を形成する。
【００１３】次に、図２５に示したように、第１のレジ
スト層１５３の露光、露光後ベーク、現像、水洗および
乾燥の各工程を順に行って、孤立トレンチを有する第１
のレジストパターン１５３Ａを形成する。なお、上記の
乾燥工程は省略してもよい。
【００１４】次に、図２６に示したように、第１のレジ
ストパターン１５３Ａを覆うように、酸の存在により架
橋反応を生ずる水溶性の第２のレジストを塗布して、第
２のレジスト層１５４を形成する。
【００１５】次に、図２７に示したように、第１のレジ
ストパターン１５３Ａと第２のレジスト層１５４の加熱
処理を行って、第１のレジストパターン１５３Ａ中に酸
を発生させると共に、この酸を第２のレジスト層１５４
へ拡散させる。これにより、第２のレジスト層１５４の
うち第１のレジストパターン１５３Ａに接する界面近傍
部分に架橋膜１５４Ａが形成される。
【００１６】ここで、架橋膜１５４Ａは第１のレジスト
パターン１５３Ａの表面のみから成長するため、この架
橋膜１５４Ａと下地膜１５２との密着性は非常に弱いも
のとなる。また、第１のレジストパターン１５３Ａの耐
熱性が低い（ガラス転移温度が低い)と、第１のレジス
トパターン１５３Ａと第２のレジスト層１５４の加熱処
理の際に、第１のレジストパターン１５３Ａが歪み、そ
の結果、下地膜１５２との密着性の弱い架橋膜１５４Ａ
が下地膜１５２から剥離してしまい、架橋膜１５４Ａと
下地膜１５２との間に隙間が生じる。
【００１７】次に、図２８に示したように、イソプロパ
ノール水溶液で洗浄した後、水洗および乾燥の各工程を
順に行って、第２のレジスト層１５４のうちの非架橋部
分を剥離して、架橋膜１５４Ａよりなる第２のレジスト
パターン１５４Ｂを形成する。このようにして、第１の
レジストパターン１５３Ａと第２のレジストパターン１
５４Ｂとによって、トレンチが狭小化されたフレームが
形成される。この時点で、第２のレジストパターン１５
４Ｂと下地膜１５２との間には隙間が生じている。
【００１８】次に、図２９に示したように、第１のレジ
ストパターン１５３Ａと第２のレジストパターン１５４
Ｂよりなるフレームを用い、下地膜１５２をシード層と
してめっきを行ってめっき層１５５Ａ，１５５Ｂを形成
する。なお、符号１５５Ａは、トレンチ内に形成され、
目的とするめっきパターンとなるめっき層を表し、符号
１５５Ｂは他の部分に形成されためっき層を表す。
【００１９】上記めっき層の形成の際には、第２のレジ
ストパターン１５４Ｂと下地膜１５２との間に生じた隙
間にめっき液が染み込むため、この隙間の部分までめっ
きされてしまう。また、めっき層は広がろうとしながら
成長するため、上記隙間は押し広げられる。その結果、
目的とするめっきパターンとなるめっき層１５５Ａの底
部では、ほぼ第２のレジストパターン１５４Ｂの幅の分
だけ所望の幅よりも広がってしまう。
【００２０】次に、図３０に示したように、有機溶媒に
よってフレームを除去する。次に、図３１に示したよう
に、イオンミリングや反応性イオンエッチング等のドラ
イエッチングまたはウェットエッチングにより、フレー
ムが存在していた部分における下地膜１５２を除去す
る。
【００２１】次に、図３２に示したように、目的とする
めっきパターンとなるめっき層１５５Ａを覆うように、
レジストパターン１５６を形成する。
【００２２】次に、図３３に示したように、ウェットエ
ッチングによって、不要なめっき層１５５Ｂと、その下
の下地膜１５２を除去する。次に、有機溶媒によってレ
ジストパターン１５６を除去して、めっき層１５５Ａよ
りなる目的とするめっきパターン１５５Ｃを得る。この
ようにして得られためっきパターン１５５Ｃは底部が広
がった形状となっている。
【００２３】以上説明したように、従来の微細レジスト
パターン形成方法によって形成されたレジストパターン
では、架橋膜１５４Ａと下地膜１５２との密着性の弱さ
や、加熱処理の際における第１のレジストパターン１５
３Ａの歪みによって、架橋膜１５４Ａが下地膜１５２か
ら剥離してしまい、第２のレジストパターン１５４Ｂと
下地膜１５２との間に隙間が生じる。そして、このレジ
ストパターンをフレームに用いてめっきパターンを形成
する場合には、上記の隙間の部分までめっきされてしま
う。従って、単純に微細レジストパターン形成方法によ
って形成されたレジストパターンをフレームに用いてめ
っきパターンを形成する場合には、微細なめっきパター
ンは得られないという問題点がある。この問題点は、フ
レームとなるレジスト層の厚さが大きいほど顕著にな
る。
【００２４】なお、特開平１０−７３９２７号公報や特
開平１１−２０４３９９号公報に示されるように、一般
の半導体製造技術において、微細レジストパターン形成
方法によって形成されたレジストパターンをマスクに用
いて、反応性イオンエッチング等のドライエッチングを
行う場合には、架橋膜１５４Ａの下地膜１５２からのわ
ずかな剥離は問題にならない。そのため、上述のような
問題点は予測され得なかった。
【００２５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、光学的な限界によって決まる寸法よ
りも微細なめっきパターンを形成することができるよう
にしたフレームめっき方法、およびこのフレームめっき
方法を用いて光学的な限界によって決まる寸法よりも微
細な磁極を形成することができるようにした薄膜磁気ヘ
ッドの磁極の形成方法を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明のフレームめっき
方法は、レジストによるフレームを形成する工程と、フ
レームを用いてめっきを行ってめっきパターンを形成す
る工程とを備えたフレームめっき方法であって、フレー
ムを形成する工程は、酸を発生させる材料を含む第１の
レジストによって第１のレジストパターンを形成する工
程と、第１のレジストパターンを、酸の存在により架橋
反応を生ずる第２のレジストで覆い、第１のレジストパ
ターン中に酸を発生させ、第２のレジストのうち第１の
レジストパターンに接する界面近傍部分に架橋膜を形成
し、第２のレジストのうちの非架橋部分を剥離して第２
のレジストパターンを形成する工程とを含み、第１のレ
ジストパターンと第２のレジストパターンとによってフ
レームを形成し、第１のレジストは、以下の（Ａ）〜
（Ｄ）を含有するレジスト材料よりなるものである。 （Ａ）有機溶剤。 （Ｂ）下記の一般式（１）で示される、重量平均分子量
が１００００〜２５０００で、分子量分布が１．０５〜
１．２５の狭分散である高分子化合物よりなるベース樹
脂。 （Ｃ）酸発生剤。 （Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物。
【００２７】
【化３】
【００２８】ただし、式（１）中のＲ1は水素原子また
はメチル基である。Ｒ2は下記の一般式（２）で示され
る基である。また、Ｒ3はＲ2とは異なる酸不安定基であ
る。
【００２９】
【化４】
【００３０】式（２）中のＲ4、Ｒ5はそれぞれ独立して
水素原子または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基であり、Ｒ6は炭素数１〜１０の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基であるか、またはＲ4と
Ｒ5、Ｒ4とＲ6又はＲ5とＲ6とは環を形成していてもよ
い。環を形成する場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6はそれぞれ独立
して炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン
基を示す。ｘ、ｙはそれぞれ０または正数であるが、
ｘ、ｙが同時に０となることはない。ｚは正数である。
ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、０≦
ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、０．４≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋
ｚ）≦０．９の関係を満たす。
【００３１】本発明のフレームめっき方法において、式
（１）中のＲ3は、-ＣＯ2Ｃ（ＣＨ3）3であってもよ
い。
【００３２】本発明のフレームめっき方法では、フレー
ムを形成する工程において、めっきの際に不具合の生じ
ない微細なフレームを形成することが可能になり、この
フレームを用いて微細なめっきパターンを形成すること
が可能になる。
【００３３】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁
気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する
磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第
１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第
２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、
第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドにおける磁
極部分を含む層を形成する方法であって、本発明のフレ
ームめっき方法によって、磁極部分を含む層を形成する
ものである。
【００３４】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成方法では、本発明のフレームめっき方法を用いて、微
細な磁極を形成することが可能になる。
【００３５】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁
気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する
磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第
１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第
２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、
第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドにおける磁
極部分を含む層を形成する方法であって、磁極部分を含
む層となる被パターニング層を形成する工程と、本発明
のフレームめっき方法によって、被パターニング層の上
に、エッチング用のマスクを形成する工程と、このマス
クを用いて、ドライエッチングによって、被パターニン
グ層をエッチングすることによってパターニングして、
磁極部分を含む層を形成する工程とを備えたものであ
る。
【００３６】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成方法では、本発明のフレームめっき方法を用いて、微
細なエッチング用のマスクを形成することが可能にな
り、このマスクを用いて被パターニング層をエッチング
することによって、微細な磁極を形成することが可能に
なる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１ないし図１１を参照
して、本発明の第１の実施の形態に係るフレームめっき
方法について説明する。
【００３８】本実施の形態に係るフレームめっき方法で
は、まず、図１に示したように、形成しようとするめっ
き層の下地となる層５１の上に、必要に応じて、導電性
を有する材料によってめっき用の下地膜５２を形成す
る。
【００３９】次に、図２に示したように、酸を発生させ
る材料を含む第１のレジストを塗布し、これをプリベー
クして、第１のレジスト層５３を形成する。本実施の形
態における第１のレジストに使用するレジスト材料につ
いては、後で詳しく説明する。
【００４０】次に、図３に示したように、所定のマスク
を介して第１のレジスト層５３を露光し、その後、露光
後ベーク、現像、水洗および乾燥の各工程を順に行っ
て、孤立トレンチを有する第１のレジストパターン５３
Ａを形成する。なお、上記の乾燥工程は省略してもよ
い。
【００４１】次に、図４に示したように、第１のレジス
トパターン５３Ａを覆うように、酸の存在により架橋反
応を生ずる水溶性の第２のレジストを塗布して、第２の
レジスト層５４を形成する。
【００４２】次に、図５に示したように、第１のレジス
トパターン５３Ａと第２のレジスト層５４の加熱処理を
行って、第１のレジストパターン５３Ａ中に酸を発生さ
せると共に、この酸を第２のレジスト層５４へ拡散させ
る。これにより、第２のレジスト層５４のうち第１のレ
ジストパターン５３Ａに接する界面近傍部分に架橋膜５
４Ａが形成される。
【００４３】次に、図６に示したように、例えばイソプ
ロパノール水溶液で洗浄した後、水洗および乾燥の各工
程を順に行って、第２のレジスト層５４のうちの非架橋
部分を剥離して、架橋膜５４Ａよりなる第２のレジスト
パターン５４Ｂを形成する。このようにして、第１のレ
ジストパターン５３Ａと第２のレジストパターン５４Ｂ
とによって、トレンチが狭小化されたフレームが形成さ
れる。
【００４４】次に、図７に示したように、第１のレジス
トパターン５３Ａと第２のレジストパターン５４Ｂより
なるフレームを用い、下地膜５２をシード層としてめっ
きを行ってめっき層５５Ａ，５５Ｂを形成する。なお、
符号５５Ａは、トレンチ内に形成され、目的とするめっ
きパターンとなるめっき層を表し、符号５５Ｂは他の部
分に形成されためっき層を表す。
【００４５】次に、図８に示したように、有機溶媒によ
ってフレームを除去する。次に、図９に示したように、
イオンミリングや反応性イオンエッチング等のドライエ
ッチングまたはウェットエッチングにより、フレームが
存在していた部分における下地膜５２を除去する。
【００４６】次に、図１０に示したように、目的とする
めっきパターンとなるめっき層５５Ａを覆うように、レ
ジストパターン５６を形成する。
【００４７】次に、図１１に示したように、ウェットエ
ッチングによって、不要なめっき層５５Ｂと、その下の
下地膜５２を除去する。次に、有機溶媒によってレジス
トパターン５６を除去して、めっき層５５Ａよりなる目
的とするめっきパターン５５Ｃを得る。
【００４８】次に、本実施の形態における第１のレジス
トに使用するレジスト材料について詳しく説明する。本
実施の形態における第１のレジストには、以下の（Ａ）
〜（Ｄ）を含有する化学増幅型ポジ型レジスト材料を使
用する。 （Ａ）有機溶剤。 （Ｂ）下記の一般式（１）で示される、重量平均分子量
が１００００〜２５０００で、分子量分布が１．０５〜
１．２５の狭分散である高分子化合物よりなるベース樹
脂。 （Ｃ）酸発生剤。 （Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物。
【００４９】
【化５】
【００５０】ただし、式（１）中のＲ1は水素原子また
はメチル基である。Ｒ2は下記の一般式（２）で示され
る基である。また、Ｒ3はＲ2とは異なる酸不安定基であ
る。
【００５１】
【化６】
【００５２】式（２）中のＲ4、Ｒ5はそれぞれ独立して
水素原子または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基であり、Ｒ6は炭素数１〜１０の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基であるか、またはＲ4と
Ｒ5、Ｒ4とＲ6又はＲ5とＲ6とは環を形成していてもよ
い。環を形成する場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6はそれぞれ独立
して炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン
基を示す。ｘ、ｙはそれぞれ０または正数であるが、
ｘ、ｙが同時に０となることはない。ｚは正数である。
ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、０≦
ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、０．４≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋
ｚ）≦０．９の関係を満たす。
【００５３】また、式（１）中のＲ3は、-ＣＯ2Ｃ（Ｃ
Ｈ3）3であってもよい。
【００５４】化学増幅型ポジ型レジスト材料の成分
（Ａ）〜（Ｄ）の具体例としては、特開平１０−２０５
０４号公報に示されたものを用いることができる。ただ
し、本実施の形態では、成分（Ｂ）である高分子化合物
には、重量平均分子量が１００００〜２５０００で、分
子量分布が１．０５〜１．２５の狭分散であるという条
件が与えられる。なお、分子量分布は、重量平均分子量
（Ｍw）／数平均分子量（Ｍn）で与えられる。
【００５５】本実施の形態によれば、第１のレジストに
上述の化学増幅型ポジ型レジスト材料を使用することに
より、単純に従来の微細レジストパターン形成方法によ
って形成されたレジストパターンをフレームに用いてめ
っきパターンを形成する場合に生じる不具合が発生する
ことなく、光学的な限界によって決まる寸法よりも微細
なめっきパターンを形成することが可能になる。以下、
その理由を説明する。
【００５６】本発明者の実験によれば、第１のレジスト
に使用する上述の化学増幅型ポジ型レジスト材料は、そ
の成分（Ｂ）であるベース樹脂の耐熱性(ガラス転移温
度)が高く、そのため、図５に示した加熱処理の際にお
ける第１のレジストパターン５３Ａの歪みが小さくなる
ことが分かった。その結果、本実施の形態によれば、架
橋膜５４Ａが下地膜５２から剥離し難くなり、架橋膜５
４Ａと下地膜５２との間に隙間が生じることが防止され
る。従って、本実施の形態によれば、めっき時に第２の
レジストパターン５４Ｂと下地膜５２との間の隙間にめ
っき液が染み込むことによってめっきパターン５５Ｃの
底部が広がることが防止され、微細レジストパターン形
成方法を有効に利用して、光学的な限界によって決まる
寸法よりも微細なめっきパターンを形成することが可能
になる。
【００５７】次に、本実施の形態において、第１のレジ
ストに使用するレジスト材料の成分（Ｂ）に与えられる
重量平均分子量と分子量分布の条件の意味について説明
する。
【００５８】式（１）に示すベース樹脂の修飾基として
は、様々な組み合わせが考えられるが、本発明者が実験
したところ、修飾基の組み合わせの違いは、ベース樹脂
の耐熱性(ガラス転移温度)にはほとんど影響を与えなか
った。ベース樹脂の耐熱性に影響を与えたのは、主に、
ベース樹脂の重量平均分子量と分子量分布であった。
【００５９】そこで、本発明者は、ベース樹脂の重量平
均分子量と分子量分布のみを変えた下記のレジストを用
いて、第１のレジストパターンを形成し、更に、その第
１のレジストパターンに対して、下記の条件で微細レジ
ストパターン形成方法によるトレンチの狭小化処理を施
してフレームめっき法のためのフレームを形成し、その
フレームを用いてめっきを行って、微細なめっきパター
ンが得られるかどうかを調べる実験を行った。
【００６０】実験では、第１のレジストパターンを形成
するためのレジストとして、以下の成分（Ａ）、（Ｂ
´）、（Ｃ）および（Ｄ）を含有する化学増幅型ポジ型
レジスト材料を使用した。
【００６１】成分（Ａ）としては、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート：乳酸エチル＝４５重
量％：２０重量％となる有機溶剤を６５重量％の割合で
用いた。
【００６２】成分（Ｂ´）であるベース樹脂としては、
式（１）において、Ｒ1：水素原子、Ｒ2：式（２）にお
いてＲ4＝Ｒ5＝Ｒ6：-ＣＨ3、Ｒ3：-ＣＯ2Ｃ（ＣＨ3）3
とした高分子化合物を３２重量％の割合で用いた。
【００６３】成分（Ｃ）である酸発生剤としては、ｐ−
トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウムを２重量
％の割合で用いた。
【００６４】成分（Ｄ）である芳香族化合物としては、
１-Ｎｐ-Ｏ-ＣＨ2-ＣＯＯＨ（Ｎｐ：ナフタレン環）を
約１重量％の割合で用いた。
【００６５】また、上記化学増幅型ポジ型レジスト材料
では、その他の成分として、界面活性剤フロラード（Ｆ
Ｃ-４３０）を約０．０１重量％の割合で用いた。
【００６６】なお、ベース樹脂の重量平均分子量と分子
量分布は、以下の方法により、それぞれ独立に目的の値
になるように調整した。同じポリマーでもその分子量に
よって、同一の溶媒に対する溶解度もしくは分配比が異
なる。一般的には、分子量が大きいほど溶解度が低くな
る。これを利用して、様々な分子量の、分子量分布の小
さいポリマーを得ることができる。すなわち、まず、ラ
ジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等の方法によ
って得た、様々な分子量のポリマーと不純物とを含んだ
材料よりポリマーを精製する。このようなポリマーの精
製は、例えば、メタノールを用いて、ポリマーだけをメ
タノールに溶解させ、未反応物と不純物を沈殿させるこ
とによって行うことができる。次に、このようにして得
られた、様々な分子量のポリマーを含んだ材料、言い換
えると分子量分布の大きいポリマーをメタノールに再度
溶解させ、これに、べンゼンもしくは水等の、ポリマー
の溶解度を落とす溶媒を徐々に加えていく。すると、分
子量の大きいポリマーから沈殿していく。これをこまめ
に採取することにより、様々な分子量の、分子量分布の
小さいポリマーを得ることができる。更に、これらのポ
リマーを所定の割合で再混合することにより、任意の分
子量と分子量分布を持ったポリマーを得ることができ
る。なお、以上の方法は、特開平６−２７３９３４号公
報および特開平６−２７３９３５号公報にも記載されて
いる。
【００６７】また、実験では、第２のレジストとして、
次のような水溶性樹脂混合物を用いた。この水溶性樹脂
混合物は、水溶性樹脂と水溶性架橋剤の混合溶液であ
る。この混合溶液は、ポリビニルアセタールの５重量％
水溶液：１６０ｇおよび（Ｎ−メトキシメチル）メトキ
シエチレン尿素の約１０重量％の水溶液：２０ｇ中に、
純水：２０ｇを室温で６時間攪拌混合して得た。ポリビ
ニルアセタールの５重量％水溶液は、１Ｌメスフラスコ
を用い、積水化学社製のポリビニルアセタール樹脂エス
レックＫＷ３の２０重量％水溶液：１００ｇに純水：４
００ｇを加え、室温で６時間攪拌混合して得た。また、
（Ｎ−メトキシメチル）メトキシエチレン尿素水溶液
は、１Ｌメスフラスコを用いて、（Ｎ−メトキシメチ
ル）メトキシエチレン尿素：１００ｇ中に、純水：８６
０ｇ、ＩＰＡ（イソプロパノール）：４０ｇを室温にて
６時間攪拌混合して得た。
【００６８】次に、実験における第１のレジストパター
ンの形成方法について説明する。実験では、以下の
（ａ）〜（ｃ）の手順によって、第１のレジストパター
ンを形成した。
【００６９】（ａ）まず、シリコン基板の表面に、Ｎｉ
Ｆｅをスパッタによって０．１μｍ成膜して下地膜を形
成した。次に、下地膜の上に、プリベーク後の厚さが５
μｍになるように、上述の化学増幅型ポジ型レジスト材
料をスピンコーティングし、ホットプレートによって、
１２０℃の温度で２４０秒間、プリベークを行った。
【００７０】（ｂ）次に、エキシマレーザーステッパー
（Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−２２０５ＥＸ１２Ｂ、露光波長
＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．４）と、マスク間隔（マスク
の透明部分の幅）が０．４μｍのマスクを用いて、約２
００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光した。なお、使用する
露光波長は、レジストに含まれる酸発生剤に吸収がある
波長であれば２４８ｎｍに限らない。次に、ホットプレ
ートによって、１００℃の温度で１２０秒間、露光後ベ
ークを行った。
【００７１】（ｃ）次に、２３℃、２．３８％のテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いて、パ
ドル法により、５０秒間の現像を５回行った後、水洗お
よび乾燥を行った。
【００７２】以上の（ａ）〜（ｃ）の手順によって、厚
さが５μｍ、トレンチ間隔が０．４μｍの孤立トレンチ
を有する第１のレジストパターンを得た。５μｍ程度の
厚さのレジスト層では、光学的に形成し得る最小のトレ
ンチ間隔は、理論的には０．４μｍ程度となる。
【００７３】次に、実験におけるトレンチの狭小化処理
について説明する。実験では、以下の（ｄ）〜（ｆ）の
手順によって、微細レジストパターン形成方法によるト
レンチの狭小化処理を行った。
【００７４】（ｄ）まず、（ａ）〜（ｃ）の手順によっ
て下地膜と第１のレジストパターンとが形成されたシリ
コン基板上に、第１のレジストパターンを覆うように、
前述の第２のレジストをスピンコートして第２のレジス
ト層を形成した後、ホットプレートによって、８５℃の
温度で７０秒間、ベークを行った。続いて、ホットプレ
ートによって、１００℃の温度で９０秒間、第１のレジ
ストパターンと第２のレジスト層の加熱処理を行った。
【００７５】（ｅ）次に、１０重量％のイソプロパノー
ル水溶液で洗浄後、水洗した。 （ｆ）次に、ホットプレートによって、９０℃の温度で
９０秒間、ポストベークを行った
【００７６】以上の（ｄ）〜（ｆ）の手順によって、厚
さが５μｍ、トレンチ間隔が０．３μｍの孤立トレンチ
を有する第２のレジストパターンを得た。第１のレジス
トパターンと第２のレジストパターンとによって、フレ
ームめっき法のためのフレームが形成される。
【００７７】次に、実験におけるめっきパターンの形成
方法について説明する。実験では、以下の（ｇ）〜
（ｉ）の手順によって、フレームめっき法によってめっ
きパターンを形成した。
【００７８】（ｇ）まず、めっきのための前処理とし
て、下地膜と上記のフレームが形成されたシリコン基板
を、５％のＨＣｌ水溶液で洗浄した後、水洗した。
【００７９】（ｈ）次に、以下の表に示した成分および
組成のめっき液のＮｉＦｅめっき浴を用い、上記のフレ
ームを用いたフレームめっき法により、ＮｉＦｅを約４
μｍの厚さに形成した後、水洗および乾燥を行った。な
お、めっきは、浴温：４０℃、電流密度：３．５×１０
-3Ａ／ｃｍ2、陽極：ＮｉＦｅの条件で行った。
【００８０】
【表１】
【００８１】（ｉ）次に、フレームをアセトンで溶解除
去した後、乾燥して、幅が約０．３μｍ、高さが約４μ
ｍの、ＮｉＦｅによる孤立ラインのめっきパターンを得
た。
【００８２】そして、実験では、得られためっきパター
ンを、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）（ＨＩＴＡＣＨ
Ｓ−７０００）を用いて観察し、第２のレジストパタ
ーンと下地膜との間の隙間にめっき液が染み込むことに
よるめっきパターン異常の有無を確認した。
【００８３】以上の実験の結果、ベース樹脂の重量平均
分子量は、１００００〜２５０００である必要があるこ
とが分かった。すなわち、重量平均分子量が１００００
に満たないとレジスト材料の耐熱性が劣り、第２のレジ
ストパターンと下地膜との間に隙間が生じることによる
不具合が発生した。また、重量平均分子量が２５０００
を超えるとアルカリ溶解性が低下し、解像性が悪くな
り、０．６μｍ以下のトレンチ間隔のレジストパターン
を形成することができなかった。
【００８４】一方、ベース樹脂の分子量分布は、１．０
が理想的であるが、分子量分布が１．０５未満の樹脂は
合成できず、分子量分布が１．２５よりも大きい場合に
は、重量平均分子量が２５０００の場合でも、ガラス転
移温度が１６０℃を下回り、レジスト材料の耐熱性が劣
り、第２のレジストパターンと下地膜との間に隙間が生
じることによる不具合が発生した。
【００８５】以上説明したように、本実施の形態に係る
フレームめっき方法によれば、微細レジストパターン形
成方法の適用による不具合が発生することなく、光学的
な限界によって決まる寸法よりも微細なめっきパターン
を形成することが可能になる。
【００８６】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法に
ついて説明する。本実施の形態に係る磁極の形成方法
は、第１の実施の形態に係るフレームめっき法を用い
て、薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する方法である。
【００８７】以下、図１２ないし図１５を参照して、本
実施の形態に係る磁極の形成方法を用いた複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図
１２ないし図１５において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。
【００８８】本例における薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、まず、図１２に示したように、アルティック（Ａｌ
2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上
に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の絶縁材料よりなる絶縁層２
を、例えば１〜２０μｍの厚みに形成する。次に、絶縁
層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シー
ルド層３を、例えば０．１〜５μｍの厚みに形成する。
下部シールド層３に用いる磁性材料は、ＦｅＡｌＳｉ、
ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒ
Ｎ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等であ
る。下部シールド層３は、スパッタ法またはめっき法等
によって形成される。
【００８９】次に、下部シールド層３の上に、スパッタ
法等によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりな
る下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎ
ｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
の上に、スパッタ法等によって、再生用のＭＲ素子５
を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、スパッタ法等によって、ＭＲ素子
５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの
厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およ
びＭＲ素子５の上に、スパッタ法等によって、Ａｌ
2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる上部シールドギャ
ップ膜７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成す
る。
【００９０】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。
【００９１】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば０．５〜４．０μｍの厚みに
形成する。なお、下部磁極層８に用いる磁性材料は、Ｎ
ｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材
料である。下部磁極層８は、スパッタ法またはめっき法
等によって形成される。
【００９２】次に、下部磁極層８の上に、スパッタ法等
によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる記
録ギャップ層９を、例えば１０〜５００ｎｍの厚みに形
成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイル
の中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッ
チングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００９３】次に、記録ギャップ層９の上において、薄
膜コイルを形成する部分に、例えば熱硬化させたフォト
レジストよりなる絶縁層１０を形成する。次に、絶縁層
１０の上に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導
電性材料よりなる薄膜コイルの第１層部分１１を形成す
る。次に、絶縁層１０および薄膜コイルの第１層部分１
１を覆うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよ
りなる絶縁層１２を形成する。次に、絶縁層１２の上
に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導電性材料
よりなる薄膜コイルの第２層部分１３を形成する。次
に、絶縁層１２および薄膜コイルの第２層部分１３を覆
うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよりなる
絶縁層１４を形成する。薄膜コイルの第１層部分１１と
第２層部分１３は、互いに接続され、コンタクトホール
９ａの回りに巻回される。第１層部分１１と第２層部分
１３を合わせた部分の厚みは例えば２〜５μｍとし、絶
縁層１０，１２，１４を合わせた部分の厚みは例えば３
〜２０μｍとする。
【００９４】次に、図１３に示したように、エアベアリ
ング面（媒体対向面）３０から絶縁層１２，１４の上を
経て、コンタクトホール９ａにかけて、磁性材料からな
る記録ヘッド用の上部磁極層１５を、例えば３〜５μｍ
の厚みに形成する。なお、上部磁極層１５に用いる磁性
材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等
の軟磁性材料である。上部磁極層１５は、第１の形態に
係るフレームめっき方法を用いて形成される。
【００９５】下部磁極層８および上部磁極層１５のう
ち、エアベアリング面３０側において記録ギャップ層９
を介して互いに対向する部分が、それぞれ下部磁極層８
の磁極部分および上部磁極層１５の磁極部分である。本
例では、上部磁極層１５の磁極部分は、記録トラック幅
に等しい幅を有し、記録トラック幅を規定している。ま
た、下部磁極層８と上部磁極層１５は、コンタクトホー
ル９ａを介して互いに磁気的に連結されている。
【００９６】次に、図１４に示したように、上部磁極層
１５の磁極部分をマスクとして、ドライエッチングによ
り、記録ギャップ層９を選択的にエッチングする。この
ときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2
等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等の
ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用い
られる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによっ
て、下部磁極層８を選択的に例えば０．３〜０．６μｍ
程度エッチングして、図１４（ｂ）に示したようなトリ
ム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの
書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的なトラ
ック幅の増加を防止することができる。
【００９７】次に、図１５に示したように、スパッタ法
等によって、全体に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料
よりなる保護層１６を、例えば５〜５０μｍの厚みに形
成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電
極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライ
ダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを
含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成して
本例における薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９８】このようにして製造される本例の薄膜磁気
ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリ
ング面３０）と、再生ヘッドと、記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面
３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置
された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド
層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有して
いる。
【００９９】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層８および上部磁極層１５と、この下部磁極層８の磁極
部分と上部磁極層１５の磁極部分との間に設けられた記
録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層８およ
び上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状
態で配設された薄膜コイル１１，１３とを有している。
上部磁極層１５の磁極部分は記録トラック幅を規定して
いる。
【０１００】本実施の形態によれば、第１の実施の形態
に係るフレームめっき法を用いて薄膜磁気ヘッドの磁極
を形成するようにしたので、光学的な限界によって決ま
る寸法よりも微細な磁極を形成することが可能となる。
【０１０１】本実施の形態におけるその他の作用および
効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０２】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法に
ついて説明する。本実施の形態に係る磁極の形成方法
は、第１の実施の形態に係るフレームめっき法を用いて
形成しためっきパターンをマスクとして、ドライエッチ
ングによって、薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する方法で
ある。
【０１０３】以下、図１６ないし図２２を参照して、本
実施の形態に係る磁極の形成方法を用いた複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図
１６ないし図２２において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。
【０１０４】本例における薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、絶縁層１４を形成する工程までは、第２の実施の形
態と同様である。本例では、次に、図１６に示したよう
に、全体に、磁性材料よりなる磁性層２１を、例えば３
〜５μｍの厚みに形成する。磁性層２１に用いる磁性材
料は、例えば高飽和磁束密度の軟磁性材料（ＮｉＦｅ、
ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等）である。また、磁
性層２１は、めっき法によって形成してもよいし、スパ
ッタリング等のドライ成膜法によって形成してもよい。
磁性層２１は、本発明における被パターニング層に対応
する。
【０１０５】次に、図１７に示したように、磁性層２１
の上に、第１の実施の形態における第１のレジストを塗
布し、これをプリベークして第１のレジスト層を形成す
る。次に、所定のマスクを介して第１のレジスト層を露
光し、その後、露光後ベーク、現像、水洗および乾燥の
各工程を順に行って、孤立トレンチを有する第１のレジ
ストパターン２２を形成する。なお、上記の乾燥工程は
省略してもよい。
【０１０６】次に、図１８に示したように、第１のレジ
ストパターン２２を覆うように、第１の実施の形態にお
ける第２のレジストを塗布して、第２のレジスト層を形
成する。次に、第１のレジストパターン２２と第２のレ
ジスト層の加熱処理を行って、第２のレジスト層のうち
第１のレジストパターン２２に接する界面近傍部分に架
橋膜を形成する。次に、例えばイソプロパノール水溶液
で洗浄した後、水洗および乾燥の各工程を順に行って、
第２のレジスト層のうちの非架橋部分を剥離して、架橋
膜よりなる第２のレジストパターン２３を形成する。こ
のようにして、第１のレジストパターン２２と第２のレ
ジストパターン２３とによって、トレンチが狭小化され
たフレームが形成される。
【０１０７】次に、図１９に示したように、第１のレジ
ストパターン２２と第２のレジストパターン２３よりな
るフレームを用い、磁性層２１をめっき下地膜（シード
層）としてめっきを行ってめっきパターン２４を形成す
る。めっきパターン２４の材料は、例えばＮｉ、ＮｉＦ
ｅ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等とする。
【０１０８】次に、図２０に示したように、有機溶媒に
よってフレームを除去する。次に、図２１に示したよう
に、めっきパターン２４をエッチング用のマスクとし
て、イオンミリングや反応性イオンエッチング等のドラ
イエッチングにより、磁性層２１と、記録ギャップ層９
と、下部磁極層８の一部を選択的にエッチングする。こ
れにより、パターニングされた磁性層２１によって上部
磁極層１５が形成されると共に、図２１（ｂ）に示した
ようなトリム構造が得られる。次に、めっきパターン２
４を除去する。
【０１０９】次に、図２２に示したように、第２の実施
の形態と同様に、保護層１６を形成し、その表面を平坦
化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成す
る。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッド
のエアベアリング面３０を形成して本例における薄膜磁
気ヘッドが完成する。
【０１１０】本実施の形態によれば、第１の実施の形態
に係るフレームめっき法を用いて形成した微細なめっき
パターンをマスクとして、ドライエッチングによって薄
膜磁気ヘッドの磁極を形成するようにしたので、第２の
実施の形態と同様に、光学的な限界によって決まる寸法
よりも微細な磁極を形成することが可能となる。
【０１１１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１１２】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、第１のレジ
ストパターン中に酸を発生させる処理は加熱処理に限ら
ず、露光処理であってもよい。
【０１１３】また、本発明のフレームめっき方法は、薄
膜磁気ヘッドにおける記録トラック幅を規定する上部磁
極層の形成に限らず、下部磁極層の形成にも適用するこ
とができる。また、上部磁極層や下部磁極層が２以上の
層を含む場合には、本発明のフレームめっき方法は、上
部磁極層や下部磁極層における磁極部分を含む層の形成
のみならず、磁極部分を含まない層の形成にも適用する
ことができる。更に、本発明のフレームめっき方法は、
薄膜磁気ヘッドにおける磁極層の形成に限らず、他の種
々のめっきパターンの形成に適用することができる。
【０１１４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの磁極の形
成方法は、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の
薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と
再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフレームめ
っき方法によれば、フレームを形成する工程において、
めっきの際に不具合の生じない微細なフレームを形成す
ることが可能になり、このフレームを用いて、光学的な
限界によって決まる寸法よりも微細なめっきパターンを
形成することが可能になるという効果を奏する。
【０１１６】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの磁
極の形成方法によれば、本発明のフレームめっき方法を
用いて、光学的な限界によって決まる寸法よりも微細な
磁極を形成することが可能になるという効果を奏する。
【０１１７】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの磁
極の形成方法によれば、本発明のフレームめっき方法を
用いて、微細なエッチング用のマスクを形成することが
可能になり、このマスクを用いて被パターニング層をエ
ッチングすることによって、光学的な限界によって決ま
る寸法よりも微細な磁極を形成することが可能になると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフレームめっ
き方法における一工程を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る磁極の形成
方法を用いた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例に
おける一工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る磁極の形成
方法を用いた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例に
おける一工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２３】実験で行っためっきパターンの形成方法にお
ける一工程を示す断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
５１…層、５２…下地膜、５３…第１のレジスト層、５
３Ａ…第１のレジストパターン、５４…第２のレジスト
層、５４Ａ…架橋膜、５４Ｂ…第２のレジストパター
ン、５５Ａ，５５Ｂ…めっき層、５５Ｃ…めっきパター
ン、５６…レジストパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/00 C25D 5/02 G03F 7/26

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レジストによるフレームを形成する工程
    と、前記フレームを用いてめっきを行ってめっきパター
    ンを形成する工程とを備えたフレームめっき方法であっ
    て、 前記フレームを形成する工程は、酸を発生させる材料を
    含む第１のレジストによって第１のレジストパターンを
    形成する工程と、前記第１のレジストパターンを、酸の
    存在により架橋反応を生ずる第２のレジストで覆い、第
    １のレジストパターン中に酸を発生させ、第２のレジス
    トのうち第１のレジストパターンに接する界面近傍部分
    に架橋膜を形成し、第２のレジストのうちの非架橋部分
    を剥離して第２のレジストパターンを形成する工程とを
    含み、前記第１のレジストパターンと前記第２のレジス
    トパターンとによって前記フレームを形成し、 前記第１のレジストは、 （Ａ）有機溶剤 （Ｂ）下記の一般式（１）で示される、重量平均分子量
    が１００００〜２５０００で、分子量分布が１．０５〜
    １．２５の狭分散である高分子化合物よりなるベース樹
    脂 【化１】 （ただし、式（１）中のＲ1は水素原子またはメチル基
    である。Ｒ2は下記の一般式（２）で示される基であ
    る。また、Ｒ3はＲ2とは異なる酸不安定基である。 【化２】 式（２）中のＲ4、Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子また
    は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基で
    あり、Ｒ6は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは
    環状のアルキル基であるか、またはＲ4とＲ5、Ｒ4とＲ6
    又はＲ5とＲ6とは環を形成していてもよい。環を形成す
    る場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6はそれぞれ独立して炭素数１〜
    ６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基を示す。ｘ、
    ｙはそれぞれ０または正数であるが、ｘ、ｙが同時に０
    となることはない。ｚは正数である。ｘ、ｙ、ｚは、０
    ≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、０≦ｙ／（ｘ＋ｙ＋
    ｚ）≦０．５、０．４≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．９の
    関係を満たす。） （Ｃ）酸発生剤 （Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
    香族化合物 を含有するレジスト材料よりなることを特徴とするフレ
    ームめっき方法。
  2. 【請求項２】 式（１）中のＲ3は、-ＣＯ2Ｃ（ＣＨ3）
    3であることを特徴とする請求項１記載のフレームめっ
    き方法。
  3. 【請求項３】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
    膜磁気ヘッドにおける磁極部分を含む層を形成する薄膜
    磁気ヘッドの磁極の形成方法であって、 請求項１または２記載のフレームめっき方法によって、
    前記磁極部分を含む層を形成することを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの磁極の形成方法。
  4. 【請求項４】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
    膜磁気ヘッドにおける磁極部分を含む層を形成する薄膜
    磁気ヘッドの磁極の形成方法であって、 前記磁極部分を含む層となる被パターニング層を形成す
    る工程と、 請求項１または２記載のフレームめっき方法によって、
    前記被パターニング層の上に、エッチング用のマスクを
    形成する工程と、 前記マスクを用いて、ドライエッチングによって、前記
    被パターニング層をエッチングすることによってパター
    ニングして、前記磁極部分を含む層を形成する工程とを
    備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方
    法。
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