KR100338205B1

KR100338205B1 - 자기성 전기 저항 판독/기록 헤드 프로세싱에서의 상부 폴 팁 폭 제어를 위한 상부면 이미징 기술

Info

Publication number: KR100338205B1
Application number: KR1019990046174A
Authority: KR
Inventors: 제니슨마이클제이.; 판웨이
Original assignee: 사또시 기꾸야; 마쯔시따-고또부끼 일렉트로닉스 인더스트리즈, 엘티디.
Priority date: 1998-10-23
Filing date: 1999-10-23
Publication date: 2002-05-27
Also published as: KR20000029271A; CN1255779C; CN1267053A; JP2000132812A; SG80080A1; US6156487A; US6416936B1; ID24740A; TW452775B

Abstract

자기성 전기 저항(MR) 또는 거란 자기성 전기 저항(GMR) 판독/기록 헤드에서 상부 폴 팁 폭을 제어하기 위한 상부면 이미징 기술이 개시되는데, 이는 두꺼운 포토레지스트를 한정하는 데 다층 구조를 이용함으로써 훨씬 개선된 치수 제어를 가능하게 한다. 이러한 목적을 위해, 비교적 두꺼운 상부 포토레지스트층을 훨씬 향상된 분해능으로 패터닝하고, 그 다음 상부 포토레지스트층을 반응성 이온 에칭(RIE) 마스크로서 이용하여 세라믹 또는 금속 중간층을 규정하고, 그 다음 중간층을 에칭 마스크로서 이용하여 제2 RIE 공정을 통해 최하부의 두꺼운 포토레지스트층을 규정한다. 결국, 훨씬 개선된 임계 치수 제어와 함께 고 에스펙트 비와 수직 프로파일은 물론 훨씬 개선된 서브마이크론 폴 팁 폭이 제공된다.

Description

자기성 전기 저항 판독/기록 헤드 프로세싱에서의 상부 폴 팁 폭 제어를 위한 상부면 이미징 기술{TOP SURFACE IMAGING TECHNIQUE FOR TOP POLE TIP WIDTH CONTROL IN MAGNETORESISTIVE READ/WRITE HEAD PROCESSING}

<관련 기술의 상호 참조>

본 발명의 주제는, 개시된 미국 특허 제5,485,334호의 Magnetoresistive Device and Method Having Improved Barkhausen Noise Suppression; 제5,532,892호의 Soft Adjacent Layer Biased Magnetoresistive Device Incorporating a Natural Flux Closure Design Utilizing Coplanar Permanent Magnet Thin Film Stabilization; 제5,573,809호의 Process for Forming a Magnetoresistive Device; 제5,608,593호의 Shaped Spin Valve Type Magnetoresistive Transducer and Method for Fabricating the Same Incorporating Domain Stabilization Technique; 제5,634,260호의 Method of Making a Magnetoresistive Device Having Improved Barkhausen Noise Suppression; 제5,637,235호의 Shaped Spin Valve Type Magnetoresistive Transducer and Method for Fabricating the Same Incorporating Domain Stabilization Technique; 제5,639,509호의 Process for Forming a Flux Enhanced Magnetic Data Transducer; 제5,654,854호의 Longitudinally Biased Magnetoresistive Sensor Having a Concave Shaped Active Region to Reduce Barkhausen Noise by Achieving a Substantially Single Magnetic Domain State; 제5,658,469호의 Method for Forming Re-Entrant Photoresist Lift-Off Profile for Thin Film Device Processing and a Thin-Film Device Made Thereby; 및 제5,668,688호의 Current Perpendicular-to-the-Plane Spin Valve Type Magnetoresistive Transducer에 관련되며, 본 명세서에는 특히 참조로서 인용된다.

본 발명은 일반적으로 자기성 전기 저항('MR') 및 거란(giant) 자기성 전기 저항('GMR') 판독/기록 헤드 분야에 관한 것이다. 보다 자세히 말하면, 본 발명은 MR 기록 헤드 프로세싱에서의 상부 폴 팁 폭(top pole tip width) 제어를 위한 상부면 이미징(top surface imaging) 기술에 관한 것이다.

판독/기록 헤드의 기록 트랜스듀서부에 대한 상부 폴 팁 규정(definition) 및 그 임계 치수(critical dimension ; 'CD') 제어는 일반적으로 박막 MR/GMR 헤드 프로세싱 시에 중요한 문제이다. 20,000 내지 35,000 인치당 트랙('TPI') 이상의 면적 기록 밀도의 필요성에 기인하여 디스크 드라이브의 보다 많은 기억 용량에 대한 요구가 강해짐에 따라, 앞으로 생산될 이러한 헤드는, 성능을 이유로 높은 트랙 높이를 유지하면서도, 점점 더 감소되는 트랙 폭을 나타내야 한다.

결과적으로, 이러한 제약 조건은, 기록 헤드의 상부 폴 팁의 임계 치수가 약 0.30 내지 0.8 마이크론('㎛')의 서브마이크론 범위 이내여야 한다는 것을 의미한다. 그러나, 현재의 박막 포토리소그래피 기술 및 스텝퍼(stepper)를 이용하면, 약 6.0㎛ - 10.0㎛의 종래의 두꺼운 포토레지스트 패턴에 내재하는 분해능 한계로 인해, 임계 치수를 충분히 제어하면서 높은 에스펙트 비(aspect ratio)와 수직 프로파일을 제공하면서, 정밀한 치수로 팁 폭을 패터닝하는 것은 극히 곤란하다. 서브마이크론 기록 트랙 폭을 달성하기 위한 한 가지 방법으로써 슬라이더(slider) 레벨의 폴 트림(pole trim) 수행과 관련된 종래의 방법이 사용될 수 있지만, 그러한 수행은 연관된 MR 및/또는 GMR 판독 센서에 쉽게 손상을 입힐 수 있는 가능성이 더 크며 제조 환경에서 비용이 극히 많이 든다.

본 발명의 기술에 따르면, 상부 폴 팁 폭을 제어하기 위한 상부면 이미징 기술이 개시되는데, 두꺼운 포토레지스트를 규정하는 데 다층 구조를 이용함으로써 훨씬 개선된 치수 제어를 가능하게 하기 위해서이다. 이러한 목적을 위해, 비교적 두꺼운 상부 포토레지스트층을 훨씬 향상된 분해능으로 패터닝하고, 그 다음 상부 포토레지스트층을 반응성 이온 에칭(RIE) 마스크로서 이용하여 세라믹 또는 금속 중간층을 규정하고, 그 다음 중간층을 에칭 마스크로서 이용하여 제2 RIE 공정을 통해 최하부의 두꺼운 포토레지스트층을 규정한다. 결국, 훨씬 개선된 임계 치수 제어와 함께 고 에스펙트 비와 수직 프로파일은 물론 훨씬 개선된 서브마이크론 폴 팁 폭이 제공된다.

수행에 있어서, 본 발명의 기술에 의하면, 결과로서 얻게 되는 임계 치수를 규정하는 RIE 공정을 이용하여, 두꺼운 포토레지스트 규정 시 내재된 문제점들이 비교적 얇은 포토레지스트 패턴 규정으로 효과적으로 옮겨지는 사실로 인하여, 현재의 스텝퍼 및 프로세스 기술이 종래의 분해능 한계를 넘어서 확장될 수 있다. 전체적으로, 본 발명의 기술은 서브마이크론 폴 팁에서의 높은 에스펙트 비와 수직 프로파일, 종래의 스텝퍼 장비를 이용한 향상된 광학적 분해능, 및 개선된 임계 치수 제어를 포함하여 많은 장점을 제공한다. 또 다른 방법을 설명하면, 본 발명의 기술은, 패터닝된 비교적 두꺼운 포토레지스트층을 이용하여 임계 패턴을 규정하고 나서 반응성 이온 에칭을 수행하여, 중간 및 하위의 두꺼운 포토레지스트층을 통해서 상부면으로부터의 패턴을 정확하게 이동시킴으로써, 상부의 얇은 포토레지스트층을 노출시킴으로써만 두꺼운 포토레지스트층을 효과적으로 패터닝할 수 있다. 중간층 및 그 하위의 두꺼운 포토레지스트층과 관련하여, 패터닝된 얇은 포토레지스터층의 사용으로 궁극적으로는 훨씬 개선된 트랙 폭 제어를 제공하는 한편, 그와 동시에 현재의 스텝퍼 기술의 유용한 수명을 연장시킨다. 또한, 본 발명의 기술은 소정의 트랙 높이를 달성하는 데 보다 완화된 공정 요건들이 필요하므로 보다 많은 헤드 설계 유연성을 제공한다.

특히, 본 명세서에는 데이타 트랜스듀서 기록 헤드에 폴 팁을 형성하고 그에 의해 만들어진 판독/기록 헤드의 상부 폴을 형성하는 방법에 있어서, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 놓이는 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 중간층을 도포하는 단계; 상기 중간층 위에 놓이는 제2 포토레지스트층 - 상기 제2 포토레지스트층은 상기 제1 포토레지스트층보다 상대적으로 얇음 - 을 도포하는 단계; 상기 제2 포토레지스트층을 패터닝하여 그 내부에 개구를 생성하는 단계; 상기 개구를 마스크로서 사용하여 상기 중간층을 에칭하는 단계; 상기 중간층을 다른 마스크로서 사용하여 상기 개구를 통해 상기 제1 포토레지스트층을 더 에칭하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층에 에칭된 상기 개구 내에 상기 폴 팁을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 포토레지스트층과 상기 중간층을 제거하여 상기 폴 팁을 노출시키는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.

또한, 본 명세서에는 컴퓨터 대용량 기억 장치용 판독/기록 헤드에서, 그 상부 폴이, 상기 판독/기록 헤드의 갭층 위에 놓이는 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층, 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 중간층, 및 상기 중간층 위에 놓이는 비교적 얇은 제2 포토레지스트층을 포함하는 다층 구조를 제공하는 단계; 상기 비교적 얇은 제2 포토레지스트층을 패터닝하여 개구를 상기 중간층 내부에 제공하는 단계; 상기 개구 내에서 상기 중간층 및 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층을 상기 갭층까지 에칭하는 단계; 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층이 에칭되어 이루어진 상기 개구 내에 상기 상부 폴을 형성하는 단계; 및 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층과 상기 비교적 얇은 제2 포토레지스트층, 및 상기 중간층을 제거하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.

도 1a은 예를 들어 NiFe로 이루어진 시드층이 실질적으로 1000Å - 2000Å의 두께로 적층되는 MR 또는 GMR 프로세스 기판 일부의 개략적인 측입면적 단면도.

도 1b는 NiFe 시드층 위에 놓인 제1 포토레지스트층을 (실질적으로 약 8.0㎛ - 10㎛로) 비교적 두껍게 코팅하여 도포한 것을 도시하는, 도 1a 구조의 그 다음 단계의 단면도.

도 1c는 제1 포토레지스트층 위에 놓이고 실질적인 두께가 약 0.5㎛ - 2.0㎛인 금속 또는 세라믹 중간층의 추가적인 적층을 도시하는, 도 1b 구조의 그 다음 단계의 단면도.

도 1d는 금속 또는 세라믹 중간층 위에 놓이고 실질적인 두께가 약 0.25㎛ - 1.0㎛인 제2 포토레지스트층의 추가적인 적층을 도시하는, 도 1c 구조의 그 다음 단계의 단면도.

도 1e는 제2 포토레지스트층을 초기 패터닝하여 그 내부에 개구가 생성된 것을 도시하는, 도 1d 구조의 그 다음 단계의 단면도.

도 1f는 패터닝된 제2 포토레지스트층 및 그 밑에 놓인 금속 또는 세라믹 중간층에 형성된 개구를 통해 제1 반응성 이온 에칭하는 단계를 도시하는, 도 1e 구조의 그 다음 단계의 단면도.

도 1g는 금속 또는 세라믹 중간층 및 그 밑에 놓인 제1 포토레지스트층에 형성된 개구를 통해 제2 반응성 이온 에칭하는 단계를 도시하는, 도 1f 구조의 그 다음 단계를 도시하는 단면도.

도 1h는 제2 포토레지스트층, 그 밑에 놓인 금속 또는 세라믹 중간층, 및 그 밑에 놓인 제1 포토레지스트층에 형성된 개구 내의 상부 폴에 대해 NiFe 재료를 전기 도금하는 단계를 도시하는, 도 1g 구조의 그 다음 단계를 도시하는 단면도.

도 1i는 제1 및 제2 포토레지스트층 및 금속 또는 세라믹 중간층의 스트립핑 다음에 형성된 결과인 상부 폴을 도시하는, 도 1h 구조의 그 다음인 최종 단계의 단면도.

도 2는 본 발명의 기술에 따라 생산된 판독 헤드로 이루어진 실시가능한 컴퓨터 대용량 기억 장치 응용이 포함된 종래 디스크 드라이브를 위에서 본 개략적인 평면 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : MR 또는 GMR 기록 헤드 기판

12 : 시드층

14 : 제1 포토레지스트층

16 : 금속 또는 세라믹 중간층

18 : 제2 포토레지스트층

20 : 개구

22 : 상부 폴

본 발명의 상기 및 그 외의 특성들 및 목적들과, 이를 달성하는 방법이 보다 명확하게 되고, 본 발명 그 자체는 첨부된 도면에 관련된 바람직한 실시예에 대한 이하의 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있다.

지금부터 도 1a를 참조하면, MR 또는 GMR 기록 헤드 기판(10) 일부의 개략적인 측입면적 단면도가 도시되어 있다. 기판(10)은 일정한 비율로 도시된 것은 아니지만, 상기 미국 특허에 개시된 바와 같이, 예를 들어, 기록 헤드(도시되지 않음)의 최하부 폴 위에 놓이고, 두께가 약 4000Å인, 알루미나(Al₂O₃) 또는 그 외의 적절한 기록 헤드 갭층 재료, 및/또는 다양한 종류의 하위 MR 또는 GMR 판독 헤드의 공유 실드(shield)를 포함할 수 있다. 예를 들어 NiFe 또는 유사한 자성 폴 재료의 시드층(12)은 실질적으로 1000Å - 2000Å의 두께로 적층된다. 대체 가능한 실시예에 있어서, 시드층(12)은 예를 들어 FeN 또는 CoNiFe과 같은 비교적 높은 자성 모멘트 재료로 구성될 수 있다.

그 다음 도 1b를 참조하면, 도 1a 구조의 다음 단계의 단면도로서, 본 발명의 기술에 있어서 기저층으로서 역할을 하는 시드층(12) (간명하게 하기 위해 더 이상 도시되지 않음) 위에 놓이는 제1 포토레지스트층(14)이 비교적 두껍게 코팅되어 도포된 것이 도시되어 있다. 제1 포토레지스트층(14)은 실질적으로 약 6.0㎛ - 10.0㎛의 두께로 도포될 수 있다. 제1 포토레지스트층(14)이 코팅된 다음, 약 섭씨(C) 140°- 160°의 적절한 온도에서 완화된 베이킹(soft baking)이 이루어진다. 바람직하게는, 제1 포토레지스트층(14)에 이용되는 포토레지스트는 반응성 이온 에칭(RIE)에 대해 비교적 높은 에칭율을 갖고, 하기 보다 충분히 설명할 것으로써 순차적인 중간층(intermediate or middle layer)의 적층동안 분해하지 않는다.

그 다음 도 1c를 참조하면, 도 1b 구조의 다음 단계의 단면도로서, 제1 포토레지스트층(14) 위에 금속 (또는 세라믹) 중간층(16)이 추가로 퇴적된 것으로 도시되어 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 이 중간층(16)은 실질적으로 약 0.1㎛ - 2.0㎛의 두께로 퇴적된다. 바람직하게는, Ti, Cr 등으로 구성되는 것을 포함하여, 예를 들어 Al₂O₃및 그 외의 금속층인 중간층(16)용으로 선택되는 재료는, 이후에 보다 충분하게 설명할 순차적인 제2 RIE 에칭 공정 동안 포토레지스트를 바람직하게 선택할 뿐만 아니라 제1 RIE 에칭 공정 동안 적절한 에칭율을 가져야 한다.

그 다음 도 1d를 참조하면, 도 1c 구조의 다음 단계의 단면도로서, 중간층(16) 위에 제2 포토레지스트층(18)이 추가로 도포된 것이 도시되어 있다. 제2 포토레지스트층(18)은 제1 포토레지스트층(14)의 두께보다 실질적으로 얇게 도포되고, 일반적으로는 실질적으로 약 0.25㎛ - 1.0㎛의 두께로 도포된다. 제2 포토레지스트층(18)용의 바람직한 재료로는 순차적인 제1 RIE 에칭 공정 동안 중간층(16)에 대하여 바람직하게 선택된다.

그 다음 도 1e를 참조하면, 도 1d 구조의 다음 단계의 단면도로서, 제2 포토레지스트층(18)의 초기 패터닝으로 개구(20)가 내부에 생성된 것이 도시되어 있다. 제2 포토레지스트층(18)이 비교적 매우 얇기 때문에, 바람직한 라인 폭 제어가 패터닝 수행 시 달성되어야 할 것이다.

그 다음 도 1f를 참조하면, 도 1e 구조의 다음 단계의 단면도로서, 패터닝된 제2 포토레지스트층(18)에 형성된 개구(20)를 통한 제1 반응성 이온 에칭 단계가 도시되어 있다. 이 제1 RIE 공정 시, 그 상부 또는 제2 포토레지스트층(18)을 마스크하는 층으로 이용하여 그 밑에 놓인 중간층(16)이 에칭된다. 제1 RIE 공정은, 이러한 공정의 종점으로서 제1 포토레지스트층(14)에 도달할 때까지 수행된다.

그 다음 도 1g를 참조하면, 도 1f 구조의 다음 단계의 단면도로서, 중간층(16)에 형성된 개구(20)를 통한 제2 반응성 이온 에칭 단계를 도시한다. 이 단계에서는, 중간층(16)을 마스크하는 층으로서 이용하여 하위 또는 제1 포토레지스트층(14)이 에칭된다. 중간층(16)의 선택은, 밑에 놓인 제1 포토레지스트층(14)의 선택에 관하여 용인할 수 있는 것이어야 함과 동시에, 상기 제1 포토레지스트층(14)은 이 공정동안 비교적 높은 에칭율을 나타내야만 한다. NiFe 또는 그 외의 적절한 재료가 용인할 수 있는 에치 정지(etch stop)을 바람직하게 제공할 것인지의 여부에 따라, 시드층(12) (도시되지 않음)은 제2 RIE 공정 단계 시 비교적 낮은 에칭율을 가져야 되며, 따라서 분명하게 에칭되지 않게 된다.

그 다음 도 1h를 참조하면, 도 1g 구조의 그 다음 단계의 단면도로서, 제2 포토레지스트층(18), 그 밑에 놓인 중간층(16), 및 그 밑에 놓인 제1 포토레지스트층(14)을 통해 형성된 개구(20) 내에 기록 헤드의 상부 폴(22)에 대한 NiFe (또는 그 외의 적절한 재료)를 전기 도금하는 단계를 도시한다.

그 다음 도 1i를 참조하면, 도 1h 구조의 그 다음 단계 즉, 최종 단계의 단면도로서 제1 및 제2 포토레지스트층(14, 18) 및 중간층(16)을 스트립핑한 다음에 형성되는 결과인 상부 폴(22)을 도시한다. 바람직한 실시예에 있어서, 상부 폴의 높이는, 실질적으로 1.0㎛ - 2.5㎛이고 해당 폭은 약 0.35㎛ - 1.2㎛이다.

그 다음 도 2를 참조하면, 본 발명의 기술에 따라 제조된 판독/기록과 결합하여 사용할 수 있는 디스크 구동기(30)를 위에서 본 개략적인 평면 단면도가 도시되어 있다. 디스크 구동기(30)는 부속품으로서 중심축에 대해 회전될 수 있는 다수의 디스크(32)를 구비한다. 상술된 바와 같이 제조될 수 있는 판독/기록 헤드(34)는 자기적으로 단단한 표면(38)에/으로부터 데이타가 기록되거나 판독될 수 있도록, 위치정렬기(36)에 의해 디스크(32)의 표면(38)에 다수의 동심원 상의 데이타 트랙에 대해 위치정렬된다. 또한, 상기 판독/기록 헤드(34)는 테이프 구동기, 및 다른 컴퓨터 대용량 기억 장치와 결합하여 사용될 수 있다.

비록 특정한 예로 든 재료와 공정의 과정에 관련하여 본 발명의 원리가 서술되었지만, 상기 설명은 단지 예시적인 것이고 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니라는 것은 명확하다. 특히, 상기 개시는 본 관련 기술 분야의 숙련자에게는 다른 변형이 있을 수 있다는 것을 알 수 있다. 이와 같은 변형은 이미 자체가 공지되어 있는 것이고 본 발명에 개시되는 것 이외에 또는 그 대신에 사용될 수 있는 다른 특징을 포함할 수 있다. 비록 본 명세서에서 청구 범위가 특정 조합에 맞도록 되어 있지만, 본 발명은 또한 다른 신규한 특징, 또는 묵시적으로 또는 명시적으로 개시된 특징의 조합, 또는 이와 같은 기술이 청구 범위에서 현재 청구하고 있는 것과 동일한 발명에 관련되는 지에 따라, 그리고 본 발명이 갖게 되는 것과 동일한 임의의 또는 모든 기술 문제를 해결하는 지에 따라, 임의의 변형을 포함할 수 있다는 것은 본 기술 분야의 숙련자에게는 명확할 것이다.

본 발명은 MR 또는 GMR 판독/기록 헤드에서 상부 폴 팁 폭을 제어하기 위한 상부면 이미징 기술을 제공하며, 본 발명에 따르면 훨씬 개선된 임계 치수 제어와 함께 고 에스펙트 비와 수직 프로파일은 물론 훨씬 개선된 서브마이크론 폴 팁 폭이 제공된다.

Claims

데이타 트랜스듀서 기록 헤드에 폴 팁(pole tip)을 형성하기 위한 방법에 있어서,

기판을 제공하는 단계;

상기 기판 위에 놓이는 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계;

상기 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 중간층을 도포하는 단계;

상기 중간층 위에 놓이는 제2 포토레지스트층 - 상기 제2 포토레지스트층은 상기 제1 포토레지스트층보다 상대적으로 얇음 - 을 도포하는 단계;

상기 제2 포토레지스트층을 패터닝하여 그 내부에 개구를 생성하는 단계;

상기 개구를 마스크로서 사용하여 상기 중간층을 에칭하는 단계;

상기 중간층을 다른 마스크로서 사용하여 상기 개구를 통해 상기 제1 포토레지스트층을 더 에칭하는 단계;

상기 제1 포토레지스트층에 에칭된 상기 개구 내에 상기 폴 팁을 형성하는 단계; 및

상기 제1 및 제2 포토레지스트층과 상기 중간층을 제거하여 상기 폴 팁을 노출시키는 단계

를 포함하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 기판을 제공하는 단계는, Al₂O₃갭층을 제공하는 단계에 의해 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층 밑에 놓인 상기 기판 상에 시드층(seed layer)을 적층하는 단계를 더 포함하는 방법.
제3항에 있어서, 상기 시드층을 적층하는 단계는, 실질적으로 1000Å - 2000Å의 두께로 NiFe를 적층시키는 것에 의해 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계는, 상기 기판을 포토레지스트 재료로 실질적으로 6.0㎛와 10.0㎛ 사이의 두께로 코팅하는 단계에 의해 수행되는 방법.
제5항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계는, 실질적으로 140℃ - 160℃의 온도로 상기 포토레지스트 재료를 베이킹하는 단계를 더 포함하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 중간층을 도포하는 단계는, 상기 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 금속 또는 세라믹층을 적층하는 단계를 포함하는 방법.
제7항에 있어서, 상기 적층 단계는 Al₂O₃를 실질적으로 0.1㎛ - 2.0㎛의 두께로 적층함으로써 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계는, 상기 중간층을 포토레지스트 재료로 실질적으로 0.25㎛와 1.0㎛ 사이의 두께로 코팅하는 단계를 포함하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 중간층을 에칭하는 단계는, 상기 중간층이 상기 제1 포토레지스트층까지 에칭될 때까지 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층을 에칭하는 단계는, 상기 제1 포토레지스트층이 실질적으로 상기 기판까지 에칭될 때까지 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 폴 팁을 형성하는 단계는, 상기 제1 포토레지스트층의 상기 개구 내에 NiFe를 실질적으로 1.0㎛와 4.5㎛ 사이의 높이로 플레이팅(plating)하는 단계에 의해 수행되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계는 상기 폴 팁을 둘러싸는 상기 제1 및 제2 포토레지스트층과 상기 중간층을 스트립핑(stripping)하는 단계에 의해 수행되는 방법.
판독 센서와, 갭층 위에 놓이는 하부 폴을 갖는 연관된 기록 트랜스듀서를 포함하는 컴퓨터 대용량 기억 장치용 판독/기록 헤드에서, 상기 기록 트랜스듀서의 대응하는 상부 폴이,

상기 갭층 위에 놓이는 시드층을 적층시키는 단계;

상기 시드층 위에 놓이는 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계;

상기 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 중간층을 도포하는 단계;

상기 중간층 위에 놓이는 제2 포토레지스트층 - 상기 제2 포토레지스트층은 상기 제1 포토레지스트층보다 상대적으로 얇음 - 을 도포하는 단계;

상기 제2 포토레지스트층을 패터닝하여 그 내부에 개구를 생성하는 단계;

상기 개구를 마스크로서 사용하여 상기 중간층을 에칭하는 단계;

상기 중간층을 다른 마스크로서 사용하여 상기 개구를 통해 상기 제1 포토레지스트층을 더 에칭하는 단계;

상기 제1 포토레지스트층에 에칭된 상기 개구 내에 상기 상부 폴을 형성하는 단계; 및

상기 제1 및 제2 포토레지스트층과 상기 중간층을 제거하여 상기 상부 폴을 노출시키는 단계

를 포함하는 방법에 의해 제조되는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 갭층은 Al₂O₃를 포함하는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 시드층은 NiFe를 포함하는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 시드층은 두께가 실질적으로 1000Å - 2000Å인 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층은 두께가 실질적으로 8.0㎛와 10.0㎛ 사이인 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 중간층은 금속 또는 세라믹층을 포함하는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 중간층은 실질적으로 0.1㎛ - 2.0㎛의 두께로, Al₂O₃를 포함하는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 제2 포토레지스트층은 두께가 실질적으로 0.25㎛와 1.0㎛인 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서, 상기 상부 폴은, 상기 제1 포토레지스트층이 에칭되어 이루어진 상기 개구 내에서 상기 시드 위에 실질적으로 1.0㎛ - 4.5㎛ 사이의 높이로 플레이팅되는 판독/기록 헤드.
제14항에 있어서,

헤드 디스크 어셈블리;

상기 헤드 디스크 어셈블리 내에 회전가능하게 장착되고, 인코딩가능 데이타를 위에 갖는 적어도 하나의 자기 기억 매체; 및

상기 헤드 디스크 어셈블리 내에 이동가능하게 장착되어, 상기 데이타의 선택된 부분의 판독 및/또는 기록이 가능하도록 상기 기억 매체에 대해 상기 판독/기록 헤드를 위치정렬시키기 위한 적어도 하나의 위치정렬기 메커니즘

을 더 포함하는 판독/기록 헤드.
컴퓨터 대용량 기억 장치용 판독/기록 헤드에서, 그 상부 폴이

상기 판독/기록 헤드의 갭층 위에 놓이는 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층, 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층 위에 놓이는 중간층, 및 상기 중간층 위에 놓이는 비교적 얇은 제2 포토레지스트층을 포함하는 다층 구조를 제공하는 단계;

상기 비교적 얇은 제2 포토레지스트층을 패터닝하여 개구를 상기 중간층 내부에 제공하는 단계;

상기 개구 내에서 상기 중간층 및 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층을 상기 갭층까지 에칭하는 단계;

상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층이 에칭되어 이루어진 상기 개구 내에 상기 상부 폴을 형성하는 단계; 및

상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층과 상기 비교적 얇은 제2 포토레지스트층, 및 상기 중간층을 제거하는 단계

를 포함하는 방법에 의해 제조되는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 갭층은 Al₂O₃를 포함하는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 기판의 위에 놓이고 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층 밑에 놓이는 시드층을 더 포함하는 판독/기록 헤드.
제26항에 있어서, 상기 시드층은 실질적으로 1000Å - 2000Å의 NiFe을 포함하는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층은 두께가 실질적으로 6.0㎛와 10.0㎛ 사이인 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 중간층은 금속 또는 세라믹 층을 포함하는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 중간층은 실질적으로 두께가 0.1㎛와 2.0㎛ 사이인Al₂O₃를 포함하는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서, 상기 비교적 얇은 제2 포토레지스트층은 실질적으로 두께가 0.25㎛와 1.0㎛ 사이인 판독/기록 헤드.
제26항에 있어서, 상기 상부 폴은, 상기 비교적 두꺼운 제1 포토레지스트층이 에칭되어 이루어진 상기 개구 내에서 상기 시드층 위에 실질적으로 1.0㎛와 4.5㎛ 사이의 높이로 플레이팅되는 판독/기록 헤드.
제24항에 있어서,

헤드 디스크 어셈블리;

상기 헤드 디스크 어셈블리 내에 회전가능하게 장착되고, 인코딩가능 데이타를 위에 갖는 적어도 하나의 자기 기억 매체; 및

상기 헤드 디스크 어셈블리 내에 이동가능하게 장착되어, 상기 데이타의 선택된 부분의 판독 및/또는 기록이 가능하도록 상기 기억 매체에 대해 상기 판독/기록 헤드를 위치정렬시키기 위한 적어도 하나의 위치정렬기 메커니즘

을 더 포함하는 판독/기록 헤드.