JP2001319312A - 薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2001319312A JP2000137754A JP2000137754A JP2001319312A JP 2001319312 A JP2001319312 A JP 2001319312A JP 2000137754 A JP2000137754 A JP 2000137754A JP 2000137754 A JP2000137754 A JP 2000137754A JP 2001319312 A JP2001319312 A JP 2001319312A
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thin
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聡史 上島
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製
造の容易な薄膜コイルを実現する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘ
ッドとを備えている。記録ヘッドは、下部磁極層８およ
び上部磁極層（磁極部分層４１、磁性層４２およびヨー
ク部分層４３）と、これら２つの磁極層の各磁極部分の
間に設けられた記録ギャップ層１２と、少なくとも一部
がこれら２つの磁極層の間に、２つの磁極層に対して絶
縁された状態で配設された薄膜コイルとを有している。
薄膜コイルは、記録ギャップ層１２を介して配置された
第１層部分３１と第２層部分３４とを有している。第１
層部分３１と第２層部分３４の一方の各端部は接続部３
１ａ，３４ａによって互いに接続され、第１層部分３１
と第２層部分３４の他方の各端部は接続部３１ｂ，３４
ｂによって互いに接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド等
に用いられる薄膜コイルおよびその製造方法、ならびに
薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】上記薄膜磁気ヘッドの誘導型電磁変換素子
は薄膜コイルを含んでいる。この薄膜コイルには、その
層数で区別すると、特開昭５５−８４０１９号公報に示
されるように１層で構成されたものや、特開昭６１−２
５５５２３号公報に示されるように２層で構成されたも
のや、３層以上で構成されたものがある。薄膜コイルに
は、このような層数の違いの他にも、ターン数（巻数）
や、コイルの巻線のピッチ（以下、コイルピッチとい
う。）や、コイルの膜厚等の違いを含めると、様々なデ
ザインのものがある。
【０００４】なお、複数の層を有する従来のコイルは、
層数に関わらず、各層部分が直列に接続されたものにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、ハードディスク
装置の面記録密度が向上しており、それに伴い記録周波
数の向上と、記録ヘッドのトラック幅の狭小化が求めら
れている。
【０００６】高い記録周波数に対応した薄膜磁気ヘッド
を作るためには、記録ヘッドのインダクタンスを小さく
しなくてはならず、そのためには、磁路長を短くする必
要がある。
【０００７】一方、トラック幅の狭小化に伴い、記録ヘ
ッドの高周波領域における書き込み能力の向上も求めら
れている。この書き込み能力を決める一つの要素にコイ
ルのターン数がある。ターン数の多い方が書き込み能力
が上がる。
【０００８】上記の２項目、すなわち記録ヘッドのイン
ダクタンスを小さくすることと、ターン数を多くするこ
とを同時に満たすためには、コイルピッチを小さくしな
くてはならない。
【０００９】しかしながら、コイルの膜厚を一定にした
ままコイルピッチを小さくしていくと、コイルの断面積
が小さくなり、その結果、コイルの抵抗が大きくなって
しまう。そして、コイルの抵抗が大きくなると、コイル
が発熱し、その結果、エレクトロマイグレーションを引
き起こし、コイルが断線してしまう場合がある。
【００１０】この問題を解決するためには、コイルピッ
チを小さくし、コイルの膜厚を大きくすればよい。コイ
ルは通常、フレームめっき法により形成されるので、コ
イルの膜厚を大きくするためには、レジストフレームの
膜厚も大きくしなくてはならない。しかしながら、膜厚
の大きいレジスト層をパターニングして、微細なレジス
トフレームを形成するのは困難である。従って、従来
は、コイルピッチが小さく、膜厚が大きいコイルを形成
することが困難であった。
【００１１】なお、特開平６−２１５３２９号公報に
は、絶縁層の上面にパターンレジストを形成した後、第
１のエッチング工程にて、パターンレジストの形状に基
づいて、絶縁層を下方に向かってエッチングし、さらに
第２のエッチング工程にて、絶縁層のエッチングにより
形成された溝部の側壁のうち、少なくとも上端付近を、
側方に向かってエッチングすることにより、パターンレ
ジストの下縁にオーバーハング部を形成した後、その上
から、導体を蒸着させて導体膜を形成し、パターンレジ
スト上面に載っている導体膜をリフトオフすることによ
り、微細導電パターンを形成する技術が開示されてい
る。
【００１２】しかしながら、この技術を用いてコイルを
形成しても、１層のコイルでは、コイルの膜厚を大幅に
大きくすることは困難である。
【００１３】また、フレームめっき法によって形成され
たコイル用の薄膜パターンの上に、同じデザインの薄膜
パターンを再度フレームめっき法によって形成して、コ
イルの膜厚を大きくすることも考えられる。しかしなが
ら、微細な薄膜パターンの上に、微細な薄膜パターンを
精度よく形成することは困難であり、上下の薄膜パター
ンの位置がずれやすいという問題点がある。
【００１４】また、特開昭６３−２０４５０４号公報に
は、絶縁層の上に第１の低抵抗膜、金属保護膜、第２の
低抵抗膜を順次積層し、第２の低抵抗膜をフォトエッチ
ングしてコイルのパターンを形成し、パターン化された
第２の低抵抗膜の側面に側面保護膜を形成した後に、第
１の低抵抗膜をエッチングして、パターン化された複数
の低抵抗膜を積層した構造のコイルを形成する技術が開
示されている。
【００１５】しかしながら、この技術では、側面保護膜
が形成された後の低抵抗膜に関して、パターン側面のサ
イドエッチングが進行することを防止することはできる
が、各低抵抗膜のエッチングの際におけるサイドエッチ
ングの発生自体を防止することはできない。従って、こ
の技術では、コイルの大幅な微細化は難しいという問題
点がある。
【００１６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、コイルピッチが小さく、断面
積が大きく、製造の容易な薄膜コイルおよびその製造方
法を提供することにある。
【００１７】また、本発明の第２の目的は、コイルピッ
チが小さく、断面積が大きく、製造の容易な薄膜コイル
を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜コイ
ルは、積層されたコイル形状の第１および第２の導体パ
ターンと、第１および第２の導体パターン間に配置され
た絶縁層と、第１および第２の導体パターンの一方の端
部同士を接続する第１の接続部と、第１および第２の導
体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部と
を備えたものである。
【００１９】本発明の第１の薄膜コイルの製造方法は、
コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、第
１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、絶縁
層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると
共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士
を接続し、第１の接続部と第１および第２の導体パター
ンの他方の端部同士を接続する工程とを備えたものであ
る。
【００２０】本発明の第１の薄膜コイルまたはその製造
方法では、第１および第２の導体パターン間には絶縁層
が配置され、第１の接続部によって第１および第２の導
体パターンの一方の端部同士が接続され、第２の接続部
によって第１および第２の導体パターンの他方の端部同
士が接続される。従って、第１および第２の導体パター
ンは並列に接続される。
【００２１】本発明の第１の薄膜コイルの製造方法にお
いて、第１および第２の導体パターンはフレームめっき
法によって形成されてもよい。
【００２２】本発明の第２の薄膜コイルは、コイル形状
の第１の導体パターンと、第１の導体パターンの巻線間
を絶縁すると共に、第１の導体パターンの一方の面と共
に平坦化されたコイル絶縁層と、第１の導体パターンの
一方の面に接触するように配置されたコイル形状の第２
の導体パターンとを備えたものである。
【００２３】本発明の第２の薄膜コイルの製造方法は、
コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、第
１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導
体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層
を形成する工程と、第１の導体パターンの一方の面に接
触するように配置されたコイル形状の第２の導体パター
ンを形成する工程とを備えたものである。
【００２４】本発明の第２の薄膜コイルまたはその製造
方法では、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイ
ル絶縁層が、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦
化され、第１の導体パターンの一方の面に接触するよう
に第２の導体パターンが配置される。
【００２５】本発明の第２の薄膜コイルの製造方法にお
いて、第１および第２の導体パターンはフレームめっき
法によって形成されてもよい。
【００２６】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、記録媒
体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁
性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極
部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと
を備え、薄膜コイルは、積層されたコイル形状の第１お
よび第２の導体パターンと、第１および第２の導体パタ
ーン間に配置された絶縁層と、第１および第２の導体パ
ターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、第
１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続す
る第２の接続部とを有するものである。
【００２７】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の
上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第
２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを
形成する工程とを備え、薄膜コイルを形成する工程は、
コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、第
１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程と、絶縁
層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形成すると
共に、第１および第２の導体パターンの一方の端部同士
を接続し、第１および第２の導体パターンの他方の端部
同士を接続する工程とを有するものである。
【００２８】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜コイルの第１および第２の導体パタ
ーン間には絶縁層が配置され、第１の接続部によって第
１および第２の導体パターンの一方の端部同士が接続さ
れ、第２の接続部によって第１および第２の導体パター
ンの他方の端部同士が接続される。従って、第１および
第２の導体パターンは並列に接続される。
【００２９】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第１および第２の導体パターンはフレームめ
っき法によって形成されてもよい。
【００３０】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、記録媒
体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁
性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極
部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと
を備え、薄膜コイルは、コイル形状の第１の導体パター
ンと、第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、
第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイ
ル絶縁層と、第１の導体パターンの一方の面に接触する
ように配置されたコイル形状の第２の導体パターンとを
有するものである。
【００３１】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の
上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第
２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを
形成する工程とを備え、薄膜コイルを形成する工程は、
コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、第
１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、第１の導
体パターンの一方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層
を形成する工程と、第１の導体パターンの一方の面に接
触するように配置されたコイル形状の第２の導体パター
ンを形成する工程とを有するものである。
【００３２】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまたその製
造方法では、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコ
イル絶縁層が、第１の導体パターンの一方の面と共に平
坦化され、第１の導体パターンの一方の面に接触するよ
うに第２の導体パターンが配置される。
【００３３】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第１および第２の導体パターンはフレームめ
っき法によって形成されてもよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１ないし図６を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜コイルおよび
その製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法について説明する。なお、図１ないし図６において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００３５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械
研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド
層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００３６】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ2Ｏ等を用いた化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用
いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールド
ギャップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００３７】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８の第１の部分８ａを、約１．０〜１．５
μｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８
は、この第１の部分８ａと、後述する第２の部分８ｂ、
第３の部分８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の
部分８ａは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対
向する位置に配置される。
【００３８】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２１を約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例え
ばＣＭＰによって、下部磁極層８の第１の部分８ａが露
出するまで、絶縁層２１を研磨して、表面を平坦化処理
する。
【００３９】次に、図３に示したように、下部磁極層８
の第１の部分８ａの上に、下部磁極層８の第２の部分８
ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚
みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層８の磁極
部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイルが形成され
る側（図３（ａ）において上側）の面に接続される。第
３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述する上部磁極層
とを接続するための部分である。第２の部分８ｂのうち
上部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３
０とは反対側の端部の位置は、スロートハイトを規定す
る。また、第２の部分８ｂのうち上部磁極層と対向する
部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部の
位置がスロートハイトゼロ位置となる。なお、スロート
ハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対
向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリング面３０
側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
また、スロートハイトゼロ位置とは、磁極部分のエアベ
アリング面３０とは反対側の端部の位置をいう。
【００４０】下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３
の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２
０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき
法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であ
るＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによっ
て形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料で
あるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよ
い。
【００４１】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００４２】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルの第１層部
分３１をフレームめっき法によって形成するためのフレ
ーム１９を形成する。次に、このフレーム１９を用い
て、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）より
なる薄膜コイルの第１層部分３１を、例えば約１．０〜
２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍのコイルピ
ッチで形成する。第１層部分３１は、コイル形状を有
し、本発明における第１の導体パターンに対応する。次
に、フレーム１９を除去する。なお、図中、符号３１ａ
は、薄膜コイルの第１層部分３１の一方の端部に設けら
れた接続部を示している。この接続部３１ａは、後述す
る薄膜コイルの第２層部分３４の一方の端部に設けられ
る接続部３４ａと導電層であるリード４４とに接続され
るようになっている。
【００４３】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μｍ
の厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部
磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出
するまで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化
処理する。コイル絶縁層３２は、薄膜コイルの第１層部
分３１の巻線間を絶縁する。なお、図４では、薄膜コイ
ルの第１層部分３１は露出しているが、第１層部分３１
が露出しないようにしてもよい。
【００４４】次に、図５に示したように、露出した下部
磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃとコイ
ル絶縁層３２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層
１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。
【００４５】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の部分８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部
分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。ま
た、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部３１ａの上の
部分において、記録ギャップ層１２およびコイル絶縁層
３２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成
する。
【００４６】次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁
極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を例えば２〜
３μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層８の第３の
部分８ｃの上に位置する部分の上に形成されたコンタク
トホールの位置に、磁性層４２を２〜３μｍの厚みに形
成する。磁性層４２は、後述する上部磁極層のヨーク部
分層４３と下部磁極層８とを接続するための部分であ
る。本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層４１の
エアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの
長さは、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうちスロート
ハイトを規定する部分のエアベアリング面３０側の端部
から反対側の端部までの長さ以上に形成される。
【００４７】上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層
４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によ
って形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅ
Ｎ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成
してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣ
ｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４８】次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマス
クとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１
２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチ
ングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、
ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例え
ばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層８の第
２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッ
チングして、図５（ｂ）に示したようなトリム構造とす
る。
【００４９】次に、フレームめっき法によって、例えば
銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。第２層部分３４は、第１層部
分３１と同じデザインのコイル形状を有し、本発明にお
ける第２の導体パターンに対応する。なお、図中、符号
３４ａは、薄膜コイルの第２層部分３４の一方の端部に
設けられた接続部を示している。この接続部３４ａは、
薄膜コイルの第１層部分３１の一方の端部に設けられた
接続部３１ａとリード４４とに接続されるようになって
いる。
【００５０】本実施の形態では、第１の導体パターンと
しての第１層部分３１と第２の導体パターンとしての第
２層部分３４との間に記録ギャップ層１２が配置されて
いる。この記録ギャップ層１２は、本発明における第１
の導体パターンと第２の導体パターンとの間に配置され
た絶縁層に対応する。
【００５１】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層
の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、絶
縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、
図６では、薄膜コイルの第２層部分３４は露出していな
いが、薄膜コイルの第２層部分３４が露出するようにし
てもよい。第２層部分３４が露出するようにした場合に
は、第２層部分３４および絶縁層３５の上に他の絶縁層
を形成する。また、薄膜コイルの第２層部分３４の接続
部３４ａの上の部分において、絶縁層３５を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５２】次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分
層４１および磁性層４２、絶縁層３５の上に、記録ヘッ
ド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形成
するヨーク部分層４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに
形成する。このヨーク部分層４３は、磁性層４２を介し
て、下部磁極層８の第３の部分８ｃと接触し、磁気的に
連結している。上部磁極層のヨーク部分層４３は、Ｎｉ
Ｆｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽
和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。
この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ
系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性
の改善のため、上部磁極層のヨーク部分層４３を、無機
系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合
わせた構造としてもよい。
【００５３】本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部
分層４３のエアベアリング面３０側の端面は、エアベア
リング面３０から離れた位置（図６（ａ）において右
側）に配置されている。
【００５４】次に、接続部３４ａの上の部分を含む絶縁
層３５の上に、例えばフレームめっき法により、例えば
銅よりなるリード４４を形成する。
【００５５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッ
ドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５６】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図（図７において上側に配
置された図）と断面図（図７において下側に配置された
図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図７にお
ける平面図では、オーバーコート層３７や、その他の絶
縁層および絶縁膜を省略している。図７において、符号
ＴＨはスロートハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイト
ゼロ位置を表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。
なお、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子５のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。
【００５７】図７に示したように、薄膜コイルの第１層
部分３１の他方の端部と第２層部分３４の他方の端部に
は、それぞれ接続部３１ｂ，３４ｂが設けられている。
これらの３１ｂ，３４ｂは、互いに接続されると共に、
リード４５に接続されている。
【００５８】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、磁極部分層４１、磁性
層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、
本発明における第２の磁性層に対応する。
【００５９】ここで、図８ないし図１２を参照して、薄
膜コイルの第１層部分３１および第２層部分３４を形成
するために用いられるフレームめっき法について簡単に
説明する。フレームめっき法は、例えば特公昭５６−３
６７０６号公報に記載されているように、レジストをパ
ターニングして形成した型（フレーム）を用いて、パタ
ーニングされためっき膜を形成する方法である。
【００６０】図８は、フレームめっき法を用いためっき
膜の形成方法の一例における一工程を示す断面図であ
る。フレームめっき法では、まず、図８に示したよう
に、例えば絶縁性基板５００の上に、スパッタリング法
や蒸着法を用いて電極膜５０２を成膜する。この電極膜
５０２の下層に、電極膜５０２と絶縁性基板５００との
密着性を高めるために、クロム（Ｃｒ）膜やチタン（Ｔ
ｉ）膜等による接着層を形成してもよい。電極膜５０２
は、導電性のある材料であれば問題ないが、できればめ
っきされる金属材料と同一の材料を用いることが望まし
い。
【００６１】次に、図９に示したように、全面にレジス
トを塗布してレジスト層５０４を形成し、必要に応じて
レジスト層５０４のプリベーク処理を行う。次に、所定
のパターンが描画されたマスク５０６を介して露光光を
照射して、レジスト層５０４を露光する。
【００６２】次に、必要に応じて熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像する。アルカリ現像液としては、例
えば、２．３８重量％の濃度のテトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。次
に、レジスト層５０４中の現像液を洗浄液で洗浄し、レ
ジスト層５０４の現像溶解反応を停止させて、図１０に
示したように、所定形状にパターニングされたレジスト
フレーム５０８を形成する。
【００６３】次に、図１１に示したように、基板５００
をめっき槽中のめっき液５１２に浸漬して、レジストフ
レーム５０８を型にしてめっき処理を行い、レジストフ
レーム５０８間にめっき膜５１４を形成する。
【００６４】次に、図１２に示したように、必要に応じ
て水洗し乾燥させてから、レジストフレーム５０８を有
機溶剤を用いて基板５００から剥離する。次に、めっき
膜５１４をマスクにして電極膜５０２をイオンミリング
や反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたは
ウエットエッチングにより除去する。
【００６５】以上のようにして、レジスト層５０４をパ
ターニングしたレジストフレーム５０８を型として用い
て所定の形状のめっき膜５１４が形成される。
【００６６】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電
磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング
面３０）側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように
配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シール
ド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有し
ている。
【００６７】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および
上部磁極層（磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク
部分層４３）と、これら２つの磁極層の各磁極部分の間
に設けられた記録ギャップ層１２と、少なくとも一部が
これら２つの磁極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁
された状態で配設された薄膜コイルとを有している。
【００６８】薄膜コイルは、第１層部分３１と第２層部
分３４とを有している。第１層部分３１と第２層部分３
４の間には、絶縁層としての記録ギャップ層１２が配置
されている。第１層部分３１の一方の端部と第２層部分
３４の一方の端部は、接続部３１ａ，３４ａによって互
いに接続されていると共に、リード４４に接続されてい
る。第１層部分３１の他方の端部と第２層部分３４の他
方の端部は、接続部３１ｂ，３４ｂによって互いに接続
されていると共に、リード４５に接続されている。この
ように、本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分３
１と第２層部分３４は並列に接続される。
【００６９】ここで、図１３ないし図１５を参照して、
本実施の形態における薄膜コイルと従来の１層または２
層コイルとの回路上の違いについて説明する。図１３は
従来の１層コイルを簡略化して表したものである。図１
４は従来の２層コイルの回路構成を示したものである。
図１４に示したように、従来の２層コイルでは、第１層
部分１０１と第２層部分１０２とが直列に接続されてい
る。図１５は本実施の形態における薄膜コイルの回路構
成を示したものである。図１５に示したように、本実施
の形態における薄膜コイルでは、第１層部分３１と第２
層部分３４とが並列に接続されている。
【００７０】本実施の形態によれば、第１層部分３１と
第２層部分３４とを並列に接続して薄膜コイルを構成し
たので、コイルピッチを小さくしながら、第１層部分３
１と第２層部分３４とを合わせた薄膜コイル全体の断面
積を大きくすることができる。従って、本実施の形態に
よれば、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能とな
り、その結果、記録ヘッドの高周波特性の向上や、非線
形トランジションシフト（Non-linear Transition Sh
ift；以下、ＮＬＴＳと記す。）の改善が可能になる。
また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの起磁力を向
上させることが可能となり、その結果、オーバーライト
特性等の記録能力を向上させることが可能になる。ま
た、本実施の形態によれば、薄膜コイルの抵抗を小さく
できるので、コイルの発熱を防止でき、その結果、エレ
クトロマイグレーションを防止することができる。
【００７１】また、本実施の形態では、薄膜コイルの第
１層部分３１と第２層部分３４は、共に平坦な面の上に
形成される。従って、本実施の形態によれば、第１層部
分３１および第２層部分３４を微細に且つ精度よく形成
することが可能となり、その結果、容易にコイルピッチ
を小さくすることが可能になる。
【００７２】また、本実施の形態では、接続部３１ａ，
３４ａ同士、および接続部３１ｂ，３４ｂ同士以外の部
分では、第１層部分３１と第２層部分３４とを接触させ
る必要がないので、第１層部分３１と第２層部分３４と
の位置は、ずれても構わない。また、本実施の形態で
は、第１層部分３１と第２層部分３４のデザインを変え
ることも可能である。これらのことから、本実施の形態
によれば、薄膜コイルの製造が容易になる。
【００７３】［第２の実施の形態］次に、図１６および
図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１６およ
び図１７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平
行な断面を示している。
【００７４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図４に示したように、薄膜コイルの第１層部
分３１の巻線間を絶縁するコイル絶縁層３２を形成する
工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【００７５】本実施の形態では、次に、例えばＣＭＰに
よって、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部
分８ｃ、および薄膜コイルの第１層部分３１が露出する
まで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理
する。これにより、第１層部分３１の上面と共にコイル
絶縁層３２の上面が平坦化される。
【００７６】次に、図１６に示したように、下部磁極層
８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃ、薄膜コイル
の第１層部分３１、およびコイル絶縁層３２の上に、絶
縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜
０．３μｍの厚みに形成する。
【００７７】次に、磁路形成のためと、薄膜コイルの第
１層部分３１の上に第２層部分３４を重ねて形成するた
めに、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上と薄膜コイル
の第１層部分３１が存在している領域の上の部分におい
て、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングする。
【００７８】次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁
極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を例えば２〜
３μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層８の第３の
部分８ｃの上に、磁性層４２を２〜３μｍの厚みに形成
する。
【００７９】次に、第１の実施の形態と同様に、上部磁
極層の磁極部分層４１をマスクとして、ドライエッチン
グにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチング
し、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下
部磁極層８の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．
６μｍ程度エッチングして、図１６（ｂ）に示したよう
なトリム構造とする。
【００８０】次に、フレームめっき法によって、例えば
銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．５〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。第２層部分３４は、第１層部
分３１と同じデザインのコイル形状を有している。本実
施の形態では、第２層部分３４は、第１層部分３１の上
面に接触するように配置される。
【００８１】次に、図１７に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚
みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、
絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここ
で、図１７では、薄膜コイルの第２層部分３４は露出し
ていないが、第２層部分３４が露出するようにしてもよ
い。第２層部分３４が露出するようにした場合には、第
２層部分３４および絶縁層３５の上に他の絶縁層を形成
する。また、薄膜コイルの第２層部分３４の接続部３４
ａの上の部分において、絶縁層３５を部分的にエッチン
グしてコンタクトホールを形成する。
【００８２】次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分
層４１および磁性層４２と、絶縁層３５の上に、記録ヘ
ッド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形
成するヨーク部分層４３を、例えば約２〜３μｍの厚み
に形成する。このヨーク部分層４３は、磁性層４２を介
して、下部磁極層８の第３の部分８ｃと接触し、磁気的
に連結している。
【００８３】次に、接続部３４ａの上の部分を含む絶縁
層３５の上に、例えばフレームめっき法により、例えば
銅よりなるリード４４を形成する。
【００８４】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッ
ドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８５】本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部
分３１の巻線間を絶縁するコイル絶縁層３２が、第１層
部分３１の上面と共に平坦化され、第１層部分３１の上
面に接触するように第２層部分３４が配置される。従っ
て、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様
に、コイルピッチを小さくしながら、第１層部分３１と
第２層部分３４とを合わせた薄膜コイル全体の断面積を
大きくすることができる。従って、本実施の形態によれ
ば、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能となり、そ
の結果、記録ヘッドの高周波特性の向上や、ＮＬＴＳの
改善が可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜
コイルの起磁力を向上させることが可能となり、その結
果、オーバーライト特性等の記録能力を向上させること
が可能になる。また、本実施の形態によれば、薄膜コイ
ルの抵抗を小さくできるので、コイルの発熱を防止で
き、その結果、エレクトロマイグレーションを防止する
ことができる。
【００８６】また、本実施の形態では、薄膜コイルの第
１層部分３１と第２層部分３４は、共に平坦な面の上に
形成される。従って、本実施の形態によれば、第１層部
分３１および第２層部分３４を微細に且つ精度よく形成
することが可能となり、その結果、容易にコイルピッチ
を小さくすることが可能になる。特に、本実施の形態で
は、薄膜コイルの第２層部分３４を精度よく形成するこ
とができることから、第１層部分３１の位置と第２層部
分３４の位置を正確に合わせることが可能になる。これ
らのことから、本実施の形態によれば、薄膜コイルの製
造が容易になる。
【００８７】本実施の形態におけるその他の構成および
作用は、第１の実施の形態と同様である。
【００８８】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の
形態では、薄膜コイルを第１層部分３１と第２層部分３
４との２層で構成したが、３つ以上の層で薄膜コイルを
構成してもよい。
【００８９】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【００９０】また、本発明の薄膜コイルまたはその製造
方法は、薄膜磁気ヘッドの誘導型電磁変換素子に限ら
ず、薄膜コイルを含むインダクタ、モータ、トランス、
アクチュエータ等にも適用することができる。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の薄
膜コイルもしくは請求項２または３記載の薄膜コイルの
製造方法によれば、第１および第２の導体パターン間に
絶縁層を配置し、第１および第２の導体パターンを並列
に接続したので、コイルピッチが小さく、断面積が大き
い薄膜コイルを、容易に製造することが可能になるとい
う効果を奏する。
【００９２】また、請求項４記載の薄膜コイルもしくは
請求項５または６記載の薄膜コイルの製造方法によれ
ば、第１の導体パターンの巻線間を絶縁するコイル絶縁
層を、第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化し、
第１の導体パターンの一方の面に接触するように第２の
導体パターンを配置したので、コイルピッチが小さく、
断面積が大きい薄膜コイルを、容易に製造することが可
能になるという効果を奏する。
【００９３】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドもし
くは請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、薄膜コイルの第１および第２の導体パターン
間に絶縁層を配置し、第１および第２の導体パターンを
並列に接続したので、コイルピッチが小さく、断面積が
大きく、製造の容易な薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッ
ドを実現することができるという効果を奏する。
【００９４】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドも
しくは請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、薄膜コイルの第１の導体パターンの巻
線間を絶縁するコイル絶縁層を、第１の導体パターンの
一方の面と共に平坦化し、第１の導体パターンの一方の
面に接触するように第２の導体パターンを配置したの
で、コイルピッチが小さく、断面積が大きく、製造の容
易な薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドを実現すること
ができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて
示す説明図である。
【図８】フレームめっき法を用いためっき膜の形成方法
の一例における一工程を示す断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】従来の１層コイルを簡略化して表した説明図
である。
【図１４】従来の２層コイルの回路構成を示す説明図で
ある。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜コイル
の回路構成を示す説明図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】 １…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、１２…記録ギャップ層、３１…
薄膜コイルの第１層部分、３２…コイル絶縁層、３４…
薄膜コイルの第２層部分、４１…磁極部分層、４３…ヨ
ーク部分層、３７……オーバーコート層。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 積層されたコイル形状の第１および第２
    の導体パターンと、 前記第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁
    層と、 前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を
    接続する第１の接続部と、 前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を
    接続する第２の接続部とを備えたことを特徴とする薄膜
    コイル。
  2. 【請求項２】 コイル形状の第１の導体パターンを形成
    する工程と、 前記第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程
    と、 前記絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形
    成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の
    端部同士を接続し、第１および第２の導体パターンの他
    方の端部同士を接続する工程とを備えたことを特徴とす
    る薄膜コイルの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第１および第２の導体パターンは、
    フレームめっき法によって形成されることを特徴とする
    請求項２記載の薄膜コイルの製造方法。
  4. 【請求項４】 コイル形状の第１の導体パターンと、 前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前
    記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコ
    イル絶縁層と、 前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配
    置されたコイル形状の第２の導体パターンとを備えたこ
    とを特徴とする薄膜コイル。
  5. 【請求項５】 コイル形状の第１の導体パターンを形成
    する工程と、 前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前
    記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコ
    イル絶縁層を形成する工程と、 前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配
    置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工
    程とを備えたことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１および第２の導体パターンは、
    フレームめっき法によって形成されることを特徴とする
    請求項５記載の薄膜コイルの製造方法。
  7. 【請求項７】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記薄膜コイルは、 積層されたコイル形状の第１および第２の導体パターン
    と、 前記第１および第２の導体パターン間に配置された絶縁
    層と、 前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を
    接続する第１の接続部と、 前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を
    接続する第２の接続部とを有することを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
    膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層
    の上に前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ
    層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、少なくと
    も一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１
    および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置され
    るように、前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、 前記薄膜コイルを形成する工程は、 コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、 前記第１の導体パターンの上に絶縁層を形成する工程
    と、 前記絶縁層の上にコイル形状の第２の導体パターンを形
    成すると共に、第１および第２の導体パターンの一方の
    端部同士を接続し、第１および第２の導体パターンの他
    方の端部同士を接続する工程とを有することを特徴とす
    る薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第１および第２の導体パターンは、
    フレームめっき法によって形成されることを特徴とする
    請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互
    いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互い
    に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
    層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
    の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
    られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
    第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
    して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
    薄膜磁気ヘッドであって、 前記薄膜コイルは、 コイル形状の第１の導体パターンと、 前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前
    記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコ
    イル絶縁層と、 前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配
    置されたコイル形状の第２の導体パターンとを有するこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互
    いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互い
    に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
    層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
    の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
    られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
    第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
    して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
    薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層
    の上に前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ
    層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、少なくと
    も一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１
    および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置され
    るように、前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、 前記薄膜コイルを形成する工程は、 コイル形状の第１の導体パターンを形成する工程と、 前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、前
    記第１の導体パターンの一方の面と共に平坦化されたコ
    イル絶縁層を形成する工程と、 前記第１の導体パターンの一方の面に接触するように配
    置されたコイル形状の第２の導体パターンを形成する工
    程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記第１および第２の導体パターン
    は、フレームめっき法によって形成されることを特徴と
    する請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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