JPH07296328A - 薄膜磁気書込みヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気書込みヘッド及びその製造方法Info
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- JPH07296328A JPH07296328A JP7012264A JP1226495A JPH07296328A JP H07296328 A JPH07296328 A JP H07296328A JP 7012264 A JP7012264 A JP 7012264A JP 1226495 A JP1226495 A JP 1226495A JP H07296328 A JPH07296328 A JP H07296328A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２つの磁極層の１つの上部に配置されたノッ
チ構造体を有する薄膜磁気書込みヘッドを提供する。 【構成】 ノッチ構造体は、通常、Ｕ形状の薄膜層であ
って、ヘッドの磁極端領域の１つ以上の磁極端層を抑制
するためにＵ字型内にトレンチを形成する。ノッチ構造
体は、エア・ベアリング面の一部を形成する平面に置か
れた、Ｕ形状の脚の先端において前面部を有する。ノッ
チ層の厚さは、トレンチ内に配置された１つ以上の磁極
端層の厚さと実質的に等しい。書込みヘッドの製造方法
には、ノッチ構造体を画定するための、非常に薄いフォ
トレジスト層を形成する方法が含まれる。ノッチ構造体
はよく画定されるので、１つ以上の磁極端層がよく画定
され、トレンチ内に非常に狭いトラック幅を設定でき
る。
チ構造体を有する薄膜磁気書込みヘッドを提供する。 【構成】 ノッチ構造体は、通常、Ｕ形状の薄膜層であ
って、ヘッドの磁極端領域の１つ以上の磁極端層を抑制
するためにＵ字型内にトレンチを形成する。ノッチ構造
体は、エア・ベアリング面の一部を形成する平面に置か
れた、Ｕ形状の脚の先端において前面部を有する。ノッ
チ層の厚さは、トレンチ内に配置された１つ以上の磁極
端層の厚さと実質的に等しい。書込みヘッドの製造方法
には、ノッチ構造体を画定するための、非常に薄いフォ
トレジスト層を形成する方法が含まれる。ノッチ構造体
はよく画定されるので、１つ以上の磁極端層がよく画定
され、トレンチ内に非常に狭いトラック幅を設定でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気書込みヘッドに
関し、特にサブミクロンのトラック幅を有する薄膜磁気
書込みヘッドに関する。
関し、特にサブミクロンのトラック幅を有する薄膜磁気
書込みヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、データは"ヘッ
ド"と呼ばれる磁気トランスデューサによって読み書き
される。ヘッドは高速で回転するディスク上方に置かれ
る。磁気ヘッドはディスクの高速回転によって作り出さ
れる空気の薄いクッションである"エア・ベアリング"に
よってディスク表面上に保持されるスライダ上に取り付
けられる。ディスク表面の単位面積当たり（面密度）に
記憶されるデータ量を増すには、ディスク表面の狭いト
ラックにより多くのデータを書込まなければならない。
ド"と呼ばれる磁気トランスデューサによって読み書き
される。ヘッドは高速で回転するディスク上方に置かれ
る。磁気ヘッドはディスクの高速回転によって作り出さ
れる空気の薄いクッションである"エア・ベアリング"に
よってディスク表面上に保持されるスライダ上に取り付
けられる。ディスク表面の単位面積当たり（面密度）に
記憶されるデータ量を増すには、ディスク表面の狭いト
ラックにより多くのデータを書込まなければならない。
【０００３】磁気記録の面密度を改良する１つの主要な
手段は、書込みヘッドがディスクに記録できるデータ・
トラック数を改良することである。関連する特質を表す
言葉は、"１インチ当たりのトラック数"すなわち"ＴＰ
Ｉ"である。書込みヘッドのＴＰＩ能力は、データ・ト
ラックの幅を決めるヘッドの大きさを小さくさせること
によって増すことができる。通常、この大きさはヘッド
の"トラック幅"と呼ばれる。
手段は、書込みヘッドがディスクに記録できるデータ・
トラック数を改良することである。関連する特質を表す
言葉は、"１インチ当たりのトラック数"すなわち"ＴＰ
Ｉ"である。書込みヘッドのＴＰＩ能力は、データ・ト
ラックの幅を決めるヘッドの大きさを小さくさせること
によって増すことができる。通常、この大きさはヘッド
の"トラック幅"と呼ばれる。
【０００４】磁気記録においては、薄膜の読み書きヘッ
ドが望まれる。これは、幅の狭いトラック幅を与え且つ
高面密度をサポートするからである。また、薄膜の読み
書きヘッドは製作が容易である。様々な薄膜製造技術に
よってこのような薄膜読み書きヘッドは基板上に１つの
群として製作後、個々のヘッドに個別化される。
ドが望まれる。これは、幅の狭いトラック幅を与え且つ
高面密度をサポートするからである。また、薄膜の読み
書きヘッドは製作が容易である。様々な薄膜製造技術に
よってこのような薄膜読み書きヘッドは基板上に１つの
群として製作後、個々のヘッドに個別化される。
【０００５】薄膜書込みヘッドは、磁気材料の薄膜"層"
から形成される磁極片を有する。これらの層は"磁極層"
と呼ばれる。磁極端領域において磁極層は、通常、"ス
ロート高さ"と呼ばれる高さを持つ。完成した書込みヘ
ッドにおけるスロート高さは、磁極層の先端"磁極端"の
研磨によって形成されるエア・ベアリング面"ＡＢＳ"
と、下部磁極層（Ｐ１）及び上部磁極層（Ｐ２）が磁気
記録ギャップで互いに交わるゼロ・スロート高さレベル
（ゼロ・スロート・レベル）との間で測定される。
から形成される磁極片を有する。これらの層は"磁極層"
と呼ばれる。磁極端領域において磁極層は、通常、"ス
ロート高さ"と呼ばれる高さを持つ。完成した書込みヘ
ッドにおけるスロート高さは、磁極層の先端"磁極端"の
研磨によって形成されるエア・ベアリング面"ＡＢＳ"
と、下部磁極層（Ｐ１）及び上部磁極層（Ｐ２）が磁気
記録ギャップで互いに交わるゼロ・スロート高さレベル
（ゼロ・スロート・レベル）との間で測定される。
【０００６】薄膜磁気書込みヘッドは、エア・ベアリン
グ面とゼロ・スロート・レベル間に位置する磁極端領域
と、ゼロ・スロート・レベルから後部ギャップまで延
び、且つ後部ギャップを含む後部領域とを有する。書込
みヘッドはまた、各々が磁極端領域に磁極端及び後部領
域に後面部を持つ上部磁極層及び下部磁極層を含むヨー
クを有する。磁極層は後部ギャップで一緒に接続され
る。製作上の重要な目的は、書込みヘッドの磁極端を正
確に画定することであり、これにより面密度を最大にで
きる。周知のように面密度は、磁極端の間のギャップの
長さ（ギャップ長）に依存する、トラックの長さ１ミリ
メータ当たりの磁束反転数によってある程度決まる。こ
のギャップ長を短くすることによって、トラック内のビ
ット密度は増加する。ギャップ長の縮小化は、磁極端の
磁束の強さの低下によって制限される。従って、ＡＢＳ
における磁極端領域の磁極層の幅によって決まる書込み
ヘッドのトラック幅を狭くする努力が行われた。
グ面とゼロ・スロート・レベル間に位置する磁極端領域
と、ゼロ・スロート・レベルから後部ギャップまで延
び、且つ後部ギャップを含む後部領域とを有する。書込
みヘッドはまた、各々が磁極端領域に磁極端及び後部領
域に後面部を持つ上部磁極層及び下部磁極層を含むヨー
クを有する。磁極層は後部ギャップで一緒に接続され
る。製作上の重要な目的は、書込みヘッドの磁極端を正
確に画定することであり、これにより面密度を最大にで
きる。周知のように面密度は、磁極端の間のギャップの
長さ（ギャップ長）に依存する、トラックの長さ１ミリ
メータ当たりの磁束反転数によってある程度決まる。こ
のギャップ長を短くすることによって、トラック内のビ
ット密度は増加する。ギャップ長の縮小化は、磁極端の
磁束の強さの低下によって制限される。従って、ＡＢＳ
における磁極端領域の磁極層の幅によって決まる書込み
ヘッドのトラック幅を狭くする努力が行われた。
【０００７】従来技術における薄膜磁気書込みヘッドの
製作手順は、一般にコイル層の上部に１つ以上の絶縁層
を形成後、上部磁極層を形成していた。絶縁層は、通
常、適当にベーキングして固めたレジスト材料を有す
る。ベーキング中、レジスト層は磁極端領域に対して前
方に流れ及び後方に収縮する。上部の絶縁層の最終的な
構成は、磁極端領域の方へ下側に傾斜する形態を持つ。
シード層を付着後、厚いレジスト層が付着される。この
層の厚みは一般に１０μｍ以上である。レジスト層は上
部の絶縁層に続き、相当な厚さで磁極端領域で構成され
る。次にレジスト層は、上部磁極層の形態に対して写真
製版技術によってパターン化される。写真製版のステッ
プにおけるパターン化のために光がレジスト層を貫通す
る。レジスト層が厚いほど、光は横方向に散乱し、パタ
ーン化されるフォトレジストのエッジの画定がぼやけ
る。このぼやけた画定のために磁極端領域の第２の磁極
片を画定する磁極層Ｐ２で得られる最も狭いパターン幅
は、厚さ４μｍのめっきされた磁極端において約２μｍ
である。次のステップでは、磁極層Ｐ２をめっきし、フ
ォトレジストを除去する。結果として、書込みヘッドの
トラック幅を画定する磁極端の幅は約２μｍである。ト
ラック幅を更に縮小し、トラック密度（ＴＰＩ）を増す
ことが望ましい。
製作手順は、一般にコイル層の上部に１つ以上の絶縁層
を形成後、上部磁極層を形成していた。絶縁層は、通
常、適当にベーキングして固めたレジスト材料を有す
る。ベーキング中、レジスト層は磁極端領域に対して前
方に流れ及び後方に収縮する。上部の絶縁層の最終的な
構成は、磁極端領域の方へ下側に傾斜する形態を持つ。
シード層を付着後、厚いレジスト層が付着される。この
層の厚みは一般に１０μｍ以上である。レジスト層は上
部の絶縁層に続き、相当な厚さで磁極端領域で構成され
る。次にレジスト層は、上部磁極層の形態に対して写真
製版技術によってパターン化される。写真製版のステッ
プにおけるパターン化のために光がレジスト層を貫通す
る。レジスト層が厚いほど、光は横方向に散乱し、パタ
ーン化されるフォトレジストのエッジの画定がぼやけ
る。このぼやけた画定のために磁極端領域の第２の磁極
片を画定する磁極層Ｐ２で得られる最も狭いパターン幅
は、厚さ４μｍのめっきされた磁極端において約２μｍ
である。次のステップでは、磁極層Ｐ２をめっきし、フ
ォトレジストを除去する。結果として、書込みヘッドの
トラック幅を画定する磁極端の幅は約２μｍである。ト
ラック幅を更に縮小し、トラック密度（ＴＰＩ）を増す
ことが望ましい。
【０００８】ヘッドを薄いギャップ層と狭いトラック幅
で組立てる挑戦は、ギャップの長さが短いほど効果があ
り、磁束漏洩を最小にし、且つ狭い磁極端で低い磁束レ
ベルで生じる磁束飽和を回避させることができる。第１
の問題は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端
領域の長さの縮小によって軽減される。本発明は狭いト
ラック幅を提供し、磁束飽和を回避することによって第
２の問題を解決する。
で組立てる挑戦は、ギャップの長さが短いほど効果があ
り、磁束漏洩を最小にし、且つ狭い磁極端で低い磁束レ
ベルで生じる磁束飽和を回避させることができる。第１
の問題は、ＡＢＳとゼロ・スロート・レベル間の磁極端
領域の長さの縮小によって軽減される。本発明は狭いト
ラック幅を提供し、磁束飽和を回避することによって第
２の問題を解決する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、サブ
ミクロンのトラック幅と、エア・ベアリング面に平行な
面にあるゼロ・スロート・レベルとを有する薄膜磁気書
込みヘッドを提供することである。
ミクロンのトラック幅と、エア・ベアリング面に平行な
面にあるゼロ・スロート・レベルとを有する薄膜磁気書
込みヘッドを提供することである。
【００１０】本発明の別の目的は、薄膜磁気書込みヘッ
ドの磁極端領域において所要の１つ以上の磁極端層を有
するトレンチ（trench）を提供することである。
ドの磁極端領域において所要の１つ以上の磁極端層を有
するトレンチ（trench）を提供することである。
【００１１】本発明の別の目的は、前述の目的達成の他
に、薄膜磁気書込みヘッドの働きと両立できるトレンチ
を形成するノッチ構造体の材料を提供することである。
に、薄膜磁気書込みヘッドの働きと両立できるトレンチ
を形成するノッチ構造体の材料を提供することである。
【００１２】本発明の別の目的は、上記目的の１つ或い
は何れの組合わせにおいて前述の薄膜磁気書込みヘッド
の製造方法を提供することである。
は何れの組合わせにおいて前述の薄膜磁気書込みヘッド
の製造方法を提供することである。
【００１３】本発明の別の目的は、ノッチがサブミクロ
ンのフォトレジスト層によって構成される、磁極端領域
の構造体を画定する薄膜磁気書込みヘッドの製造方法を
提供することである。上記フォトレジスト層は狭くパタ
ーン化されているのでサブミクロンのトラック幅を与
え、エア・ベアリング面に平行な面に置かれたゼロ・ス
ロート・レベルを正確に位置づけする。
ンのフォトレジスト層によって構成される、磁極端領域
の構造体を画定する薄膜磁気書込みヘッドの製造方法を
提供することである。上記フォトレジスト層は狭くパタ
ーン化されているのでサブミクロンのトラック幅を与
え、エア・ベアリング面に平行な面に置かれたゼロ・ス
ロート・レベルを正確に位置づけする。
【００１４】本発明の他の目的が本発明の以下の説明か
ら明白になる。
ら明白になる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は磁束飽和を回避
する狭いトラック幅を有する薄膜磁気書込みヘッドを提
供する。本発明によってサブミクロンのトラック幅を得
ることができる。
する狭いトラック幅を有する薄膜磁気書込みヘッドを提
供する。本発明によってサブミクロンのトラック幅を得
ることができる。
【００１６】本発明は、書込みヘッドの製造中に磁極端
領域に適切に置かれるノッチ構造体を用いる。ノッチ構
造体はＵ字型構造が好ましい。Ｕ字型構造は、ベースと
１対の脚を有するノッチ構造体を与える。脚の前面は、
エア・ベアリング面の一部を形成する共通プレーンにあ
る。ベースの前面及び脚の内部側面は、ノッチ構造体の
Ｕ形状の内側で磁極端領域に位置するトレンチを形成す
る。狭い磁極端層はＰ２などの、少なくとも１つの磁極
層の磁極端部を形成し、ノッチ内に配置される。各磁極
層は、エア・ベアリング面の一部を形成する共通平面に
ある前面部を有する。本発明の１つの実施例では、磁極
層Ｐ２の磁極端層だけがノッチ内に位置する。他の実施
例では磁極層及びギャップ層の磁極端層はトレンチ内に
位置する。ＡＢＳの面から後方のゼロ・スロート・レベ
ルまでの磁極層は、磁極端層よりも広く且つ平行であ
り、磁極端領域との磁束のやりとりのために平行経路を
与え、磁束伝達能力を高める。この構造体は磁束飽和を
回避し、データ記憶のための高磁束密度を与える。
領域に適切に置かれるノッチ構造体を用いる。ノッチ構
造体はＵ字型構造が好ましい。Ｕ字型構造は、ベースと
１対の脚を有するノッチ構造体を与える。脚の前面は、
エア・ベアリング面の一部を形成する共通プレーンにあ
る。ベースの前面及び脚の内部側面は、ノッチ構造体の
Ｕ形状の内側で磁極端領域に位置するトレンチを形成す
る。狭い磁極端層はＰ２などの、少なくとも１つの磁極
層の磁極端部を形成し、ノッチ内に配置される。各磁極
層は、エア・ベアリング面の一部を形成する共通平面に
ある前面部を有する。本発明の１つの実施例では、磁極
層Ｐ２の磁極端層だけがノッチ内に位置する。他の実施
例では磁極層及びギャップ層の磁極端層はトレンチ内に
位置する。ＡＢＳの面から後方のゼロ・スロート・レベ
ルまでの磁極層は、磁極端層よりも広く且つ平行であ
り、磁極端領域との磁束のやりとりのために平行経路を
与え、磁束伝達能力を高める。この構造体は磁束飽和を
回避し、データ記憶のための高磁束密度を与える。
【００１７】前述の新規な磁気ヘッドを提供する重要な
点は、ノッチ構造体製造の新規なプロセスにある。この
プロセスは、ヘッドの下部磁極層の上部に、二酸化ケイ
素などの異方性的にエッチング可能な層を最初に形成す
ることが含まれる。次に０．７乃至０．８μｍの厚さの
非常に薄いレジスト層が、二酸化ケイ素層の上部に付着
される。薄いレジスト層はフォト・マスクでパターン化
される。レジスト層が薄いために、レジスト層において
実質的に横方向の光の散乱はない。その結果、よく画定
されたエッジを有するフォトレジスト・パターンが作ら
れる。フォトレジスト・マスクは、二酸化ケイ素層の上
面部を残して露出させ、露出部分は磁極端領域周辺でＵ
形状となる。金属層がフォトレジスト層の上部及び二酸
化ケイ素層の露出されたＵ字型表面上部に形成される。
フォトレジスト層上部の金属層と共にフォトレジスト層
が除去され、所望のノッチの位置の二酸化ケイ素層の上
部にＵ形状の金属層を残す。反応性イオン・エッチング
（ＲＩＥ）を用い、Ｕ形状の金属層で覆われたところを
除いた二酸化ケイ素層を除去し、磁極端領域周辺におい
て金属層で被覆されたＵ形状の二酸化ケイ素のノッチ構
造体を残す。このノッチ構造体は、その後のプロセス・
ステップにおいて適当に残され、書込みヘッドの一部と
なる。ノッチ構造体の材料は、書込みヘッドのオペレー
ションには影響を及ぼさない。実際にノッチ構造体の材
料は、その後のプロセス・ステップにおいて、材料の平
面化を助け、並びに磁極層Ｐ２をゼロ・スロート・レベ
ルから離隔し、磁極層及び磁極端領域の後部との間の望
ましくない磁束漏洩を防ぐ。
点は、ノッチ構造体製造の新規なプロセスにある。この
プロセスは、ヘッドの下部磁極層の上部に、二酸化ケイ
素などの異方性的にエッチング可能な層を最初に形成す
ることが含まれる。次に０．７乃至０．８μｍの厚さの
非常に薄いレジスト層が、二酸化ケイ素層の上部に付着
される。薄いレジスト層はフォト・マスクでパターン化
される。レジスト層が薄いために、レジスト層において
実質的に横方向の光の散乱はない。その結果、よく画定
されたエッジを有するフォトレジスト・パターンが作ら
れる。フォトレジスト・マスクは、二酸化ケイ素層の上
面部を残して露出させ、露出部分は磁極端領域周辺でＵ
形状となる。金属層がフォトレジスト層の上部及び二酸
化ケイ素層の露出されたＵ字型表面上部に形成される。
フォトレジスト層上部の金属層と共にフォトレジスト層
が除去され、所望のノッチの位置の二酸化ケイ素層の上
部にＵ形状の金属層を残す。反応性イオン・エッチング
（ＲＩＥ）を用い、Ｕ形状の金属層で覆われたところを
除いた二酸化ケイ素層を除去し、磁極端領域周辺におい
て金属層で被覆されたＵ形状の二酸化ケイ素のノッチ構
造体を残す。このノッチ構造体は、その後のプロセス・
ステップにおいて適当に残され、書込みヘッドの一部と
なる。ノッチ構造体の材料は、書込みヘッドのオペレー
ションには影響を及ぼさない。実際にノッチ構造体の材
料は、その後のプロセス・ステップにおいて、材料の平
面化を助け、並びに磁極層Ｐ２をゼロ・スロート・レベ
ルから離隔し、磁極層及び磁極端領域の後部との間の望
ましくない磁束漏洩を防ぐ。
【００１８】
【実施例】ここで諸図を参照すると、各図は構造をよく
説明するために実寸法ではなく誇張されており、及び同
一の参照番号は類似または同一の部品を表す。図１は回
転可能な磁気ディスク４４を有するディスク駆動装置４
０を示す。磁気ディスク４４は、駆動装置制御源（図示
なし）からの制御信号に応答するモータ４６によって回
転させられる。磁気ディスク４４がモータ４６によって
回転されるとき、スライダ４８に取り付けられた複合ヘ
ッドは、エア・ベアリングによって磁気ディスク表面４
９に対して保持される。複合ヘッドは、読取りヘッド５
０と書込みヘッド５２を有する。スライダ４８の下部面
と複合ヘッド（５０と５２）は組立て中に磨かれ、エア
・ベアリング面（ＡＢＳ）５４と呼ばれる共通の平面を
形成する。磁気ディスクが回転しているとき、ＡＢＳ５
４は磁気ディスク４４の上部面より上に間隔ｄだけ離隔
されている。スライダ４８は、複合ヘッドと駆動電子部
品５９間で読取り／書込み信号を伝達するための手段
（図示なし）を有するヘッド・サスペンション・アセン
ブリ５６（ＨＳＡ）に接続されている。駆動装置の上述
の部品は、駆動装置のハウジング５８内に取り付けられ
ている。
説明するために実寸法ではなく誇張されており、及び同
一の参照番号は類似または同一の部品を表す。図１は回
転可能な磁気ディスク４４を有するディスク駆動装置４
０を示す。磁気ディスク４４は、駆動装置制御源（図示
なし）からの制御信号に応答するモータ４６によって回
転させられる。磁気ディスク４４がモータ４６によって
回転されるとき、スライダ４８に取り付けられた複合ヘ
ッドは、エア・ベアリングによって磁気ディスク表面４
９に対して保持される。複合ヘッドは、読取りヘッド５
０と書込みヘッド５２を有する。スライダ４８の下部面
と複合ヘッド（５０と５２）は組立て中に磨かれ、エア
・ベアリング面（ＡＢＳ）５４と呼ばれる共通の平面を
形成する。磁気ディスクが回転しているとき、ＡＢＳ５
４は磁気ディスク４４の上部面より上に間隔ｄだけ離隔
されている。スライダ４８は、複合ヘッドと駆動電子部
品５９間で読取り／書込み信号を伝達するための手段
（図示なし）を有するヘッド・サスペンション・アセン
ブリ５６（ＨＳＡ）に接続されている。駆動装置の上述
の部品は、駆動装置のハウジング５８内に取り付けられ
ている。
【００１９】図２の６０では書込みヘッドが、回転して
いる磁気ディスクのトラック６２との関連において概略
的に示されている。磁気ディスクのトラック上で誘発さ
れた磁束反転形式のデジタル情報が６４で概略的に示さ
れている。トラックの１ミリメータ（ｍｍ）当たりのこ
れらの磁束反転数は、書込みヘッドの線密度すなわちビ
ット密度である。書込みヘッド・ギャップ（図示なし）
の長さが縮小されるとビット密度は増加する。これまで
実現できる最適のビット密度は、約０．３μｍのギャッ
プの長さである。ギャップの長さが前記値よりも縮小さ
れると磁極端の磁束密度が減り、書込みに必要な量に不
足する。他の重要な測定数値は書込みヘッド６０のＴＰ
Ｉである。書込みヘッドの磁極端素子の幅が狭いほどＴ
ＰＩは大きくなる。それゆえに本発明の主な目的は幅が
１μｍより狭く、約０．３μｍの最適のギャップの長さ
を持つ書込みヘッドの磁極端素子を提供することであ
る。
いる磁気ディスクのトラック６２との関連において概略
的に示されている。磁気ディスクのトラック上で誘発さ
れた磁束反転形式のデジタル情報が６４で概略的に示さ
れている。トラックの１ミリメータ（ｍｍ）当たりのこ
れらの磁束反転数は、書込みヘッドの線密度すなわちビ
ット密度である。書込みヘッド・ギャップ（図示なし）
の長さが縮小されるとビット密度は増加する。これまで
実現できる最適のビット密度は、約０．３μｍのギャッ
プの長さである。ギャップの長さが前記値よりも縮小さ
れると磁極端の磁束密度が減り、書込みに必要な量に不
足する。他の重要な測定数値は書込みヘッド６０のＴＰ
Ｉである。書込みヘッドの磁極端素子の幅が狭いほどＴ
ＰＩは大きくなる。それゆえに本発明の主な目的は幅が
１μｍより狭く、約０．３μｍの最適のギャップの長さ
を持つ書込みヘッドの磁極端素子を提供することであ
る。
【００２０】図３と図４は、薄膜磁気抵抗読取りヘッド
及び薄膜磁気書込みヘッドを有する複合ヘッドの一部の
概略図である。読取りヘッドは参照番号５０によって、
書込みヘッドは５２によって示されている。複合ヘッド
はスライダ４８上に取り付けられる。図３で示す読取り
ヘッド５０は、第１のギャップ層６８と第２のギャップ
層７０とで挟まれた磁気抵抗素子６６を有し、これらの
ギャップ層は第１のシールド層７２と第２のシールド層
７４とで挟まれている。複合ヘッドの構成は、読取りヘ
ッドの第２のシールド層７４がまた、書込みヘッドの下
部磁極層として機能することが望ましく、これに関して
は後で詳細に説明される。
及び薄膜磁気書込みヘッドを有する複合ヘッドの一部の
概略図である。読取りヘッドは参照番号５０によって、
書込みヘッドは５２によって示されている。複合ヘッド
はスライダ４８上に取り付けられる。図３で示す読取り
ヘッド５０は、第１のギャップ層６８と第２のギャップ
層７０とで挟まれた磁気抵抗素子６６を有し、これらの
ギャップ層は第１のシールド層７２と第２のシールド層
７４とで挟まれている。複合ヘッドの構成は、読取りヘ
ッドの第２のシールド層７４がまた、書込みヘッドの下
部磁極層として機能することが望ましく、これに関して
は後で詳細に説明される。
【００２１】図５と図６は、エア・ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）とゼロ・スロート・レベルを有する薄膜磁気書込み
ヘッドの従来技術での磁極端領域を示す。従来技術での
上部磁極層は、通常、下部に絶縁層Ｉ1を形成後に、並
びにコイル層８０に、或いはコイル層８０上部に１つ以
上の絶縁層Ｉ2を形成してから形成される。磁極端領域
８４の磁極端部を含む磁極層Ｐ２を構成するために厚い
フォトレジスト層８２が使用される。磁極端領域８４の
フォトレジスト層８２の厚さは、よく画定されたマスク
の形成を妨げる。レジスト層が薄いほどよいマスクを形
成する。これは写真製版ステップ中において光の散乱が
少ないからである。従来技術で得られる最も狭いトラッ
ク幅は、厚さ４μｍの磁極層において約２μｍである。
図６でわかるように最終的に形成される上部磁極層８６
は、ゼロ・スロート・レベルの後方位置で磁極端領域８
４の方へ首が細くなっている。従って、この層の磁極端
は、ゼロ・スロート・レベルと上部磁極層８６のフレア
部との間に首部分を有し、かなり低い書込み電流レベル
において磁極端を磁束飽和させる。
Ｓ）とゼロ・スロート・レベルを有する薄膜磁気書込み
ヘッドの従来技術での磁極端領域を示す。従来技術での
上部磁極層は、通常、下部に絶縁層Ｉ1を形成後に、並
びにコイル層８０に、或いはコイル層８０上部に１つ以
上の絶縁層Ｉ2を形成してから形成される。磁極端領域
８４の磁極端部を含む磁極層Ｐ２を構成するために厚い
フォトレジスト層８２が使用される。磁極端領域８４の
フォトレジスト層８２の厚さは、よく画定されたマスク
の形成を妨げる。レジスト層が薄いほどよいマスクを形
成する。これは写真製版ステップ中において光の散乱が
少ないからである。従来技術で得られる最も狭いトラッ
ク幅は、厚さ４μｍの磁極層において約２μｍである。
図６でわかるように最終的に形成される上部磁極層８６
は、ゼロ・スロート・レベルの後方位置で磁極端領域８
４の方へ首が細くなっている。従って、この層の磁極端
は、ゼロ・スロート・レベルと上部磁極層８６のフレア
部との間に首部分を有し、かなり低い書込み電流レベル
において磁極端を磁束飽和させる。
【００２２】図７は本発明の薄膜磁気書込みヘッドの１
つの実施例１００を示す。書込みヘッドは、エア・ベア
リング面（ＡＢＳ）とゼロ・スロート・レベル及び後部
領域との間に位置される磁極端領域１０７を有する。後
部領域はゼロ・スロート・レベルから後方へ後部ギャッ
プ（ＢＧ）まで延び、後部ギャップを含む。書込みヘッ
ドは、磁極端領域１０７に伝達する手段である磁性材料
の下部磁極層１０２及び上部磁極層１０４を有する。下
部磁極層１０２及び上部磁極層１０４は、後部ギャップ
（ＢＧ）で一緒に接続される。下部磁極層１０２と上部
磁極層１０４の間には、第１の絶縁層Ｉ1、巻かれてい
るコイル１１０及び１つ以上の絶縁層Ｉ2がある。図３
と図４からわかるように第１のリード線１１２は１１３
においてコイル１１０の一方に接続され、第２のリード
線１１４はコイル１１０の他方（図示なし）に接続され
ている。変動電流がリード線１１２、１１４を通してコ
イル１１０に送られると、磁束反転が下部磁極層１０２
及び上部磁極層１０４に誘発される。これらの磁束反転
は、図７で示されるようにギャップ層１０６によって形
成される磁極端領域１０７のギャップＧを横切ってＡＢ
Ｓを通り、データ書込みのために走行中の磁気媒体まで
延びる。磁気媒体のトラックの長さ１ミリメータ当たり
の磁束反転数により、ヘッドの線密度すなわちビット密
度が決まる。これはギャップＧの厚さに依存する。磁気
媒体の幅当たりのトラック数（ＴＰＩ）は、磁極端領域
１０７の幅に依存する。本発明はユニークな薄膜磁気書
込みヘッドとその製造方法を提供し、サブミクロンのト
ラック幅を与える。
つの実施例１００を示す。書込みヘッドは、エア・ベア
リング面（ＡＢＳ）とゼロ・スロート・レベル及び後部
領域との間に位置される磁極端領域１０７を有する。後
部領域はゼロ・スロート・レベルから後方へ後部ギャッ
プ（ＢＧ）まで延び、後部ギャップを含む。書込みヘッ
ドは、磁極端領域１０７に伝達する手段である磁性材料
の下部磁極層１０２及び上部磁極層１０４を有する。下
部磁極層１０２及び上部磁極層１０４は、後部ギャップ
（ＢＧ）で一緒に接続される。下部磁極層１０２と上部
磁極層１０４の間には、第１の絶縁層Ｉ1、巻かれてい
るコイル１１０及び１つ以上の絶縁層Ｉ2がある。図３
と図４からわかるように第１のリード線１１２は１１３
においてコイル１１０の一方に接続され、第２のリード
線１１４はコイル１１０の他方（図示なし）に接続され
ている。変動電流がリード線１１２、１１４を通してコ
イル１１０に送られると、磁束反転が下部磁極層１０２
及び上部磁極層１０４に誘発される。これらの磁束反転
は、図７で示されるようにギャップ層１０６によって形
成される磁極端領域１０７のギャップＧを横切ってＡＢ
Ｓを通り、データ書込みのために走行中の磁気媒体まで
延びる。磁気媒体のトラックの長さ１ミリメータ当たり
の磁束反転数により、ヘッドの線密度すなわちビット密
度が決まる。これはギャップＧの厚さに依存する。磁気
媒体の幅当たりのトラック数（ＴＰＩ）は、磁極端領域
１０７の幅に依存する。本発明はユニークな薄膜磁気書
込みヘッドとその製造方法を提供し、サブミクロンのト
ラック幅を与える。
【００２３】図７乃至図１０で示されるように、薄膜磁
気書込みヘッド１００の第１の実施例は、ギャップ層１
０６上にノッチ構造体１２０を有する。このノッチ構造
体は、その製作中に書込みヘッド１００に残される。ノ
ッチ構造体は、通常、上部面１２０Ｔと下部面１２０Ｂ
とを有するＵ形状の層が好ましい。この層の厚さは、１
つ以上の磁極端層の全体の厚さを決め、これは後で詳細
に説明される。この厚さは、通常、２μｍ乃至３μｍの
範囲である。
気書込みヘッド１００の第１の実施例は、ギャップ層１
０６上にノッチ構造体１２０を有する。このノッチ構造
体は、その製作中に書込みヘッド１００に残される。ノ
ッチ構造体は、通常、上部面１２０Ｔと下部面１２０Ｂ
とを有するＵ形状の層が好ましい。この層の厚さは、１
つ以上の磁極端層の全体の厚さを決め、これは後で詳細
に説明される。この厚さは、通常、２μｍ乃至３μｍの
範囲である。
【００２４】図１０で示されるようにノッチ構造体１２
０は、ベース１２２と１対の脚１２４と１２６を有す
る。ベースは内部前面部１２８、外部後面部１３０、１
対の外部側面部１３２及び１３４を有する。各脚１２４
と１２６は、外部前面部１３６と１３８、内部側面部１
４０と１４２及び外部側面部１４４と１４６をそれぞれ
持つ。ベースの外部側面部１３２と１３４は、脚の外部
側面部１４４と１４６に対してそれぞれ隣接する。脚の
外部前面部１３６と１３８は、スライダ面（図示なし）
を有する共通平面に置かれ、エア・ベアリング面の一部
を形成する。
０は、ベース１２２と１対の脚１２４と１２６を有す
る。ベースは内部前面部１２８、外部後面部１３０、１
対の外部側面部１３２及び１３４を有する。各脚１２４
と１２６は、外部前面部１３６と１３８、内部側面部１
４０と１４２及び外部側面部１４４と１４６をそれぞれ
持つ。ベースの外部側面部１３２と１３４は、脚の外部
側面部１４４と１４６に対してそれぞれ隣接する。脚の
外部前面部１３６と１３８は、スライダ面（図示なし）
を有する共通平面に置かれ、エア・ベアリング面の一部
を形成する。
【００２５】ベースの内部前面部１２８及び脚の内部側
面部１４０と１４２は、Ｕ形状のマスクの内側にトレン
チ１４８を形成する。トレンチ１４８は１つ以上の磁極
端部が配置される場所を与える。
面部１４０と１４２は、Ｕ形状のマスクの内側にトレン
チ１４８を形成する。トレンチ１４８は１つ以上の磁極
端部が配置される場所を与える。
【００２６】図７乃至図１０に示される実施例では、唯
一１つの磁極端層Ｐ２（Ｔ）だけがトレンチ１４８内に
配置される。磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、エア・ベアリング
面の一部を形成する平面に置かれた前面部１５０（図８
参照）を有する。磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、磁極端領域１
０７における上部磁極層１０４の一部１０８の下に位置
決めされる。この実施例ではギャップ層１０６は、下部
磁極層１０２の上部に直接形成される。好ましくは全て
の実施例においてギャップ層１０６は非磁性の導電性材
料であり、１つ以上の磁極端層をめっきするためのシー
ド層として働く。適切なギャップ／シード層の材料は、
ニッケル・リン、ニッケル・モリブデン、ニッケル・ク
ロム、ニッケル・タングステン、金及び銅である。ギャ
ップ／シード層は、マスク１２０の外部後面部１３０で
終了でき、或いは図７で示すように後部ギャップまで後
方へ続けることができる。図からもわかるように読取り
ヘッドの第２のシールド層７４（図３参照）は、下部磁
極層１０２と同じ構成である。
一１つの磁極端層Ｐ２（Ｔ）だけがトレンチ１４８内に
配置される。磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、エア・ベアリング
面の一部を形成する平面に置かれた前面部１５０（図８
参照）を有する。磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、磁極端領域１
０７における上部磁極層１０４の一部１０８の下に位置
決めされる。この実施例ではギャップ層１０６は、下部
磁極層１０２の上部に直接形成される。好ましくは全て
の実施例においてギャップ層１０６は非磁性の導電性材
料であり、１つ以上の磁極端層をめっきするためのシー
ド層として働く。適切なギャップ／シード層の材料は、
ニッケル・リン、ニッケル・モリブデン、ニッケル・ク
ロム、ニッケル・タングステン、金及び銅である。ギャ
ップ／シード層は、マスク１２０の外部後面部１３０で
終了でき、或いは図７で示すように後部ギャップまで後
方へ続けることができる。図からもわかるように読取り
ヘッドの第２のシールド層７４（図３参照）は、下部磁
極層１０２と同じ構成である。
【００２７】本発明の第２の実施例が図１１乃至図１３
で示されている。この実施例のノッチ構造体１２０は、
トレンチ１４８内の複数の磁極端層に適応するために高
く（より厚い層）なっている以外は第１の実施例のノッ
チ構造体と同じである。この実施例では磁極端層Ｐ１
（Ｔ）が、下部磁極層１０２との磁気的接触のために与
えられている。次に、導電性のギャップ層Ｇが電着によ
ってトレンチに付着される。最終的に上部磁極層１０４
の下の磁性体の薄膜層がトレンチ１４８内に配置され、
磁極端層Ｐ２（Ｔ）を形成する。
で示されている。この実施例のノッチ構造体１２０は、
トレンチ１４８内の複数の磁極端層に適応するために高
く（より厚い層）なっている以外は第１の実施例のノッ
チ構造体と同じである。この実施例では磁極端層Ｐ１
（Ｔ）が、下部磁極層１０２との磁気的接触のために与
えられている。次に、導電性のギャップ層Ｇが電着によ
ってトレンチに付着される。最終的に上部磁極層１０４
の下の磁性体の薄膜層がトレンチ１４８内に配置され、
磁極端層Ｐ２（Ｔ）を形成する。
【００２８】図７乃至図１０で示された第１の実施例
は、図１１乃至図１３で示された第２の実施例よりも製
作がより簡単にできる利点がある。第１の実施例は、第
２の実施例よりも層を１つ少なくして製作できる。しか
しながら、図９からわかるように下部磁極層１０２の広
がりのために、磁極端層Ｐ２（Ｔ）と下部磁極層１０２
間においてトラックを外れたある磁束漏洩が存在し、ヘ
ッドによる側面の書込み原因となる。対照的に図１１乃
至図１３で示される第２の実施例は、ギャップ層Ｇに対
して左右対称に配置された２つの磁極端層Ｐ１（Ｔ）と
Ｐ２（Ｔ）を有する。第２の実施例の磁束伝達は側面の
書込みが少なく、真っすぐに横切る。
は、図１１乃至図１３で示された第２の実施例よりも製
作がより簡単にできる利点がある。第１の実施例は、第
２の実施例よりも層を１つ少なくして製作できる。しか
しながら、図９からわかるように下部磁極層１０２の広
がりのために、磁極端層Ｐ２（Ｔ）と下部磁極層１０２
間においてトラックを外れたある磁束漏洩が存在し、ヘ
ッドによる側面の書込み原因となる。対照的に図１１乃
至図１３で示される第２の実施例は、ギャップ層Ｇに対
して左右対称に配置された２つの磁極端層Ｐ１（Ｔ）と
Ｐ２（Ｔ）を有する。第２の実施例の磁束伝達は側面の
書込みが少なく、真っすぐに横切る。
【００２９】図７乃至図９で示されるように、磁極端層
Ｐ２（Ｔ）は、１１６において上部磁極層１０４（Ｐ
２）と磁気的に接続されている。磁極端層Ｐ２（Ｔ）の
前面部と上部磁極層１０４の磁極端部１０８の前面部と
は、エア・ベアリング面を形成する平面に置かれる。こ
の実施例における下部磁極層１０２の前面部はまた、エ
ア・ベアリング面の平面にある。
Ｐ２（Ｔ）は、１１６において上部磁極層１０４（Ｐ
２）と磁気的に接続されている。磁極端層Ｐ２（Ｔ）の
前面部と上部磁極層１０４の磁極端部１０８の前面部と
は、エア・ベアリング面を形成する平面に置かれる。こ
の実施例における下部磁極層１０２の前面部はまた、エ
ア・ベアリング面の平面にある。
【００３０】図１１乃至図１３での第２の実施例では、
前方延長部１０８の前面部、磁極端層Ｐ２（Ｔ）の前面
部、ギャップ層１０６の前面部、磁極端層Ｐ１（Ｔ）の
前面部、及び下部磁極層１０２の前面部は全てエア・ベ
アリング面の平面にある。
前方延長部１０８の前面部、磁極端層Ｐ２（Ｔ）の前面
部、ギャップ層１０６の前面部、磁極端層Ｐ１（Ｔ）の
前面部、及び下部磁極層１０２の前面部は全てエア・ベ
アリング面の平面にある。
【００３１】本発明の重要な特徴は、狭いトレンチ内の
磁極端領域にあり、幅の狭いトラックを提供する。しか
しながら、磁極層Ｐ２における広い部分１０８は、ＡＢ
Ｓからゼロ・スロート・レベルまでの磁極端層に対して
磁気的に平行且つ接触し、付加の磁束的接触能力を与
え、高書込み電流におけるヘッドの磁束飽和を防いでい
る。更にノッチ構造体の高さはヘッドの構造体を平面化
し、上部磁極層１０４と書込みギャップを分離している
ので上部磁極層からＡＢＳの下部磁極層への磁束漏洩を
最小にする。
磁極端領域にあり、幅の狭いトラックを提供する。しか
しながら、磁極層Ｐ２における広い部分１０８は、ＡＢ
Ｓからゼロ・スロート・レベルまでの磁極端層に対して
磁気的に平行且つ接触し、付加の磁束的接触能力を与
え、高書込み電流におけるヘッドの磁束飽和を防いでい
る。更にノッチ構造体の高さはヘッドの構造体を平面化
し、上部磁極層１０４と書込みギャップを分離している
ので上部磁極層からＡＢＳの下部磁極層への磁束漏洩を
最小にする。
【００３２】ノッチ構造体１２０の材料が異方性的にエ
ッチング可能であることは、重要である。この目的に適
する材料は、二酸化ケイ素、シリコン、シリコン窒化物
及びカーボンである。ノッチ構造体１２０のエッチング
を改良するために、上部Ｕ形状の層１５２が使われてい
る（図７参照）。この上部Ｕ形状の層１５２の材料は、
非異方性的にエッチング可能である。この目的に適する
材料は、フォトレジスト、金属及び酸化アルミニウムが
含まれる。上部Ｕ形状の層１５２は、ノッチ構造体１２
０と共に処理ステップの間、ヘッドに残り、最終的なヘ
ッドの一部を形成する。
ッチング可能であることは、重要である。この目的に適
する材料は、二酸化ケイ素、シリコン、シリコン窒化物
及びカーボンである。ノッチ構造体１２０のエッチング
を改良するために、上部Ｕ形状の層１５２が使われてい
る（図７参照）。この上部Ｕ形状の層１５２の材料は、
非異方性的にエッチング可能である。この目的に適する
材料は、フォトレジスト、金属及び酸化アルミニウムが
含まれる。上部Ｕ形状の層１５２は、ノッチ構造体１２
０と共に処理ステップの間、ヘッドに残り、最終的なヘ
ッドの一部を形成する。
【００３３】薄膜磁気ヘッドの製造方法：図１４乃至図
２４は、図７乃至図１０で示された第１の実施例の薄膜
磁気ヘッドの製造プロセスにおけるステップ順序を示
す。図１４及び図１５からわかるように下部磁極層１０
２は、既知の磁性材料から形成され、下部磁極層は磁極
端領域に磁極端部並びに後部領域ＢＧに後面部を有す
る。前述で説明したように、複合ヘッドにおいて下部磁
極層１０２は、図３で示すように磁気抵抗読取りヘッド
の第２のシールド層７４を有する。図１６では、非磁性
の導電性のギャップ／シード層１０６が下部磁極層１０
２の上部に形成される。ギャップ／シード層に適切な材
料は既に説明されている。ギャップ／シード層は２つの
目的のために働く。ギャップ／シード層は、続いて形成
される磁極端のギャップＧを与え、また、磁極端領域に
おける磁極端層Ｐ２（Ｔ）のめっきのためのシード層と
して使用される。
２４は、図７乃至図１０で示された第１の実施例の薄膜
磁気ヘッドの製造プロセスにおけるステップ順序を示
す。図１４及び図１５からわかるように下部磁極層１０
２は、既知の磁性材料から形成され、下部磁極層は磁極
端領域に磁極端部並びに後部領域ＢＧに後面部を有す
る。前述で説明したように、複合ヘッドにおいて下部磁
極層１０２は、図３で示すように磁気抵抗読取りヘッド
の第２のシールド層７４を有する。図１６では、非磁性
の導電性のギャップ／シード層１０６が下部磁極層１０
２の上部に形成される。ギャップ／シード層に適切な材
料は既に説明されている。ギャップ／シード層は２つの
目的のために働く。ギャップ／シード層は、続いて形成
される磁極端のギャップＧを与え、また、磁極端領域に
おける磁極端層Ｐ２（Ｔ）のめっきのためのシード層と
して使用される。
【００３４】図１７で示されるように、二酸化ケイ素な
どの異方性的にエッチング可能な層がギャップ／シード
層の上部に形成される。この層の厚みは、続いて形成さ
れる磁極端層の厚さに等しいか、或いは１つ以上の磁極
端層の複合の厚さに等しい。図１８で示されるようにフ
ォトレジスト層は、二酸化ケイ素層の上部に形成され
る。このフォトレジスト層は、サブミクロンすなわち
０．７μｍ乃至０．８μｍ程度の厚さである。この薄さ
のためにフォトマスキング中におけるレジスト層へ導か
れる光は散乱が少なく、図１９の１６０でよく画定され
たフォトレジスト・マスクを与える。フォトレジスト・
マスクは、露光する二酸化ケイ素層の上部面１６４にＵ
形状の部分を残す。このＵ形状の部分は、磁極端領域を
囲むために構成される。磁極端領域は薄いフォトレジス
ト層１６６によって覆われる。フォトレジスト層１６６
は１つ以上の磁極端層が形成されるボリュームの上部に
直接置かれ、且つフォトレジスト・マスク１６８のＵ形
状の一部内に左右対称に置かれる。
どの異方性的にエッチング可能な層がギャップ／シード
層の上部に形成される。この層の厚みは、続いて形成さ
れる磁極端層の厚さに等しいか、或いは１つ以上の磁極
端層の複合の厚さに等しい。図１８で示されるようにフ
ォトレジスト層は、二酸化ケイ素層の上部に形成され
る。このフォトレジスト層は、サブミクロンすなわち
０．７μｍ乃至０．８μｍ程度の厚さである。この薄さ
のためにフォトマスキング中におけるレジスト層へ導か
れる光は散乱が少なく、図１９の１６０でよく画定され
たフォトレジスト・マスクを与える。フォトレジスト・
マスクは、露光する二酸化ケイ素層の上部面１６４にＵ
形状の部分を残す。このＵ形状の部分は、磁極端領域を
囲むために構成される。磁極端領域は薄いフォトレジス
ト層１６６によって覆われる。フォトレジスト層１６６
は１つ以上の磁極端層が形成されるボリュームの上部に
直接置かれ、且つフォトレジスト・マスク１６８のＵ形
状の一部内に左右対称に置かれる。
【００３５】図２０で示される非常に薄い非異方性的に
エッチング可能な層１７０は、ウエハ全体を覆う。この
層の厚さは約０．１μｍである。この層に適する材料は
既に説明されている。以後、このエッチング可能な層１
７０は金属層と称する。金属層１７０の大部分はフォト
レジスト層１６６及びフォトレジスト・マスク１６８の
上部に形成される点に留意されたい。しかしながら、こ
の金属層の非常に重要な部分は、二酸化ケイ素層の上部
のＵ形状の層１７２に形成される。図２１は、図１８の
フォトレジスト層が溶液によって現像され、除去後にお
ける、部分的に完成されたヘッドの構成を例示する。こ
の後、続いて形成される磁極端ボリューム周辺に位置す
るＵ形状の金属層１７２が残る。
エッチング可能な層１７０は、ウエハ全体を覆う。この
層の厚さは約０．１μｍである。この層に適する材料は
既に説明されている。以後、このエッチング可能な層１
７０は金属層と称する。金属層１７０の大部分はフォト
レジスト層１６６及びフォトレジスト・マスク１６８の
上部に形成される点に留意されたい。しかしながら、こ
の金属層の非常に重要な部分は、二酸化ケイ素層の上部
のＵ形状の層１７２に形成される。図２１は、図１８の
フォトレジスト層が溶液によって現像され、除去後にお
ける、部分的に完成されたヘッドの構成を例示する。こ
の後、続いて形成される磁極端ボリューム周辺に位置す
るＵ形状の金属層１７２が残る。
【００３６】図２２に示されるように、次にウエハに対
して反応イオン・エッチング（ＲＩＥ）が行われ、所望
のノッチ構造体１２０を形成するＵ形状の二酸化ケイ素
層１７６を除く、ギャップ／シード層に対して二酸化ケ
イ素層が下方に除去される。このノッチ構造体はまた、
非常に薄い上部Ｕ形状の金属層１７２を有する。二酸化
ケイ素層１７６と金属層１７２を含む全体のノッチ構造
体がヘッドに残され、最終製品の一部を形成する。Ｕ字
型構造のノッチ構造体１２０は、続く１つ以上の磁極端
層の形成においてトレンチ１４８を与える。
して反応イオン・エッチング（ＲＩＥ）が行われ、所望
のノッチ構造体１２０を形成するＵ形状の二酸化ケイ素
層１７６を除く、ギャップ／シード層に対して二酸化ケ
イ素層が下方に除去される。このノッチ構造体はまた、
非常に薄い上部Ｕ形状の金属層１７２を有する。二酸化
ケイ素層１７６と金属層１７２を含む全体のノッチ構造
体がヘッドに残され、最終製品の一部を形成する。Ｕ字
型構造のノッチ構造体１２０は、続く１つ以上の磁極端
層の形成においてトレンチ１４８を与える。
【００３７】図７乃至図１０で示される第１の実施例に
おいて、単一の磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、トレンチ１４８
内に形成される。これは図２３で示される。この磁極端
層Ｐ２（Ｔ）は、図７で示される上部磁極層１０４に対
して磁気的に連続する実質的な磁性体の薄膜層である。
この実施例ではギャップ／シード層１０６は、磁極端の
ギャップＧとして働く。
おいて、単一の磁極端層Ｐ２（Ｔ）は、トレンチ１４８
内に形成される。これは図２３で示される。この磁極端
層Ｐ２（Ｔ）は、図７で示される上部磁極層１０４に対
して磁気的に連続する実質的な磁性体の薄膜層である。
この実施例ではギャップ／シード層１０６は、磁極端の
ギャップＧとして働く。
【００３８】図７からわかるように、上部磁極層１０４
が形成される前に、第１の絶縁層Ｉ1、コイル層及び１
つ以上の絶縁層Ｉ2がゼロ・スロート・レベルと後部ギ
ャップの間の領域に形成される。ノッチ構造体１２０
は、これらの層をゼロ・スロート・レベルから離隔し、
ヘッドの平面化を助ける役目がある。
が形成される前に、第１の絶縁層Ｉ1、コイル層及び１
つ以上の絶縁層Ｉ2がゼロ・スロート・レベルと後部ギ
ャップの間の領域に形成される。ノッチ構造体１２０
は、これらの層をゼロ・スロート・レベルから離隔し、
ヘッドの平面化を助ける役目がある。
【００３９】図２４で示されるように、上部磁極層１０
４は磁極端領域の部分１０８への変換点である。この部
分の幅はノッチ構造体１２０の幅より狭くすべきであ
り、これにより正しいサポートが得られる。上部磁極層
１０４の形成は、図７と図２４で示される１１６におい
て上部層の前面部１０８を磁極端層Ｐ２（Ｔ）に合わせ
る。上部磁極層１０４が形成されると、上部磁極層１０
４は後部ギャップにおいて下部磁極層１０２に磁気的に
接続される。この接続を得るには、１つ以上のエッチン
グ・ステップによって後部ギャップにバイア（via）を
形成するのが望ましい。読取りヘッドの第２のシールド
層７４の形成は、下部磁極層１０２の形成ステップと同
じである。適切な磁性材料は例えば、ニッケル鉄などで
ある。図２４は本発明の第１の実施例のＡＢＳを示し、
エア・ベアリング面を形成する平面に置かれた前面部を
有する、全ての磁極端構成要素であるＰ１、ギャップ、
Ｐ２及びＰ２（Ｔ）を示す。
４は磁極端領域の部分１０８への変換点である。この部
分の幅はノッチ構造体１２０の幅より狭くすべきであ
り、これにより正しいサポートが得られる。上部磁極層
１０４の形成は、図７と図２４で示される１１６におい
て上部層の前面部１０８を磁極端層Ｐ２（Ｔ）に合わせ
る。上部磁極層１０４が形成されると、上部磁極層１０
４は後部ギャップにおいて下部磁極層１０２に磁気的に
接続される。この接続を得るには、１つ以上のエッチン
グ・ステップによって後部ギャップにバイア（via）を
形成するのが望ましい。読取りヘッドの第２のシールド
層７４の形成は、下部磁極層１０２の形成ステップと同
じである。適切な磁性材料は例えば、ニッケル鉄などで
ある。図２４は本発明の第１の実施例のＡＢＳを示し、
エア・ベアリング面を形成する平面に置かれた前面部を
有する、全ての磁極端構成要素であるＰ１、ギャップ、
Ｐ２及びＰ２（Ｔ）を示す。
【００４０】図１１乃至図１３で示される本発明の第２
の実施例は、図２５で示されるように組立てられる。こ
の実施例では複数の層がトレンチ１４８内で組立てられ
る。例えば、磁性体の薄膜層がトレンチ内で形成され、
磁極端層Ｐ１（Ｔ）を形成し、非磁性体の薄膜層がトレ
ンチ内で形成され、ギャップ層Ｇを形成し、並びに磁性
体の薄膜層がトレンチ内で形成され、磁極端層Ｐ２
（Ｔ）を形成する。
の実施例は、図２５で示されるように組立てられる。こ
の実施例では複数の層がトレンチ１４８内で組立てられ
る。例えば、磁性体の薄膜層がトレンチ内で形成され、
磁極端層Ｐ１（Ｔ）を形成し、非磁性体の薄膜層がトレ
ンチ内で形成され、ギャップ層Ｇを形成し、並びに磁性
体の薄膜層がトレンチ内で形成され、磁極端層Ｐ２
（Ｔ）を形成する。
【００４１】本発明の他の実施例２００が図２６で例示
されている。この実施例は磁気書込みヘッドの製造を簡
略化する構造上の素子を有する以外は、図７で示された
本発明の第１の実施例１００に類似する。図２６で示す
ように磁気ヘッドの実施例２００の主要な構造上の相違
は、非磁性体の導電層２０２が、磁極端領域の第１の下
部磁極層１０２の上部にあるＧに形成され、並びにゼロ
・スロート・レベルと後部ギャップ間の後部領域におけ
る１つ以上の絶縁層Ｉ2／Ｉ3の上部に形成されることで
ある。この導電層２０２は磁極端領域と、ＡＢＳから後
部ギャップまでの全シード層とにおいてギャップＧとし
て働く。このようなギャップ／シード層に適する材料は
既に説明されている。実施例２００はまた、図７の実施
例１００のノッチ構造体１２０と同じノッチ構造体２０
４を有する。ノッチ構造体２０４における相違は、ノッ
チ構造体２０４が絶縁層Ｉ1／Ｉ2／Ｉ3の前方にて形成
されることである。ノッチ構造体２０４が後部領域に延
ばされた理由は、前述の絶縁層の前方接合部の不均等を
平滑化するためであり、このため第２の上部磁極層１０
４は磁極端領域から磁気ヘッド構造体の後部領域に容易
に変換できる。図２６からわかるようにノッチ構造体２
０４が絶縁層Ｉ2／Ｉ3の上部平面に一度到達すると２０
６で終了される。図２６で示される磁気書込みヘッド２
００のＡＢＳ図は、Ｐ２とＰ２（Ｔ）間の短い線１１６
が取り払われた以外は図９で示されたＡＢＳ図と同じで
ある。
されている。この実施例は磁気書込みヘッドの製造を簡
略化する構造上の素子を有する以外は、図７で示された
本発明の第１の実施例１００に類似する。図２６で示す
ように磁気ヘッドの実施例２００の主要な構造上の相違
は、非磁性体の導電層２０２が、磁極端領域の第１の下
部磁極層１０２の上部にあるＧに形成され、並びにゼロ
・スロート・レベルと後部ギャップ間の後部領域におけ
る１つ以上の絶縁層Ｉ2／Ｉ3の上部に形成されることで
ある。この導電層２０２は磁極端領域と、ＡＢＳから後
部ギャップまでの全シード層とにおいてギャップＧとし
て働く。このようなギャップ／シード層に適する材料は
既に説明されている。実施例２００はまた、図７の実施
例１００のノッチ構造体１２０と同じノッチ構造体２０
４を有する。ノッチ構造体２０４における相違は、ノッ
チ構造体２０４が絶縁層Ｉ1／Ｉ2／Ｉ3の前方にて形成
されることである。ノッチ構造体２０４が後部領域に延
ばされた理由は、前述の絶縁層の前方接合部の不均等を
平滑化するためであり、このため第２の上部磁極層１０
４は磁極端領域から磁気ヘッド構造体の後部領域に容易
に変換できる。図２６からわかるようにノッチ構造体２
０４が絶縁層Ｉ2／Ｉ3の上部平面に一度到達すると２０
６で終了される。図２６で示される磁気書込みヘッド２
００のＡＢＳ図は、Ｐ２とＰ２（Ｔ）間の短い線１１６
が取り払われた以外は図９で示されたＡＢＳ図と同じで
ある。
【００４２】図２６の磁気書込みヘッド２００の典型的
な製造方法は、図２７乃至図３２で説明される。従来技
術同様、第１の下部磁極層１０２は図２７の通りに形成
される。次のステップは、第１の下部磁極層１０２の上
部にＩ1層を形成し、第１の絶縁層Ｉ1の上部にコイル１
１０を付着し、更にコイル１１０の上部に１つ以上の絶
縁層Ｉ2／Ｉ3を付着することである。これらの層の形成
は、第１の下部磁極層１０２の付着後に付着される点
で、図７に示される実施例１００の製作方法とは異な
る。従来技術では、Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ3の
これらの層は、図２２で例示されたノッチ構造体１７６
の形成後に付着された。Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ
3のこれらの層の付着後、ギャップ／シード層２０２
は、磁極端領域の第１の下部磁極層１０２の上部、並び
に図２７で示されるようにＩ1、コイル１１０及びＩ2／
Ｉ3の各層の上部に付着される。ギャップ／シード層２
０２は、ゼロ・スロート・レベルと後部ギャップの間の
Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ3の各層の上部、並びに
図２７で示されるように選択的に後部ギャップ、或いは
後部ギャップを越えて延長することができる。次のステ
ップは、図２７で示すように二酸化ケイ素などの異方性
的にエッチング可能な層２０４をギャップ／シード層２
０２上に付着することである。これは、第１の実施例方
法の図１７で示された二酸化ケイ素層の形成と同じステ
ップである。
な製造方法は、図２７乃至図３２で説明される。従来技
術同様、第１の下部磁極層１０２は図２７の通りに形成
される。次のステップは、第１の下部磁極層１０２の上
部にＩ1層を形成し、第１の絶縁層Ｉ1の上部にコイル１
１０を付着し、更にコイル１１０の上部に１つ以上の絶
縁層Ｉ2／Ｉ3を付着することである。これらの層の形成
は、第１の下部磁極層１０２の付着後に付着される点
で、図７に示される実施例１００の製作方法とは異な
る。従来技術では、Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ3の
これらの層は、図２２で例示されたノッチ構造体１７６
の形成後に付着された。Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ
3のこれらの層の付着後、ギャップ／シード層２０２
は、磁極端領域の第１の下部磁極層１０２の上部、並び
に図２７で示されるようにＩ1、コイル１１０及びＩ2／
Ｉ3の各層の上部に付着される。ギャップ／シード層２
０２は、ゼロ・スロート・レベルと後部ギャップの間の
Ｉ1、コイル１１０及びＩ2／Ｉ3の各層の上部、並びに
図２７で示されるように選択的に後部ギャップ、或いは
後部ギャップを越えて延長することができる。次のステ
ップは、図２７で示すように二酸化ケイ素などの異方性
的にエッチング可能な層２０４をギャップ／シード層２
０２上に付着することである。これは、第１の実施例方
法の図１７で示された二酸化ケイ素層の形成と同じステ
ップである。
【００４３】次のステップでは、二酸化ケイ素層２０６
の上部に非異方性的にエッチング可能な薄いＵ形状の層
２０８を形成する。このＵ形状は図２９に例示されてい
る。このＵ形状の層２０８の形成は、図１８乃至図２１
における第１の方法で説明された前述のステップによっ
て形成される。Ｕ形状の層２０８に適する材料は、既に
説明されている。次のステップでは二酸化ケイ素層２０
４においてトレンチ２１０を形成するためのマスクとし
てＵ形状の層２０８を使用する。このステップは、図３
０で示されている。このトレンチ２１０を形成するため
の好ましい方法は、ウエハに対して反応性イオン・エッ
チング（ＲＩＥ）を行うことである。二酸化ケイ素層２
０４で形成されたトレンチ２１０は、第１の実施例にお
ける図２２のトレンチ１４８と同じである。反応性イオ
ン・エッチングはまた、二酸化ケイ素層をＵ形状の層２
０８の前方、後方及び両側で除去し、図３０で示された
構成を与える。
の上部に非異方性的にエッチング可能な薄いＵ形状の層
２０８を形成する。このＵ形状は図２９に例示されてい
る。このＵ形状の層２０８の形成は、図１８乃至図２１
における第１の方法で説明された前述のステップによっ
て形成される。Ｕ形状の層２０８に適する材料は、既に
説明されている。次のステップでは二酸化ケイ素層２０
４においてトレンチ２１０を形成するためのマスクとし
てＵ形状の層２０８を使用する。このステップは、図３
０で示されている。このトレンチ２１０を形成するため
の好ましい方法は、ウエハに対して反応性イオン・エッ
チング（ＲＩＥ）を行うことである。二酸化ケイ素層２
０４で形成されたトレンチ２１０は、第１の実施例にお
ける図２２のトレンチ１４８と同じである。反応性イオ
ン・エッチングはまた、二酸化ケイ素層をＵ形状の層２
０８の前方、後方及び両側で除去し、図３０で示された
構成を与える。
【００４４】次のステップは、図３１、図３２で示され
るように第２の上部磁極層１０４をフレームめっきす
る。フォトレジスト・フレーム２１２が第２の上部磁極
層１０４の横方向の構成を制御するために用いられる。
図３１は、シード層部２１４、２１６によって得られる
第２の上部磁極層１０４の部分めっきを示す。電気めっ
きがシード層２０８の高さまでに到達すると、電気めっ
きはシード層２０８の上部をめっきし、図３２に示され
るように第２の上部磁極層１０４の構成を完成させる。
前述したようにこの実施例の利点は、磁極端Ｐ２Ｔと第
２の上部磁極層１０４が１回のフレームめっきステップ
で付着でき、１つの層を生むことである。これは第２の
磁極層が図３２で示されるように磁極端Ｐ２Ｔに合体さ
れる代わりに磁極端Ｐ２Ｔと接合する点で、前の実施例
とは異なる。ステップ完了後、図３２で示される構造体
は、次にＡＢＳに重ねられる。
るように第２の上部磁極層１０４をフレームめっきす
る。フォトレジスト・フレーム２１２が第２の上部磁極
層１０４の横方向の構成を制御するために用いられる。
図３１は、シード層部２１４、２１６によって得られる
第２の上部磁極層１０４の部分めっきを示す。電気めっ
きがシード層２０８の高さまでに到達すると、電気めっ
きはシード層２０８の上部をめっきし、図３２に示され
るように第２の上部磁極層１０４の構成を完成させる。
前述したようにこの実施例の利点は、磁極端Ｐ２Ｔと第
２の上部磁極層１０４が１回のフレームめっきステップ
で付着でき、１つの層を生むことである。これは第２の
磁極層が図３２で示されるように磁極端Ｐ２Ｔに合体さ
れる代わりに磁極端Ｐ２Ｔと接合する点で、前の実施例
とは異なる。ステップ完了後、図３２で示される構造体
は、次にＡＢＳに重ねられる。
【００４５】図２６乃至図３２で例示された第３の実施
例の変更例では、ノッチ構造体のトレンチにおける磁極
端素子Ｐ１Ｔ、Ｇ及びＰ２Ｔの組立てのために第１の実
施例における図１２及び図２５で示された教示を用い
る。この教示は、図３０で例示されたノッチ構造体２１
０の形成後、複数のステップを加える。図１２及び図２
５並びに上記の教示により、磁極端Ｐ１Ｔは、ギャップ
層１０６の形成前にノッチ構造体２１０のトレンチにフ
レームめっきされる。この後のステップは図３１及び図
３２で説明されたステップと同じである。最終的な構造
体のＡＢＳ図は、磁極端Ｐ２（Ｔ）と第２の磁極層Ｐ２
間の短い水平線が排除された以外は、図１２のＡＢＳ図
と同じであり、これらの素子は互いに合体することにな
る。
例の変更例では、ノッチ構造体のトレンチにおける磁極
端素子Ｐ１Ｔ、Ｇ及びＰ２Ｔの組立てのために第１の実
施例における図１２及び図２５で示された教示を用い
る。この教示は、図３０で例示されたノッチ構造体２１
０の形成後、複数のステップを加える。図１２及び図２
５並びに上記の教示により、磁極端Ｐ１Ｔは、ギャップ
層１０６の形成前にノッチ構造体２１０のトレンチにフ
レームめっきされる。この後のステップは図３１及び図
３２で説明されたステップと同じである。最終的な構造
体のＡＢＳ図は、磁極端Ｐ２（Ｔ）と第２の磁極層Ｐ２
間の短い水平線が排除された以外は、図１２のＡＢＳ図
と同じであり、これらの素子は互いに合体することにな
る。
【００４６】全実施例において酸化アルミニウム層がウ
エハ全体の上に置かれ、ノッチ構造体と磁極端層の両面
を覆い、エア・ベアリング面の一部を形成する。このス
テップは図示されていないが、しかし、当業者は理解で
きよう。しかしながら、この層は図３の１１２で指摘さ
れている。
エハ全体の上に置かれ、ノッチ構造体と磁極端層の両面
を覆い、エア・ベアリング面の一部を形成する。このス
テップは図示されていないが、しかし、当業者は理解で
きよう。しかしながら、この層は図３の１１２で指摘さ
れている。
【００４７】明らかに上記教示に関して、本発明では多
くの修正と変更が可能である。従って、添付の請求項の
範囲内で本発明は上述に限定されずに実施される。
くの修正と変更が可能である。従って、添付の請求項の
範囲内で本発明は上述に限定されずに実施される。
【００４８】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００４９】（１）磁極端領域に磁極端部並びに後部領
域に後面部を有する第１の磁極層と、前記磁極端領域の
前記第１の磁極層上に形成され、前記磁極端領域にトレ
ンチを形成するノッチ構造体と、前記磁極端領域に前記
磁極端部並びに前記後部領域に前記後面部を有し、前記
第１の磁極層上に形成された第２の磁極層と、後部領域
において前記第１の磁極層に接続され、前記ノッチ構造
体上に形成された前記第２の磁極層の磁極端部と、前記
第１の磁極層と前記第２の磁極層との間に形成されたギ
ャップ層と、前記第１の磁極層或いは前記磁極端領域の
前記第２の磁極端層に接続され、且つ前記トレンチに形
成された少なくとも１つの磁極端層と、を有する、多層
磁極端領域と後部領域を持つ薄膜磁気書込みヘッド。 （２）前記ノッチ構造体の上部に導電層を有する、前記
（１）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （３）前記磁極端領域と前記後部ギャップ間に配置さ
れ、前記第１の磁極層の上部に形成された少なくとも１
つのコイル構造体と、前記磁極端領域と前記後部ギャッ
プ間に配置され、前記少なくとも１つのコイル構造体の
上部に形成された絶縁層と、前記第１の磁極層と前記第
２の磁極層間に形成され、且つ前記絶縁層の上部に形成
されたギャップ層と、非磁性体のギャップ層と、を有す
る、前記（２）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （４）前記トレンチに形成された前記少なくとも１つの
磁極端層と、単一の層である第１の磁極層と、を有す
る、前記（３）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （５）前記ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリコン、
シリコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエッチン
グ可能な材料のグループから選択された材料で組立てら
れた、前記（４）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （６）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持つ
一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有し、
ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側面部
を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側面部
を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣接
し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成す
る共通平面に置かれ、前記ベースの前面部と前記脚の内
部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレンチを形成
する、前記（５）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （７）Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実質的に平
らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成する平面に
置かれる、前記（６）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （８）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記ノ
ッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極端
層はギャップ層上に直接形成される、前記（７）記載の
薄膜磁気書込みヘッド。 （９）トレンチ内で形成され、磁極端領域の第１の磁極
層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、トレンチ内
で形成され、磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続
された第２の磁極端層と、前記第１の磁極端層と前記第
２の磁極端層間のトレンチ内で全体的に形成されたギャ
ップ層と、を有する、前記（７）記載の薄膜磁気書込み
ヘッド。 （１０）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記
ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極
端層はギャップ層上に直接形成される、前記（１）記載
の薄膜磁気書込みヘッド。 （１１）前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の前記
第１の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、
前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の前記第２の磁
極層に磁気的に接続された第２の磁極端層と、前記第１
の磁極端層と前記第２の磁極端層間の前記トレンチ内に
全体的に置かれたギャップ層と、を有する、前記（１）
記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１２）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持
つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有す
るのであって、ベースは内部前面部、外部後面部及び１
対の外部側面部を有し、各脚は外部前面部、内部前面部
及び外部側面部を有し、ベースの外部側面部は脚の外部
側面部と隣接し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の
一部を形成する共通平面に置かれ、前記ベースの前面部
と脚の内部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレン
チを形成する、前記（１）記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 （１３）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記
ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極
端層はギャップ層上に直接形成される、前記（１２）記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１４）前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の第１
の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、前記
トレンチ内で形成され、磁極端領域の第２の磁極層に磁
気的に接続された第２の磁極端層と、前記第１の磁極端
層と前記第２の磁極端層間のトレンチ内で全体的に形成
されたギャップ層と、を有する、前記（１２）記載の薄
膜磁気書込みヘッド。 （１５）Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実質的に
平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成する平面
に置かれる、前記（１２）記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 （１６）前記ゼロ・スロート・レベルから後方へ離隔し
た後部ギャップと、前記ゼロ・スロート・レベルと前記
後部ギャップ間に配置された第１の絶縁層、コイル層及
び第２の絶縁層と、エア・ベアリング面から後部ギャッ
プに延びる第１の磁極層と、エア・ベアリング面から後
部ギャップに延びる第２の磁極層と、を有し、第１の絶
縁層、コイル層及び第２の絶縁層は第１の磁極層と第２
の磁極層との間に位置し、第１の磁極層と第２の磁極層
は後部ギャップで磁気的に接続された、前記（１５）記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１７）請求項１の薄膜磁気書込みヘッドを有し、読取
りヘッド・シールド層並びに読取りヘッド・シールド層
を有する第１の磁極層を更に有する、読取り／書込み磁
気ヘッド。 （１８）ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリコン、シ
リコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエッチング
可能な材料のグループから選択された材料で組立てられ
た、前記（１）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１９）ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた
回転可能な磁気ディスクと、磁気ディスクを回転させる
ための手段と、磁気ディスクの回転に対応し、磁気ディ
スクと変換関係のある読取り／書込みヘッドをサポート
するハウジング内に取り付けられたスライダを持つサポ
ート手段と、を有する、前記（１８）記載の読取り／書
込みヘッドを有するディスク駆動装置。 （２０）エア・ベアリング面とゼロ・スロート・レベル
間に配置された磁極端領域と、ゼロ・スロート・レベル
から後方へ後部ギャップまで延び且つ後部ギャップを含
む後部領域とを有する薄膜磁気書込みヘッドの製造方法
であって、磁極端領域に磁極端部並びに後部領域に後面
部を持つ第１の磁極層を形成するステップと、磁極端領
域においてトレンチを与えるノッチ構造体を磁極端領域
の第１の磁極層の上に形成するステップと、トレンチ構
造体のノッチの内側に少なくとも１つの磁極端層を形成
するステップと、ノッチ構造体と後部領域の後面部によ
ってサポートされた磁極端領域の磁極端部を有する第１
の磁極層の上に第２の磁極層を形成するステップと、少
なくとも１つの磁極端層を第１の磁極層または第２の磁
極層の何れかに磁気的に接続するステップと、を有する
製造方法。 （２１）前記ノッチ構造体を形成するステップが上部導
電層を有する前記ノッチ構造体を形成するステップを更
に有する、前記（２０）記載の製造方法。 （２２）前記磁極端領域と前記後部ギャップの間の第１
の磁極層の上部に少なくとも１つのコイル構造体を形成
するステップと、前記磁極端領域と前記後部ギャップの
間の少なくとも１つのコイル構造体の上部に絶縁層を形
成するステップと、後部領域での非磁性体の導電性のギ
ャップ層の形成が磁極端領域と後部ギャップ間の前記絶
縁層の上部に形成される、磁極端領域と後部領域に非磁
性体の導電性のギャップ層を形成するステップと、を有
し、これらのステップがノッチ構造体の形成前に行われ
る、前記（２１）記載の製造方法。 （２３）トレンチの第２の磁極端層の形成、並びに第１
の磁極層の上部への第２の磁極層の形成は、磁極端領
域、並びに磁極端領域と後部ギャップ間の後部領域に位
置する非磁性体の導電性のギャップ層と、ノッチ構造体
の上部導電層とをシード層として使用し、１ステップの
フレーム・プレーティングで行う、前記（２２）記載の
製造方法。 （２４）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（２
３）記載の製造方法。 （２５）前記ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面
を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を
有するのであって、前記ベースは内部前面部、外部後面
部及び１対の外部側面部を有し、各脚は外部前面部、内
部側面部及び外部側面部を有し、ベースの外部側面部は
脚の外部側面部と隣接し、脚の前面部は、エア・ベアリ
ング面の一部を形成する共通平面に置かれ、前記ベース
の前面部と脚の内部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層
にトレンチを形成する、前記（２４）記載の製造方法。 （２６）Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前面部は、実
質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成す
る平面に置かれる、前記（２５）記載の製造方法。 （２７）第１の磁極層とノッチ構造体の上部への非磁性
体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの磁極端
層をギャップ層上に直接形成させるステップを更に有す
る、前記（２６）記載の製造方法。 （２８）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（２６）記載の製造方法。 （２９）非導電性の磁気ギャップ層を第１の磁極層及び
ノッチ構造体の上部に形成し、少なくとも１つの磁極端
層がギャップ層の上部に直接形成されるステップを更に
有する、前記（２０）記載の製造方法。 （３０）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（２０）記載の製造方法。 （３１）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持
つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有
し、ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側
面部を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側
面部を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣
接し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成
する共通平面に置かれ、ベースの前面部と脚の内部側面
部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレンチを形成する、
前記（２０）記載の製造方法。 （３２）第１の磁極層とノッチ構造体の上部への非磁性
体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの磁極端
層をギャップ層上に直接に形成させるステップを更に有
する、前記（３１）記載の製造方法。 （３３）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（３１）記載の製造方法。 （３４）前記Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前面部
は、実質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを
形成する平面に置かれる、前記（３１）記載の製造方
法。 （３５）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（３
１）記載の製造方法。 （３６）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（２
０）記載の製造方法。
域に後面部を有する第１の磁極層と、前記磁極端領域の
前記第１の磁極層上に形成され、前記磁極端領域にトレ
ンチを形成するノッチ構造体と、前記磁極端領域に前記
磁極端部並びに前記後部領域に前記後面部を有し、前記
第１の磁極層上に形成された第２の磁極層と、後部領域
において前記第１の磁極層に接続され、前記ノッチ構造
体上に形成された前記第２の磁極層の磁極端部と、前記
第１の磁極層と前記第２の磁極層との間に形成されたギ
ャップ層と、前記第１の磁極層或いは前記磁極端領域の
前記第２の磁極端層に接続され、且つ前記トレンチに形
成された少なくとも１つの磁極端層と、を有する、多層
磁極端領域と後部領域を持つ薄膜磁気書込みヘッド。 （２）前記ノッチ構造体の上部に導電層を有する、前記
（１）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （３）前記磁極端領域と前記後部ギャップ間に配置さ
れ、前記第１の磁極層の上部に形成された少なくとも１
つのコイル構造体と、前記磁極端領域と前記後部ギャッ
プ間に配置され、前記少なくとも１つのコイル構造体の
上部に形成された絶縁層と、前記第１の磁極層と前記第
２の磁極層間に形成され、且つ前記絶縁層の上部に形成
されたギャップ層と、非磁性体のギャップ層と、を有す
る、前記（２）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （４）前記トレンチに形成された前記少なくとも１つの
磁極端層と、単一の層である第１の磁極層と、を有す
る、前記（３）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （５）前記ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリコン、
シリコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエッチン
グ可能な材料のグループから選択された材料で組立てら
れた、前記（４）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （６）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持つ
一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有し、
ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側面部
を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側面部
を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣接
し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成す
る共通平面に置かれ、前記ベースの前面部と前記脚の内
部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレンチを形成
する、前記（５）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （７）Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実質的に平
らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成する平面に
置かれる、前記（６）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （８）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記ノ
ッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極端
層はギャップ層上に直接形成される、前記（７）記載の
薄膜磁気書込みヘッド。 （９）トレンチ内で形成され、磁極端領域の第１の磁極
層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、トレンチ内
で形成され、磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続
された第２の磁極端層と、前記第１の磁極端層と前記第
２の磁極端層間のトレンチ内で全体的に形成されたギャ
ップ層と、を有する、前記（７）記載の薄膜磁気書込み
ヘッド。 （１０）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記
ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極
端層はギャップ層上に直接形成される、前記（１）記載
の薄膜磁気書込みヘッド。 （１１）前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の前記
第１の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、
前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の前記第２の磁
極層に磁気的に接続された第２の磁極端層と、前記第１
の磁極端層と前記第２の磁極端層間の前記トレンチ内に
全体的に置かれたギャップ層と、を有する、前記（１）
記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１２）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持
つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有す
るのであって、ベースは内部前面部、外部後面部及び１
対の外部側面部を有し、各脚は外部前面部、内部前面部
及び外部側面部を有し、ベースの外部側面部は脚の外部
側面部と隣接し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の
一部を形成する共通平面に置かれ、前記ベースの前面部
と脚の内部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレン
チを形成する、前記（１）記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 （１３）前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び前記
ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの磁極
端層はギャップ層上に直接形成される、前記（１２）記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１４）前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の第１
の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、前記
トレンチ内で形成され、磁極端領域の第２の磁極層に磁
気的に接続された第２の磁極端層と、前記第１の磁極端
層と前記第２の磁極端層間のトレンチ内で全体的に形成
されたギャップ層と、を有する、前記（１２）記載の薄
膜磁気書込みヘッド。 （１５）Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実質的に
平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成する平面
に置かれる、前記（１２）記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 （１６）前記ゼロ・スロート・レベルから後方へ離隔し
た後部ギャップと、前記ゼロ・スロート・レベルと前記
後部ギャップ間に配置された第１の絶縁層、コイル層及
び第２の絶縁層と、エア・ベアリング面から後部ギャッ
プに延びる第１の磁極層と、エア・ベアリング面から後
部ギャップに延びる第２の磁極層と、を有し、第１の絶
縁層、コイル層及び第２の絶縁層は第１の磁極層と第２
の磁極層との間に位置し、第１の磁極層と第２の磁極層
は後部ギャップで磁気的に接続された、前記（１５）記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１７）請求項１の薄膜磁気書込みヘッドを有し、読取
りヘッド・シールド層並びに読取りヘッド・シールド層
を有する第１の磁極層を更に有する、読取り／書込み磁
気ヘッド。 （１８）ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリコン、シ
リコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエッチング
可能な材料のグループから選択された材料で組立てられ
た、前記（１）記載の薄膜磁気書込みヘッド。 （１９）ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた
回転可能な磁気ディスクと、磁気ディスクを回転させる
ための手段と、磁気ディスクの回転に対応し、磁気ディ
スクと変換関係のある読取り／書込みヘッドをサポート
するハウジング内に取り付けられたスライダを持つサポ
ート手段と、を有する、前記（１８）記載の読取り／書
込みヘッドを有するディスク駆動装置。 （２０）エア・ベアリング面とゼロ・スロート・レベル
間に配置された磁極端領域と、ゼロ・スロート・レベル
から後方へ後部ギャップまで延び且つ後部ギャップを含
む後部領域とを有する薄膜磁気書込みヘッドの製造方法
であって、磁極端領域に磁極端部並びに後部領域に後面
部を持つ第１の磁極層を形成するステップと、磁極端領
域においてトレンチを与えるノッチ構造体を磁極端領域
の第１の磁極層の上に形成するステップと、トレンチ構
造体のノッチの内側に少なくとも１つの磁極端層を形成
するステップと、ノッチ構造体と後部領域の後面部によ
ってサポートされた磁極端領域の磁極端部を有する第１
の磁極層の上に第２の磁極層を形成するステップと、少
なくとも１つの磁極端層を第１の磁極層または第２の磁
極層の何れかに磁気的に接続するステップと、を有する
製造方法。 （２１）前記ノッチ構造体を形成するステップが上部導
電層を有する前記ノッチ構造体を形成するステップを更
に有する、前記（２０）記載の製造方法。 （２２）前記磁極端領域と前記後部ギャップの間の第１
の磁極層の上部に少なくとも１つのコイル構造体を形成
するステップと、前記磁極端領域と前記後部ギャップの
間の少なくとも１つのコイル構造体の上部に絶縁層を形
成するステップと、後部領域での非磁性体の導電性のギ
ャップ層の形成が磁極端領域と後部ギャップ間の前記絶
縁層の上部に形成される、磁極端領域と後部領域に非磁
性体の導電性のギャップ層を形成するステップと、を有
し、これらのステップがノッチ構造体の形成前に行われ
る、前記（２１）記載の製造方法。 （２３）トレンチの第２の磁極端層の形成、並びに第１
の磁極層の上部への第２の磁極層の形成は、磁極端領
域、並びに磁極端領域と後部ギャップ間の後部領域に位
置する非磁性体の導電性のギャップ層と、ノッチ構造体
の上部導電層とをシード層として使用し、１ステップの
フレーム・プレーティングで行う、前記（２２）記載の
製造方法。 （２４）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（２
３）記載の製造方法。 （２５）前記ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面
を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を
有するのであって、前記ベースは内部前面部、外部後面
部及び１対の外部側面部を有し、各脚は外部前面部、内
部側面部及び外部側面部を有し、ベースの外部側面部は
脚の外部側面部と隣接し、脚の前面部は、エア・ベアリ
ング面の一部を形成する共通平面に置かれ、前記ベース
の前面部と脚の内部側面部は、磁極端領域のＵ形状の層
にトレンチを形成する、前記（２４）記載の製造方法。 （２６）Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前面部は、実
質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成す
る平面に置かれる、前記（２５）記載の製造方法。 （２７）第１の磁極層とノッチ構造体の上部への非磁性
体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの磁極端
層をギャップ層上に直接形成させるステップを更に有す
る、前記（２６）記載の製造方法。 （２８）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（２６）記載の製造方法。 （２９）非導電性の磁気ギャップ層を第１の磁極層及び
ノッチ構造体の上部に形成し、少なくとも１つの磁極端
層がギャップ層の上部に直接形成されるステップを更に
有する、前記（２０）記載の製造方法。 （３０）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（２０）記載の製造方法。 （３１）ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面を持
つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を有
し、ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側
面部を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側
面部を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣
接し、脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成
する共通平面に置かれ、ベースの前面部と脚の内部側面
部は、磁極端領域のＵ形状の層にトレンチを形成する、
前記（２０）記載の製造方法。 （３２）第１の磁極層とノッチ構造体の上部への非磁性
体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの磁極端
層をギャップ層上に直接に形成させるステップを更に有
する、前記（３１）記載の製造方法。 （３３）少なくとも１つの磁極端層を形成するステップ
が、第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の
磁極端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続す
るステップと、ギャップ層を第１の磁極端層の上部のト
レンチ内に形成するステップと、第２の磁極端層をギャ
ップ層の上部のトレンチ内に形成し、第２の磁極端層を
磁極端領域の第２の磁極層に磁気的に接続するステップ
と、を有する、前記（３１）記載の製造方法。 （３４）前記Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前面部
は、実質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを
形成する平面に置かれる、前記（３１）記載の製造方
法。 （３５）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（３
１）記載の製造方法。 （３６）前記ノッチ構造体の形成ステップは、二酸化ケ
イ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異
方性的にエッチング可能な材料のグループから選択され
た材料でノッチ構造体を形成することを含む、前記（２
０）記載の製造方法。
【００５０】
【発明の効果】本発明の実施により、磁束飽和を回避す
る、サブミクロンの狭いトラック幅を有する薄膜磁気書
込みヘッド及びその製造方法を提供できる。
る、サブミクロンの狭いトラック幅を有する薄膜磁気書
込みヘッド及びその製造方法を提供できる。
【図１】本発明の薄膜磁気書込みヘッドを使用する、実
寸法でない、磁気ディスク駆動装置の概略図である。
寸法でない、磁気ディスク駆動装置の概略図である。
【図２】磁気ディスクのトラック上に位置決めされた磁
気ヘッドの概略図である。
気ヘッドの概略図である。
【図３】様々な詳細を例示するために一部が取り除かれ
た、薄膜複合ヘッドの等角図である。
た、薄膜複合ヘッドの等角図である。
【図４】様々な詳細を例示するために一部が取り除かれ
た、薄膜磁気書込みヘッドの平らな概略図である。
た、薄膜磁気書込みヘッドの平らな概略図である。
【図５】従来技術における薄膜磁気書込みヘッドの前面
部の概略図である。
部の概略図である。
【図６】従来技術における薄膜磁気書込みヘッドの前面
部の概略図である。
部の概略図である。
【図７】本発明に従って組立てられた薄膜磁気書込みヘ
ッドの第１の実施例の水平方向の断面図である。
ッドの第１の実施例の水平方向の断面図である。
【図８】図７で例示された第１の実施例の磁極端部の拡
大図である。
大図である。
【図９】図８の磁極端領域を９０度回転させて示した図
である。
である。
【図１０】図８で例示された磁極端領域の平面図であ
る。
る。
【図１１】本発明に従って組立てられた薄膜磁気書込み
ヘッドの第２の実施例における磁極端領域の概略断面図
である。
ヘッドの第２の実施例における磁極端領域の概略断面図
である。
【図１２】エア・ベアリング面を形成する、図１１で例
示された磁極端領域の部分図である。
示された磁極端領域の部分図である。
【図１３】図１１で例示された磁極端領域の平面図であ
る。
る。
【図１４】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図１５】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図でる。
けるプロセス・ステップを表す概略図でる。
【図１６】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図１７】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図１８】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図１９】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２０】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２１】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２２】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２３】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２４】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２５】本発明の薄膜磁気書込みヘッドの組立てにお
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
けるプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２６】本発明に従って組立てられた薄膜磁気書込み
ヘッドの他の実施例の水平方向の断面図である。
ヘッドの他の実施例の水平方向の断面図である。
【図２７】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２８】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
【図２９】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
【図３０】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
【図３１】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
【図３２】図２６で示された薄膜ヘッドの組立てにおけ
るプロセス・ステップを表す概略図である。
るプロセス・ステップを表す概略図である。
４０ ディスク駆動装置 ４４ 磁気ディスク ４６ モータ ４８ スライダ ４９ 磁気ディスク表面 ５０ 読取りヘッド ５２ 書込みヘッド ５４ エア・ベアリング面（ＡＢＳ） ５６ ヘッド・サスペンション・アセンブリ（ＨＳＡ） ５８ ハウジング ５９ 駆動電子部品 ６０ 書込みヘッド ６２ トラック ６４ デジタル情報 ６６ 磁気抵抗素子 ６８ 第１のギャップ層 ７０ 第２のギャップ層 ７２ 第１のシールド層 ７４ 第２のシールド層 ８０ コイル層 ８２ フォトレジスト層 ８４ 磁極端領域 ８６ 上部磁極層 １００ 薄膜磁気書込みヘッド １０２ 下部磁極層 １０４ 上部磁極層 １０６ ギャップ層 １０７ 磁極端領域 １１０ コイル １１２ 第１のリード線 １１４ 第２のリード線 １２０ マスク １２０、２０４、２１０ ノッチ構造体 １２２ ベース １２４、１２６ 脚 １２８ 内部前面部 １３０ 外部後面部 １３２、１３４ 外部側面部 １３６、１３８ 外部前面部 １４８、２１０ トレンチ １５２、１７２、２０８ Ｕ形状の層 １６４ 二酸化ケイ素層の上部面 １６６ フォトレジスト層 １６８ フォトレジスト・マスク １７０ エッチング可能な層（金属層） １７６ 二酸化ケイ素層 ２００ 磁気書込みヘッド ２０２ ギャップ／シード層 ２０４ ノッチ構造体 ２０６ 二酸化ケイ素層 ２０８ シード層 ２１２ フォトレジスト・フレーム ２１４、２１６ シード層部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コチャン・ジュ アメリカ合衆国カリフォルニア州サン・ホ セ、マクアビー・ロード 6506 (72)発明者 ネイル・レスリー・ロバートソン アメリカ合衆国95008、カリフォルニア州 キャンベル、ベント・ドライブ 1125 (72)発明者 ヒューゴ・アルバート・エミリオ・サンチ ニ アメリカ合衆国95119、カリフォルニア州 サン・ホセ、ボデガ・ウェイ 339
Claims (36)
- 【請求項１】磁極端領域に磁極端部並びに後部領域に後
面部を有する第１の磁極層と、 前記磁極端領域の前記第１の磁極層上に形成され、前記
磁極端領域にトレンチを形成するノッチ構造体と、 前記磁極端領域に前記磁極端部並びに前記後部領域に前
記後面部を有し、前記第１の磁極層上に形成された第２
の磁極層と、 後部領域において前記第１の磁極層に接続され、前記ノ
ッチ構造体上に形成された前記第２の磁極層の磁極端部
と、 前記第１の磁極層と前記第２の磁極層との間に形成され
たギャップ層と、 前記第１の磁極層或いは前記磁極端領域の前記第２の磁
極端層に接続され、且つ前記トレンチに形成された少な
くとも１つの磁極端層と、 を有する、多層磁極端領域と後部領域を持つ薄膜磁気書
込みヘッド。 - 【請求項２】前記ノッチ構造体の上部に導電層を有す
る、 請求項１記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項３】前記磁極端領域と前記後部ギャップ間に配
置され、前記第１の磁極層の上部に形成された少なくと
も１つのコイル構造体と、 前記磁極端領域と前記後部ギャップ間に配置され、前記
少なくとも１つのコイル構造体の上部に形成された絶縁
層と、 前記第１の磁極層と前記第２の磁極層間に形成され、且
つ前記絶縁層の上部に形成されたギャップ層と、 非磁性体のギャップ層と、 を有する、請求項２記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項４】前記トレンチに形成された前記少なくとも
１つの磁極端層と、単一の層である第１の磁極層と、 を有する、請求項３記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項５】前記ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリ
コン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエ
ッチング可能な材料のグループから選択された材料で組
立てられた、請求項４記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項６】ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表面
を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚を
有し、 ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側面部
を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側面部
を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣接
し、 脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成する共
通平面に置かれ、 前記ベースの前面部と前記脚の内部側面部は、磁極端領
域のＵ形状の層にトレンチを形成する、 請求項５記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項７】Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実質
的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成する
平面に置かれる、請求項６記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 - 【請求項８】前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及び
前記ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つの
磁極端層はギャップ層上に直接形成される、請求項７記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項９】トレンチ内で形成され、磁極端領域の第１
の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層と、 トレンチ内で形成され、磁極端領域の第２の磁極層に磁
気的に接続された第２の磁極端層と、 前記第１の磁極端層と前記第２の磁極端層間のトレンチ
内で全体的に形成されたギャップ層と、 を有する、請求項７記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１０】前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及
び前記ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つ
の磁極端層はギャップ層上に直接形成される、請求項１
記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１１】前記トレンチ内で形成され、磁極端領域
の前記第１の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端
層と、 前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の前記第２の磁
極層に磁気的に接続された第２の磁極端層と、 前記第１の磁極端層と前記第２の磁極端層間の前記トレ
ンチ内に全体的に置かれたギャップ層と、 を有する、請求項１記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１２】ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表
面を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚
を有するのであって、 ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側面部
を有し、各脚は外部前面部、内部前面部及び外部側面部
を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣接
し、 脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成する共
通平面に置かれ、 前記ベースの前面部と脚の内部側面部は、磁極端領域の
Ｕ形状の層にトレンチを形成する、 請求項１記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１３】前記ギャップ層は、前記第１の磁極層及
び前記ノッチ構造体の上部に形成され、少なくとも１つ
の磁極端層はギャップ層上に直接形成される、請求項１
２記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１４】前記トレンチ内で形成され、磁極端領域
の第１の磁極層に磁気的に接続された第１の磁極端層
と、 前記トレンチ内で形成され、磁極端領域の第２の磁極層
に磁気的に接続された第２の磁極端層と、 前記第１の磁極端層と前記第２の磁極端層間のトレンチ
内で全体的に形成されたギャップ層と、 を有する、請求項１２記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１５】Ｕ形状のマスクのベースの前面部は、実
質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを形成す
る平面に置かれる、請求項１２記載の薄膜磁気書込みヘ
ッド。 - 【請求項１６】前記ゼロ・スロート・レベルから後方へ
離隔した後部ギャップと、 前記ゼロ・スロート・レベルと前記後部ギャップ間に配
置された第１の絶縁層、コイル層及び第２の絶縁層と、 エア・ベアリング面から後部ギャップに延びる第１の磁
極層と、 エア・ベアリング面から後部ギャップに延びる第２の磁
極層と、 を有し、第１の絶縁層、コイル層及び第２の絶縁層は第
１の磁極層と第２の磁極層との間に位置し、第１の磁極
層と第２の磁極層は後部ギャップで磁気的に接続され
た、 請求項１５記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１７】請求項１の薄膜磁気書込みヘッドを有
し、読取りヘッド・シールド層並びに読取りヘッド・シ
ールド層を有する第１の磁極層を更に有する、読取り／
書込み磁気ヘッド。 - 【請求項１８】ノッチ構造体は、二酸化ケイ素、シリコ
ン、シリコン窒化物及びカーボンを含む異方性的にエッ
チング可能な材料のグループから選択された材料で組立
てられた、請求項１記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項１９】ハウジングと、 ハウジング内に取り付けられた回転可能な磁気ディスク
と、 磁気ディスクを回転させるための手段と、 磁気ディスクの回転に対応し、磁気ディスクと変換関係
のある読取り／書込みヘッドをサポートするハウジング
内に取り付けられたスライダを持つサポート手段と、 を有する、請求項１８記載の読取り／書込みヘッドを有
するディスク駆動装置。 - 【請求項２０】エア・ベアリング面とゼロ・スロート・
レベル間に配置された磁極端領域と、ゼロ・スロート・
レベルから後方へ後部ギャップまで延び且つ後部ギャッ
プを含む後部領域とを有する薄膜磁気書込みヘッドの製
造方法であって、 磁極端領域に磁極端部並びに後部領域に後面部を持つ第
１の磁極層を形成するステップと、 磁極端領域においてトレンチを与えるノッチ構造体を磁
極端領域の第１の磁極層の上に形成するステップと、 トレンチ構造体のノッチの内側に少なくとも１つの磁極
端層を形成するステップと、 ノッチ構造体と後部領域の後面部によってサポートされ
た磁極端領域の磁極端部を有する第１の磁極層の上に第
２の磁極層を形成するステップと、 少なくとも１つの磁極端層を第１の磁極層または第２の
磁極層の何れかに磁気的に接続するステップと、 を有する製造方法。 - 【請求項２１】前記ノッチ構造体を形成するステップが
上部導電層を有する前記ノッチ構造体を形成するステッ
プを更に有する、請求項２０記載の製造方法。 - 【請求項２２】前記磁極端領域と前記後部ギャップの間
の第１の磁極層の上部に少なくとも１つのコイル構造体
を形成するステップと、 前記磁極端領域と前記後部ギャップの間の少なくとも１
つのコイル構造体の上部に絶縁層を形成するステップ
と、 後部領域での非磁性体の導電性のギャップ層の形成が磁
極端領域と後部ギャップ間の前記絶縁層の上部に形成さ
れる、磁極端領域と後部領域に非磁性体の導電性のギャ
ップ層を形成するステップと、 を有し、これらのステップがノッチ構造体の形成前に行
われる、 請求項２１記載の製造方法。 - 【請求項２３】トレンチの第２の磁極端層の形成、並び
に第１の磁極層の上部への第２の磁極層の形成は、 磁極端領域、並びに磁極端領域と後部ギャップ間の後部
領域に位置する非磁性体の導電性のギャップ層と、 ノッチ構造体の上部導電層とをシード層として使用し、
１ステップのフレーム・プレーティングで行う、 請求項２２記載の製造方法。 - 【請求項２４】前記ノッチ構造体の形成ステップは、二
酸化ケイ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを
含む異方性的にエッチング可能な材料のグループから選
択された材料でノッチ構造体を形成することを含む、請
求項２３記載の製造方法。 - 【請求項２５】前記ノッチ構造体は、第１の表面と第２
の表面を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対
の脚を有するのであって、 前記ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側
面部を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側
面部を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣
接し、 脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成する共
通平面に置かれ、 前記ベースの前面部と脚の内部側面部は、磁極端領域の
Ｕ形状の層にトレンチを形成する、 請求項２４記載の製造方法。 - 【請求項２６】Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前面部
は、実質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベルを
形成する平面に置かれる、請求項２５記載の製造方法。 - 【請求項２７】第１の磁極層とノッチ構造体の上部への
非磁性体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの
磁極端層をギャップ層上に直接形成させるステップを更
に有する、請求項２６記載の製造方法。 - 【請求項２８】少なくとも１つの磁極端層を形成するス
テップが、 第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の磁極
端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続するス
テップと、 ギャップ層を第１の磁極端層の上部のトレンチ内に形成
するステップと、 第２の磁極端層をギャップ層の上部のトレンチ内に形成
し、第２の磁極端層を磁極端領域の第２の磁極層に磁気
的に接続するステップと、 を有する、請求項２６記載の製造方法。 - 【請求項２９】非導電性の磁気ギャップ層を第１の磁極
層及びノッチ構造体の上部に形成し、少なくとも１つの
磁極端層がギャップ層の上部に直接形成されるステップ
を更に有する、請求項２０記載の製造方法。 - 【請求項３０】少なくとも１つの磁極端層を形成するス
テップが、 第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の磁極
端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続するス
テップと、 ギャップ層を第１の磁極端層の上部のトレンチ内に形成
するステップと、 第２の磁極端層をギャップ層の上部のトレンチ内に形成
し、第２の磁極端層を磁極端領域の第２の磁極層に磁気
的に接続するステップと、 を有する、請求項２０記載の製造方法。 - 【請求項３１】ノッチ構造体は、第１の表面と第２の表
面を持つ一般にＵ形状の層を形成するベースと１対の脚
を有し、 ベースは内部前面部、外部後面部及び１対の外部側面部
を有し、各脚は外部前面部、内部側面部及び外部側面部
を有し、ベースの外部側面部は脚の外部側面部と隣接
し、 脚の前面部は、エア・ベアリング面の一部を形成する共
通平面に置かれ、 ベースの前面部と脚の内部側面部は、磁極端領域のＵ形
状の層にトレンチを形成する、請求項２０記載の製造方
法。 - 【請求項３２】第１の磁極層とノッチ構造体の上部への
非磁性体のギャップ層の形成、並びに少なくとも１つの
磁極端層をギャップ層上に直接に形成させるステップを
更に有する、請求項３１記載の製造方法。 - 【請求項３３】少なくとも１つの磁極端層を形成するス
テップが、 第１の磁極端層をトレンチの内側に形成し、第１の磁極
端層を磁極端領域の第１の磁極層に磁気的に接続するス
テップと、 ギャップ層を第１の磁極端層の上部のトレンチ内に形成
するステップと、 第２の磁極端層をギャップ層の上部のトレンチ内に形成
し、第２の磁極端層を磁極端領域の第２の磁極層に磁気
的に接続するステップと、 を有する、請求項３１記載の製造方法。 - 【請求項３４】前記Ｕ形状のノッチ構造体のベースの前
面部は、実質的に平らであり且つゼロ・スロート・レベ
ルを形成する平面に置かれる、請求項３１記載の製造方
法。 - 【請求項３５】前記ノッチ構造体の形成ステップは、二
酸化ケイ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを
含む異方性的にエッチング可能な材料のグループから選
択された材料でノッチ構造体を形成することを含む、請
求項３１記載の製造方法。 - 【請求項３６】前記ノッチ構造体の形成ステップは、二
酸化ケイ素、シリコン、シリコン窒化物及びカーボンを
含む異方性的にエッチング可能な材料のグループから選
択された材料でノッチ構造体を形成することを含む、請
求項２０記載の製造方法。
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|---|---|---|---|
| US229484 | 1981-01-29 | ||
| US22948494A | 1994-04-19 | 1994-04-19 |
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| JP (1) | JP2784431B2 (ja) |
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