KR0149971B1 - 박막형 자기판독 및 기록헤드와 그 제조방법 - Google Patents

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윌리암 티. 엘리스
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Abstract

본 발명은 두개의 극층중 하나의 층상에 위치한 노치구조를 갖는 박막 자기기록헤드를 제공한다. 상기 노치 구조는 헤드의 극팁 영역에서 하나 또는 그 이상의 극팁 층들은 한정하기 위해 U자형 내측에 트렌치를 형성하는 일반적으로 U자형 박막층이다. 상기 노치구조는 공기 베어링면의 일부를 형성하는 평면중에 놓여 있는 U자형 부분의 레그들의 팁에서 정면을 갖는다. 상기 노치구조층의 두께는 트렌치에 위치한 하나의 극팁층의 두께나 또는 하나이상의 극팁층들의 두께와 거의 동일하다. 기록헤드를 제조하는 방법은 상기 노치구조를 형성하기 위한 초박막의 포토레지스트층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 노치구조가 양호하게 형성되어 하나 또는 그 이상의 극팁층들은 트렌치에서 매우 협소한 트랙폭을 갖고 양호하게 형성될 수 있다.

Description

박막형 자기판독 및 기록헤드와 그 제조방법
제1도는 본 발명의 박막 자기기록헤드(thin film magnetic write head)를 사용하는 자기 디스크 드라이브를 비율을 일정치 않게 개략적으로 도시한 도면.
제2도는 자기 디스크의 트랙상에 위치한 자기헤드의 개략도.
제3도는 박막 합체 헤드(thin film merged head)를 상세히 나타내기 위하여 여러 부분들을 분해하여 도시한 박막 합체 헤드의 등척도.
제4도는 박막 자기기록헤드를 상세히 나타내기 위하여 여러 부분들을 분해하여 도시한 박막 자기기록헤드의 개략적인 평면도.
제5 및 6도는 종래기술의 박막 자기기록헤드의 정면부에 대한 개략도.
제7도는 본 발명에 따라 구성된 박막 자기기록헤드의 제1실시예의 개략적인 종단면도.
제8a도는 제7도에서 도시한 제1실시예의 극팁부에 대한 확대도.
제8b도는 제8a도에서 도시한 극팁 영역을 90°회전시킨후의 형태도.
제8c도는 제8a도에서 도시한 극팁 영역의 상부 평면도.
제9a도는 본 발명에 따라 구성된 박막 자기기록헤드의 제2실시예에서의 극팁 영역에 대한 개략적인 단면도.
제9b도는 공기 베어링면(air bearing surface)을 형성하는 제9a도에서 도시한 극팁 영역의 일부에 대한 도시도.
제9c도는 제9a도에서 도시한 극팁 영역의 상부 평면도.
제10내지 21도는 본 발명의 박막 자기기록헤드의 구성시에 실행되는 처리 단계들을 나타내는 개략도.
제22도는 본 발명에 따라 구성된 박막 자기헤드의 다른 실시예에 대한 개략적인 종단면도.
제23내지 28도는 제22도에서 도시한 박막 자기헤드의 구성시에 실행되는 처리단계들을 나타내는 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
40 : 디스크 드라이브 50 : 판독헤드
48 : 슬라이더 52 : 기록헤드
62 : 트랙
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 박막 자기 기록헤드(thin film magnetic write head)에 관한 것으로, 특히 서브미크론 트랙폭(submicron trackwidth)을 갖는 박막 자기 기록헤드에 관한 것이다.
[관련 기술 설명]
자기 디스크 드라이브(magnetic disk drive)의 경우, 데이터는 디스크가 고속으로 회전하는 동안 디스크상에 위치하는 헤드라 불리는 자기 변환기에 의해 기록되고 판독되어 진다. 자기헤드는 디스크의 고속회전 때문에 발생하는 희박한 공기 쿠션(공기 베어링(air bearing))에 의해 디스크 표면상에서 지지되어지는 슬라이더상에 장착되어 있다. 디스크의 단위표면적당 기억되는 데이터의 양(표면적 밀도)을 증가시키기 위해서는 디스크 표면상의 더 좁은 트랙에 더 많은 데이터를 기록해야 한다.
자기기록의 표면적 밀도를 개선시키기 위한 주요한 한가지 방법은 기록헤드가 디스크상에서 기록할 수 있는 데이터의 트랙수를 증가시키는 것인데, 즉 인치당 트랙(tracks per inch) 즉 TPI를 증가시키는 것이다. 기록헤드의 TPI용량은 데이터 트랙폭을 결정짓는 헤드치수를 감소시킴으로써 증가되는데, 전형적으로 이러한 헤드치수를 헤드 트랙폭이라 한다.
전자기 기록(electromagnetic recording)의 경우, 박막 판독헤드와 기록헤드가 바람직한데 왜냐하면 이것들은 협소한 트랙폭과 높은 표면적 밀도를 제공할 수 있기 때문이다. 이들 헤드는 또한 제조가 용이하다. 여러가지 박막 제조기법을 사용해서 이러한 헤드들을 기판상에 일괄적으로(batches) 제조한 다음 개별화시킬 수 있다.
박막 기록헤드는 자기물질로 이루어진 박막들(층)로부터 형성되는 극편(pole pieces)이라 칭한다. 극팁(pole tip)의 영역에서, 극층은 트로트 높이(throat height)라 통칭하는 높이 치수를 갖는다. 완성된 기록헤드의 경우, 트로트 높이는 극층의 팁들(극팁들)을 연마함으로써 형성된 공기 베어링면(ABS)과, 하부극층(P1)과 상부극층(P2)이 자기 기록 갭에서 집중되는 제로 트로트 높이 레벨(제로 트로트 레벨) 사이를 측정한 것이다.
박막 자기기록헤드는 공기 베어링면과 제로 트로트 레벨간에 위치한 극팁 영역과, 제로 트로트 레벨에서 후방갭(back gap)까지 후방으로 연장하며 이 후방갭을 포함하는 후방영역(back region)을 포함하고 있다. 상기 기록헤드는 또한 상부극층 및 하부극층들을 포함하는 요크(yoke)를 갖고 있으며, 각각의 극층은 극팁 영역에 극팁부를, 후방 영역에 후방부를 갖고있다. 상기 극층들은 후방갭에서 서로 결합되어 있다. 박막 헤드의 제제중 중요한 사항은 기록헤드의 극팁들을 정확하게 한정하여 표면적 밀도를 극대화시키는 것이다. 공지되어 있는 바와 같이, 표면적 밀도는 부분적으로 트랙 길이의 밀리미터당 자속 반전수(the number of flux reversals)와, 또한 극팁들간의 갭의 길이(갭길이)에 의해 정해진다. 갭 길이를 축소시킴으로써, 트랙내의 비트밀도(bit density)는 증가하게 된다. 그러나, 갭 길이의 축소는 극팁들간의 자속 강도의 감소에 의해 제한을 받게 된다. 따라서, ABS에서 극팁 영역중의 극층들의 폭에 의해 정해지는 기록헤드의 트랙폭을 감소시키려는 방향으로 모든 노력들을 기울여왔다.
종래 기술에서 박막 자기기록헤드를 제조하는 공정에는 전형적으로 하나 또는 그 이상의 절연층들을 코일층의 상부에 형성한 후에 상부 극층을 형성하는 단계가 포함된다. 상기 절연층들은 전형적으로 베이킹(baking)에 의해 원래 위치에서 경화되어진 레지스트 물질(resist material)을 포함한다. 베이킹중에 레지스트층들은 전향으로 유동되어 극팁 영역에 대하여 후퇴되어진다. 상부 절연층의 최종 구성은 극팁 영역쪽으로 하향 슬롭되는 형태를 갖는다. 시드층(seed layer)이 증착된 다음 후막(thick)의 레지스트층이 증착되어진다. 이 레지스트층은 전형적으로 10미크론 이상의 두께를 가지며, 상부 절연층의 형태를 따라 극팁영역에서 실질적인 두께로 구조가 형성된다. 다음에 이 레지스트층은 상부 극층을 구성하기 위해 포토리소그래피(photolithography)에 의해 패턴 형성되어진다. 포토리소그래피 공정중에 패턴 형성 목적을 위해 레지스트층에 광을 투과시키는데, 레지스트층이 두꺼울수록 보다 많은 광이 측방향으로 산란하게 되어 포토레지스트 패턴의 엣지들은 불완전하게 한정되어진다. 이와같은 불완전한 한정 때문에 극팁 영역에서 제2극편을 한정하는 P2극층부에서 얻을 수 있는 가장 협소한 패턴은 4미크론 두께로 도금된 극팁의 경우 약 2미크론이다. 다음 단계는 P2극층을 도금하고 포토레지스트를 제거시키는 것이다. 결과적으로 P2극팁은 기록헤드의 트랙폭을 한정하는 약 2미크론의 폭을 갖게 된다. 트랙폭을 좀 더 감소시켜 트랙 밀도(TPI)를 증가시키는 것이 바람직할 것이다.
헤드를 박막의 갭층과 협소한 트랙폭으로 제조함에 있어서의 어려운 문제는 갭 길이가 감소됨에 따라 증가하게 되는 자속의 누설을 극소화시키는 것과, 협소한 극팁의 낮은 자속 레벨에서 발생하는 포화상태(SATURATION)를 피하는 것인데, 첫번째 문제는 ABS와 제로 트로트 레벨사이의 극팁 영역의 길이를 감소시킴으로써 경감될 수 있으며, 두번째 문제는 협소한 트랙폭을 제공하면서도 포화 상태를 피할 수 있는 본 발명에 의해 해결될 수 있다.
[발명의 요약]
본 발명은 포화상태를 피할 수 있는 협소한 트랙폭의 박막 자기기록헤드를 제공한다. 본 발명에 의하면, 서브미크론 트랙폭을 얻을 수 있다.
본 발명에서는 기록헤드의 제조중에 극팁영역의 원래 위치에 존재해 있는 노치구조(notch structure)를 이용하고 있다. 상기 노치구조는 U자형 모양으로 하는 것이 바람직하다. 이 U자형 모양에 의해 하나의 기부(base)와 한쌍의 레그(legs)를 갖는 노치구조가 제공된다. 상기 레그의 정면들은 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면에 놓여 있다. 이 기부의 정면과 레그의 내측면들에 의해 노치구조의 U자형 내측에 트렌치(trench)가 형성된다. P2와 같은 최소한 한 극층의 극팁부를 형성하는 협소한 극팁층이 상기 노치에 위치된다. 각각의 극층은 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면중에 놓이게 되는 정면을 갖고 있다. 본 발명의 일실시예에서는 노치에 극층 P2를 위한 단지 하나의 극팁 층만이 위치되어진다. 다른 실시예에서는 트렌치에 두 극층을 위한 극팁층들과 갭층이 위치되어진다. ABS의 평면에서 후방으로 제로 트로트 레벨까지 극층들은 극팁 층들보다 폭넓게 평행하게 위치되어 극팁 영역으로 또한 극팁 영역으로부터의 자속 전도를 위한 평행 통로가 제공되어 자속 전도 능력이 증가되어진다. 따라서 이러한 구조에 의해 포화 상태를 피할 수 있으며 기억된 데이터에 대한 높은 자속 밀도를 제공할 수 있다.
상술된 새로운 자기헤드를 제공함에 있어서의 중요사항은 노치구조를 제조하는 새로운 공정이다. 이러한 공정에는 헤드의 하부극층상에 이산화 실리콘과 같은 비등방성으로 에칭가능한 층을 형성하는 단계가 포함된다. 다음에 이산화 실리콘층상에 0.7내지 0.8미크론 두께의 초박막 레지스트층이 증착된다. 이러한 초박막 레지스트층은 포토마스크(photo mask)에 의해 패턴 형성되어진다. 레지스트층의 박막성으로 인해 사실상 광의 측방향 산란은 일어나지 않게 된다. 결과적으로 포토레지스트 패턴은 양호하게 한정된 엣지들을 갖게된다. 포토레지스트 마스크중 이산화 실리콘층의 상부 표면 일부는 노출 상태로 남아 있으며, 노출된 부분이 극팁 영역에서 U자형 모양이 되는 것이다. 포토레지스트층의 상부와 이산화실리콘 층의 노출된 상부 U자형 표면부상에 금속층이 형성되어진다. 노치가 요망되어지는 위치에 이산화실리콘 층상의 U자형 금속층을 남겨두고 포토레지스트 층상의 금속층과 함께 포토레지스트 층을 제거한다. 다음에 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE)을 이용하여 이산화실리콘 층을 U자형 금속층으로 피복되어진 부분만을 남겨놓고 제거함으로써 극팁 영역에는 금속층으로 피복된 U자형 이산화실리콘 노치구조만이 남겨지게 된다. 이러한 노치구조는 후속 공정 단계 동안에도 원래 위치에 존재하여 기록헤드의 일부분을 이루게 된다. 노치구조의 물질은 기록헤드의 동작에는 아무런 영향을 주지 않으나 실제로는 후속 공정단계의 물질들을 평탄화(planarizing)시키는데 도움이 되며 P2극층을 제로 트로트 레벨에서 멀리 떨어지게 하여 극층과 극팁 영역의 후방 사이에서의 바람직하지 않은 자속 누설을 방지시킨다.
본 발명의 목적은 서브 미크론 트랙폭과, 공기 베어링면의 평면에 평행한 평면중에 위치하는 제로 트로트 레벨을 갖는 박막 자기기록헤드를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 박막 자기기록헤드의 극팁 영역에서 필요에 따라 하나 또는 그 이상의 극팁층을 갖는 트랜치를 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 상기 목적들을 달성하는 것과, 박막 자기기록헤드의 동작에 적합한 트렌치를 형성하는 노치 구조물질을 제공하려는데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명부분을 참조함으로써 명백해질 것이다.
[적합한 실시예에 대한 상세한 설명]
도면을 참조해보면, 도면은 일정한 비율로 도시되지 않았으며 특징 부분들을 보다 잘 나타내기 위해 치수를 확대하여 도시하였고 또한 동일 부분에 대해서는 동일 참조번호를 부여하여 도시하였다. 제1도에서는 회전식 자기디스크(44)를 포함한 디스크 드라이브(40)를 도시하고 있다. 디스크(44)는 드라이브 제어원(도시하지 않음)으로부터의 제어신호에 응답하는 모터(46)에 의해 회전되어진다. 자기디스크(44)가 모터(46)에 의해 회전되면, 슬라이더(48)에 장착된 합체 헤드(merged head)가 공기 베어링에 의해 자기디스크(44)의 표면(49)을 지지한다. 합체 헤드는 판독 헤드(50)와 기록헤드(52)를 포함할 수 있다. 슬라이더(48)와 합체 헤드(50 및 52)의 하단면들은 형성중에 연마되어져 공기 베어링면(ABS, 54)이라 칭하는 공통 평면을 형성한다. ABS(54)는 자기디스크가 회전할 때 자기디스크(44)의 상면에서 거리 d만큼 떨어져 있다. 슬라이더(48)는 합체 헤드와 드라이브 전자 장치(59) 사이에서 판독 및 기록 신호들을 전달하기 위한 수단(도시되지 않음)을 포함하는 헤드 현수 어셈블리(HAS, 56)에 접속되어 있다. 드라이브의 상기 소자들은 드라이브 하우징(58)내에 장착되어진다.
제2도에서는 회전 자기디스크의 트랙(62)에 관련하여 기록헤드(60)를 개략적으로 도시하고 있다. 디지털 정보(64)를 자기디스크의 트랙상에서 유도되는 자속 반전 형태로 개략적으로 나타내고 있다. 트랙의 밀리미터 길이당 이들 자속 반전수가 기록헤드의 선형 즉 비트 밀도의 척도가 되는 것이다. 기록헤드 갭(도시되지 않음)의 길이가 줄어들면 비트 밀도는 증가한다. 지금까지, 얻을 수 있는 최적의 비트밀도는 갭 길이가 약 0.3미크론인 것이었다. 갭 길이가 0.3미크론보다 훨씬 줄어들게 되면 극팁간의 자속 밀도는 적합한 기록을 행하기에는 불충분한 것이된다. 그러나, 다른 중요한 척도가 되는 것이 기록헤드(60)의 TPI이다. 기록헤드의 극팁 소자의 폭이 협소해질수록, TPI는 증가된다. 따라서, 본 발명의 주 목적중 하나가 1미크론 이하의 폭을 갖는 기록헤드용 극팁 소자를 제공하는 것이지만 최적 길이를 약 0.3미크론으로 유지하고자 한다.
제3 및 4도에서는 박막 자기저항 판독헤드 및 박막 자기기록헤드를 포함하는 합체 헤드의 일부를 도시하였다. 판독헤드는 참조번호(50)로 표시하였으며, 기록헤드는 참조번호(52)로 표시하였다. 합체 헤드는 슬라이더(48)상에 장착된다. 제3도에서 도시한 바와 같이, 판독헤드(50)는 제1갭층(68)과 제2갭층(70)간에 샌드위치되어 있는 자기저항 소자(66)를 포함하며, 이들 갭층은 제1차폐층(72)과 제2차폐층(74) 사이에서 차례로 샌드위치 되어진다. 합체 헤드의 구성에 있어서는 판독 헤드의 제2차폐층(74)이 후술하는 바와 같이 기록헤드의 하부 극층으로서도 소용되는 것이 바람직할 수 있다.
제5 및 6도에서는 공기 베어링면(ABS)과 제로 트로트 레벨을 갖는 종래기술의 박막 자기기록헤드의 극팁 영역을 도시하고 있다. 종래기술의 경우, 상부극층은 전형적으로 코일층(80) 아래에서 절연층 I1을 형성하고 코일층(80) 위에서 하나 또는 그 이상의 절연층 I2를 형성한 후에 형성되어진다. 극팁 영역(84)에서 극팁 부분을 포함하여 P2극층을 형성하는데 후막의 포토레지스트층(82)을 사용한다. 극팁 영역(84)중의 포토레지스트층(82)의 두께에 의해 마스크는 양호하게 형성되지 못한다. 레지스트층의 두께가 얇을수록, 포토리소그래피 공정중에 광 산란이 적게 발생하므로 보다 양호한 마스크를 형성할 수 있다. 이와같은 종래 기술로부터 얻을 수 있는 최소한의 트랙폭은 4미크론 두께의 극층의 경우 약 2미크론이다. 제6도로부터 알 수 있는 바와 같이, 최종 형성된 상부극층(86)은 제로 트로트 레벨보다 앞선 위치에서 극팁 영역(84) 쪽으로 네크다운(neck down)되어 있다. 따라서, 상부극층의 극팁은 상부극층(86)의 평편부와 제로 트로트 레벨 사이에서 네크부(neck portion)를 갖고 있어 극팁을 비교적 낮은 기록 전류 레벨로 포화시킨다.
제7도에서는 본 발명의 박막 자기기록헤드의 일실시예(100)를 도시한 것이다. 기록헤드는 공기 베어링면(ABS)과 제로 트로트 레벨간에 위치한 극팁 영역(107)과 제로 트로트 레벨에서 후방갭까지 연장하며 후방갭(BG)을 포함하는 후방 영역을 포함한다. 헤드는 극팁 영역(107)까지 전이하는 자기물질의 상부극층 및 하부극층(102 및 104)을 포함한다. 극층(102 및 104)은 후방갭(BG)에서 서로 결합되어진다. 상부극층(102)과 하부극층(104) 사이에는 제1절연층 I1, 권선 코일(110) 및 하나 또는 그 이상의 절연층 I2가 존재한다. 제3 및 4도에서 도시된 바와같이, 제1도선(112)이 부분(113)에서 코일(110)의 일단에 접속되어 있으며 제2도선(114)은 코일의 다른 단(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 도선(112 및 114)을 통해 코일(110)에 가변전류가 공급되면, 상부극층(102) 및 하부극층(104)내로 자속반전이 유도되어진다. 이들 자속반전은 제7도에서 도시된 갭층(106)에 의해 형성된 극팁 영역(107)중의 갭 G전역에 걸쳐 ABS를 통해 데이터 기록을 위한 이동자기매체내로 연장되어진다. 자기매체의 트랙의 밀리미터 길이당 자속반전수에 의해 헤드의 선형밀도 즉 비트밀도가 정해진다. 자속반전수는 갭 G의 두께에 의해 정해지며, 자기매체의 폭당 트랙수(TPI)는 극팁 영역(107)의 폭에 의해 정해진다. 본 발명에서는 서브미크론 트랙폭을 갖는 유일의 박막 자기기록헤드 및 이 헤드를 제조하는 방법을 제공한다.
제7, 8a, 8b 및 8c도에서 도시된 바와같이, 박막 자기기록헤드(100)의 일실시예에서는 갭층(106)상에 노치구조(120)를 포함하고 있다. 이 노치구조는 기록헤드의 제조중에 기록헤드(100)내에 남겨진다. 상기 노치구조는 적합하게도 상단면 및 하단면(120T 및 120B)을 갖는 일반적으로 U자형층으로 되어 있으며, 후술될 바와같이 이 층의 두께에 의해 하나 또는 그 이상의 극팁층들의 전체 두께가 정해진다. 이 층의 두께는 통상 2 내지 3미크론이 될 것이다.
제8c도에서 도시된 바와같이, 노치구조(120)는 기부(122)와 한쌍의 레그(124 및 126)를 갖고 있다. 기부(122)는 내측정면(128), 외측배면(130) 및 한쌍의 외측면(132 및 134)을 갖고 있다. 레그(124 및 126) 각각은 외측 정면(136 및 138), 내측면(140 및 142) 및 외측면(144 및 146)을 갖고 있다. 기부의 외측면(132 및 134)은 각 레그의 외측면(144 및 146)과 접해 있으며, 레그의 정면(136 및 138)은 슬라이더 표면(도시되지 않음)을 포함하여 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면중에 위치한다.
기부의 정면(128)과 레그의 내측면(140 및 142)은 마스크의 U자형부 내측에서 트렌치(148)를 형성한다. 트렌치(148)는 하나 또는 그 이상의 극팁부들이 위치하는 영역을 제공한다.
제7, 8a, 8b 및 8c도에서 도시한 실시예에서는, 단지 하나의 극팁층 P2(T)만이 트렌치(148)에 위치되어 있다. 극팁층 P2(T)는 공기 베어링면의 일부를 형성하는 평면중에 위치하는 정면(150, 제8a도 참조)을 갖는다. 극팁층 P2(T)는 극팁 영역(107)에서 상부극층(104)의 부분(108) 아래에 위치된다. 이 실시예에서 갭층(106)은 하부극층(102)의 위에 직접 형성된다. 적합하게도, 모든 실시예에서 갭층(106)은 또한 하나 또는 그 이상의 극팁층들을 도금하는 시드층으로서도 소용되는 비자가 전도물질이다. 니켈-인, 니켈-몰리브덴, 니켈-크롬, 니켈-텅스텐, 금 및 구리가 갭/시드층으로서 적합한 물질이다. 갭/시드층은 마스크(120)의 배면(130)에서 종단될 수 있거나 제7도에서 도시된 후방갭까지 후방으로 연장될 수 있다. 도시된 바와같이, 판독헤드의 제2차폐층(74, 제3도 참조)은 하부극층(102)과 동일한 것일 수 있다.
제9a, 9b 및 9c도에서는 본 발명의 제2실시예를 도시하고 있다. 이 실시예에서의 노치구조(120)는 제1실시예에서 노치구조와 동일한데, 단지 트렌치(148)에서 다수의 극팁층을 수용하기 위해 높이가 높다는 것(층이 두터움)이 다르다. 이 실시예의 경우, 하부극층(102)과 자기 결합하여 극팁층 P1(T)이 제공된다. 다음에, 트렌치에 전기증착(electrodeposition)에 의해 도전갭층 G가 증착된다. 마지막으로서 트렌치(148)에서 상부극층(104) 아래에 자기층이 위치되어 극팁층 P2(T)을 형성한다.
제7, 8a, 8b및 8c도에서 도시한 제1실시예에서는 제9a, 9b 및 9c도에서 도시한 제2실시예에 비해 장점을 갖고 있는데, 즉 제조가 용이하다는 것이다. 제1실시예에서는 제조하기에 보다 작은 하나의 층을 갖고 있다. 그러나, 제8b도에서 도시된 바와같이, 하부극층(102)의 공간이 넓기 때문에 극팁층 P2(T)과 하부극층(102) 사이에는 약간의 오프-트랙 자속 누설(off-track flux leakage)이 존재하게 되어 헤드에 의한 잘못을 기록이 발생할 수도 있다. 반대로, 제9a, 9b, 9c도에서 도시한 제2실시예에서는 갭층 G에 대하여 대칭으로 위치된 두개의 극팁층 P1(T) 및 P2(T)를 갖는다. 이 실시예에서의 자속전이는 오기록이 덜 발생되므로 연속될 수 있다.
제7, 8a 및 8b도에서 도시한 바와같이, 극팁 P2(T)는 부분(116)에서 상부극층(P2)에 자기결합되어 있다. 극팁층 P2(T)의 정면과 상부극층(104)중 극팁부(108)의 정면 모두는 공기 베어링면을 형성하는 평면중에 위치된다. 이 실시예에서는 하부극층(102)의 정면도 또한 공기 베어링면의 평면중에 위치해 있다.
제9a, 9b 및 9c도에서 도시한 제2실시예의 경우, 전향 연장부분(108)의 정면, 극팁층 P2(T)의 정면, 갭층(106)의 정면, 극팁층 P1(T)의 정면 및 하부층(102)의 정면 모두 공기 베어링면의 평면중에 위치되어 있다.
본 발명의 중요한 특징은 트렌치내의 극팁 영역이 협소하여 협소한 트랙폭을 제공하는 것인데, P2극층에서 보다 넓은 부분(108)이 극팁층과 접하여 ABS에서 제로 트로트 레벨까지 극팁층과 자기적으로 평행하여 추가의 자속전도 용량을 제공함으로써 헤드가 높은 기록 전류에서 포화되는 것이 방지되며, 또한, 노치구조의 높이에 의해 헤드의 구조가 평탄화되어, 기록갭에서 상부극층(104)이 분리되어짐으로써 상부극층에서 하부극층까지 ABS에서의 자속 누설이 최소화된다.
노치구조(120)의 물질을 비등방성으로 에칭하는 것이 중요한다. 이러한 목적에 적합한 물질들이 이산화실리콘, 질화실리콘 및 탄소이다. 노치구조(120)의 에칭을 증진시키기 위해 U자형 상부층(152)을 사용하였다(제7도 참조). 이 층(152)의 물질은 등방성으로 에칭할 수 있다. 이러한 목적에 적합한 물질들이 포토레지스트, 금속 및 산화알루미늄이다. 층(152)은 노치구조(120)와 함께 처리 단계중에 헤드에 남아 최종 헤드의 일부를 형성한다.
[박막자기헤드 제조방법]
제10도 내지 20도에서는 제7, 8a, 8b 및 8c도에서 도시한 제1실시예의 박막 자기헤드를 제조하는 처리단계의 순서를 도시한 것이다. 제10 및 11도에서 도시된 바와 같이, 하부극층(102)은 공지의 자기물질로 형성되며, 하부극층은 극팁 영역에서 극팁부와 후방영역 BG에서 후방부를 갖고 있다. 상술된 바와같이, 합체 헤드의 경우 하부극층(102)은 제3도에서 도시된 자기저항 판독헤드의 제2차폐층(74)을 포함할 수 있다. 제12도에서 도시한 바와같이, 하부극층(102)상에는 비자기 도전 갭/시드층(106)이 형성된다. 갭/시드층으로 적합한 물질들은 상기에서 기술하였다. 갭/시드층은 두가지 목적에 소용되는데 하나는 차후로 형성되는 극팁의 갭 G를 제공하기 위한 것이며, 다른 하나는 극팁 영역에서 자기 극팁층 P2(T)를 도금시키는 시트층으로서 사용하기 위한 것이다.
제13도에서 도시한 바와같이, 갭/시드층에 이산화실리콘과 같은 비등방성 에칭가능한 층이 형성된다. 이 층의 두께는 차후에 형성될 하나 또는 그 이상의 극팁층들의 두께 또는 조합된 두께와 동일해야 한다. 제14도에서 도시한 바와같이, 이산화실리콘층상에 포토레지스트층이 형성된다. 이 포토레지스트층은 서브미크론 것으로 0.7내지 0.8미크론 정도이다. 이러한 박막성 때문에 포토마스킹중에 레지스트층으로 전달되는 광이 거의 산란하지 않게 되므로 제15도의 부분(160)에는 양호하게 한정되어진 포토레지스트 마스크가 제공되어진다. 이포토레지스트 마스크중 이산화실리콘층의 상면(164)의 U자형부가 노출되어 있다. 상기 U자형부는 극팁 영역을 둘러싸도록 형성되어 있다. 극팁 영역은, 하나 또는 그 이상의 극팁층들이 형성되어지며 포토레지스트 마스크중 나머지의 U자형부내에 대칭으로 위치되어진 볼륨(Volume)상에 직접 형성된 박막의 포토레지스트층(166)에 의해 피복된다.
제16도에서 도시된 바와같이, 초박형의 등방성 에칭가능한 층(170)이 웨이퍼 전체를 피복하고 있다. 이 층의 두께는 0.1미크론 정도가 될 수 있으며, 이 층으로서는 적합한 물질들은 상기에서 기술하였다. 이하에서는 층(170)을 금속층으로 기술하고자 한다. 금속층(170)의 대부분은 포토레지스트층(166 및 168)상에 형성된다는 것에 주목할 필요가 있다. 그러나, 이 금속층중 매우 중요한 부분은 이산화실리콘층상의 U자형부(172)에서 형성된다. 제17도에서는 제14도의 포토레지스트층을 용액으로 현상하여 제거한 후에 부분적으로 완성된 헤드의 구성을 도시한 것으로, 극팁 볼륨 주위에 위치된 U자형 금속층(172)은 차후에 형성될 것이다.
다음에 제18도에서 도시한 바와같이, 웨이퍼는 희망의 노치구조(120)를 형성하는 U자형 이산화실리콘층(176)을 제외하고 이산화실리콘층을 갭/시드층까지 아래로 제거시키는 반응성 이온에칭(RIE) 처리를 받는다. 이러한 노치구조는 또한 초박형의 상부 U자형 금속층(172)을 포함한다. 전체적인 노치구조는 이산화실리콘층(176) 및 금속층(172)을 포함하여 헤드에 남겨져 최종 산물의 일부를 형성한다. U자형 노치구조(120)는 하나 또는 그 이상의 극팁층들을 후속 형성하기 위한 트렌치(148)를 제공한다.
제7, 8a, 8b 및 8c도에서 도시한 본 발명의 제1실시예에서는 트렌치(148)에 단일의 극팁층 P2(T)이 형성된다. 이 극팁층은 제19도에서 도시되어 있으며, 본질적으로는 제7도에서 도시된 상부극층(104)과 자기결합되어 있는 자기층이다. 이 실시예의 경우 갭/시드층(106)은 극팁의 갭 G로서도 소용된다.
제7도에서 도시한 바와같이, 상부극층(104)을 형성하기 전에 제로 트로트 레벨과 후방갭 사이의 영역에서 제1절연층 I1, 코일층 및 하나 또는 그 이상의 절연층 I2을 형성한다.
노치구조(120)는 이들 층에 대한 형상을 제공하여 이들 층을 제로 트로트 레벨에서 멀리 떨어지게 하며 또한 헤드의 평탄화를 증진시킨다.
제20도에서 도시한 바와같이, 상부극층(104)은 극팁 영역의 부분(108)으로 전이된다. 이 부분의 폭은 적당한 지지체를 마련하기 위해 노치구조(120)의 폭보다 작아야 한다. 상부극층(104)의 형성에 의해 제7 및 20도에서 도시된 부분(116)에서 극팁층 P2(T)의 상부층중 전방 부분(108)을 스티치(stitch)한다. 상부극층(104)이 형성되면 후방갭에서 하부극층(102)과 자기 결합되어진다. 이러한 결합을 행하기 위해서는 하나 또는 그 이상의 에칭 공정에 의해 후방 갭에서 비어(Via)를 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 판독 헤드의 제2차폐층(74)을 형성하는 단계에는 하부극층(102)을 형성하는 단계와 동일한 단계를 포함할 수 있다. 적합한 자기물질들은 예를들어 니켈-철을 포함할 수 잇다. 제20도에서는 모든 극팁 소자들 P1, 갭, P2 및 P2(T)가 공기 베어링면을 형성하는 평면중에 위치하는 정면을 갖고 있는 본 발명의 제1실시예의 ABS를 도시하고 있다.
제9a, 9b및 9c도에서 도시한 본 발명의 제2실시예는 제21도에서 도시된 바와 같이 구성된다. 이 경우, 트렌치에 자기층이 형성되어 극팁층 P1(T)을 형성하며, 트렌치에 비자기층이 형성되어 갭층 G를 형성하며, 트렌치에 자기층이 형성되어 극팁층 P2(T)를 형성한다.
제22도에서는 본 발명의 다른 실시예(200)를 도시하고 있다. 이 실시예는 자기기록헤드의 제조를 단순화시키는 구성 소자들을 갖는다는 점을 제외하고는 제7도에서 도시된 본 발명의 제1실시예(100)와 동일하다. 제22도에서 도시된 바와같이, 자기헤드의 실시예(200)에서 중요한 구조적인 차이점은 극팁 영역에서 제1극층(102)의 상부와, 제로 트로트 레벨과 후방갭 사이의 후방 영역에서 하나 또는 그 이상의 절연층 I2/I3의 상부의 G에서 비자기 도전층(202)이 형성된다는 것이다. 층(202)은 극팁 영역의 갭 G와 ABS에서 후방갭까지 내내 시드층으로서 소용된다. 이러한 갭/시드층으로서 적합한 물질은 상기에서 기술하였다. 실시예(200)에서는 또한 제7도의 실시예(100)의 노치구조(120)와 동일한 노치구조(204)를 갖는데, 단지 다른점은 노치구조(204)가 절연층 I1/I2/I3의 전향부분상에 형성된다는 것이다. 노치구조(204)가 후방 영역에서 연장되어진 이유는 상기 절연층들의 순방향 접합에서의 균일치 않음(unevenness)을 평탄화시켜 제2극층(104)이 자기헤드 구조의 극팁 영역에서 후방 영역으로 평탄한 전이를 하게 하기 위함이다. 제22도에서 도시된 바와같이, 일단 노치구조(204)가 절연층 I2/I3의 상부 평면에 이르게 되면 부분(206)에서 종단될 수 있다. 제22도에서 도시한 자기헤드(200)의 ABS는 P2와 P2(T)간의 쇼트라인(116)이 제거된 것을 제외하고는 제8b도에서 도시된 것과 동일하다.
제22도의 자기기록헤드(200)를 제조하는 방법의 일례를 제23내지 28도에서 도시하고 있다. 제23도에서 도시된 바와같이, 제1자기극층(102)이 종래기술의 방법과 동일하게 형성된다. 다음 단계에서는 제1극층(102)상에 제1절연층 I1층을 형성하고 제1절연층 I1상에 코일 구조(110)를 형성하고 코일구조(110)상에 하나 또는 그 이상의 절연층 I2/I3을 형성한다. 이들 층을 형성함에 있어서, 제1극층(102)을 형성한 다음에 이들 층을 형성하는 점이 제7도의 실시예(100)를 제조하는 방법과 다른점이다. 종래 방법의 경우, 이들 층(I1, 110 및 I2/I3)들은 제18도에서 도시된 노치구조(176)를 형성한 후에 제23도에서 도시된 바와같이 극팁 영역의 제1극층(102)과 층(I, 110및 I2/I3)상에 갭/시드층(202)이 형성된다. 갭/시드층(202)은 제로 트로트 레벨과 후방 갭사이에서 층(I1, 110 및 I2/I3)상에서 연장될 수 있으며 제23도에서 도시된 바와같이 선택적으로 후방갭을 지나서 연장될 수 있다. 다음 단계에서는 제23도에서 도시된 바와같이 갭/시드층(202)상에 이산화실리콘과 같은 비등방성 에칭가능한 층(204)을 형성시키는데, 이러한 단계는 제1방법인 제13도에서 도시한 이산화실리콘층을 형성하는 단계와 동일하다.
다음 단계에서는 이산화실리콘층(206)상에 U자형의 등방성 에칭가능한 박막층(208)을 형성한다. 이러한 U자형 박막층은 제25도에서 도시되어 있다. U자형 박막층(208)은 제14 내지 17도에서 도시된 제1방법에서 기술된 상기 단계로 형성될 수 있다. 층(208)으로서 적합한 물질들에 대해서는 상기에서 기술하였다. 다음 단계에서는 U자형층(208)을 이산화실리콘층(204)에서 트렌치(210)를 형성하기 위한 마스크로서 사용한다. 이 단계는 제26도에서 도시되어 있다. 트렌치(210)를 형성하는 적합한 방법은 웨이퍼를 반응성 이온 에칭(RIE)을 하는 것이다. 이산화실리콘(204)내에 형성된 트렌치(210)는 제1실시예의 제18도에서 도시된 트렌치(148)와 동일할 것이다. 반응성 이온 에칭에 의해 이산화실리콘층이 층(208)의 양측상과 전방 및 후방에서 제거되어, 제26도에서 도시된 구성이 제공된다.
다음 단계에서는 제27 및 28도에서 도시된 바와같이 제2극층(104)의 측방향 구성을 한정하기 위해 포토레지스트 프레임(212)을 의해 달성되는 제2극층(104)의 부분 도금을 도시하였다. 일단 전기 도금이 시드층(208)의 레벨에 이르게 되면 이 시드층(208)상에 도금이 형성되어 제28도에서 도시된 바와 같은 제2극층(104)의 구성이 완성된다. 상기한 바와 같이, 이 실시예의 장점은 극팁 P2T및 제2극층(104)을 한번의 프레임 도금단계로 증착시켜 하나의 층을 형성할 수 있다는 것이다. 이것은 제2극층이 제28도에서 도시된 극팁 P2T와 일체로 형성되는 대신에 극팁 P2T와 스트치된다는 점이 상기 실시예와 다르다. 완성후에는 제28도에서 도시된 구조는 ABS와 겹쳐질 수 있다.
제22내지 28도에서 도시된 제3실시예는 노치구조의 트렌치에 극팁 소자 P1T, G및 P2T를 구성하기 위한 제1실시예의 제9b 및 21도에서 도시된 방법들을 사용하여 변형될 수 있다. 이러한 방법에는 제26도에서 도시된 노치구조(210)를 형성한 후 여러 단계가 추가된다. 제9b 및 21도 및 상기에서 기술된 바와같이, 극팁 P1T가 노치구조(210)의 트렌치내에서 프레임 도금된 후 갭층(106)이 형성된다. 나머지 단계들은 제27 및 28도에서 기술된 것과 동일하다. 최종 구조에서의 ABS는 극팁 P2(T)와 제2극층 P2간의 쇼트 수평라인이 제거되어 이들 소자가 서로 일체로 형성되는 것을 제외하고는 제9b도에서 도시된 것과 동일하게 된다.
상기 모든 실시예의 경우, 노치구조와 극팁층의 양측상에서 충진되는 산화알루미늄층이 웨이퍼 전체에 증착되어 공기 베어링면의 일부를 형성한다. 이러한 단계는 도시하지는 않았지만 본 기술분야에서는 공지되어 있는 사실이다. 그러나 제3도에서는 산화알루미늄층을 참조번호(112)로 표시하고 있다.
상기한 바로부터 본 발명은 여러가지의 변형 및 수정이 가능하다. 따라서, 첨부된 청구범위의 범주내에서는 다른 여러 실시예가 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.

Claims (36)

  1. 다층의 극팁 영역(mutilater pole tip region)과 후방 영역(back region)을 갖는 박막자기기록헤드(thin film magnetic write head)에 있어서, 상기 극팁 영역에서 극팁부를 갖고 상기 후방 영역에서 후방부를 갖는 제1자기극층과, 상기 극팁 영역중의 제1자기극층상에 형성되어 극팁 영역에서 트렌치(trench)를 형성하는 노치구조(notch structure)와, 상기 제1자기극층상에 형성되며 상기 극팁 영역에서 극팁부를 갖고 상기 후방 영역에서 후방부를 갖는 제2자기극층으로서, 상기 후방 영역에서 상기 제1자기극층에 결합되어지며 이 제2자기극층의 극팁부는 상기 노치구조상에 형성되어지는 제2자기극층과, 상기 제1자기극층과 제2자기극층 사이에 형성된 갭층(gap layer)과, 상기 트렌치에 형성되며 상기 극팁 영역에서 상기 제1자기극층 또는 상기 제2자기극층에 결합되는 적어도 하나의 자기극팁층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노치구조의 상부에 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1자기극층상에 형성되며 상기 극팁 영역과 후방 갭 사이에 위치하는 적어도 하나의 코일 구조와, 상기 적어도 하나의 코일 구조상에 형성되며 상기 극팁 영역과 후방 갭 사이에 위치하는 절연층을 포함하며, 상기 갭층은 상기 절연층상에 형성되며 또한 상기 제1자기극층과 제2자기극층 사이에 형성되며, 비자기 층인 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 극팁층은 상기 트렌치내에 형성되며, 상기 제1자기극층은 단일층인 것을 특징으로 하는 박막자기기록헤드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 노치구조는 이산화실리콘, 질화실리콘 및 탄소를 포함하는 비등방성 에칭가능 물질 그룹에서 선택한 물질로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  6. 제5항에 있어서, 상기 노치구조는 제1표면 및 제2표면을 갖는 일반적으로 U자형층을 형성하는 기부(base)와 한쌍의 레그를 포함하며, 상기 기부는 내측 정면, 외측 배면 및 한쌍의 외측면을 가지며 레그 각각은 외측 정면, 내측면 및 외측면을 가지며, 상기 기부의 외측면들은 레그의 외측면들과 인접해 있으며, 상기 레그들의 정면은 공기 베어링면(air bearing surface)의 일부를 형성하는 공통 평면중에 위치해 있으며, 상기 기부의 정면과 레그의 내측면들이 극팁 영역에서 U자형층의 내측에서 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  7. 제6항에 있어서, U자형 마스크의 기부의 정면은 거의 평면이며 제로 트로트 레벨(zero throat level)을 형성하는 평면중에 위치해 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  8. 제7항에 있어서, 상기 갭층은 상기 제1자기극층상에 형성되며 상기 노치구조 및 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  9. 제7항에 있어서, 상기 트렌치내에 형성되며 상기 극팁 영역내의 제1자기극층에 자기 결합되어 있는 제1자기극팁층과, 상기 트렌치내에 형성되며 상기 극팁 영역내의 제2자기극층에 자기 결합되어 있는 제2자기극팁층을 더 포함하며, 상기 갭층은 상기 제1자기극팁층과 제2자기극팁층 사이의 트렌치에서 완전하게 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  10. 제1항에 있어서, 상기 갭층은 상기 제1자기극층상에 형성되며 상기 노치구조와 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  11. 제1항에 있어서, 상기 트렌치에 형성되며 상기 극팁 영역중의 제1자기극층에 자기 결합되어 있는 제1자기극팁층과, 상기 트렌치에 형성되며 상기 극팁 영역중의 제2자기극층에 자기 결합되어 있는 제2자기극팁층을 포함하며, 상기 갭층은 상기 제1자기극팁층과 제2자기극팁층 사이의 트렌치에서 완전하게 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  12. 제1항에 있어서, 상기 노치구조는 제1표면 및 제2표면을 갖는 일반적으로 U자형층을 형성하는 기부와 한쌍의 레그를 포함하며, 상기 기부는 내측정면, 외측배면 및 한쌍의 외측면을 갖고 있으며, 상기 각각의 레그들은 외측정면, 내측정면 및 외측면을 갖고 있으며, 상기 기부의 외측면은 레그의 외측면과 인접해 있으며, 상기 레그들의 정면은 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면중에 위치하며, 상기 기부의 정면과 레그의 측면들은 극팁 영역의 U자형 층 내측에서 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  13. 제12항에 있어서, 상기 갭층은 상기 제1자기극층상에 형성되며 상기 노치구조 및 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  14. 제12항에 있어서, 상기 트렌치에 형성되며 상기 극팁 영역중의 제1자기극팁층에 자기 결합되어지는 제1자기극팁층과, 상기 트렌치에 형성되며 상기 극팁 영역중의 제2자기극팁층에 자기 결합되어지는 제2자기극팁층을 더 포함하며, 상기 갭층은 상기 제1자기극팁층과 제2자기극팁층 사이의 트렌치에서 완전하게 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  15. 제12항에 있어서, U자형 마스크의 기부의 정면은 거의 평면이며 제로 트로트 레벨을 형성하는 평면중에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제로 트로트 레벨에서 후방으로 떨어져 있는 후방캡과, 상기 트로트 레벨과 후방갭 사이에 위치한 제1절연층, 코일층 및 제2절연층을 더 포함하며, 상기 제1자기극층은 상기 공기 베어링면에서 후방갭까지 연장되어 있으며, 상기 제2자기극층은 상기 공기 베어링면에서 후방갭까지 연장되어 있으며, 상기 제1절연층, 코일층 및 제2절연층은 상기 제1자기극층과 제2자기극층 사이에 위치하며, 상기 제1자기극층 및 제2자기극층은 후방갭에서 자기결합되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  17. 제1항의 박막 자기기록헤드를 포함하고, 판독헤드 차폐층을 더 포함하는 판독 및 기록자기헤드에 있어서, 제1자기극층은 상기 판독 헤드 차폐층을 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 및 기록자기헤드.
  18. 제1항에 있어서, 상기 노치구조는 이산화실리콘, 실리콘, 질화실리콘 및 탄소를 포함하는 비등방성 에칭가능 물질 그룹에서 선택한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드.
  19. 제18항의 판독 및 기록헤드를 포함하는 디스크 드라이브에 있어서, 하우징(housing)과, 상기 하우징내에 장착된 회전식 자기디스크와, 상기 자기디스크를 회전시키는 수단과, 슬라이더를 포함하며 상기 하우징내에 장착되어 상기 판독 및 기록헤드를 상기 자기디스크의 회전에 따라 상기 자기디스크에 대해 변환하는 관계로 지지하는 지지체(support)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브.
  20. 공기 베어링면과 제로 트로트(throat) 레벨 사이에 위치한 극팁 영역과, 상기 제로 트로트 레벨에서 후방갭까지 후방으로 연장하며 후방갭을 포함하는 후방 영역을 갖는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 극팁 영역에서 극팁부를 가지며 상기 후방 영역에서 후방부를 갖는 제1자기극층을 형성하는 단계와, 상기 극팁 영역중의 제1자기극층상에서 상기 극팁 영역에 트렌치를 제공하는 노치구조를 형성하는 단계와, 상기 트렌치의 노치구조 내측에 적어도 하나의 극팁층을 형성하는 단계와, 상기 노치구조에 의해 지지되는 극팁 영역에서 극팁부를 갖고 상기 후방 영역에서 후방부를 갖는 제2자기극층을 형성하는 단계와, 상기 적어도 하나의 극팁층을 상기 제1자기극층 또는 제2자기극층에 자기결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 노치구조 형성 단계는 상부 전도층을 갖는 상기 노치구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 노치구조를 형성하기전에 상기 극팁 영역과 후방 갭 사이에서 상기 제1자기극층상에 적어도 하나의 코일 구조를 형성하는 단계와, 상기 극팁 영역과 후방 갭 사이에서 상기 적어도 하나의 코일 구조상에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 극팁 영역과 후방 영역에서 비자기 전도갭층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 후방 영역에서의 상기 비자기 전도 갭층의 형성은 상기 극팁 영역과 후방 갭사이의 상기 절연층상에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 트렌치내에 상기 제2자기극팁층을 형성하고 상기 제1자기극팁층상에 상기 제2자기극팁층을 형성하는 단계는 시드층(seed layers)으로서 다음의 층, 즉 상기 극팁 영역에 위치하며 상기 극팁 영역과 후방 갭 사이의 후방 영역에 위치하는 비자기 전도갭층과, 상기 노치구조의 상부 전도층을 이용하는 하나의 프레임 도금단계로 달성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 노치구조를 형성하는 단계는 이산화실리콘, 실리콘, 질화실리콘 및 탄소를 포함하는 비등방성 에칭가능한 물질 그룹에서 선택한 물질로 노치구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기기록헤드를 제조하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 노치구조는 제1표면 및 제2표면을 갖는 일반적으로 U자형 층을 형성하는 기부와 한쌍의 레그를 포함하며, 상기 기부는 내측정면, 외측배면, 한쌍의 외측면을 포함하며, 상기 레그 각각은 외측정면, 내측면 및 외측면을 가지며, 상기 기부의 외측면들은 상기 레그들의 외측면들과 인접해 있으며, 상기 레그들의 정면들은 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면중에 위치하며, 상기 기부의 정면과 상기 레그들의 내측면들은 상기 극팁 영역의 U자형층 내측에서 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 U자형 노치구조의 기부의 정면은 거의 평면이며 제로 트로트 레벨을 형성하는 평면중에 위치해 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 제1자기극팁층상에 비자기 갭층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 노치 구조 및 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막자기기록헤드를 제조하는 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 적어도 하나의 극팁층을 형성하는 단계는, 상기 트렌치 내측에 제1극팁층을 형성하여 상기 제1극팁층을 상기 극팁 영역내의 상기 제1자기극층에 자기 결합시키는 단계와, 상기 제1자기극팁층상에서 상기 트렌치내에 갭층을 형성하는 단계와, 상기 갭층상에서 상기 트렌치내에 제2자기극팁층을 형성하여 상기 제2자기극팁층을 상기 극팁 영역내의 상기 제2자기극층에 자기 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기기록헤드를 제조하는 방법.
  29. 제20항에 있어서, 상기 제1자기극팁층상에 비전도 자기갭층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 노치구조 및 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  30. 제20항에 있어서, 상기 적어도 하나의 극팁층을 형성하는 단계는, 상기 트렌치의 내측에 제1극팁층을 형성하여 상기 제1극팁층을 상기 극팁 영역내의 상기 제1자기극층에 자기 결합시키는 단계와, 상기 제1자기극팁 층상에서 상기 트렌치내에 갭층을 형성하는 단계와, 상기 갭 층상에서 제2자기극팁층을 형성하여 상기 제2자기극팁을 상기 극팁 영역내의 상기 제2자기극층에 자기 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  31. 제20항에 있어서, 상기 노치구조는 제1표면 및 제2표면을 갖는 일반적으로 U자형 층을 형성하는 기부와 한쌍의 레그를 포함하며, 상기 기부는 내측정면, 외측배면 및 한쌍의 외측면을 포함하며, 상기 레그 각각은 외측정면, 내측정면 및 외측면을 갖고 있으며, 상기 기부의 외측면들은 상기 레그들의 외측면들과 인접해 있으며, 상기 레그들의 정면들은 공기 베어링면의 일부를 형성하는 공통 평면중에 위치하며, 상기 기부의 정면과 상기 레그들의 내측면들은 상기 극팁 영역의 U자형층의 내측에서 상기 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 제1자기극층상에 비자기 갭층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 노치구조 및 적어도 하나의 자기극팁층은 상기 갭층상에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 적어도 하나의 극팁층을 형성하는 단계는 상기 트렌치의 내측에 제1극팁층을 형성하여 상기 극팁 영역내의 상기 제1자기극층에 자기 결합시키는 단계와, 상기 자기극층상에서 상기 트렌치내에 갭층을 형성하여 상기 제2극팁층을 상기 극팁층을 상기 극팁 영역내의 상기 제2자기극층에 자기 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  34. 제31항에 있어서, U자형 노치구조의 기부의 정면은 거의 평면이며 제로 트로트 레벨을 형성하는 평면중에 위치해 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  35. 제31항에 있어서, 노치구조를 형성하는 단계는 이산화실리콘, 실리콘, 질화실리콘 및 탄소를 포함하는 비등방성 에칭가능한 물질 그룹에서 선택한 물질로 상기 노치구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
  36. 제20항에 있어서, 상기 노치구조를 형성하는 단계는 이산화실리콘, 실리콘, 질화실리콘 및 탄소를 포함하는 비등방성 에칭가능한 물질 그룹에서 선택한 물질로 노치구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기기록헤드를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198597B1 (en) * 1993-08-10 2001-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film magnetic head having improved magnetic pole structure
US5872693A (en) * 1993-08-10 1999-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film magnetic head having a portion of the upper magnetic core coplanar with a portion of the lower magnetic core
JPH08339508A (ja) * 1995-06-14 1996-12-24 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記憶装 置
KR100249975B1 (ko) * 1996-03-15 2000-03-15 니시무로 타이죠 자기 기록 재생 헤드 및 그 제조 방법
US6047462A (en) * 1996-04-02 2000-04-11 Tdk Corporation Method of making a combined type thin film magnetic head
US5880915A (en) * 1996-10-21 1999-03-09 International Business Machines Corporation Crack resistant magnetic write head
US6305072B1 (en) * 1996-11-28 2001-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing thin film magnetic head
US6034847A (en) * 1996-12-25 2000-03-07 Hitachi, Ltd. Apparatus and thin film magnetic head with magnetic membrane layers of different resistivity
US5831801A (en) * 1997-01-21 1998-11-03 Yamaha Corporation Thin film magnetic head with special pole configuration
US6091582A (en) * 1997-03-28 2000-07-18 Hitachi, Ltd. Thin film magnetic recording head with very narrow track width performing high density recording at high driving frequency
JPH10283611A (ja) * 1997-04-03 1998-10-23 Hitachi Metals Ltd 薄膜磁気ヘッド
JP2914343B2 (ja) * 1997-04-07 1999-06-28 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置
US5930086A (en) * 1997-05-02 1999-07-27 Storage Technology Corporation Heat exchangeable thin-film recording head element and method for manufacturing same
JPH10334409A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
JPH1116122A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US6119331A (en) * 1997-07-08 2000-09-19 International Business Machines Corporation Notching the first pole piece of a write head with a notching layer in a combined magnetic head
US20040168302A1 (en) * 1997-10-15 2004-09-02 Tdk Corporation Method for manufacturing thin-film magnetic head
JP3341652B2 (ja) * 1997-10-15 2002-11-05 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3790347B2 (ja) * 1997-11-26 2006-06-28 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6105238A (en) * 1997-12-04 2000-08-22 Matsushita-Kotobukie Electronics Industries, Ltd. Method and structure for defining track width on a recording head
JPH11194623A (ja) * 1998-01-07 1999-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 湿式現像装置
US6172848B1 (en) * 1998-04-10 2001-01-09 International Business Machines Corporation Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer
US6104576A (en) * 1998-04-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer
US6130809A (en) * 1998-04-10 2000-10-10 International Business Machines Corporation Write head before read head constructed merged magnetic head with track width and zero throat height defined by first pole tip
US6111724A (en) * 1998-04-10 2000-08-29 International Business Machines Corporation Method of making a magnetic write head with plated self-aligned zero throat height defining layer without reflective notching of a second pole tip
US6055138A (en) * 1998-05-06 2000-04-25 Read-Rite Corporation Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip
JP2000020916A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Hitachi Ltd 誘導型薄膜磁気ヘッド
JP3721262B2 (ja) 1998-07-23 2005-11-30 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド
US6337783B1 (en) 1998-08-12 2002-01-08 International Business Machines Corporation Write head with multi-stitched second pole piece
US6134080A (en) * 1998-08-21 2000-10-17 International Business Machines Corporation Magnetic head with precisely defined zero throat height
US6445536B1 (en) * 1998-08-27 2002-09-03 Read-Rite Corporation Dielectric stencil-defined write head for MR, GMR, and spin valve high density recording heads
JP2000276705A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000276706A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000285411A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3530068B2 (ja) 1999-04-23 2004-05-24 富士通株式会社 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法
US6829819B1 (en) 1999-05-03 2004-12-14 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
US6944938B1 (en) 1999-05-03 2005-09-20 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
JP3843194B2 (ja) 1999-05-19 2006-11-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6515824B1 (en) 1999-05-26 2003-02-04 Alps Electric Co., Ltd. Thin film magnetic head adaptable to track narrowing of magnetic recording medium and the method of manufacturing the same
US6762910B1 (en) 1999-06-03 2004-07-13 Western Digital (Fremont), Inc. Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication
JP3363841B2 (ja) 1999-06-28 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3363850B2 (ja) 1999-07-06 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3363842B2 (ja) 1999-07-06 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6239948B1 (en) 1999-07-23 2001-05-29 Headway Technologies, Inc. Non-magnetic nickel containing conductor alloys for magnetic transducer element fabrication
US6291138B1 (en) * 1999-07-23 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Masking frame plating method for forming masking frame plated layer
JP3747135B2 (ja) 1999-08-06 2006-02-22 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001052309A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3854035B2 (ja) 1999-08-06 2006-12-06 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3880780B2 (ja) 1999-08-30 2007-02-14 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6317290B1 (en) 1999-08-31 2001-11-13 Read-Rite Corporation Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle
JP3842490B2 (ja) 1999-09-02 2006-11-08 アルプス電気株式会社 記録用薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3440224B2 (ja) * 1999-11-29 2003-08-25 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6445537B1 (en) 1999-12-02 2002-09-03 Storage Technology Corporation Protective film for minimization of shield and pole tip recession in thin film shielded read heads and write heads
US7002776B2 (en) * 1999-12-06 2006-02-21 Tdk Corporation Thin film magnetic head and method of manufacturing same
US6804878B1 (en) 1999-12-21 2004-10-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of improving the reliability of magnetic head sensors by ion milling smoothing
US6504677B1 (en) 1999-12-28 2003-01-07 Headway Technologies, Inc. Multi-layer stitched write head design for high data rate application
US6594112B1 (en) 2000-01-05 2003-07-15 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with a precision throatheight-defining structure
US6423240B1 (en) 2000-01-07 2002-07-23 International Business Machines Corporation Process to tune the slider trailing edge profile
US6594122B1 (en) 2000-01-11 2003-07-15 Seagate Technology Llc GMR head with reduced topology for high speed recording with submicron track width
US6477007B1 (en) 2000-01-11 2002-11-05 Seagate Technology Llc Planar writer for merged GMR recording head
JP3522620B2 (ja) * 2000-01-24 2004-04-26 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6510022B1 (en) 2000-02-15 2003-01-21 International Business Machines Corporation Method for shaping pole pieces of magnetic heads by chemical mechanical polishing
US6218080B1 (en) 2000-03-06 2001-04-17 Headway Technologies, Inc. Plated flat metal gap for very narrow recording heads
JP3854031B2 (ja) 2000-03-09 2006-12-06 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001256610A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001273788A (ja) * 2000-03-29 2001-10-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2001291210A (ja) 2000-04-03 2001-10-19 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド
US6751053B2 (en) 2000-04-03 2004-06-15 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head reliably producing fringing flux at gap layer and method for fabricating the same
US7190553B2 (en) * 2000-04-04 2007-03-13 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head having lower magnetic pole layer and insulator layer behind the lower magnetic pole layer in the direction of height of the pole layer, and method for manufacturing the thin-film magnetic head
US6591480B1 (en) 2000-05-12 2003-07-15 Headway Technologies, Inc. Process for fabricating a flux concentrating stitched head
US6552874B1 (en) 2000-05-17 2003-04-22 Read-Rite Corporation Shared pole magnetic read-write head for achieving optimized erase band width and method of fabricating the same
US7037421B2 (en) * 2000-05-19 2006-05-02 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head having magnetic gap formed of NiP
WO2001093268A2 (en) * 2000-06-01 2001-12-06 Seagate Technology, Inc. Magnetic recording head with dielectric layer
US6623652B1 (en) 2000-06-14 2003-09-23 International Business Machines Corporation Reactive ion etching of the lapped trailing edge surface of a slider
US6430806B1 (en) 2000-06-23 2002-08-13 Read-Rite Corporation Method for manufacturing an inductive write element employing bi-layer photoresist to define a thin high moment pole pedestal
JP3602038B2 (ja) 2000-07-24 2004-12-15 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
US6563669B1 (en) 2000-09-13 2003-05-13 Storage Technology Corporation Inverted write head with high-precision track width definition
US6801408B1 (en) 2000-11-02 2004-10-05 Western Digital (Fremont), Inc. Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof
US6958885B1 (en) 2000-12-21 2005-10-25 Western Digital (Fremont), Inc. Insulation layer structure for inductive write heads and method of fabrication
JP3517208B2 (ja) * 2000-12-26 2004-04-12 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6553644B2 (en) 2001-02-09 2003-04-29 International Business Machines Corporation Fixture, carrier ring, and method for processing delicate workpieces
US6779249B2 (en) * 2001-03-23 2004-08-24 International Business Machines Corporation Method and device for determining in-process characteristics of fabricated magnetic heads
US6722018B2 (en) * 2001-06-18 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method of forming a second pole piece of a write head
US6678117B2 (en) 2001-06-18 2004-01-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic transducer with bilayer pole piece structure with improved milling endpoint detection
US6785953B2 (en) 2001-06-18 2004-09-07 International Business Machines Corporation Process of fabricating a write head with protection of a second pole tip thickness
US6741422B2 (en) * 2001-06-18 2004-05-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Method of making magnetic head having narrow pole tip and fine pitch coil
JP2003006813A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7349179B1 (en) * 2001-07-16 2008-03-25 Western Digital (Fremont), Llc Write head for improved manufacturability larger write field and reduced adjacent track erasure
US6788496B2 (en) * 2001-08-22 2004-09-07 Seagate Technology Llc Narrow top pole of a write element
US7199972B2 (en) * 2001-08-31 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing
US6815358B2 (en) 2001-09-06 2004-11-09 Seagate Technology Llc Electron beam lithography method for plating sub-100 nm trenches
US6683749B2 (en) * 2001-12-19 2004-01-27 Storage Technology Corporation Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
US6877213B2 (en) * 2002-01-07 2005-04-12 International Business Machines Corporation Feature size reduction in thin film magnetic head using low temperature deposition coating of photolithographically-defined trenches
US6770209B2 (en) 2002-01-09 2004-08-03 International Business Machines Corporation Isotropic deposition for trench narrowing of features to be created by reactive ion etch processing
US6833976B2 (en) * 2002-05-15 2004-12-21 International Business Machine Corporation Thin film magnetic recording inductive write head with laminated write gap
US6857181B2 (en) * 2002-08-12 2005-02-22 International Business Machines Corporation Method of making a T-shaped write head with less side writing
JP3865308B2 (ja) * 2002-10-02 2007-01-10 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
US7092206B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head with magnetic layers of differing widths and third pole with reduced thickness
US7133255B2 (en) * 2003-08-27 2006-11-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Magnetic head having magnetic pole with lengthened neck pole tip and coplanar yoke, and method of fabrication thereof
US7199973B2 (en) * 2003-09-26 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording head with trailing shield throat height less than shaping layer distance from ABS
US7111385B2 (en) * 2003-09-30 2006-09-26 Hitachi Global Storage Technologies Method for improving hard bias properties of layers in a magnetoresistive sensor
US20050099727A1 (en) 2003-11-12 2005-05-12 Headway Technologies, Inc. Write-head having recessed magnetic material in gap region
US7215511B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap
US7538977B2 (en) * 2004-04-30 2009-05-26 Hitachi Global Storage Technologies B.V. Method and apparatus for providing diamagnetic flux focusing in a storage device
US8331058B2 (en) * 2004-05-28 2012-12-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing a write head with an improved pole tip to improve overwrite and/or adjacent track interference
US20060096081A1 (en) * 2004-06-30 2006-05-11 Hitachi Global Storage Technologies Methods of making magnetic write heads with use of a resist channel shrinking solution having corrosion inhibitors
US7343666B2 (en) * 2004-06-30 2008-03-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Methods of making magnetic write heads with use of linewidth shrinkage techniques
US7238292B1 (en) 2004-07-30 2007-07-03 Western Digital (Fremont), Inc. Method of fabricating a write element with a reduced yoke length
US7379269B1 (en) * 2004-07-30 2008-05-27 Western Digital (Fremont), Llc Write element with reduced yoke length for ultra-high density writing
US7522379B1 (en) 2004-07-30 2009-04-21 Western Digital (Fremont), Llc Write element with recessed pole and heat sink layer for ultra-high density writing
US7292408B2 (en) * 2004-07-30 2007-11-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Bilayer coil insulation for magnetic write heads to minimize pole recession
US7263762B2 (en) * 2004-09-30 2007-09-04 Hitachi Global Storage Technologies Method for reducing pole height loss in the formation of a write pole for a magnetic write head
US7333296B2 (en) * 2004-10-07 2008-02-19 Headway Technologies, Inc. Magnetic head for perpendicular magnetic recording including pole-layer-encasing layer that opens in the top surface thereof and nonmagnetic conductive layer disposed on the top surface of the pole-layer-encasing layer
US7558020B2 (en) * 2004-11-12 2009-07-07 Headway Technologies, Inc. Thin-film magnetic head structure having a magnetic pole tip with an even width portion method of manufacturing thereof, and thin-film magnetic head having a magnetic pole tip with an even width portion
US7433151B2 (en) * 2004-12-28 2008-10-07 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing magnetic head using magnetic head sub-structure with indicators for indicating the location of the ABS
US7463448B2 (en) * 2005-04-20 2008-12-09 Headway Technologies, Inc. Thin film magnetic head having upper and lower poles and a gap film within a trench
US7536774B2 (en) * 2006-04-07 2009-05-26 Hitachi Global Storage Technologies B.V. Method and apparatus for integrating a stair notch and a gap bump at a pole tip in a write head
US7530159B2 (en) * 2006-06-29 2009-05-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of distortion correction in shrink processes for fabrication of write poles
JP2008204526A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Fujitsu Ltd 磁気記録ヘッドの製造方法
US9104107B1 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Western Digital (Fremont), Llc DUV photoresist process
US11152019B2 (en) * 2019-11-12 2021-10-19 International Business Machines Corporation Write transducer with symmetric yoke structure

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3614339A (en) * 1970-03-27 1971-10-19 Spin Physics Inc Magnetic transducer with wear resistant pole tips
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JPS59124141A (ja) * 1982-12-28 1984-07-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS6010409A (ja) * 1983-06-29 1985-01-19 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
US4675986A (en) * 1985-07-29 1987-06-30 International Business Machines Electrical lapping guide for controlling the batch fabrication of thin film magnetic transducers
US4689877A (en) * 1985-08-29 1987-09-01 International Business Machines Corp. Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers
JPH0658728B2 (ja) * 1985-10-25 1994-08-03 株式会社日立製作所 薄膜磁気ヘツド
JPS62119716A (ja) * 1985-11-19 1987-06-01 Yokogawa Electric Corp 薄膜磁気ヘツド
US4843507A (en) * 1986-12-03 1989-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Magnetic head with laminated structure
US5111352A (en) * 1987-07-29 1992-05-05 Digital Equipment Corporation Three-pole magnetic head with reduced flux leakage
US4839197A (en) * 1988-04-13 1989-06-13 Storage Technology Corporation Process for fabricating thin film magnetic recording heads having precision control of the width tolerance of the upper pole tip
US4878290A (en) * 1989-02-13 1989-11-07 International Business Machines Corporation Method for making thin film magnetic head
JPH02294914A (ja) * 1989-05-10 1990-12-05 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド
JP2754804B2 (ja) * 1989-11-20 1998-05-20 松下電器産業株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5289325A (en) * 1990-12-19 1994-02-22 Integral Peripherals, Inc. Rigid disk drive with dynamic head loading apparatus
US5285340A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 International Business Machines Corporation Thin film magnetic head with conformable pole tips
US5283942A (en) * 1992-12-29 1994-02-08 International Business Machines Corporation Sacrificial layer planarization process for fabricating a narrow thin film inductive head
US5282308A (en) * 1992-12-29 1994-02-01 International Business Machines Corporation Thin film planarization process for fabricating magnetic heads employing a stitched pole structure
US5452164A (en) * 1994-02-08 1995-09-19 International Business Machines Corporation Thin film magnetic write head

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07296328A (ja) 1995-11-10
US5652687A (en) 1997-07-29
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US5802700A (en) 1998-09-08
JP2784431B2 (ja) 1998-08-06

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