JPS62119716A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62119716A JPS62119716A JP25935285A JP25935285A JPS62119716A JP S62119716 A JPS62119716 A JP S62119716A JP 25935285 A JP25935285 A JP 25935285A JP 25935285 A JP25935285 A JP 25935285A JP S62119716 A JPS62119716 A JP S62119716A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist
- magnetic pole
- mask
- resist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ｎｇ！磁気ヘッドの上部ｌ１４４ｉ形成前に
おけるレジストパターンの形成方法の改善に関する。
おけるレジストパターンの形成方法の改善に関する。
〈従来の技術〉
はじめに薄膜磁気ヘッドの構造について第３図を用いて
簡単に説明する。
簡単に説明する。
第３図において、１は基板であり、この基板１上にパー
マロイや非晶質ｃｏ−７ｒなどの高透磁率層にて上下磁
極２が形成されている。この上下＠極の間には磁極励磁
用コイル３がＣｕまたはＡＵ等の電気良導体にて形成さ
れている。４はコイル３の絶縁と上下磁極間を隔離する
絶縁体層、５は非磁性層で磁極先端の記録ギャップを形
成する層、６はｉｌ！ＩＡ形成部の腐蝕９機械的破損を
防止する保護層である。
マロイや非晶質ｃｏ−７ｒなどの高透磁率層にて上下磁
極２が形成されている。この上下＠極の間には磁極励磁
用コイル３がＣｕまたはＡＵ等の電気良導体にて形成さ
れている。４はコイル３の絶縁と上下磁極間を隔離する
絶縁体層、５は非磁性層で磁極先端の記録ギャップを形
成する層、６はｉｌ！ＩＡ形成部の腐蝕９機械的破損を
防止する保護層である。
第４図（ａ）、（ｂ）は上記３１１１１磁気ヘツドの上
部磁極を形成する前の状態を示す断面図である。
部磁極を形成する前の状態を示す断面図である。
これらの図において、１は基板であり２は下部磁極であ
る。下部磁極２の上には非磁性層からなる記録ギャップ
５が設けられ、この記録ギャップ５の上に絶縁体層４が
設けられ、この絶縁体層４の中にコイル３が埋込まれて
いる。この絶縁体層４はコイル３の段差解消と磁束の漏
れを防ぐため１５μｍ８度に比較的厚めに形成されてい
る。従ってこの絶縁体層４と記録ギャップ５とでは基板
上において約１５μｍＦｊ度の段差が生じている。そし
て、記録ギャップ５と絶縁体層４の表面には上部磁極を
めっき形成するためのめつき下地ｔ１１１６が形成され
、その上に上部磁極バターニング用のレジスト層１７が
スピンコードされる（このレジスト層の厚さは薄膜磁気
ヘッドでは上部磁極のめっき膜厚よりも厚い５μｍ８ｒ
ｇＫが望ましい）。その結果、絶縁体層４の上部は膜厚
の均一なＳＣとなるが、一点鎖線で囲った段差の部分Ａ
では厚肉部ａが発生し、同じく一点鎖線で囲った段差の
角部分Ｂにはレジストパターン１７の薄肉部すが発生す
る。
る。下部磁極２の上には非磁性層からなる記録ギャップ
５が設けられ、この記録ギャップ５の上に絶縁体層４が
設けられ、この絶縁体層４の中にコイル３が埋込まれて
いる。この絶縁体層４はコイル３の段差解消と磁束の漏
れを防ぐため１５μｍ８度に比較的厚めに形成されてい
る。従ってこの絶縁体層４と記録ギャップ５とでは基板
上において約１５μｍＦｊ度の段差が生じている。そし
て、記録ギャップ５と絶縁体層４の表面には上部磁極を
めっき形成するためのめつき下地ｔ１１１６が形成され
、その上に上部磁極バターニング用のレジスト層１７が
スピンコードされる（このレジスト層の厚さは薄膜磁気
ヘッドでは上部磁極のめっき膜厚よりも厚い５μｍ８ｒ
ｇＫが望ましい）。その結果、絶縁体層４の上部は膜厚
の均一なＳＣとなるが、一点鎖線で囲った段差の部分Ａ
では厚肉部ａが発生し、同じく一点鎖線で囲った段差の
角部分Ｂにはレジストパターン１７の薄肉部すが発生す
る。
例えばシブレイ社１３００−３７ボジ・レジスト（粘度
：９５ｃｐｓ）を回転数２００Ｏｒ ｐｍでスピンコー
ドした場合、ａ、ｂ、ｃ部の膜厚はそれぞれ１０μｍ、
２μｍ、４μｍとなる。
：９５ｃｐｓ）を回転数２００Ｏｒ ｐｍでスピンコー
ドした場合、ａ、ｂ、ｃ部の膜厚はそれぞれ１０μｍ、
２μｍ、４μｍとなる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記従来例においてレジストをフォトリ
ソグラフィ技術によりバターニングするとレジスｌ−Ｆ
Ｊ厚が不均一なため所望のパターンに対し太りや細りが
生じパターン精度が悪く、この上に形成する上部磁極の
パターン精度が劣化するという問題がある。
ソグラフィ技術によりバターニングするとレジスｌ−Ｆ
Ｊ厚が不均一なため所望のパターンに対し太りや細りが
生じパターン精度が悪く、この上に形成する上部磁極の
パターン精度が劣化するという問題がある。
く問題点を解決するための手段〉
上記問題点を解決するための本発明の構成は、基板上に
下部磁極を形成し、該下部磁極の上に非磁性層からなる
磁気記録ギャップを形成し、該磁気記録ギャップの上に
絶縁体層に埋設して磁極励磁用コイルを形成し、前記絶
縁体層および前記記録ギャップを覆って上部磁極を形成
するａ膜磁気ヘッドの前記上部磁極を形成するレジスト
バターニングにおいて、前記絶縁体層と前記記録ギャッ
プの段差をレジストで埋込み、熱処理した後、その埋込
み層と同種のレジストを前記基板全面に塗布し、露光条
件を制御して前記レジスト埋込み層に未感光層を残して
、段差の上部、下部および斜面部のレジスト膜厚を均一
化するようにしたものである。
下部磁極を形成し、該下部磁極の上に非磁性層からなる
磁気記録ギャップを形成し、該磁気記録ギャップの上に
絶縁体層に埋設して磁極励磁用コイルを形成し、前記絶
縁体層および前記記録ギャップを覆って上部磁極を形成
するａ膜磁気ヘッドの前記上部磁極を形成するレジスト
バターニングにおいて、前記絶縁体層と前記記録ギャッ
プの段差をレジストで埋込み、熱処理した後、その埋込
み層と同種のレジストを前記基板全面に塗布し、露光条
件を制御して前記レジスト埋込み層に未感光層を残して
、段差の上部、下部および斜面部のレジスト膜厚を均一
化するようにしたものである。
〈実施例〉
はじめにこの発明の前提となる未感光レジスト躾と露光
時間の関係を第２図に基づいて説明する。
時間の関係を第２図に基づいて説明する。
第２図は未感光レジスト膜を露光した場合、露光時間の
経過により未感光膜厚が減少していく状態を示すもので
、例えば１５μｍの膜厚のレジス１−を露光した場合、
露光時間とレジスト残余膜厚の関係はイで示す部分で他
の時間帯に比較して露光時間に対する膜厚の減少麿が低
く、膜厚を精度よく制御できることがわかる。この時の
レジスト膜厚は約５μｍである。
経過により未感光膜厚が減少していく状態を示すもので
、例えば１５μｍの膜厚のレジス１−を露光した場合、
露光時間とレジスト残余膜厚の関係はイで示す部分で他
の時間帯に比較して露光時間に対する膜厚の減少麿が低
く、膜厚を精度よく制御できることがわかる。この時の
レジスト膜厚は約５μｍである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの段差
上におけるレジスト膜厚均一塗布方法の一実施例を示す
工程図である。
上におけるレジスト膜厚均一塗布方法の一実施例を示す
工程図である。
なお、記録ギャップ５および絶縁体層４にめっき下地Ｆ
！１６を形成するまでは従来例と同様なので省略する。
！１６を形成するまでは従来例と同様なので省略する。
また、第４図と同一要素には同一符号を付して重複する
説明は省略する。
説明は省略する。
工程に従って説明する。
工程（ａ） 絶縁体層４に近接してこの絶縁体層４と
同種のレジスト層８を略同程度の高さに形成し、熱処理
を行う。この場合、絶縁体層４とレジスト層８の端部は
ダした状態となっているので、これらの境目の断面はＶ
字状のスペースとなっている。
同種のレジスト層８を略同程度の高さに形成し、熱処理
を行う。この場合、絶縁体層４とレジスト層８の端部は
ダした状態となっているので、これらの境目の断面はＶ
字状のスペースとなっている。
工程（ｂ） 絶縁体層４およびレジスト層８の上にレ
ジスト層９を塗布する。この場合、レジスト９がＶ字の
スペースを埋めるので第４図に示すレジスト層の薄肉部
すが生じない。
ジスト層９を塗布する。この場合、レジスト９がＶ字の
スペースを埋めるので第４図に示すレジスト層の薄肉部
すが生じない。
工程（Ｃ） マスク１０を絶縁体層４側の縁部かられ
ずかに突出させ、マスクの端部がＶ字状のスペースの略
中夫に位置するように設ける。
ずかに突出させ、マスクの端部がＶ字状のスペースの略
中夫に位置するように設ける。
工程（ｄ） ｉ板の上方から露光することにより二で
示す部分を５μｍ程度残してレジスト層ホの部分を感光
現像する。この場合、露光が理想的に行なわれれば点線
で示すハの部分は残存することになるが、八で示す部分
は反射光や散乱光によって露光され、実線で示すような
なだらかな傾斜となる。
示す部分を５μｍ程度残してレジスト層ホの部分を感光
現像する。この場合、露光が理想的に行なわれれば点線
で示すハの部分は残存することになるが、八で示す部分
は反射光や散乱光によって露光され、実線で示すような
なだらかな傾斜となる。
上記方法によれば、絶縁体層４と記録ギャップ５の段差
を覆うレジストパターンを均一に形成することが出来る
。
を覆うレジストパターンを均一に形成することが出来る
。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、段差部分のレジスト膜厚を均一に形成すること
が出来るので上部磁極パターンを精度よく形成すること
が出来る。
よれば、段差部分のレジスト膜厚を均一に形成すること
が出来るので上部磁極パターンを精度よく形成すること
が出来る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のＷＩＩｌｌ磁気ヘッド
のレジスト膜厚均一塗布方法の一実施例を示す図、第２
図は未感光レジストと露光時間の関係を示す図、第３図
は薄膜磁気ヘッドの構造を示す図、第４図は従来例にお
いてレジストパターンを形成した状態を示す図である。 １・・・基板、２・・・下部磁極、３・・・励磁用コイ
ル、４・・・絶縁体層、５・・・記録ギャップ、８，９
・・・レジスト層、１０・・・マスク、１５・・・めっ
き下地層。
のレジスト膜厚均一塗布方法の一実施例を示す図、第２
図は未感光レジストと露光時間の関係を示す図、第３図
は薄膜磁気ヘッドの構造を示す図、第４図は従来例にお
いてレジストパターンを形成した状態を示す図である。 １・・・基板、２・・・下部磁極、３・・・励磁用コイ
ル、４・・・絶縁体層、５・・・記録ギャップ、８，９
・・・レジスト層、１０・・・マスク、１５・・・めっ
き下地層。
Claims (1)
- 基板上に下部磁極を形成し、該下部磁極の上に非磁性層
からなる磁気記録ギャップを形成し、該磁気記録ギャッ
プの上に絶縁体層に埋設して磁極励磁用コイルを形成し
、前記絶縁体層および前記記録ギャップを覆って上部磁
極を形成する薄膜磁気ヘッドのレジストパターニングに
おいて、前記絶縁体層と前記記録ギャップの段差をレジ
ストで埋込み、熱処理した後、その埋込み層と同種のレ
ジストを前記基板全面に塗布し、露光条件を制御して前
記レジスト埋込み層に未感光層を残して現像後、段差の
上部、下部および斜面部のレジスト膜厚を均一化するよ
うにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25935285A JPS62119716A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25935285A JPS62119716A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119716A true JPS62119716A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17332914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25935285A Pending JPS62119716A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119716A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132614A (ja) * | 1988-02-12 | 1990-05-22 | Hitachi Ltd | 薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5652687A (en) * | 1994-04-19 | 1997-07-29 | International Business Machines Corporation | Planarized thin film magnetic write head with submicron trackwidth |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP25935285A patent/JPS62119716A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132614A (ja) * | 1988-02-12 | 1990-05-22 | Hitachi Ltd | 薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0810484B2 (ja) * | 1988-02-12 | 1996-01-31 | 株式会社日立製作所 | 薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5652687A (en) * | 1994-04-19 | 1997-07-29 | International Business Machines Corporation | Planarized thin film magnetic write head with submicron trackwidth |
| US5802700A (en) * | 1994-04-19 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a planarized thin film magnetic write head with submicron trackwidth |
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