JPH076058B2 - 金属リフトオフ方法 - Google Patents
金属リフトオフ方法Info
- Publication number
- JPH076058B2 JPH076058B2 JP9904789A JP9904789A JPH076058B2 JP H076058 B2 JPH076058 B2 JP H076058B2 JP 9904789 A JP9904789 A JP 9904789A JP 9904789 A JP9904789 A JP 9904789A JP H076058 B2 JPH076058 B2 JP H076058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- metal
- pmgi
- layer
- undercut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、低分子量のポリメチルグルタルイミド（PMG
I）を使用する金属リフトオフ法に関するものである。
この方法は、特に磁気記録のための勾配付きリード・ト
ラックを形成するのに適している。
I）を使用する金属リフトオフ法に関するものである。
この方法は、特に磁気記録のための勾配付きリード・ト
ラックを形成するのに適している。
B.従来の技術 米国特許第3964908号明細書には、ジメチルグルタルイ
ミド単位を含有するレジストの使用が開示されている。
米国特許第4524121号明細書には、予備成形したポリメ
チルグルタルイミドを含有するポジティブ・フォトレジ
ストが開示されている。米国特許第4568411号明細書に
は、２層フォトレジスト・マスクを使用した、金属／半
導体付着のための方法が記載されている。米国特許第45
68897号明細書には、ポリメチルグルタルイミドを含有
するネガティブ・フォトレジスト組成物が記載されてい
る。上記の発明で使用するポリグルタルイミドの分子量
は、2,000ないし約500,000である。米国特許第4606998
号明細書には、２層のポリイミドを使用した、無障壁高
温リフトオフ法が開示されている。
ミド単位を含有するレジストの使用が開示されている。
米国特許第4524121号明細書には、予備成形したポリメ
チルグルタルイミドを含有するポジティブ・フォトレジ
ストが開示されている。米国特許第4568411号明細書に
は、２層フォトレジスト・マスクを使用した、金属／半
導体付着のための方法が記載されている。米国特許第45
68897号明細書には、ポリメチルグルタルイミドを含有
するネガティブ・フォトレジスト組成物が記載されてい
る。上記の発明で使用するポリグルタルイミドの分子量
は、2,000ないし約500,000である。米国特許第4606998
号明細書には、２層のポリイミドを使用した、無障壁高
温リフトオフ法が開示されている。
C.発明が解決しようとする問題点 上記に引用した従来技術の方法は、いずれも本発明の方
法で必要とされる一連の工程については示していないこ
とに留意されたい。特に、従来技術の方法は、本発明の
方法のように、PMGIに放射線を当てない方法は開示して
いない。
法で必要とされる一連の工程については示していないこ
とに留意されたい。特に、従来技術の方法は、本発明の
方法のように、PMGIに放射線を当てない方法は開示して
いない。
従来、金属リフトオフは、レジスト皮膜の断面をアンダ
ーカットすることによって行なわれてきた。断面のアン
ダーカットは、通常、露出した波長に対して不透明なネ
ガティブ・レジストの使用、ポジティブ・フォトレジス
トの像の反転、または薄いキャップと厚い下部層からな
る２層または３層構造の使用によって形成される。これ
らの方式は、金属を蒸着によって付着させる場合に有用
である。しかし、スパッタリングを使用すると、重大な
フェンシング、すなわちアンダーカット構造の側壁が金
属皮膜でコーティングされるという問題を生じ、そのた
め、リフトオフが非常に困難となり、金属縁部の画定が
きわめて不良となる。上述の多層方式は、きわめて複雑
で、多数のコーティング工程と複数回の露出、またはエ
ッチング装置の使用が必要である。さらに、これらによ
って、スパッタリングによって付着させた金属のフェン
シングを避けることはできない。本発明は、フェンシン
グがなく、容易にきれいなリフティングが行なえる、最
も簡単な金属リフトオフの方法を提供するものである。
ーカットすることによって行なわれてきた。断面のアン
ダーカットは、通常、露出した波長に対して不透明なネ
ガティブ・レジストの使用、ポジティブ・フォトレジス
トの像の反転、または薄いキャップと厚い下部層からな
る２層または３層構造の使用によって形成される。これ
らの方式は、金属を蒸着によって付着させる場合に有用
である。しかし、スパッタリングを使用すると、重大な
フェンシング、すなわちアンダーカット構造の側壁が金
属皮膜でコーティングされるという問題を生じ、そのた
め、リフトオフが非常に困難となり、金属縁部の画定が
きわめて不良となる。上述の多層方式は、きわめて複雑
で、多数のコーティング工程と複数回の露出、またはエ
ッチング装置の使用が必要である。さらに、これらによ
って、スパッタリングによって付着させた金属のフェン
シングを避けることはできない。本発明は、フェンシン
グがなく、容易にきれいなリフティングが行なえる、最
も簡単な金属リフトオフの方法を提供するものである。
D.問題点を解決するための手段 本発明によれば、金属リフトオフは、（１）基板に低分
子量のPMGIの薄い層をコーティングし、（２）上記の層
の上に、フォトレジスト層をオーバーコートし、（３）
フォトレジストにマスクを介して放射線を当て、（４）
レジストとPMGIの両方を現像し、（５）導体を、たとえ
ばスパッタリングによって付着させ、（６）PMGI及びフ
ォトレジストの残部を溶剤でリフトオフすることによっ
て行なわれる。
子量のPMGIの薄い層をコーティングし、（２）上記の層
の上に、フォトレジスト層をオーバーコートし、（３）
フォトレジストにマスクを介して放射線を当て、（４）
レジストとPMGIの両方を現像し、（５）導体を、たとえ
ばスパッタリングによって付着させ、（６）PMGI及びフ
ォトレジストの残部を溶剤でリフトオフすることによっ
て行なわれる。
本発明で使用するPMGIは、平均分子量（ポリスチレンを
基準として）が3,000ないし40,000の範囲のものとす
る。どんな分子量を選ぶかは、特定用途に必要なアンダ
ーカットの深さによって左右されるが、また焼付けの温
度と時間、及び現像剤の濃度と現像時間によっても決ま
る。このように、上記のパラメータを変えることによ
り、必要なアンダーカットを形成させることができる。
下記の例では、絶対平均分子量が約30,000（ポリスチレ
ンを標準としてGPCで測定して19,000）のものが最も好
ましい。このような低分子量の材料は、シップレイ社
（Shipley Company）から市販されている。別法とし
て、フォトレジストをコーティングする前に、分子量を
必要な範囲まで低下させるために深紫外線によるブラケ
ット露出を行なうならば、高分子量のPMGIを使用するこ
ともできる。
基準として）が3,000ないし40,000の範囲のものとす
る。どんな分子量を選ぶかは、特定用途に必要なアンダ
ーカットの深さによって左右されるが、また焼付けの温
度と時間、及び現像剤の濃度と現像時間によっても決ま
る。このように、上記のパラメータを変えることによ
り、必要なアンダーカットを形成させることができる。
下記の例では、絶対平均分子量が約30,000（ポリスチレ
ンを標準としてGPCで測定して19,000）のものが最も好
ましい。このような低分子量の材料は、シップレイ社
（Shipley Company）から市販されている。別法とし
て、フォトレジストをコーティングする前に、分子量を
必要な範囲まで低下させるために深紫外線によるブラケ
ット露出を行なうならば、高分子量のPMGIを使用するこ
ともできる。
E.実施例 第１図は、PMGI層２をコーティングした後フォトレジス
ト３をコーティングした基板１を示す。レジストを、マ
スクを介して放射線に当てる。次にレジストとPMGIの両
方を現像すると、第２図に示すように、レジストの下に
PMGIのアンダーカットを有する構造が残る。次に、たと
えばスパッタリングによって、導体金属を付着させ、第
３図に示すように、基板とレジスタとに付着金属４の被
覆を形成させる。最後に、たとえば有機溶剤またはアル
カリ水溶液を使用して、リフトオフを行なう。この結果
を第４図に示すが、基板はフェンシングの問題を生じる
ことなく、選択的にコーティングされている。
ト３をコーティングした基板１を示す。レジストを、マ
スクを介して放射線に当てる。次にレジストとPMGIの両
方を現像すると、第２図に示すように、レジストの下に
PMGIのアンダーカットを有する構造が残る。次に、たと
えばスパッタリングによって、導体金属を付着させ、第
３図に示すように、基板とレジスタとに付着金属４の被
覆を形成させる。最後に、たとえば有機溶剤またはアル
カリ水溶液を使用して、リフトオフを行なう。この結果
を第４図に示すが、基板はフェンシングの問題を生じる
ことなく、選択的にコーティングされている。
上面の作像レジストは、アルカリ水溶液で現像可能なフ
ォトレジストで、ポジティブでもネガティブでもよい。
このようなフォトレジストの例としては、ジアゾナフト
キノン／ノボラック系のポジティブ・フォトレジスト、
米国特許第4491628号明細書記載のデュアル・トーン・
レジスト、米国特許第4104070号明細書記載の像反転ネ
ガティブ・レジスト等がある。
ォトレジストで、ポジティブでもネガティブでもよい。
このようなフォトレジストの例としては、ジアゾナフト
キノン／ノボラック系のポジティブ・フォトレジスト、
米国特許第4491628号明細書記載のデュアル・トーン・
レジスト、米国特許第4104070号明細書記載の像反転ネ
ガティブ・レジスト等がある。
作像のための放射線は紫外線には限らず、電子線、Ｘ
線、イオン線なども使用可能である。
線、イオン線なども使用可能である。
本発明の方法は、スパッタリングによって付着させた金
属のリフトオフに有用であり、特に、ステップ被覆を良
好にするために長い金属縁部のテーパが必要な場合に有
用である。さらに、本発明は、蒸着または蒸着とスパッ
タリングを併用する場合に、はっきり画定された金属パ
ターンを形成するための簡単な方法を提供する。上述の
ように、本発明の方法は、金属を蒸着によって付着させ
る場合にも、スパッタリングによって付着させる場合に
も有用である。
属のリフトオフに有用であり、特に、ステップ被覆を良
好にするために長い金属縁部のテーパが必要な場合に有
用である。さらに、本発明は、蒸着または蒸着とスパッ
タリングを併用する場合に、はっきり画定された金属パ
ターンを形成するための簡単な方法を提供する。上述の
ように、本発明の方法は、金属を蒸着によって付着させ
る場合にも、スパッタリングによって付着させる場合に
も有用である。
スパッタリングを使用する場合は、作像層の厚みによっ
てテーパの程度が決まる。作像層が厚いほど、テーパは
長くなる。
てテーパの程度が決まる。作像層が厚いほど、テーパは
長くなる。
PMGI層の厚みは、必要な付着金属の厚みに依存する。金
属をスパッタリングによって付着させる場合、金属縁部
の画定を良好にし、リフトオフを容易にするためには、
PMGIの厚みを付着金属の厚みによりわずかに薄くする必
要がある。蒸着の場合は、PMGI層を付着金属よりも厚く
する。
属をスパッタリングによって付着させる場合、金属縁部
の画定を良好にし、リフトオフを容易にするためには、
PMGIの厚みを付着金属の厚みによりわずかに薄くする必
要がある。蒸着の場合は、PMGI層を付着金属よりも厚く
する。
本発明の好ましい変更態様では、磁気記録読取りトラッ
クの幅が画定できるようにこの方法を適合させる。本発
明の方法により、勾配付きリード・トラック（BLT）が
得られる。上記の方法では、現像時間の合計は、レジス
トの現像時間（t1）と下層のPMGIの現像時間（t2）の和
である。PMGI層のアンダーカットは、時間t2の一次関数
であり、したがって、特定のレジスト系で放射量が一定
の場合はレジストの終点t1は一定になるので、全体の現
像時間に比例する。したがって、現像時間を長く（５分
を超える）すると、アンダーカットが長くなり、レジス
トのリフトオフが容易になるが、導体のテーパが長くな
るためトラックの画定には良くない。現像時間を短く
（５分未満）すると、アンダーカットが短くなり、トラ
ックの画定には良いが、レジストのリフトオフには良く
ない。本発明の方法は、導体パターン中のクリティカル
なトラック領域ではアンダーカットが短く、クリティカ
ルでない領域ではアンダーカットが長くなるという妥協
点が見つかるようにさせることができる。本発明者等は
これを「勾配付きリード・トラック（BLT）」と呼んで
いる。単一のパターン層で異なるアンダーカットを得る
方法は、導体パターンの領域によって現像時間を変える
能力を持たせることによって行なう。BLT法では、これ
は２つの異なるマスクを使って導体パターン全体を画定
することによって行なう。第１のマスクは、導体のクリ
ティカルでない領域を画定し、第２のマスクは、装置の
クリティカルなトラック領域を画定する。両方のマスク
を単一の２層レジスト構造上にかける。ほとんどのレジ
スト系では、現像の終点（t1）は、露光量に反比例す
る。露光量400mJ/cm2の場合t1は１分、150mJ/cm2の場合
は３分である。マスク１（クリティカルでない）は400m
Jで露光し、マスク２（クリティカル）は150mJで露光
し、合計現像時間を５分にすると、PMGI現像時間（t2）
はそれぞれ４分及び２分となる。露光の少ない部分で得
られるアンダーカットは0.4μｍであり、露出の多い部
分で得られるアンダーカットは0.8μｍである。アンダ
ーカットが短い部分ではトラックの画定は良好であり、
アンダーカットが長い部分ではレジストのリフトオフが
容易になる。
クの幅が画定できるようにこの方法を適合させる。本発
明の方法により、勾配付きリード・トラック（BLT）が
得られる。上記の方法では、現像時間の合計は、レジス
トの現像時間（t1）と下層のPMGIの現像時間（t2）の和
である。PMGI層のアンダーカットは、時間t2の一次関数
であり、したがって、特定のレジスト系で放射量が一定
の場合はレジストの終点t1は一定になるので、全体の現
像時間に比例する。したがって、現像時間を長く（５分
を超える）すると、アンダーカットが長くなり、レジス
トのリフトオフが容易になるが、導体のテーパが長くな
るためトラックの画定には良くない。現像時間を短く
（５分未満）すると、アンダーカットが短くなり、トラ
ックの画定には良いが、レジストのリフトオフには良く
ない。本発明の方法は、導体パターン中のクリティカル
なトラック領域ではアンダーカットが短く、クリティカ
ルでない領域ではアンダーカットが長くなるという妥協
点が見つかるようにさせることができる。本発明者等は
これを「勾配付きリード・トラック（BLT）」と呼んで
いる。単一のパターン層で異なるアンダーカットを得る
方法は、導体パターンの領域によって現像時間を変える
能力を持たせることによって行なう。BLT法では、これ
は２つの異なるマスクを使って導体パターン全体を画定
することによって行なう。第１のマスクは、導体のクリ
ティカルでない領域を画定し、第２のマスクは、装置の
クリティカルなトラック領域を画定する。両方のマスク
を単一の２層レジスト構造上にかける。ほとんどのレジ
スト系では、現像の終点（t1）は、露光量に反比例す
る。露光量400mJ/cm2の場合t1は１分、150mJ/cm2の場合
は３分である。マスク１（クリティカルでない）は400m
Jで露光し、マスク２（クリティカル）は150mJで露光
し、合計現像時間を５分にすると、PMGI現像時間（t2）
はそれぞれ４分及び２分となる。露光の少ない部分で得
られるアンダーカットは0.4μｍであり、露出の多い部
分で得られるアンダーカットは0.8μｍである。アンダ
ーカットが短い部分ではトラックの画定は良好であり、
アンダーカットが長い部分ではレジストのリフトオフが
容易になる。
以下の例は、本発明を例示するためのもので、本発明を
限定するものではなく、本発明の原理及び範囲から逸脱
せずに、多くの変更を行なうことが可能である。
限定するものではなく、本発明の原理及び範囲から逸脱
せずに、多くの変更を行なうことが可能である。
例Ｉ 下記の例は、本発明を好ましい態様で実施するための詳
細を示すものである。
細を示すものである。
予熱 ５分間、92℃ レジスト塗布 PMGI、4000rpmで30秒スピン・コーティ
ング、厚み1500Å 焼付 ホット・プレートで185℃で30分 レジスト塗布 ジアゾキノン・フォトレジスト、3000rp
mで60秒スピン・コーティング、厚み0.7μｍ 焼付 ホット・プレートで92℃で30分 露出 180mJ/cm2 現像 MP-2401、1:5で21±１℃で4.0分 スプレイ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジスト この方法により、0.4μｍの横方向のアンダーカットが
得られた。このステンシルを用いて、厚み2000Åの金属
をスパッタリングにより付着させた。
ング、厚み1500Å 焼付 ホット・プレートで185℃で30分 レジスト塗布 ジアゾキノン・フォトレジスト、3000rp
mで60秒スピン・コーティング、厚み0.7μｍ 焼付 ホット・プレートで92℃で30分 露出 180mJ/cm2 現像 MP-2401、1:5で21±１℃で4.0分 スプレイ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジスト この方法により、0.4μｍの横方向のアンダーカットが
得られた。このステンシルを用いて、厚み2000Åの金属
をスパッタリングにより付着させた。
例II 下記の例は、勾配付きリード・トラック法の詳細を示す
ものである。
ものである。
予熱 ホット・プレートで92℃で５分間 レジスト塗布 PMGI、4000rpmで30秒スピン・コーティ
ング、 焼付 ホット・プレートで185℃で30分 レジスト塗布 ジアゾキノン・レジスト、2750rpmで60
秒スピン・コーティング、厚み0.7μｍ 焼付 ホット・プレートで92℃で30分 露出 マスク１、PE中央照準面で300mJ/cm2 現像（任意） MP-2401、1:5で21±１℃で2.0分 露出 マスク２、PE中央照準面で180mJ/cm2 現像（任意） MP-2401、1:5で21±１℃で2.5分 スプレイ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジスト この方法により、横方向のアンダーカットは、クリティ
カル領域で0.3μｍ、クリティカルでない領域で0.5μｍ
であった。
ング、 焼付 ホット・プレートで185℃で30分 レジスト塗布 ジアゾキノン・レジスト、2750rpmで60
秒スピン・コーティング、厚み0.7μｍ 焼付 ホット・プレートで92℃で30分 露出 マスク１、PE中央照準面で300mJ/cm2 現像（任意） MP-2401、1:5で21±１℃で2.0分 露出 マスク２、PE中央照準面で180mJ/cm2 現像（任意） MP-2401、1:5で21±１℃で2.5分 スプレイ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジスト この方法により、横方向のアンダーカットは、クリティ
カル領域で0.3μｍ、クリティカルでない領域で0.5μｍ
であった。
F.発明の効果 本発明によれば、フェンシングなしのきれいなリフティ
ングを容易に行なうことができる。
ングを容易に行なうことができる。
第１図ないし第４図は、本発明の工程に従って形成され
る構造の拡大断面図（均一に拡大したものではない）で
ある。 １……基板、２……PMGI層、３……フォトレジスト層、
４……付着金属。
る構造の拡大断面図（均一に拡大したものではない）で
ある。 １……基板、２……PMGI層、３……フォトレジスト層、
４……付着金属。
Claims (1)
- 【請求項１】基板に低分子量のポリメチルグルタルイミ
ド（PMGI）の層をコーティングし、 上記の層上にフォトレジスト層をオーバーコートし、 マスクを介して上記フォトレジスト層に放射線を照射
し、 上記レジスト及びポリメチルグルタルイミドの両者を現
像し、 導体金属材料を付着させ、 上記ポリメチルグルタルイミドの残部を溶剤でリフトオ
フする各工程を含む金属リフトオフ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19166688A | 1988-05-09 | 1988-05-09 | |
| US191666 | 1988-05-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217643A JPH0217643A (ja) | 1990-01-22 |
| JPH076058B2 true JPH076058B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=22706417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9904789A Expired - Lifetime JPH076058B2 (ja) | 1988-05-09 | 1989-04-20 | 金属リフトオフ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0341843A3 (ja) |
| JP (1) | JPH076058B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6916597B2 (en) | 2000-10-05 | 2005-07-12 | Tdk Corporation | Method for fabricating a resist pattern, a method for patterning a thin film and a method for manufacturing a micro device |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5604073A (en) * | 1994-01-12 | 1997-02-18 | International Business Machines Corporation | Azo dyes as adhesion promotion additive in polydimethylglutarimide |
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| US5874188A (en) * | 1998-01-29 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Forming pigment color filter arrays |
| TW411726B (en) * | 1998-06-18 | 2000-11-11 | Siemens Ag | Manufacture of structurized electrodes |
| US6395449B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-28 | Microchem Corp. | Poly-hydroxy aromatic dissolution modifiers for lift-off resists |
| US6303260B1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-16 | Microchem Corp. | Dissolution rate modifiers for lift-off resists |
| JP3965029B2 (ja) | 2001-06-12 | 2007-08-22 | Ｔｄｋ株式会社 | パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
| US6824952B1 (en) | 2001-09-13 | 2004-11-30 | Microchem Corp. | Deep-UV anti-reflective resist compositions |
| US6586560B1 (en) | 2001-09-18 | 2003-07-01 | Microchem Corp. | Alkaline soluble maleimide-containing polymers |
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| JP3691780B2 (ja) | 2001-11-01 | 2005-09-07 | Ｔｄｋ株式会社 | パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
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