JPH0217643A - 金属リフトオフ方法 - Google Patents
金属リフトオフ方法Info
- Publication number
- JPH0217643A JPH0217643A JP9904789A JP9904789A JPH0217643A JP H0217643 A JPH0217643 A JP H0217643A JP 9904789 A JP9904789 A JP 9904789A JP 9904789 A JP9904789 A JP 9904789A JP H0217643 A JPH0217643 A JP H0217643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pmgi
- metal
- substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- -1 Poly methyl glutamyl imide Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylpiperidine-2,6-dione Chemical group CC1(C)CC(=O)NC(=O)C1 YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、低分子量のポリメチルグルタルイミド（ＰＭ
Ｇ Ｉ ）を使用する金属リフトオフ法に関するもので
ある。この方法は、特に磁気記録のための勾配付きリー
ド・トラックを形成するのに適している。
Ｇ Ｉ ）を使用する金属リフトオフ法に関するもので
ある。この方法は、特に磁気記録のための勾配付きリー
ド・トラックを形成するのに適している。
Ｂ、従来技術
米国特許第３９８４９０８号明細書には、ジメチルグル
タルイミド単位を含有するレジストの使用が開示されて
いる。米国特許第４５２４１２１号明細書には、予備成
形したポリグルタルイミドを含有するポジティブ・フォ
トレジストが開・示されている。米国特許箱４５６８４
１１号明細書には、２層フォトレジスト・マスクを使用
した、金属／半導体付着のための方法が記載されている
。
タルイミド単位を含有するレジストの使用が開示されて
いる。米国特許第４５２４１２１号明細書には、予備成
形したポリグルタルイミドを含有するポジティブ・フォ
トレジストが開・示されている。米国特許箱４５６８４
１１号明細書には、２層フォトレジスト・マスクを使用
した、金属／半導体付着のための方法が記載されている
。
米国特許第４５６９８９７号明細書には、ポリグルタル
イミドを含有するネガティブ・フォトレジスト組成物が
記載されている。上記の発明で使用するポリグルタルイ
ミドの分子量は、２．０００ないし約５００．０００で
ある。米国特許第４６０６９９８号明細書には、２層の
ポリイミドを使用した、無障壁高温リフトオフ法が開示
されている。
イミドを含有するネガティブ・フォトレジスト組成物が
記載されている。上記の発明で使用するポリグルタルイ
ミドの分子量は、２．０００ないし約５００．０００で
ある。米国特許第４６０６９９８号明細書には、２層の
ポリイミドを使用した、無障壁高温リフトオフ法が開示
されている。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
上記に引用した従来技術の方法は、いずれも本発明の方
法で必要とされる一連の工程については示していないこ
とに留意されたい。特に、従来技術の方法は、本発明の
方法のように、ＰＭＣＩに放射線を当てない方法は開示
していない。
法で必要とされる一連の工程については示していないこ
とに留意されたい。特に、従来技術の方法は、本発明の
方法のように、ＰＭＣＩに放射線を当てない方法は開示
していない。
従来、金属リフトオフは、レジスト皮膜の断面をアンダ
ーカットにすることによって行なわれてきた。断面のア
ンダーカットは、通常、露出した波長に対して不透明な
ネガティブ・レジストの使用、ポジティブ・フォトレジ
ストの像の反転、または薄いキャップと厚い下部層から
なる２層または３層構造の使用によって形成される。こ
れらの方式は、金属を蒸着によって付着させる場合に有
用である。しかし、スパッタリングを使用すると、重大
なフェンシング、すなわちアンダーカット構造の側壁が
金属皮膜でコーティングされるという問題を生じ、その
ため、リフトオフが非常に困難となり、金属縁部の画定
がきわめて不良となる。
ーカットにすることによって行なわれてきた。断面のア
ンダーカットは、通常、露出した波長に対して不透明な
ネガティブ・レジストの使用、ポジティブ・フォトレジ
ストの像の反転、または薄いキャップと厚い下部層から
なる２層または３層構造の使用によって形成される。こ
れらの方式は、金属を蒸着によって付着させる場合に有
用である。しかし、スパッタリングを使用すると、重大
なフェンシング、すなわちアンダーカット構造の側壁が
金属皮膜でコーティングされるという問題を生じ、その
ため、リフトオフが非常に困難となり、金属縁部の画定
がきわめて不良となる。
上述の多層方式は、きわめて複雑で、多数のコーティン
グ工程と複数回の露出、またはエツチング装置の使用が
必要である。さらに、これらによって、スパッタリング
によって付着させた金属のフェンシングを避けることは
できない。本発明は、フェンシングがなく、容易にきれ
いなリフティングが行なえる、最も簡単な金属リフトオ
フの方法を提供するものである。
グ工程と複数回の露出、またはエツチング装置の使用が
必要である。さらに、これらによって、スパッタリング
によって付着させた金属のフェンシングを避けることは
できない。本発明は、フェンシングがなく、容易にきれ
いなリフティングが行なえる、最も簡単な金属リフトオ
フの方法を提供するものである。
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明によれば、金属リフトオフは、（１）基板に低分
子量のＰＭＧＩの薄い層をコーティングし、（２）上記
の層の上に、フォトレジスト届をオーバーコートし、（
３）フォトレジストにマスクを介して放射線を当て、（
４）レジストとＰＭＣＩの両方を現像し、（５）導体を
、たとえばスパッタリングによって付着させ、（８）Ｐ
ＭＣＩ及びフォトレジストの残部を溶剤でリフトオフす
ることによって行なわれる。
子量のＰＭＧＩの薄い層をコーティングし、（２）上記
の層の上に、フォトレジスト届をオーバーコートし、（
３）フォトレジストにマスクを介して放射線を当て、（
４）レジストとＰＭＣＩの両方を現像し、（５）導体を
、たとえばスパッタリングによって付着させ、（８）Ｐ
ＭＣＩ及びフォトレジストの残部を溶剤でリフトオフす
ることによって行なわれる。
本発明で使用するＰＭＧＩは、平均分子量（ポリスチレ
ンを規準として）が３，０００ないし４ｏ、ｏｏｏの範
囲のものとする。どんな分子量を選ぶかは、特定用途に
必要なアンダーカットの深さによって左右されるが、ま
た焼付けの温度と時間、及び現像剤の濃度と現像時間に
よっても決まる。このように、上記のパラメータを変え
ることにより、必要なアンダーカットを形成させること
ができる。下記の例では、絶対平均分子量が約３０．０
００（ポリスチレンを標準としてＧＰＣで測定して１９
，０００）のものが最も好ましい。
ンを規準として）が３，０００ないし４ｏ、ｏｏｏの範
囲のものとする。どんな分子量を選ぶかは、特定用途に
必要なアンダーカットの深さによって左右されるが、ま
た焼付けの温度と時間、及び現像剤の濃度と現像時間に
よっても決まる。このように、上記のパラメータを変え
ることにより、必要なアンダーカットを形成させること
ができる。下記の例では、絶対平均分子量が約３０．０
００（ポリスチレンを標準としてＧＰＣで測定して１９
，０００）のものが最も好ましい。
このような低分子量の材料は、シップレイ社（Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ Ｃｏｍｐａｎｙ）から市販されている。別法と
して、フォトレジストをコーティングする前に、分子量
を必要な範囲まで低下させるために深紫外線によるブラ
ンケット露出を行なうならば、高分子量のＰＭＧＩを使
用することもできる。
ｌｅｙ Ｃｏｍｐａｎｙ）から市販されている。別法と
して、フォトレジストをコーティングする前に、分子量
を必要な範囲まで低下させるために深紫外線によるブラ
ンケット露出を行なうならば、高分子量のＰＭＧＩを使
用することもできる。
Ｅ、実施例
第１図は、ＰＭＧＩ層２をコーティングした後フォトレ
ジスト３をコーティングした基板１を示す。レジストを
、マスクを介して放射線に当てる。
ジスト３をコーティングした基板１を示す。レジストを
、マスクを介して放射線に当てる。
次にレジストとＰＭＣＩの両方を現像すると、第２図に
示すように、レジストの下にＰＭＧＩのアンダーカット
を有する構造が残る。次に、たとえばスパッタリングに
よって、導体金属を付着させ、第３図に示すように、基
板とレジストとに付着金属４の被覆を形成させる。最後
に、たとえば有機溶剤またはアルカリ水溶液を使用して
、リフトオフを行なう。この結果を第４図に示すが、基
板はフェンシングの問題を生じることなく、選択的にコ
ーティングされている。
示すように、レジストの下にＰＭＧＩのアンダーカット
を有する構造が残る。次に、たとえばスパッタリングに
よって、導体金属を付着させ、第３図に示すように、基
板とレジストとに付着金属４の被覆を形成させる。最後
に、たとえば有機溶剤またはアルカリ水溶液を使用して
、リフトオフを行なう。この結果を第４図に示すが、基
板はフェンシングの問題を生じることなく、選択的にコ
ーティングされている。
上面の作像レジストは、アルカリ水溶液で現像可能なフ
ォトレジストで、ポジティブでもネガティブでもよい。
ォトレジストで、ポジティブでもネガティブでもよい。
このようなフォトレジストの例としては、ジアゾナフト
キノン／ノボラック系のポジティブ・フォトレジスト、
米国特許第４４９１ｆ３２８号明細書記載のデュアル・
トーン・レジスト、米国特許第４１０４０７０号明細書
記載の像反転ネガティブ・レジスト等がある。
キノン／ノボラック系のポジティブ・フォトレジスト、
米国特許第４４９１ｆ３２８号明細書記載のデュアル・
トーン・レジスト、米国特許第４１０４０７０号明細書
記載の像反転ネガティブ・レジスト等がある。
作像のための放射線は紫外線には限らず、電子線、Ｘ線
、イオン線なども使用可能である。
、イオン線なども使用可能である。
本発明の方法は、スパッタリングによって付着させた金
属のリフトオフに有用であり、特に、ステップ被覆を良
好にするために長い金属縁部のテーパが必要な場合に有
用である。さらに、本発明は、蒸着または蒸着とスパッ
タリングを併用する場合に、はっきり画定された金属パ
ターンを形成するための簡単な方法を提供する。上述の
ように、本発明の方法は、金属を蒸着によって付着させ
る場合にも、スパッタリングによって付着させる場合に
も有用である。
属のリフトオフに有用であり、特に、ステップ被覆を良
好にするために長い金属縁部のテーパが必要な場合に有
用である。さらに、本発明は、蒸着または蒸着とスパッ
タリングを併用する場合に、はっきり画定された金属パ
ターンを形成するための簡単な方法を提供する。上述の
ように、本発明の方法は、金属を蒸着によって付着させ
る場合にも、スパッタリングによって付着させる場合に
も有用である。
スパッタリングを使用する場合は、作像層の厚みによっ
てテーパの程度が決まる。作像層が厚いほど、テーパは
長くなる。
てテーパの程度が決まる。作像層が厚いほど、テーパは
長くなる。
ＰＭＧＩ層の厚みは、必要な付着金属の厚みに依存する
。金属をスパッタリングによって付着させる場合、金属
縁部の画定を良好にし、リフトオフを容易にするために
は、ＰＭＧＩの厚みを付着金属の厚みよりわずかに薄く
する必要がある。蒸着の場合は、ＰＭＧＩ層を付着金属
よりも厚くする。
。金属をスパッタリングによって付着させる場合、金属
縁部の画定を良好にし、リフトオフを容易にするために
は、ＰＭＧＩの厚みを付着金属の厚みよりわずかに薄く
する必要がある。蒸着の場合は、ＰＭＧＩ層を付着金属
よりも厚くする。
本発明の好ましい変更態様では、磁気記録読取りトラッ
クの幅が画定できるようにこの方法を適合させる。本発
明の方法により、勾配付きリード・トラック（ＢＬＴ）
が得られる。上記の方法では、現像時間の合計は、レジ
ストの現像時間（ｔｌ）と下層のＰＭＧＩの現像時間（
ｔ２）の和である。
クの幅が画定できるようにこの方法を適合させる。本発
明の方法により、勾配付きリード・トラック（ＢＬＴ）
が得られる。上記の方法では、現像時間の合計は、レジ
ストの現像時間（ｔｌ）と下層のＰＭＧＩの現像時間（
ｔ２）の和である。
ＰＭＧ Ｉ層のアンダーカットは、時間ｔ２の一次関数
であり、したがって、特定のレジスト系で放射量が一定
の場合はレジストの終点ｔ１は一定になるので、全体の
現像時間に比例する。したがって、現像時間を長く（５
分を超える）すると、アンダーカットが長くなり、レジ
ストのリフトオフが容易になるが、導体のテーパが長く
なるためトラックの画定には良くない。現像時間を短く
（５分未満）すると、アンダーカットが短くなり、トラ
ックの画定には良いが、レジストのリフトオフには良く
ない。本発明の方法は、導体パターン中のクリティカル
なトラック領域ではアンダーカットが短く、クリティカ
ルでない領域ではアンダーカットが長くなるという妥協
点が見つかるようにさせることができる。本発明者等は
これを「勾配付きリード・トラック（ＢＬＴ）Ｊと呼ん
でいる。
であり、したがって、特定のレジスト系で放射量が一定
の場合はレジストの終点ｔ１は一定になるので、全体の
現像時間に比例する。したがって、現像時間を長く（５
分を超える）すると、アンダーカットが長くなり、レジ
ストのリフトオフが容易になるが、導体のテーパが長く
なるためトラックの画定には良くない。現像時間を短く
（５分未満）すると、アンダーカットが短くなり、トラ
ックの画定には良いが、レジストのリフトオフには良く
ない。本発明の方法は、導体パターン中のクリティカル
なトラック領域ではアンダーカットが短く、クリティカ
ルでない領域ではアンダーカットが長くなるという妥協
点が見つかるようにさせることができる。本発明者等は
これを「勾配付きリード・トラック（ＢＬＴ）Ｊと呼ん
でいる。
単一のパターン層で異なるアンダーカットを得る方法は
、導体パターンの領域によって現像時間を変える能力を
持たせることによって行なう。ＢＬＴ法では、これは２
つの異なるマスクを使って導体パターン全体を画定する
ことによって行なう。
、導体パターンの領域によって現像時間を変える能力を
持たせることによって行なう。ＢＬＴ法では、これは２
つの異なるマスクを使って導体パターン全体を画定する
ことによって行なう。
第１のマスクは、導体のクリティカルでない領域を画定
し、第２のマスクは、装置のクリティカルなトラック領
域を画定する。両方のマスクを単一の２層レジスト構造
上にかける。はとんどのレジスト系では、現像の終点（
ｔｌ）は、露光量に反比例する。露光ｆｆｉ ４００
ｍ Ｊ ／ａｍ２の場合ｔ１は１分、１５０ ｍ Ｊ
／ｃｍ２の場合は３分である。マスク１（クリティカル
でない）は４００ｍＪで露光し、マスク２（クリティカ
ル）は１５０ｍＪで露光し、合計現像時間を５分にする
と、ＰＭＧＩ現像時間（ｔ２）はそれぞれ４分及び２分
となる。
し、第２のマスクは、装置のクリティカルなトラック領
域を画定する。両方のマスクを単一の２層レジスト構造
上にかける。はとんどのレジスト系では、現像の終点（
ｔｌ）は、露光量に反比例する。露光ｆｆｉ ４００
ｍ Ｊ ／ａｍ２の場合ｔ１は１分、１５０ ｍ Ｊ
／ｃｍ２の場合は３分である。マスク１（クリティカル
でない）は４００ｍＪで露光し、マスク２（クリティカ
ル）は１５０ｍＪで露光し、合計現像時間を５分にする
と、ＰＭＧＩ現像時間（ｔ２）はそれぞれ４分及び２分
となる。
露出の少ない部分で得られるアンダーカットは０゜４μ
ｍであり、露出の多い部分で得られるアンダーカットは
０．８μｍである。アンダーカットが短い部分ではトラ
ックの画定は良好であり、アンダーカットが長い部分で
はレジストのリフトオフが容易になる。
ｍであり、露出の多い部分で得られるアンダーカットは
０．８μｍである。アンダーカットが短い部分ではトラ
ックの画定は良好であり、アンダーカットが長い部分で
はレジストのリフトオフが容易になる。
以下の例は、本発明を例示するためのもので、本発明を
限定するものではなく、本発明の原理及び範囲から逸脱
せずに、多（の変更を行なうことが可能である。
限定するものではなく、本発明の原理及び範囲から逸脱
せずに、多（の変更を行なうことが可能である。
例Ｉ
下記の例は、本発明を好ましい態様で実施するための詳
細を示すものである。
細を示すものである。
予熱 ５分間、９２℃
レジスト塗布 ＰＭＧＩ、４０００ｒｌ）ｍで３０
秒スピン・コーティング、 厚み１５００人 焼付 ホット・プレートで１８５℃で３０
分 レジスト塗布 ジアゾキノン・フォトレジスト、３
０００ｒｌｍで６０秒 スピン・コーティング、厚み ０．７μｍ 焼付 ホット・プレートで８２℃で３０分 露出 １８０ ｍ Ｊ ／ｃｍ２現像
ＭＰ−２４０Ｌ １ ： ５で２１±１℃で
４．０分 スプレィ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジストこの方
法により、０６４μｍの横方向のアンダーカットが得ら
れた。このステンシルを用いて、厚み２０００人の金属
をスパッタリングにより付着させた。
秒スピン・コーティング、 厚み１５００人 焼付 ホット・プレートで１８５℃で３０
分 レジスト塗布 ジアゾキノン・フォトレジスト、３
０００ｒｌｍで６０秒 スピン・コーティング、厚み ０．７μｍ 焼付 ホット・プレートで８２℃で３０分 露出 １８０ ｍ Ｊ ／ｃｍ２現像
ＭＰ−２４０Ｌ １ ： ５で２１±１℃で
４．０分 スプレィ・リンス ５サイクル スピン乾燥 セミツール 検査 範囲、整合及び残留レジストこの方
法により、０６４μｍの横方向のアンダーカットが得ら
れた。このステンシルを用いて、厚み２０００人の金属
をスパッタリングにより付着させた。
例■
下記の例は、勾配付きリード・トラック法の詳細を示す
ものである。
ものである。
予熱 ホット・プレートで９２℃で５分間
レジスト塗布 ＰＭＧ１１４０００ｒｐｍで焼付
レジスト塗布
焼付
露出
現像（任意）
露出
現像（任意）
スプレィ・リンス
スピン乾燥
検査
３０秒スピン・コーティング、
ホット・プレートで１８５℃
で３０分
ジアゾキノンΦレジスト、
２７５Ｏｒｐｍで６０秒スピ
ン・コーティング、厚み０゜
７μｍ
ホット・プレートで９２℃で
３０分
マスク１、ＰＥ中央照準面で
３００ ｍ Ｊ ７ｃｍ２
ＭＰ−２４０１，１： ５で２
１°Ｃ±１℃で２．０分
マスク２、ＰＥ中央照準面で
１８０ ｍ Ｊ ７ｃｍ２
ＭＰ−２４０Ｌ １ ： ５で２
１±１℃で２．５分
５サイクル
セミツール
範囲、整合及び残留レジスト
この方法により、横方向のアンダーカットは、クリティ
カル領域で０．３μｍ１クリテイカルでない領域で０．
５μｍであった。
カル領域で０．３μｍ１クリテイカルでない領域で０．
５μｍであった。
Ｆ６発明の効果
本発明によれば、フェンシングなしのきれいなリフティ
ングを容易に行なうことができる。
ングを容易に行なうことができる。
第１図ないし第４図は、本発明の工程に従って形成され
る構造の拡大断面図（均一に拡大したものではない）で
ある。 １・・・・基板、２・・・・ＰＭＧＩ層、３・・・・フ
ォトレジスト層、４・・・・付着金属。 出願人 インターナシロナル・ビジネス・マシーンズ
拳コーポレ°゛−シ１ン
る構造の拡大断面図（均一に拡大したものではない）で
ある。 １・・・・基板、２・・・・ＰＭＧＩ層、３・・・・フ
ォトレジスト層、４・・・・付着金属。 出願人 インターナシロナル・ビジネス・マシーンズ
拳コーポレ°゛−シ１ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板に低分子量のポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ
）の層をコーティングし、 上記の層上にフォトレジスト層をオーバーコートし、 マスクを介して上記フォトレジスト層に放射線を照射し
、 上記レジスト及びポリメチルグルタルイミドの両者を現
像し、 導体金属材料を付着させ、 上記ポリメチルグルタルイミドの残部を溶剤でリフトオ
フする各工程を含む金属リフトオフ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19166688A | 1988-05-09 | 1988-05-09 | |
| US191666 | 1988-05-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217643A true JPH0217643A (ja) | 1990-01-22 |
| JPH076058B2 JPH076058B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=22706417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9904789A Expired - Lifetime JPH076058B2 (ja) | 1988-05-09 | 1989-04-20 | 金属リフトオフ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0341843A3 (ja) |
| JP (1) | JPH076058B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03170936A (ja) * | 1988-11-28 | 1991-07-24 | Matsushita Electron Corp | 現像液及びパターン形成方法 |
| US6881534B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-04-19 | Tdk Corporation | Method of forming mask, method of forming patterned thin film, and method of fabricating micro device |
| US6893802B2 (en) | 2001-06-12 | 2005-05-17 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| WO2005124459A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nagase Chemtex Corporation | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
| US7311850B2 (en) | 2001-11-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| JP2008537981A (ja) * | 2005-04-12 | 2008-10-02 | サエス ゲッタース ソチエタ ペル アツィオニ | 小型ゲッタ蒸着層の形成方法及びそうして得られたゲッタ蒸着層 |
| US7944651B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same |
| US8323868B2 (en) | 2009-11-06 | 2012-12-04 | International Business Machines Corporation | Bilayer systems including a polydimethylglutarimide-based bottom layer and compositions thereof |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604073A (en) * | 1994-01-12 | 1997-02-18 | International Business Machines Corporation | Azo dyes as adhesion promotion additive in polydimethylglutarimide |
| TW432896B (en) * | 1997-10-15 | 2001-05-01 | Siemens Ag | Preparation of organic electroluminescencizing elements |
| US5874188A (en) * | 1998-01-29 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Forming pigment color filter arrays |
| TW411726B (en) | 1998-06-18 | 2000-11-11 | Siemens Ag | Manufacture of structurized electrodes |
| JP3371101B2 (ja) | 2000-02-02 | 2003-01-27 | ティーディーケイ株式会社 | レジストパターンおよびその形成方法、薄膜パターン形成方法ならびにマイクロデバイスの製造方法 |
| US6395449B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-28 | Microchem Corp. | Poly-hydroxy aromatic dissolution modifiers for lift-off resists |
| US6303260B1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-16 | Microchem Corp. | Dissolution rate modifiers for lift-off resists |
| JP3458352B2 (ja) | 2000-10-05 | 2003-10-20 | Ｔｄｋ株式会社 | レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
| US6824952B1 (en) | 2001-09-13 | 2004-11-30 | Microchem Corp. | Deep-UV anti-reflective resist compositions |
| US6586560B1 (en) | 2001-09-18 | 2003-07-01 | Microchem Corp. | Alkaline soluble maleimide-containing polymers |
| GB0127075D0 (en) | 2001-11-10 | 2002-01-02 | Trikon Holdings Ltd | Method of forming a patterned metal layer |
| WO2003043062A1 (en) * | 2001-11-10 | 2003-05-22 | Trikon Holdings Limited | Method of forming a patterned metal layer |
| JP3818188B2 (ja) | 2002-03-22 | 2006-09-06 | Ｔｄｋ株式会社 | マスクパターンの形成方法、該マスクパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7211195B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-05-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for providing a liftoff process using a single layer resist and chemical mechanical polishing and sensor formed therewith |
| US7534555B2 (en) | 2003-12-10 | 2009-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Plating using copolymer |
| US7413846B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-08-19 | Microchips, Inc. | Fabrication methods and structures for micro-reservoir devices |
| US20070036890A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Feng Zhong | Method of making a fuel cell component using a mask |
| EP1906249A3 (en) * | 2006-09-26 | 2008-12-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective coating compositions for photolithography |
| CN112645276B (zh) * | 2020-03-06 | 2024-02-09 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 铟柱及其制备方法 |
| CN111584707B (zh) * | 2020-04-10 | 2023-02-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种用于snspd器件纳米线结构的双层胶剥离方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4218532A (en) * | 1977-10-13 | 1980-08-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photolithographic technique for depositing thin films |
| US4533624A (en) * | 1983-05-23 | 1985-08-06 | Sperry Corporation | Method of forming a low temperature multilayer photoresist lift-off pattern |
| US4524121A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-18 | Rohm And Haas Company | Positive photoresists containing preformed polyglutarimide polymer |
| US4806453A (en) * | 1986-05-07 | 1989-02-21 | Shipley Company Inc. | Positive acting bilayer photoresist development |
-
1989
- 1989-04-18 EP EP19890303819 patent/EP0341843A3/en not_active Withdrawn
- 1989-04-20 JP JP9904789A patent/JPH076058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03170936A (ja) * | 1988-11-28 | 1991-07-24 | Matsushita Electron Corp | 現像液及びパターン形成方法 |
| US6893802B2 (en) | 2001-06-12 | 2005-05-17 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| US6881534B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-04-19 | Tdk Corporation | Method of forming mask, method of forming patterned thin film, and method of fabricating micro device |
| US7311850B2 (en) | 2001-11-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| WO2005124459A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nagase Chemtex Corporation | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2008537981A (ja) * | 2005-04-12 | 2008-10-02 | サエス ゲッタース ソチエタ ペル アツィオニ | 小型ゲッタ蒸着層の形成方法及びそうして得られたゲッタ蒸着層 |
| US7944651B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same |
| US8323868B2 (en) | 2009-11-06 | 2012-12-04 | International Business Machines Corporation | Bilayer systems including a polydimethylglutarimide-based bottom layer and compositions thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0341843A3 (en) | 1991-03-27 |
| JPH076058B2 (ja) | 1995-01-25 |
| EP0341843A2 (en) | 1989-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0217643A (ja) | 金属リフトオフ方法 | |
| JPS60214532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
| KR100928513B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0298147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6236823A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS61245531A (ja) | 薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JP2666420B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02205008A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS63104327A (ja) | Ｘ線マスク、およびその製造方法 | |
| JPH03765B2 (ja) | ||
| JPH05114556A (ja) | 集積回路の製造に適したフオトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH07142323A (ja) | レジストパターン形成法 | |
| JPS61131446A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH1172913A (ja) | ネガ型レジストおよびレジストパターン形成方法 | |
| JPS59152628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06260382A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 |