JPH02205008A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 Ｘ線マスクの製造方法、例えば金レジネートの如き金属
レジネートを用いてＸ線吸収膜を形成する方法に関し、 Ｘ線マスクの形成において、Ｘ線吸収膜のパターンが正
確に形成され、かつ、複維でない工程で高信鯨性、高精
度のＸ線マスクを製造する方法を提供することを目的と
し、 基板上にメンブレンを形成する工程、メンブレン上に金
属レジネート膜を塗布し、該金属レジネート膜をプリベ
ークする工程、金属レジネート膜を所定のパターンに従
って露光し、現像により未露光部または露光部を除去す
る工程、およびポストベークにより露光部を焼成する工
程を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法を含み
構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、Ｘ線マスクの製造方法、例えば金レジネート
の如き金属レジネートを用いてＸ線吸収膜を形成する方
法に関する。

〔従来の技術〕

近年のマスク、特にＸ線マスクには、微細パタ−ンを正
確に転写するために精度が高く歪みの少ないマスクが要
求されている。そのため、Ｘ線吸収膜も密着性よく堆積
され、パターンも正確に形成される必要がある。

従来のＸ線マスクのＸ線吸収膜堆積は下記のプロセスに
よってなされている。

第１に、マスク基板上にパターン形成の可能な有機薄膜
（レジスト）を塗布し、溶媒を除去するプリベータを行
い、次にパターン形成のための露光を行い、続いて現像
してパターンを作成する。

第２段階として金を蒸着する。

最後に第１段階で塗布したレジストを剥離することによ
って、基板上に残った金でパターンが形成される。

［発明が解決しようとする課題〕 上述した工程は複雑であるだけでなく、金を蒸着する際
に、レジスト側壁に金が付着し、レジストを剥離しても
付着した金が残ってパターンにエツジが残る現象が認め
られた。

前記した工程を第３図を参照して説明すると、同図（ａ
）に示されるように、基板３１上にレジスト３２のパタ
ーンが形成されている。

次に、基板全面に金３３を蒸着すると、金はレジスト３
２の間の基板上だけでなくレジスト３２の上にも堆積す
る。ここでレジスト３２を例えばリストオフ法によって
剥離すると、金３３のパターンが基板上に残るのである
が、レジスト側壁に金が付着することによって、同図（
ｃ）に示されるようなエツジ３４が形成されることが認
められた。

このようにして金のパターンにエツジが形成されると、
その後のリソグラフィープロセスで正確な転写ができな
いことが確かめられた。また、マスク形成のプロセスが
複雑化することで、マスク基板の歪みや膨張などが発生
し、そのことによってマスクの信頼性が低下する問題も
ある。

そこで本発明は、Ｘ線マスクの形成において、Ｘ線吸収
膜のパターンが正確に形成され、かつ、複雑でない工程
で高信頼性、高精度のＸ線マスクを製造する方法を提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、基板上にメンブレンを形成する工程、メン
ブレン上に金属レジネート膜を塗布し、該金属レジネー
ト膜をプリベークする工程、金属レジネート膜を所定の
パターンに従って露光し、現像により未露光部または露
光部を除去する工程、およびボストベークにより露光部
を焼成する工程を含むことを特徴とするＸ線マスクの製
造方法によって解決される。

〔作用〕

上記課題を解決するために、本発明では、Ｘ線マスク形
成において、Ｘ線吸収膜堆積法に、金属レジネートを用
いたダイレクト（直接的）パターニングを用いるのであ
る。

本発明の原理は、第２図に示され、先ず、同図（ａ）に
示されるようにマスク基板２１上に金属レジネートを塗
布して金属レジネート膜２２を形成し、次に、プリベー
ク工程（同図（ｂ））でホットプレートの如きヒーター
２３を用いて金属レジネート膜の溶媒を飛散させる。

次に、同図（ｃ）に示される露光工程で図示しないマス
クを用いて露光すると、露光によって不溶化した層（露
光部）２４と露光されず溶解する層（未露光部）２５と
が作られる。

同図（ｄ）に示される現像工程で、未露光部２５は現像
液により溶解し、露光部２４のみが残ってパターンが形
成される。

最後に同図（ｅ）の例えば電気炉２７を用いる焼成工程
で残った露光１１２４中の有機物を焼き出す・と、マス
ク基板２１上には金属膜パターン２６かのこる。

このようなプロセスによると、Ｘ線吸収膜の堆積が容易
で、マスク基板自体にも悪影響を及ぼさず、Ｘ線吸収膜
の形状もエツジのないきれいなものとなり、その後完成
したＸ線マスクは精度が良く、リソグラフィープロセス
で正確な転写を行うことが可能になる。

〔実施例〕

以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。

第１図（ａ）〜（ｇ）に本発明実施例を断面図で示す。

第１図（ａ）参照： 基板１１上にＸ線透過膜としてのメンブレン１２を形成
する。基板１１としては例えば石英（Ｓｉｎｇ）を用意
し、メンブレン１２には、後の工程での焼成温度を考慮
してシリコン基板を用い、シリコンウェハを基板１１に
貼付けた。

またはこの方法に代えて、基板１１としてシリコンウェ
ハを用い、メンブレンにシリコン以外の材料（例えばＳ
ｉ’Ｃ）を用いてもよい。

第１図（ｂ）参照： 金属レジネート、例えば金レジネートを塗布して金レジ
ネート膜１３を５−の厚さに形成する。この厚さは、最
終的に形成されるＸ線吸収膜の厚さに対応して設定する
。金レジネートとしては、エンゲルハード社製、商品番
号Ａ−１１１８，２４％　金（Ａｕ）含有）の金レジネ
ートを用い、このレジネートを塗布するにはトルエンで
希釈した。

第１図（ｃ）参照； 金レジネート中の溶媒（トルエン）を、ヒーター１４（
例えばホットプレート）上で、すなわち大気中で８０°
Ｃｌ２Ｏ分のプリベータを施して飛散させ、金レジネー
ト膜１３を乾燥させた。

第１図（ｄ）参照： 露光によって露光部１５を不溶化した。露光は、紫外線
、レーザ光その他のエネルギービームで行うことができ
るが、Ｎ２レーザ（パルスリピート＝５０回／秒）をレ
ンズで少なく集光して、マスク２０を通して所定パター
ンに金レジネート膜１２を５分間露光した。

第１図（ｅ）参照： 現像により、未露光部１６を除去し、露光部１５のパタ
ーンのみを残す。現像にはクロロホルム溶液の現像液を
用いた。

第１図（ｆ）参照： 電気炉１７中で、５００℃の温度で焼成しくポストベー
ク）、露光部１５中の有機物を飛散させ、厚さＩＩＩｍ
の金薄膜１８のみのパターンを作成する。

第１図（ｇ）参照： 基盤１１を裏からエツチングして枠１９を残し枠１９上
のメンブレン１２上に金薄膜パターン１８が設けられた
Ｘ線マスクが得られた。

なお、以上は金レジネートを例に説明したが、本発明は
その場合に限定されるものでなく、その他のＸ線を遮断
する金属レジネートを用いる場合にも及ぶものである。

また、金レジネートの感光物質を速ぶことにより、ネガ
、ポジいずれにもすることができる。

〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、Ｘ線マスク形成プロセス
が簡易化され、かつ金薄膜パターンにエツジが形成され
ないためマスクの精度が向上し、半導体装置の形成にお
けるリソグラフィーの微細パターン形成に効果が大であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜軸）は本発明実施例断面図、第２図（ａ
）〜（ｅ）は本発明の詳細な説明する断面図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は従来例の問題点を説明する断面
図である。 図中、 １１は基板、 １２はメンブレン、 １３は金レジネート膜、 １４はヒーター １５は露光部、 １６は未露光部、 １７は電気炉、 １８は金薄膜パターン、 １９は枠 ２０はマスク を示す。 婆

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１１）上にメンブレン（１２）を形成する工程、
   メンブレン（１２）上に金属レジネート膜（１３）を塗
   布し、該金属レジネート膜（１３）をプリベークする工
   程、 金属レジネート膜（１３）を所定のパターンに従って露
   光し、現像により未露光部（１６）または露光部（１５
   ）を除去する工程、および ポストベークにより露光部（１５）を焼成する工程を含
   むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。