JPS60226123A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60226123A JPS60226123A JP59081994A JP8199484A JPS60226123A JP S60226123 A JPS60226123 A JP S60226123A JP 59081994 A JP59081994 A JP 59081994A JP 8199484 A JP8199484 A JP 8199484A JP S60226123 A JPS60226123 A JP S60226123A
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- JP
- Japan
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- pattern
- resist
- etched
- etching
- film
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/025—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon triple bonds, e.g. acetylenic compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造に於ける写真蝕刻工程の
マスクパターンの形成方法に関する。
マスクパターンの形成方法に関する。
いくつかの層を８％してパター／を形成していく方法と
して、例えば第１図に示すようなものがある。まず第１
図（ａ）に於いて、被蝕刻材１の上に例えば２μｍの平
担化層２を、更にその上に例えば２０００Ａの５ｉｏ２
トランスフア膜３を被着させる。
して、例えば第１図に示すようなものがある。まず第１
図（ａ）に於いて、被蝕刻材１の上に例えば２μｍの平
担化層２を、更にその上に例えば２０００Ａの５ｉｏ２
トランスフア膜３を被着させる。
次に第１図（ｂ）Ｋ示す様に７オトレジストのパターン
４を形成する。その後第１図（Ｃ）に示す様にレジスト
パターンをマスクにしてトランスファー膜３を蝕刻し、
更に該トランスファー膜をマスクにしイｓＩ！−おイに
レジスト屑２を舖勤１す２− との曲の平和化層には通
常ポジ型レジストが用いられ、その蝕刻には酸素ガスを
用いたりアクティブイオンエツチングが用いられる。ト
ランスファー膜３の蝕刻時にも原則的にリアクティブイ
オンエツチングを用いることが好ましい。しかしながら
、この平担化層の蝕刻にはパターン精度を上げるため非
等方エツチングであるリアクティブイオンエツチングを
用いることが必須である。そのために高価なエツチング
装置を用いなければならないという問題があった。次に
、このような設備を必要としない簡便な方法として第２
図に示すような２層から成るパターン形成方法がある。
４を形成する。その後第１図（Ｃ）に示す様にレジスト
パターンをマスクにしてトランスファー膜３を蝕刻し、
更に該トランスファー膜をマスクにしイｓＩ！−おイに
レジスト屑２を舖勤１す２− との曲の平和化層には通
常ポジ型レジストが用いられ、その蝕刻には酸素ガスを
用いたりアクティブイオンエツチングが用いられる。ト
ランスファー膜３の蝕刻時にも原則的にリアクティブイ
オンエツチングを用いることが好ましい。しかしながら
、この平担化層の蝕刻にはパターン精度を上げるため非
等方エツチングであるリアクティブイオンエツチングを
用いることが必須である。そのために高価なエツチング
装置を用いなければならないという問題があった。次に
、このような設備を必要としない簡便な方法として第２
図に示すような２層から成るパターン形成方法がある。
第２図（ａ）に於いてまず被蝕刻材１の上に放射線感応
レジスト、例えば波長０．２〜０．３μｍの遠紫外光に
感度を有するポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）
を平担化層２として塗布し、その上にレジストパターン
４を形成する。次に第２図（ｂ）に示す様に全面に遠紫
外光５を照射し、平担化層２のＰＭＭＡ中にレジストパ
ターン４をマスクとして露光部６と非露光部７を形成す
る。次に第１図（Ｃ）に示すように平担化層２を有機溶
剤にて現像し、レジストパターンを形成する。この方法
ではりアクティブイオンエツチング装置を必要としない
ものの、平担化層２とバターニングレジスト４との界面
に介在層を形成することが多く、結局は介在層をさける
ため、両層の間に５１０２等の別の層を設けて３層の糸
としたり平担化層２の現像前に酸素プラズマＶこよる灰
化等を行わなければならないという問題があった。また
、パターニングレジスト２への露光中の平担化Ｍ２への
感光を僻けるため、各々のレジストの感光波長領域を異
なるものとしたり、このため材料の選択に制限が生じる
という問題があった。
レジスト、例えば波長０．２〜０．３μｍの遠紫外光に
感度を有するポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）
を平担化層２として塗布し、その上にレジストパターン
４を形成する。次に第２図（ｂ）に示す様に全面に遠紫
外光５を照射し、平担化層２のＰＭＭＡ中にレジストパ
ターン４をマスクとして露光部６と非露光部７を形成す
る。次に第１図（Ｃ）に示すように平担化層２を有機溶
剤にて現像し、レジストパターンを形成する。この方法
ではりアクティブイオンエツチング装置を必要としない
ものの、平担化層２とバターニングレジスト４との界面
に介在層を形成することが多く、結局は介在層をさける
ため、両層の間に５１０２等の別の層を設けて３層の糸
としたり平担化層２の現像前に酸素プラズマＶこよる灰
化等を行わなければならないという問題があった。また
、パターニングレジスト２への露光中の平担化Ｍ２への
感光を僻けるため、各々のレジストの感光波長領域を異
なるものとしたり、このため材料の選択に制限が生じる
という問題があった。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、リアクティブ
イオンエツチングによらずに通常の溶液エツチングによ
シバターン精度のよいパターンを形成する新しい多層の
パターン形成方法を提供するものである。
イオンエツチングによらずに通常の溶液エツチングによ
シバターン精度のよいパターンを形成する新しい多層の
パターン形成方法を提供するものである。
本発明の骨子は、平担化層に放射線感応レジストを用い
、その上に遮光性の第２の膜を用い、該被膜を溶液によ
り蝕刻・加工後、これをマスクにして一括露光転写を行
い、現像して垂直な側壁を有する蝕刻用マスクパターン
を形成するものである。
、その上に遮光性の第２の膜を用い、該被膜を溶液によ
り蝕刻・加工後、これをマスクにして一括露光転写を行
い、現像して垂直な側壁を有する蝕刻用マスクパターン
を形成するものである。
次に本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
（実施例１）
まず、第３図（ａ）に示すように、被蝕刻材１、例えば
５ｉｎ２の上に２μｍの平担化層８として、放射線感応
レジストＰＭＮｉＡを塗布した後、１８０℃１時間のベ
ーキングを行った。次に第３図（ｂ）のように、放射線
に対しＣ遮光性を具備した被膜としてＳｅ、Ｇｅ９を４
＝１の割合でスパッタにより厚さ２０００Ａに被着させ
た。その後、１４０℃、３０分のアニールを行った。更
にその上にポジ型しジス）ＯＦＰＲ８００を１ ａｍ塗
布し、９０℃、１５分のプレベーク後、投影露光装置に
て露光し、コリン溶液にて現像してレジストパターン４
を形成した。
５ｉｎ２の上に２μｍの平担化層８として、放射線感応
レジストＰＭＮｉＡを塗布した後、１８０℃１時間のベ
ーキングを行った。次に第３図（ｂ）のように、放射線
に対しＣ遮光性を具備した被膜としてＳｅ、Ｇｅ９を４
＝１の割合でスパッタにより厚さ２０００Ａに被着させ
た。その後、１４０℃、３０分のアニールを行った。更
にその上にポジ型しジス）ＯＦＰＲ８００を１ ａｍ塗
布し、９０℃、１５分のプレベーク後、投影露光装置に
て露光し、コリン溶液にて現像してレジストパターン４
を形成した。
次に第３図（Ｃ）のごとく、レジストパターン４をマス
クにしてＮａＯＨ溶液中に１モルのＮａ２Ｓを添加した
蝕刻液にて５ｅＧｅ９を蝕刻した。この際、柱状結晶構
造を取る５ｅ−Ｇｅ膜Ｋ Ｎ ａ ＯＨ、、Ｌ：Ｎ ａ
２ Ｓが交互に有効忙作用し、溶液による蝕刻にもか
かわらず、アンダーカットのない精度のよい５ｅ−Ｇｅ
１１’、’ｊパターン９を得ることができた。次に第３
図（ψに示すように、全面に波長２６０ｎｍの遠紫外線
５を、１００ｍｊ／−照射し、第３図（ｅ）のように平
担化ノ、１８をメチルイソブチルケトン有機溶媒にて現
像しパターンを形成した。最後に平担化層パターン８を
マスクにして、５Ｉ０２１をＪｔ常の方法で蝕刻したと
ころ、寸法精度の良好なＳ ｉ Ｏ，パターンが得られ
た。
クにしてＮａＯＨ溶液中に１モルのＮａ２Ｓを添加した
蝕刻液にて５ｅＧｅ９を蝕刻した。この際、柱状結晶構
造を取る５ｅ−Ｇｅ膜Ｋ Ｎ ａ ＯＨ、、Ｌ：Ｎ ａ
２ Ｓが交互に有効忙作用し、溶液による蝕刻にもか
かわらず、アンダーカットのない精度のよい５ｅ−Ｇｅ
１１’、’ｊパターン９を得ることができた。次に第３
図（ψに示すように、全面に波長２６０ｎｍの遠紫外線
５を、１００ｍｊ／−照射し、第３図（ｅ）のように平
担化ノ、１８をメチルイソブチルケトン有機溶媒にて現
像しパターンを形成した。最後に平担化層パターン８を
マスクにして、５Ｉ０２１をＪｔ常の方法で蝕刻したと
ころ、寸法精度の良好なＳ ｉ Ｏ，パターンが得られ
た。
（実施例２）
実施例１のパターン形成方法） ０ＦＰＲ，−８００の
かわりに耐アルカリ性がより優れた、ネガ型レジストＯ
ＭＲ，８３を１μｍ塗布し、パターニング後以下同様に
してパターン形成を行った。
かわりに耐アルカリ性がより優れた、ネガ型レジストＯ
ＭＲ，８３を１μｍ塗布し、パターニング後以下同様に
してパターン形成を行った。
（実施例３）
実施例１の平担化放射線感応レジストＰＭＭＡにかえて
、厚さ２μｍのポジ型レジスト０ＦＰＲ８００を用い、
全面一括露光用の光として超高圧水銀灯からの波長４０
０ｎｍの紫外光を照射し、現像をコリン溶液にて行い、
以下同様の工程でパターン形成を行った。
、厚さ２μｍのポジ型レジスト０ＦＰＲ８００を用い、
全面一括露光用の光として超高圧水銀灯からの波長４０
０ｎｍの紫外光を照射し、現像をコリン溶液にて行い、
以下同様の工程でパターン形成を行った。
（実施例４）
実施例１のバターニングレジストであるＯ Ｆ Ｐ Ｒ
。
。
８００にかえて５ｅ−Ｇｅ上に２０ＯＡのＡ ｇ ２
Ｓ ｅ １無電界メツキにて被着させ、以下同様の工程
にてパターン形成を行った。
Ｓ ｅ １無電界メツキにて被着させ、以下同様の工程
にてパターン形成を行った。
本発明の各層を形成する放射線感応レジストは上記実施
例に記載したものに限定されるものでなく、本発明の主
旨を逸脱しない範囲で種々のものを用いることができる
。
例に記載したものに限定されるものでなく、本発明の主
旨を逸脱しない範囲で種々のものを用いることができる
。
以上述べたように本発明によれば、高価な蝕刻装置を用
いることなくして、非等力的な蝕刻によりパターン精度
を向上させることができ、又、２つの放射線感応層の間
に形成される介在層の問題も解決することができる。
いることなくして、非等力的な蝕刻によりパターン精度
を向上させることができ、又、２つの放射線感応層の間
に形成される介在層の問題も解決することができる。
第１図及び第２図は、従来のパターン形成方法を示す断
面図、第３図は本発明の一実施例を説明するための工程
断面図である。 １・・・被蝕刻材料、２・・・平担化層、３・・・トラ
ンスファー膜、４・・・レジスト、５・・・遠紫外光線
、６・・・露光部、７・・非露光部、８・・・平担化層
（ＰＭＭＡ）、９・・・Ｓ ｅ −Ｇ ｅ膜。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｅｌか１名）第
１ 図 第 ２ 図 ↓ ↓ ４ ） −” 第 ３ 図
面図、第３図は本発明の一実施例を説明するための工程
断面図である。 １・・・被蝕刻材料、２・・・平担化層、３・・・トラ
ンスファー膜、４・・・レジスト、５・・・遠紫外光線
、６・・・露光部、７・・非露光部、８・・・平担化層
（ＰＭＭＡ）、９・・・Ｓ ｅ −Ｇ ｅ膜。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｅｌか１名）第
１ 図 第 ２ 図 ↓ ↓ ４ ） −” 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）半導体装置の製造時の蝕刻用マスクパターンの形
成において、被蝕刻材を有する半導体基板上に第１の放
射線感応レジストを塗布する工程と、該レジスト膜上に
放射線に対して遮光性を有する被膜を形成する工程と、
該遮光性被膜上に第２の放射線感応レジストを塗布する
工程と、該第２の放射線感応レジストに所望のパターン
を露光現像し、これをマスクとして前記遮光性被膜を蝕
刻する工程と、全面に放射線露光を行い、バターニング
された遮光性被膜に応じた露光領域を第一の放射線感応
レジストに与える工程と、現像して少くとも第一の放射
線感応レジストから成る蝕刻用マスクパターンを形成す
る工程を具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - （２）遮光性被膜に５ｅ−Ｇｅカルコゲナイドガラス記
載のパターン形成方法。 ｔ３）Ｓｅ−Ｇｅの蝕刻に有機もしくは無機のアルカリ
溶液にＮａ２Ｓを添加した溶液を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081994A JPS60226123A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081994A JPS60226123A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226123A true JPS60226123A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13762021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081994A Pending JPS60226123A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861367B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method using photoresist and an antireflective coating |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59081994A patent/JPS60226123A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861367B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method using photoresist and an antireflective coating |
| US7064080B2 (en) * | 2002-02-08 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method using photoresist and an antireflective coating |
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