JPS6148704B2 - - Google Patents
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- JPS6148704B2 JPS6148704B2 JP524879A JP524879A JPS6148704B2 JP S6148704 B2 JPS6148704 B2 JP S6148704B2 JP 524879 A JP524879 A JP 524879A JP 524879 A JP524879 A JP 524879A JP S6148704 B2 JPS6148704 B2 JP S6148704B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトリソグラフイによるホトマスクの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
一般に、半導体や金属や絶縁物等の基板又は薄
膜に所望のパターンを形成するため、不要部分を
光学的及び化学的手段によつて除去する技術、即
ちホトリソグラフイにおいて、前記基板又は薄膜
表面にレジスト層を膜成し、必要部分を保護する
レジストパターンを作るに際して使用されるホト
マスクには、レジストパターンと同じパターンを
具備せしめたポジ形マスク及びレジストパターン
と逆のパターンを具備せしめたネガ形マスクがあ
り、何れも一つのマスター・マスクから複写して
作られる。
膜に所望のパターンを形成するため、不要部分を
光学的及び化学的手段によつて除去する技術、即
ちホトリソグラフイにおいて、前記基板又は薄膜
表面にレジスト層を膜成し、必要部分を保護する
レジストパターンを作るに際して使用されるホト
マスクには、レジストパターンと同じパターンを
具備せしめたポジ形マスク及びレジストパターン
と逆のパターンを具備せしめたネガ形マスクがあ
り、何れも一つのマスター・マスクから複写して
作られる。
即ち、ポジ形コピー・マスクの製造にはポジ用
レジスト剤を使用し、ネガ形コピー・マスクの製
造にはネガ用レジスト剤を使用する必要があり、
かつ、ポジ用レジスト剤の解像力が１μｍ程度で
あるのに対してネガ用レジスト剤の解像力は約３
μｍであつて、ネガ形コピー・マスクのパターン
精度が劣る欠点があつた。
レジスト剤を使用し、ネガ形コピー・マスクの製
造にはネガ用レジスト剤を使用する必要があり、
かつ、ポジ用レジスト剤の解像力が１μｍ程度で
あるのに対してネガ用レジスト剤の解像力は約３
μｍであつて、ネガ形コピー・マスクのパターン
精度が劣る欠点があつた。
本発明の目的は上記コピー・マスク用レジスト
剤の使い分けによる煩わしさを排除し、ネガ形コ
ピー・マスクの精度向上を図ることであり、この
目的は基板上に、順次、メタル層とレジスト層と
ホトクロミツク層を積層せしめてなるマスク原板
を使用し、該マスク原板に適応した製造工程を適
用せしめたことを特徴とするホトマスクの製造方
法を提供して達成される。
剤の使い分けによる煩わしさを排除し、ネガ形コ
ピー・マスクの精度向上を図ることであり、この
目的は基板上に、順次、メタル層とレジスト層と
ホトクロミツク層を積層せしめてなるマスク原板
を使用し、該マスク原板に適応した製造工程を適
用せしめたことを特徴とするホトマスクの製造方
法を提供して達成される。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わるホトマスク
原板説明図であり、マスク原板１は基板２例えば
ガラス基板上に、順次、メタル層３例えばクロー
ムをスパツタリング又は蒸着して膜成し、その上
にポジ用レジスト層４を形成した後、粉末のホト
クロミツク材料をヘキサメチルジシラザン等の付
着促進剤に溶解して塗付してなるホトクロミツク
層５を形成せしめたものである。
原板説明図であり、マスク原板１は基板２例えば
ガラス基板上に、順次、メタル層３例えばクロー
ムをスパツタリング又は蒸着して膜成し、その上
にポジ用レジスト層４を形成した後、粉末のホト
クロミツク材料をヘキサメチルジシラザン等の付
着促進剤に溶解して塗付してなるホトクロミツク
層５を形成せしめたものである。
第２図は第１図のマスク原板１を使用したポジ
形コピー・マスクの製造工程を示したものであ
り、以下工程順に従つて説明する。
形コピー・マスクの製造工程を示したものであ
り、以下工程順に従つて説明する。
ａ図は第一次露光工程であり、マスク原板１上
にマスター・マスク６を重ね、ホトクロミツク層
５が有する発色感光波長域、例えば3000〜4000Å
波長域を含む光を照射し、マスター・マスク６の
開口部に露出するホトクロミツク層５′を赤色等
に変色させる。
にマスター・マスク６を重ね、ホトクロミツク層
５が有する発色感光波長域、例えば3000〜4000Å
波長域を含む光を照射し、マスター・マスク６の
開口部に露出するホトクロミツク層５′を赤色等
に変色させる。
ｂ図は変色ホトクロミツク層５′の定着工程で
あり、酸付加方法と熱処理方法とがある。酸付加
方法では使用する定着液は酸性液であれば何んで
もよいが、純性及び取り扱い易さ及び安全性等を
考虜して、適宜希釈した酸性液、例えば３％醋酸
水溶液が適している。熱処理方法では90〜200℃
５〜20分位でベーキングする。
あり、酸付加方法と熱処理方法とがある。酸付加
方法では使用する定着液は酸性液であれば何んで
もよいが、純性及び取り扱い易さ及び安全性等を
考虜して、適宜希釈した酸性液、例えば３％醋酸
水溶液が適している。熱処理方法では90〜200℃
５〜20分位でベーキングする。
ｃ図はレジスト層３を感光させるための第二次
露光工程を示す。この際、最表層のホトクロミツ
ク層５はマスクの役割りを果す。即ち変色ホトク
ロミツク層５′は光を遮り、変色していないホト
クロミツク層５は光を透過して、レジスト層４を
感光させる。
露光工程を示す。この際、最表層のホトクロミツ
ク層５はマスクの役割りを果す。即ち変色ホトク
ロミツク層５′は光を遮り、変色していないホト
クロミツク層５は光を透過して、レジスト層４を
感光させる。
ｄ図は感光していないホトクロミツク層５の溶
解除去工程であり、感光した変色ホトクロミツク
層５′は取り残される。
解除去工程であり、感光した変色ホトクロミツク
層５′は取り残される。
ｅ図はレジスト層４の現像工程であり、変色ホ
トクロミツク層５′の下面にあつて露光されなか
つたレジスト層４′以外のレジスト層４は溶解除
去される。
トクロミツク層５′の下面にあつて露光されなか
つたレジスト層４′以外のレジスト層４は溶解除
去される。
ｆ図はメタル層３のエツチング工程を示す。即
ち、前工程で残置されたレジスト層４′に覆われ
た以外のメタル層３は、通常のエツチング液によ
つて溶解除去され、所要メタル層３′を形成す
る。
ち、前工程で残置されたレジスト層４′に覆われ
た以外のメタル層３は、通常のエツチング液によ
つて溶解除去され、所要メタル層３′を形成す
る。
ｇ図は残置された変色ホトクロミツク層５′及
びレジスト層４′の除去工程を示す。
びレジスト層４′の除去工程を示す。
以上の工程を経てネガ形コピー・マスクが完成
する。
する。
第３図は第１図のマスク原板１を使用したポジ
形コピー・マスクの製造工程を示したものであ
り、以下工程順に従つて説明する。
形コピー・マスクの製造工程を示したものであ
り、以下工程順に従つて説明する。
ａ図はレジスト層４を露光する工程であり、マ
スク原板１上にマスター・マスク６を重ね、該マ
スター・マスク６の開口部に露出するホトクロミ
ツク層５を透過して、レジスト層４に照射する光
はホトクロミツク層５が有する発色感光波長域、
例えば3000〜4000Å波長域を含まない波長域の光
とする。
スク原板１上にマスター・マスク６を重ね、該マ
スター・マスク６の開口部に露出するホトクロミ
ツク層５を透過して、レジスト層４に照射する光
はホトクロミツク層５が有する発色感光波長域、
例えば3000〜4000Å波長域を含まない波長域の光
とする。
ｂ図はホトクロミツク層５の溶解除去工程であ
り、以下ｃ図のレジスト層４′現像工程、ｄ図の
メタル層３′形成のためのエツチング工程、ｅ図
のレジスト層４′溶解除去工程は従来のホトリソ
グラフイと同じ手法を用いて作業する。
り、以下ｃ図のレジスト層４′現像工程、ｄ図の
メタル層３′形成のためのエツチング工程、ｅ図
のレジスト層４′溶解除去工程は従来のホトリソ
グラフイと同じ手法を用いて作業する。
以上の工程を経てポジ形コピー・マスター・が
完成する。
完成する。
以上説明したように、本発明によるホトマスク
は、ポジ形又はネガ形に関わらず、従来から使用
されていて現像力の優れたポジ用レジスト層とホ
トクロミツク層を組合せてなる一種類のマスク原
板から製造できるため、コピー・マスク製造上の
煩わしさをなくし、かつ、ネガ形コピー・マスク
の精度を向上させたことによつて、半導体装置等
の特性及び集積度向上に寄与した効果は極めて大
きい。
は、ポジ形又はネガ形に関わらず、従来から使用
されていて現像力の優れたポジ用レジスト層とホ
トクロミツク層を組合せてなる一種類のマスク原
板から製造できるため、コピー・マスク製造上の
煩わしさをなくし、かつ、ネガ形コピー・マスク
の精度を向上させたことによつて、半導体装置等
の特性及び集積度向上に寄与した効果は極めて大
きい。
第１図は本発明の一実施例に係わるホトマスク
原板説明図、第２図は第１図のマスク原板を使用
したネガ形コピー・マスクの製造工程図、第３図
は第１図はマスク原板を使用したポジ形コピー・
マスクの製造工程図。 １…マスク、２…基板、３，３′…メタル層、
４，４′…レジスト層、５，５′…ホトクロミツク
層、６…マスター・マスク。
原板説明図、第２図は第１図のマスク原板を使用
したネガ形コピー・マスクの製造工程図、第３図
は第１図はマスク原板を使用したポジ形コピー・
マスクの製造工程図。 １…マスク、２…基板、３，３′…メタル層、
４，４′…レジスト層、５，５′…ホトクロミツク
層、６…マスター・マスク。
Claims (1)
- １ マスター・マスクを用いてコピー・マスクを
製造する方法において、コピー・マスク原板は基
板上に、順次、メタル層とレジスト層とホトクロ
ミツク層を積層せしめてなり、ネガ形コピー・マ
スクの製造には第一次露光工程と変色ホトクロミ
ツク層の定着工程と第二次露光工程とホトクロミ
ツク層除去工程とレジスト層現像工程とメタル層
エツチング工程を含み、ポジ形コピー・マスクの
製造には露光工程とホトクロミツク層除去工程と
レジスト層現像工程とメタル層エツチング工程を
含むことを特徴としたホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP524879A JPS5596952A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Production of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP524879A JPS5596952A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Production of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5596952A JPS5596952A (en) | 1980-07-23 |
| JPS6148704B2 true JPS6148704B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=11605896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP524879A Granted JPS5596952A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Production of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5596952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342883Y2 (ja) * | 1987-01-31 | 1991-09-09 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8500455A (nl) * | 1985-02-18 | 1986-09-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een fotolakmasker wordt gevormd met behulp van een twee-laags-laksysteem. |
| NL8601096A (nl) * | 1986-04-29 | 1987-11-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij op een halfgeleidersubstraat een negatief beeld wordt gevormd in een positieve fotolak. |
| JPH02101464A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1979
- 1979-01-19 JP JP524879A patent/JPS5596952A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342883Y2 (ja) * | 1987-01-31 | 1991-09-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5596952A (en) | 1980-07-23 |
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