JPS63202025A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63202025A JPS63202025A JP3388087A JP3388087A JPS63202025A JP S63202025 A JPS63202025 A JP S63202025A JP 3388087 A JP3388087 A JP 3388087A JP 3388087 A JP3388087 A JP 3388087A JP S63202025 A JPS63202025 A JP S63202025A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造にあたって不可欠であるレ
ジストマスクの解像度とコントラストの向上を図シ、高
いアスペクト比を有する微細レジストパターンの形成を
可能にした半導体装置の製造方法に関する。
ジストマスクの解像度とコントラストの向上を図シ、高
いアスペクト比を有する微細レジストパターンの形成を
可能にした半導体装置の製造方法に関する。
従来の技術
レジストパターンの形成にあたり、一般的に採用されて
いる方法は、半導体基板上へ単層のホトレジスト層を塗
布形成し、こののち露光現像工程を経るいわゆる単層レ
ジスト法である。この方法においては、露光量の深さ方
向に沿った勾配と、未露光部側壁の現像液に対する膜減
り量の深さ方向に沿った勾配が重なるため解像度が低く
、コントラストも高くはない。この方法では解像の限界
が０．６μｍ程度であると推定されている。なお、単層
レジスト法にかわる高解像度プロセスとして多層レジス
ト法やＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅ
ｄＬｉｔｈ勾ｒａｐｈｙ ）法が検討されている。しか
しながらこれらの方法では工程が複雑となるばかシでな
く、安定性にも乏しく、量産性の上で大きな問題が残っ
ている。
いる方法は、半導体基板上へ単層のホトレジスト層を塗
布形成し、こののち露光現像工程を経るいわゆる単層レ
ジスト法である。この方法においては、露光量の深さ方
向に沿った勾配と、未露光部側壁の現像液に対する膜減
り量の深さ方向に沿った勾配が重なるため解像度が低く
、コントラストも高くはない。この方法では解像の限界
が０．６μｍ程度であると推定されている。なお、単層
レジスト法にかわる高解像度プロセスとして多層レジス
ト法やＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅ
ｄＬｉｔｈ勾ｒａｐｈｙ ）法が検討されている。しか
しながらこれらの方法では工程が複雑となるばかシでな
く、安定性にも乏しく、量産性の上で大きな問題が残っ
ている。
発明が解決しようとする問題点
既知の単層レジスト法では、特にレジストの厚みが増す
と急激に解像度が低下し、良好な微細レジストパターン
を形成することができなかった。
と急激に解像度が低下し、良好な微細レジストパターン
を形成することができなかった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、既知の単層レジスト法に存在した問題点の排
除を意図してなされたもので、本発明の製造方法の特徴
は、ホトレジストを半導体基板の主面上に塗布したのち
、このホトレジストの表面側から熱処理を施し、ホトレ
ジストの主表面から内部へ向う方向に感度勾配を付与す
る工程を有するところにある。
除を意図してなされたもので、本発明の製造方法の特徴
は、ホトレジストを半導体基板の主面上に塗布したのち
、このホトレジストの表面側から熱処理を施し、ホトレ
ジストの主表面から内部へ向う方向に感度勾配を付与す
る工程を有するところにある。
作 用
本発明の製造方法によると、感度勾配で露光量の勾配お
よび未露光部における膜減シの勾配が打ち消されるとこ
ろとなる。
よび未露光部における膜減シの勾配が打ち消されるとこ
ろとなる。
実施例
本発明の製造方法を第１図〜第４図の処理工程図を参照
して説明する。先ず、第１図で示すようにシリコン基板
１の主面上にホトレジスト層２としてノボラック樹脂系
のポジ型ホトレジスト層を約２μｍの厚さに回転塗布す
る。この後ホットプレートを用いて８０゛Ｃで１２０秒
のプリベークを施す。次いで、第２図で示すように赤外
線照射装置３によりホト１／シスト層２をその表面側か
ら赤外線照射した。この時のホトレジスト層表面の温度
は１２０°Ｃ〜１４０°Ｃであシ、照射時間は１゜秒と
した。この後第３図のようにホトマスクガラス基板４に
クロムパターン５が形成されたマスクを用いるとともに
、露光波長が４３６ ｎｍのｑ線ｂレンズ開口数が０６
３５のステッパーを用いて露光を行い露光部７を形成し
た。この時の露光時間は赤外線照射を行わない場合に比
べ１〜３割増しとした。次に通常の静止パドル法によシ
専用現像液を用いて現像を行い−さらに、１２０″Ｇ、
９０秒のポストベークを施すことにより、第４図で示す
ホトレジストパターン８を形成した。
して説明する。先ず、第１図で示すようにシリコン基板
１の主面上にホトレジスト層２としてノボラック樹脂系
のポジ型ホトレジスト層を約２μｍの厚さに回転塗布す
る。この後ホットプレートを用いて８０゛Ｃで１２０秒
のプリベークを施す。次いで、第２図で示すように赤外
線照射装置３によりホト１／シスト層２をその表面側か
ら赤外線照射した。この時のホトレジスト層表面の温度
は１２０°Ｃ〜１４０°Ｃであシ、照射時間は１゜秒と
した。この後第３図のようにホトマスクガラス基板４に
クロムパターン５が形成されたマスクを用いるとともに
、露光波長が４３６ ｎｍのｑ線ｂレンズ開口数が０６
３５のステッパーを用いて露光を行い露光部７を形成し
た。この時の露光時間は赤外線照射を行わない場合に比
べ１〜３割増しとした。次に通常の静止パドル法によシ
専用現像液を用いて現像を行い−さらに、１２０″Ｇ、
９０秒のポストベークを施すことにより、第４図で示す
ホトレジストパターン８を形成した。
以上、実施例で示した本発明の製造方法によると従来法
に比較してはレジストパターンの側壁が切り立ち、コン
トラストが向上し解像度も良くなる。
に比較してはレジストパターンの側壁が切り立ち、コン
トラストが向上し解像度も良くなる。
ラインアンドスペースの分離解像度は従来法の０．９μ
ｍから０．７μｍへと向上する。また、焦点深度も１．
２μｍのラインアンドスペースを解像できる範囲が４．
０μｍから６．０μｍへと向上する。コントラストを表
わすγ値も従来法の０．７から１．０へと向上した。か
かる効果は、熱処理によってホトレジストに付与された
露光光線に対する感度の勾配と露光量の勾配ならびに未
露光部の膜減りの勾配とが打ち消し合うことによっても
たらされる。
ｍから０．７μｍへと向上する。また、焦点深度も１．
２μｍのラインアンドスペースを解像できる範囲が４．
０μｍから６．０μｍへと向上する。コントラストを表
わすγ値も従来法の０．７から１．０へと向上した。か
かる効果は、熱処理によってホトレジストに付与された
露光光線に対する感度の勾配と露光量の勾配ならびに未
露光部の膜減りの勾配とが打ち消し合うことによっても
たらされる。
なお、実施例では、赤外線照射時の波長範囲は特に明示
していないが、ホトレジストがノボラック樹脂のポジ型
ホトレジストであるときには、了ｏ。
していないが、ホトレジストがノボラック樹脂のポジ型
ホトレジストであるときには、了ｏ。
〜１２００μｍの波長範囲の光を含ませる必要がある。
また、ホトレジストに対する熱処理は、赤外線の照射に
限定されるものではなく、他の熱源を用い、ホトレジス
ト表面からの熱伝播による方法であってもよい。
限定されるものではなく、他の熱源を用い、ホトレジス
ト表面からの熱伝播による方法であってもよい。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、単層レジスト
の解像度とコントラストの向上をはかることができ、忠
実度の高い微細レジストパターンを極めて安定に形成す
ることができる効果が奏される。したがって、超高集積
度の半導体集積回路の製作にまで単層レジスト法の利用
範囲を拡大することができる。
の解像度とコントラストの向上をはかることができ、忠
実度の高い微細レジストパターンを極めて安定に形成す
ることができる効果が奏される。したがって、超高集積
度の半導体集積回路の製作にまで単層レジスト法の利用
範囲を拡大することができる。
第１図〜第４図は本発明の製造方法を説明するだめの処
理工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・す・・ホトレジス
ト層、３−・・・・・赤外線照射装置、４・・・・・・
ホトマスクガラス基板、５・・・・・・クロムパターン
、６・・・・・・ｑｌｆｌＪ、７・・・・・露光部、８
・・・・・・ホトレジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ７−一一シワコン基孜 ？ −オ＼トレジスト漫 ３ −Ｊタト寿島（田３η［トεｒ■１４−ホトマズク
カ゛ラス１４又 Ｊ−−りＵムペダーシ
理工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・す・・ホトレジス
ト層、３−・・・・・赤外線照射装置、４・・・・・・
ホトマスクガラス基板、５・・・・・・クロムパターン
、６・・・・・・ｑｌｆｌＪ、７・・・・・露光部、８
・・・・・・ホトレジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ７−一一シワコン基孜 ？ −オ＼トレジスト漫 ３ −Ｊタト寿島（田３η［トεｒ■１４−ホトマズク
カ゛ラス１４又 Ｊ−−りＵムペダーシ
Claims (4)
- （１）ホトレジストを半導体基板の主面上に塗布した後
前記ホトレジストの表面側から熱処理を施してホトレジ
ストの主表面から内部へ向う方向に感度勾配を付与する
工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）熱処理が少なくとも７００〜１２００ｎｍの波長
範囲の一部もしくは全部を含む赤外線照射による処理で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半
導体装置の製造方法。 - （３）熱処理が、ホトレジスト表面からの熱伝播である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置の製造方法。 - （４）ホトレジストがノボラック樹脂を主剤とするポジ
型ホトレジストであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3388087A JPS63202025A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3388087A JPS63202025A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202025A true JPS63202025A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12398834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3388087A Pending JPS63202025A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270227A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | レジスト膜形成方法 |
| US8781308B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-07-15 | Sokudo Co., Ltd. | Apparatus for and method of heat-treating film formed on surface of substrate |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP3388087A patent/JPS63202025A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270227A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | レジスト膜形成方法 |
| US8781308B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-07-15 | Sokudo Co., Ltd. | Apparatus for and method of heat-treating film formed on surface of substrate |
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