JPH04206812A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH04206812A JPH04206812A JP2337500A JP33750090A JPH04206812A JP H04206812 A JPH04206812 A JP H04206812A JP 2337500 A JP2337500 A JP 2337500A JP 33750090 A JP33750090 A JP 33750090A JP H04206812 A JPH04206812 A JP H04206812A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
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- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造におけろ感光剤の微細パ々
−ンの形成方法に関するものである。
−ンの形成方法に関するものである。
第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体装置のパターン形
成工程を示す断面図である。図において、（１）は半導
体基板、（２）は半導体基板（１）の上に塗付されｔこ
フォトレジスト、（３）はフォトマスクのパターン形成
工程、（４）はフォトレジスト（２）を感光させるため
の！特定波長の光、（５）は特定波長の光（４）が照射
されることにより感光されたフォトレジスト（２）の感
光部分、ｋυはフォトマスクのパターン形成工程（３）
に従って形成さね１こフォトレジストのパターンである
。
成工程を示す断面図である。図において、（１）は半導
体基板、（２）は半導体基板（１）の上に塗付されｔこ
フォトレジスト、（３）はフォトマスクのパターン形成
工程、（４）はフォトレジスト（２）を感光させるため
の！特定波長の光、（５）は特定波長の光（４）が照射
されることにより感光されたフォトレジスト（２）の感
光部分、ｋυはフォトマスクのパターン形成工程（３）
に従って形成さね１こフォトレジストのパターンである
。
次に従来のバ々−ンの形成工程ｌこついて説明する。
初めに第１図（ａｌに示す半導体基板（１）を準備する
。
。
そしてまず、第２図（ｂｌに示すようにフォトレジスト
＋２１ ｆ半導体基板（１）上に塗布する。フォトレジ
スト（２）としては有機物が使用され、半導体基板（１
ンを蕎速で回転させて上方からフォトレジスト＋２１
、ｉ ｆＦａ下させろことにより、均一なフォトレジス
ト層（２）を得ることができろ。
＋２１ ｆ半導体基板（１）上に塗布する。フォトレジ
スト（２）としては有機物が使用され、半導体基板（１
ンを蕎速で回転させて上方からフォトレジスト＋２１
、ｉ ｆＦａ下させろことにより、均一なフォトレジス
ト層（２）を得ることができろ。
次に第２図（（１１に示すように、所定のパターンを持
つフォトマスクを通して特定の波長の光（４）全照射し
、フォトレジスト（２）ｋ 感光させる。この時フオド
マスタのパルーンが形成さねている部分（３）は光（４
）が透過しないため感光さねない。感光を起こさせろた
めの光としては紫外線が多く使用さねろ。
つフォトマスクを通して特定の波長の光（４）全照射し
、フォトレジスト（２）ｋ 感光させる。この時フオド
マスタのパルーンが形成さねている部分（３）は光（４
）が透過しないため感光さねない。感光を起こさせろた
めの光としては紫外線が多く使用さねろ。
次に第２図（ｄ）に示すように、このフォトレジスト（
２）を現像することにより感光なねた部分（５）のみフ
ォトレジスト（２）層が除去さねパターンＱ１１を得ろ
。
２）を現像することにより感光なねた部分（５）のみフ
ォトレジスト（２）層が除去さねパターンＱ１１を得ろ
。
従来のパターンの形成方法は以上のように形成さねてい
たので、フォトレジストのパターンの微細化は感光され
ろ光の波長（露光波長）に影響をうけ、パターンが微細
化さねろと光の波動性による回折現象が無視でλなくな
るので、より波長の短かい光を使用する必要が生じ、現
在は水銀の特性紫外線であるｇ線やｉ線を使用して感光
させている。また、今後の２５６ ＭＤＲＡＭやＩ Ｃ
ＤＲＡＭで使用されろ０，２５μｍ以下の微細パターン
を形成するには、コ１７） ｇ線−１線の波長Ｃｇ線：
０．４３６μｍ−ｉ線：０．３６５μｍ）では不十分
であり、前記２種の光よりさちに波長の短かい光が必要
となってくるという問題点があった。
たので、フォトレジストのパターンの微細化は感光され
ろ光の波長（露光波長）に影響をうけ、パターンが微細
化さねろと光の波動性による回折現象が無視でλなくな
るので、より波長の短かい光を使用する必要が生じ、現
在は水銀の特性紫外線であるｇ線やｉ線を使用して感光
させている。また、今後の２５６ ＭＤＲＡＭやＩ Ｃ
ＤＲＡＭで使用されろ０，２５μｍ以下の微細パターン
を形成するには、コ１７） ｇ線−１線の波長Ｃｇ線：
０．４３６μｍ−ｉ線：０．３６５μｍ）では不十分
であり、前記２種の光よりさちに波長の短かい光が必要
となってくるという問題点があった。
また、このｇ線、ｉ線などｌこ代わるものとして、Ｘ線
や電子線が検討さね、でいるが、電子線は波長が短かく
微細パターンの形成が可能なこと、また電磁界を利用し
たレンズで細く絞った電子線を走査できろことからフォ
トマスクを使用せずにパターン描画ができるなどの特徴
を有し、従来よりフォトマスクの製造などの特定の分野
で使用されているが５．処理能力が小さく、半導体装置
の製造における露光工程への進用は困難で−また、Ｘ線
はサイクロトロン放射等による強光源の応用が考えられ
るが、フォトマスクが従来と全く異なることやレンズな
どの光学系が難かしいなど実現にはまだ技術開発要素が
多いなどの問題点があった。
や電子線が検討さね、でいるが、電子線は波長が短かく
微細パターンの形成が可能なこと、また電磁界を利用し
たレンズで細く絞った電子線を走査できろことからフォ
トマスクを使用せずにパターン描画ができるなどの特徴
を有し、従来よりフォトマスクの製造などの特定の分野
で使用されているが５．処理能力が小さく、半導体装置
の製造における露光工程への進用は困難で−また、Ｘ線
はサイクロトロン放射等による強光源の応用が考えられ
るが、フォトマスクが従来と全く異なることやレンズな
どの光学系が難かしいなど実現にはまだ技術開発要素が
多いなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電子線やＸ線などの波長の短かい光を使用せ
ずに、現在使用されているｇ線などの紫外線を使用して
容易に微細パターンを形成できる微細パターンの形成方
法を得ろことを目的とする。
たもので、電子線やＸ線などの波長の短かい光を使用せ
ずに、現在使用されているｇ線などの紫外線を使用して
容易に微細パターンを形成できる微細パターンの形成方
法を得ろことを目的とする。
この発明に係る微細パターンの形成方法は、少なくとも
２揮類の波長の光が照射さねた時に感光する感光剤を用
い、第１のマスクを介１ノ、第１の波長の光を用いて露
光する工程と、第１のマスクのパターンと所定幅が重な
るパターンを有する第２のマスクを介し、第２の波長の
光を用いて露光する工程とを備えたものである。
２揮類の波長の光が照射さねた時に感光する感光剤を用
い、第１のマスクを介１ノ、第１の波長の光を用いて露
光する工程と、第１のマスクのパターンと所定幅が重な
るパターンを有する第２のマスクを介し、第２の波長の
光を用いて露光する工程とを備えたものである。
この発明番とおける感光剤は、第１のマスクを介し第１
の波長の光ｉｒよって露光さねた部分と、第２のマスク
を介し第２の波長の光によって露光さねた重なる幅の部
分のみが感光さね、この部分を除去することにより微細
パターンが形成さねろ。
の波長の光ｉｒよって露光さねた部分と、第２のマスク
を介し第２の波長の光によって露光さねた重なる幅の部
分のみが感光さね、この部分を除去することにより微細
パターンが形成さねろ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａｌ Ｎ（ａｌはこの発明の一実施例である半
導体装置のパターン形成工程を示す断面図である。
導体装置のパターン形成工程を示す断面図である。
図ｔとおいて、図中符号（１） 、 ＋２１は前記従来
のものと同一につきその説明は省略する。（３１） 、
Ｃ（２はそれぞれ第１及び第２のフォトマスクのパタ
ーン形成部分であり、これらは相互に重ね合せた場合、
ずれの部分を生じて、この部分により所定のパターンが
形成される構成となっている。（財）は光照射すること
によりフォトレジスト（２）ヲ活性化する第１の波長の
光、（６）は光照射することにより第１の波長の光（財
）により活性化されたフォトレジスト（２）を感光する
第１の波長の光（６）と波長の異なる第２の波長の光−
（１１！、）（ＩＩ２）はフォトマスク（２）上で、第
１及び第２の成長の光但、（６）により照射され１こ部
分の幅、（１３）はフォトレジスト（２）上に光１４１
１ 、（６）により露光され１こ部分Ｅｌ、 ｌ 、
（１２）の共通部分の幅、（７）はフォトレジスト（２
）に形成された微細パターンである。
のものと同一につきその説明は省略する。（３１） 、
Ｃ（２はそれぞれ第１及び第２のフォトマスクのパタ
ーン形成部分であり、これらは相互に重ね合せた場合、
ずれの部分を生じて、この部分により所定のパターンが
形成される構成となっている。（財）は光照射すること
によりフォトレジスト（２）ヲ活性化する第１の波長の
光、（６）は光照射することにより第１の波長の光（財
）により活性化されたフォトレジスト（２）を感光する
第１の波長の光（６）と波長の異なる第２の波長の光−
（１１！、）（ＩＩ２）はフォトマスク（２）上で、第
１及び第２の成長の光但、（６）により照射され１こ部
分の幅、（１３）はフォトレジスト（２）上に光１４１
１ 、（６）により露光され１こ部分Ｅｌ、 ｌ 、
（１２）の共通部分の幅、（７）はフォトレジスト（２
）に形成された微細パターンである。
次に形成工程について説明する。
第１の工程において、半導体基板ＣＬｌ上にフォトレジ
スト（２）を塗布する。その塗布方法は従来の場合と同
一である（第１図（ｂ）〕。
スト（２）を塗布する。その塗布方法は従来の場合と同
一である（第１図（ｂ）〕。
第２の工程において、第１の波長の光（財）を第１のフ
ォトマスクのパターン形成部分６℃を介在させて露光す
る。この露光ｔごよって光０ｖの照射さねた部分の幅Ｃ
β１）のフォトレジスト（２）が活性化さ層る（第１図
（Ｃ））。
ォトマスクのパターン形成部分６℃を介在させて露光す
る。この露光ｔごよって光０ｖの照射さねた部分の幅Ｃ
β１）のフォトレジスト（２）が活性化さ層る（第１図
（Ｃ））。
第３の工程Ｃとおいて、第２の波長の光陽を第２のフォ
トマスクのパターン形成部分（２）を介在させて露光す
る。これによりフォトレジスト（２）の（ｅ２）の幅の
部分が照射さねるが、感光する部分は先ｌζ第１の波長
の光４１１の照射により活性化さねた部分の幅（１，）
との共通部分の幅（１３）のみである（第１図（ｄ））
。
トマスクのパターン形成部分（２）を介在させて露光す
る。これによりフォトレジスト（２）の（ｅ２）の幅の
部分が照射さねるが、感光する部分は先ｌζ第１の波長
の光４１１の照射により活性化さねた部分の幅（１，）
との共通部分の幅（１３）のみである（第１図（ｄ））
。
第４の工程において、上記のフォトｌ／シスト（２）に
現像処理を行なうことにより、第１のフォトマス’７
ツバ））−ン形成部分Ｇυと第２のフォトマスクのパタ
ーン形成部分（イ）を介して露光された共通部分の幅Ｃ
β３）のみがフォトレジスト（２）の微細パターン（７
）として形成される（第１図（ｅｌ ）。
現像処理を行なうことにより、第１のフォトマス’７
ツバ））−ン形成部分Ｇυと第２のフォトマスクのパタ
ーン形成部分（イ）を介して露光された共通部分の幅Ｃ
β３）のみがフォトレジスト（２）の微細パターン（７
）として形成される（第１図（ｅｌ ）。
以上のように２つのマスクの共通部分のみが露光されろ
ようにしたので、１つのマスクにおけるパターンは大き
くても、共通部分を小さくすることにより微細パターン
の形成が可能となる。
ようにしたので、１つのマスクにおけるパターンは大き
くても、共通部分を小さくすることにより微細パターン
の形成が可能となる。
以上のようにこの発明によりば一感光剤を２種類の波長
の光で照射させて感光するようシこしたので、波長の短
かい光を使用し、なくても、また、微細パターンを形成
したマスクを用いなくても、微細パターンの形成を容易
に行なうことがで款るという効果がある。
の光で照射させて感光するようシこしたので、波長の短
かい光を使用し、なくても、また、微細パターンを形成
したマスクを用いなくても、微細パターンの形成を容易
に行なうことがで款るという効果がある。
第１図（ａｌ〜（０）はこの発明の一実施例である半導
体装置のパターン形成工程を示す断面図、餌２図（ａｌ
〜（ｄ）は従来の半導体装置のパターン形成工程を示す
断面図である。 図ｉとおいて、（］１戸・半導体基板、＋２）・・・フ
ォトレジスト、（７）・°・微細パターン、６］）・・
・第１のフォトマスク、（２）・・・第２のフ第１・マ
スク、Ｇ１１ｌ・・・第１の波長ノ光、（４ｚ・・・第
２の波長の光−７１・・第１の波長の光により照射なわ
たフォトレジストの幅−４□・・・第２の波長の光によ
り照射さねたフォトレジストの幅、１３・・・第１及び
箇２の波長の光により照射さねたフォトレジストの共通
部分の幅。 なお、図中−同一符号は同−一又は相当部分を示す。
体装置のパターン形成工程を示す断面図、餌２図（ａｌ
〜（ｄ）は従来の半導体装置のパターン形成工程を示す
断面図である。 図ｉとおいて、（］１戸・半導体基板、＋２）・・・フ
ォトレジスト、（７）・°・微細パターン、６］）・・
・第１のフォトマスク、（２）・・・第２のフ第１・マ
スク、Ｇ１１ｌ・・・第１の波長ノ光、（４ｚ・・・第
２の波長の光−７１・・第１の波長の光により照射なわ
たフォトレジストの幅−４□・・・第２の波長の光によ
り照射さねたフォトレジストの幅、１３・・・第１及び
箇２の波長の光により照射さねたフォトレジストの共通
部分の幅。 なお、図中−同一符号は同−一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板上に設けられた感光剤を感光させて所定のパター
ンを形成する方法において、基板上に、少なくとも２種
類の波長の光が照射されたときに感光する感光剤を設け
る工程と、この感光剤を所定のパターンを有する第１の
マスクを介し第１の波長の光を用いて露光する工程と、
上記感光剤を上記第１のマスクのパターンと所定幅が重
なるパターンを有する第２のマスクを介し、第２の波長
の光を用いて露光する工程とを備えたことを特徴とする
微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337500A JPH04206812A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337500A JPH04206812A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206812A true JPH04206812A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18309239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337500A Pending JPH04206812A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206812A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034417A1 (fr) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede d'exposition et appareil d'exposition |
| KR100742090B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴의 제조방법 |
| JP4974049B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-07-11 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2022188250A1 (zh) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 上海大溥实业有限公司 | 使光刻线条变窄的方法及光刻机 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337500A patent/JPH04206812A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034417A1 (fr) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede d'exposition et appareil d'exposition |
| JP4974049B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-07-11 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR100742090B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴의 제조방법 |
| WO2022188250A1 (zh) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 上海大溥实业有限公司 | 使光刻线条变窄的方法及光刻机 |
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