JPS60239018A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

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JPS60239018A
JPS60239018A JP59092893A JP9289384A JPS60239018A JP S60239018 A JPS60239018 A JP S60239018A JP 59092893 A JP59092893 A JP 59092893A JP 9289384 A JP9289384 A JP 9289384A JP S60239018 A JPS60239018 A JP S60239018A
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JP
Japan
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exposure
resolution
sub
pattern
exposure method
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JP59092893A
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English (en)
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Mitsuaki Amamiya
光陽 雨宮
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Canon Inc
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Canon Inc
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167—X-ray
    • Y10S430/168—X-ray exposure process

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は、露光方法に関し、特に半導体製造工程おいて
感光剤を被覆したウェハ上にマスクパターンを転写する
際に好適なりソグラフィ露光方法に関する。
（発明の背景） 従来のりソグラフィ露光方法は、高分解能露光工程の前
または棲に、感光剤に対して感光可能なビームを全く照
射することなくマスクパーンの転写を行なっていた。し
かし、多くの感光剤の場合、各々の感光剤に対して感光
可能なビームをある一定の照射量Ｄθ以下しか照射せず
に現像を行なった場合には、全くビームを照射しないの
と同じ残膜厚になることが知られており、所望のパター
ンを形成するためには少なくともそのある一定の照射量
ＤＯに達するまでビームを照射しなければならない。こ
のため従来の高分解能露光には長時間の露光を必要とし
た。
また、ここでいうビームとは、紫外線から極端紫外線、
Ｘ線、荷電粒子線等を含んでいるが、特にＸ線露光法に
おいては、光源から離して露光する場合やソーラースリ
ットを用いて平行Ｘ線で露光する場合のように輝度の弱
いビームで露光を行なう場合には、非常に長い露光時間
を必要とするという欠点があった。
（発明の目的および概要） 本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、感光剤を被覆
した被露光体上にマスクパターンを露光するりソグラフ
ィ露光方法において、高分解能でパターンを露光する高
分解能露光工程と、単独では感光剤に対し露光の影響が
現われない程度の少量のビームを被露光体上に照射する
副露光工程とを組み合わせるという構想に基づき、高分
解能露光に必要とされる露光時間を大幅に短縮すること
を目的とする。
ここで、副露光工程の感光剤に対し露光の影響が現われ
ないビーム量とは、感光剤や現像液の種類、ビームの感
光剤に対する感度等により決定されるものである。
（実施例の説明） 以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を示す。
、）　− 同図において、１は高分解能の露光で用いるビーム、２
は副露光で用いるビームである。これらのビーム１と２
とはいずれも感光剤５に感光可能である必要があるが必
ずしも同一である必要はない。３はマスクパターン４を
具えたマスク、６は感光剤５を塗布したウェハである。
この実施例に示す露光方法は、同図（ａ）に示すように
ウェハ６上にマスクパターン４を具備したマスク３を介
してビーム１を照射する高分解能露光工程と、この工程
の前または後あるいは前後の両方に、同図（ｂ）に示す
ようにマスク３を介さずにビーム２を感光剤５や現像液
等によって定まる前記照射量Ｄθ以下の適当な照射量だ
け感光剤５の全面あるいは所望部分に照射する副露光工
程とを組合せてなるものである。ビーム１およびビーム
２は１つの線源から放射されたビームでもよく、別々の
線源から放射された同種のビームでもよい。さらに、ビ
ーム１が電子線で、ビーム２がＸ線というように別々の
線源から放射された異種のビームであってもよい。
４− この場合、同図（ｂ）のようにマスクを介さずに前記照
射ｆｆ１Ｄｏ以下の照射量で副露光を行なっただけでは
現像後桟膜厚は全くビームを照射せずに現像した残膜厚
と同じである。しかしながら、同図（ｂ）の副露光工程
で照射した照射量と、同図（ａ）の高分解能露光工程で
照射した照射量とを合わせた照射量が前記照射量ＤＯを
越えると、同図（ａ）のマスク３上のマスクパターン４
に吸収されないビームによって選択的に感光剤５が感光
され、現像後微細パターンを形成することになる。
従来は、同図（ａ）の高分解能露光工程のみで行なって
いたため露光に長時間を要していたが、本発明では、副
露光工程を併用しているために露光時間を短縮すること
ができる。また、副露光工程に用いるビーム２として、
ビーム１より感光剤５に対する感度の強い、あるいは高
輝度のビームを用いることにより全体の露光時間をさら
に短縮することが可能となる。
第２図〜第４図は、本発明の露光方法に係る他の実施例
を示す図である。
第２図において、７は感光剤５を感光させる、例えばＸ
線のようなビームを放射する面線源、８は小さい開口比
をもつ低分解能のソーラースリットおよび９は所望の微
細パターンが形成できる大きい開口比をもつ高分解能の
ソーラースリットである。ソーラースリット８，９は、
Ｘ線源から放射されるＸ線のうち平行な成分のみを取り
だすコリメータの役割を有する。
この実施例は、同図（Ｃ）に示すように高分解能のソー
ラースリット９を介してビーム１を照射する高分解能露
光工程と、同図（ａ）に示すようにソーラースリットを
用いない低分解能の副露光工程または同図（ｂ）に示す
ように低分解能のソーラースリット８を用いた低分解能
の副露光工程とを組み合わせた例を示す。この露光方法
によると、副露光時にソーラスリット８を用いた場合で
あっても、低分解能ソーラスリット８は高分解能ソーラ
スリット９より高輝度であるため総置光時間を短縮する
ことができる。
第３図は、ウェハ６等の被露光体を搬送しながら順次、
前工程としての副露光工程、高分解能のソーラースリッ
ト９を介してビーム１を照射する高分解能露光工程およ
び後工程としての副露光工程を一連の操作として組合せ
た例を示す。
第４図は、感光剤５に感度のあるビームを放射線状に放
射する点線８１１０を用いた露光方法を示す。
この実施例は、同図（ａ）に示すように点線源１０とマ
スク３に近接しておかれた感光剤５を塗布したウェハ６
との間に希望する微細パターンを形成するのに必要な距
離をとってビーム１を照射する高分解能露光工程と、こ
の工程の前または後、あるいは前後に、同図（ｂ）に示
すように点線源１０とウェハ６との距離を近付けてマス
ク３またはウェハ６あるいはマスク３とウェハ６を同時
に撮動させながら、あるいはマスク３とウェハ６を静止
させてビーム２を照射するより高照度の副露光工程とを
組み合わせてなる露光方法を示す。
なお、上述の第３および４図に示す実施例においては、
副露光工程はいずれもマスクを介して低７− 分解能でマスクパターンを転写するようにしているが、
第１および２図の実施例と同様にマスクを用いることな
くウェハ全体を副露光してもよい。
この場合、各部を照射するビーム量は各部でそれぞれ所
定の範囲内にあれば必ずしも一様である必要はない。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、従来必要とされて
いた露光時間を大幅に短縮することが可能となり、場合
によっては露光時間を半分あるいはそれ以下にすること
もできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法の高分解能
露光工程と副露光工程を示す模式図および、 第２図〜第４図は、本発明の他の実施例に係る露光方法
を示す図である。 １・・・高分解能露光工程で用いるビーム、２・・・副
露光工程で用いるビーム、３・・・マスク、８− ４・・・マスクパターン、５・・・感光剤、６・・・ウ
ェハ、７・・・面線源、８・・・低分解能のソーラース
リット、９・・・高分解能のソーラースリット、１０・
・・点線源。 特許出願人　キャノン株式会社 代理人　弁理士　伊東辰雄 代理人　弁理士　伊東哲也 第１図 第３図 第４図 一一一喋（ Ｌ−一一一」〜７

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、感光剤を被覆した被露光体の感光層上に該感光剤を
    感光させるビームを所望のパターン形状に応じて選択的
    に照射し該パターンを露光する露光方法において、 前記パターンを高分解能で露光する高分解能露光工程と
    、前記感光剤に感光可能でかつ単独では現像の際該感光
    剤に対し実質的に露光の影響が現われない少量のビーム
    を前記被露光体上に照射する副露光工程とを組み合わせ
    てなることを特徴とする露光方法。 ２、前記副露光工程は前記高分解能露光工程の前工程と
    して行なう特許請求の範囲第１項記載の露光方法。 ３、前記副露光工程は前記高分解能露光工程の後工程と
    して行なう特許請求の範囲第１項記載の露光方法。 ４、前記副露光工程を前記高分解能露光工程の前および
    後に行なう特許請求の範囲第１項記載の露晃方法。 ５、前記副露光■稈は前記高分解能露光と同一パターン
    を低分解能で露光する特許請求の範囲第１項記載の露光
    方法。 ６、前記高分解能露光工程は単独では潜像が形成されず
    、かつ前記副露光工程のビーム量と併せて上記潜像が形
    ・成されるビーム量となる量のビームを照射して行なう
    特許請求の範囲第１〜５項のいずれか１つに記載の露光
    方法。 ７、前記被露光体がウェハであり、前記ビームがＸ線で
    あり、前記パターンがマスクパターンである特許請求の
    範囲第１〜６項のいずれか１つに記載の露光方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3712049A1 (de) * 1986-04-10 1987-11-12 Canon Kk Roentgenbelichtungsgeraet
US5186788A (en) * 1987-07-23 1993-02-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fine pattern forming method
JP3666951B2 (ja) 1995-10-06 2005-06-29 キヤノン株式会社 マーク検出方法、これを用いた位置合わせ方法、露光方法及び装置、ならびにデバイス生産方法
JP3311302B2 (ja) 1998-10-27 2002-08-05 キヤノン株式会社 露光方法
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697272A (en) * 1971-06-18 1972-10-10 Horizons Research Inc Process for making non-silver free radical film images visible
US3888672A (en) * 1972-07-31 1975-06-10 Du Pont Photopolymerizable process capable of yielding a reverse image
ZA739244B (en) * 1973-04-19 1974-11-27 Grace W R & Co Preparation of printing of pattern plates
GB1578259A (en) * 1977-05-11 1980-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby
US4453262A (en) * 1978-01-16 1984-06-05 The Perkin-Elmer Corporation X-Ray lithography apparatus and method of use
JPS55139737A (en) * 1979-04-18 1980-10-31 Hitachi Ltd Formation of fluorescent screen for color picture tube
US4301237A (en) * 1979-07-12 1981-11-17 Western Electric Co., Inc. Method for exposing substrates to X-rays
US4454209A (en) * 1980-12-17 1984-06-12 Westinghouse Electric Corp. High resolution soft x-ray or ion beam lithographic mask
US4394437A (en) * 1981-09-24 1983-07-19 International Business Machines Corporation Process for increasing resolution of photolithographic images

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