JP2004513528A5

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Publication number: JP2004513528A5
Application number: JP2002541450A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-23
Publication date: 2005-04-07
Anticipated expiration: 2021-10-23

Claims

露光装置の露光パラメータを調整することおよび半導体ウェハ（１０）上の露光場のマトリックス構成（２２）にパターンを投影することによって該半導体ウェハ（１０）を露光する方法であって、
露光場の該マトリックス構成（２２）は、少なくとも２つの領域（２０、２０’）に分割され、該領域（２０、２０’）の各々に、露光装置の照射量および焦点を含む露光パラメータ（３０）の異なったセットが提供される、第１の工程と、
各露光場（２１）は、該露光パラメータ（３０）のセットを用いて露光され、該パラメータは、露光場（２１）に関する該領域（２０、２１’）に関連する、第２の工程と
を包含し、
該第１の工程および該第２の工程は、パシベーション層上がレジストによって被覆される該半導体ウェハ（１０）上で実行され、該露光パラメータ（３０）のセットの各々は、該レジストの下に位置する該パシベーション層の特性に従って提供される、方法。
前記第２の工程は、半導体ウェハ（１０）の数だけ反復され、他方、前記領域（２０、２０’）の広がりおよび設計ならびに前記露光場（２１）の各々の前記露光パラメータ（３０）のセットは、該数の該半導体ウェハ（１０）のすべてに対して一定に保持されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体ウェハ（１０）を露光する方法。
前記第１の工程による、領域（２０、２０’）への前記分割は、
第１に、前記露光場（２１）の各々について、該露光が所与の質を達成することを可能にする、前記露光パラメータ（３０）のセットの範囲を決定することによってと、
第２に、該露光場（２１）を、露光パラメータ（３０）のすべての関連するセットが、該露光場（２１）の該露光パラメータ（３０）のセットの該範囲内にある前記領域（２０、２０’）と関連付けることによってとで実行されることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体ウェハ（１０）を露光する方法。
前記露光装置は、ウェハステッパまたはスキャナ、電子ビーム、レーザビーム、イオン投影ビームまたはＸ線リソグラフィ装置であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体ウェハ（１０）を露光する方法。
前記領域は、前記半導体ウェハ（１０）の連続外側エッジ領域（２０）および連続内側領域（２０）であり、内側領域露光場（２１）を外側領域露光場（２１）を分離する円の半径は、調整され得ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
前記半導体ウェハ（１０）は、少なくとも３００ミリメータの直径を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体ウェハ（１０）を露光する方法。