JP2000100701A - パターンの疎密差評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 疎のレジストパターンと密のレジストパター
ンとの疎密差を高精度で評価し得る、パターンの疎密差
評価方法の提供が望まれている。 【解決手段】 露光量とフォーカス量とを変化させて疎
のレジストパターンと密のレジストパターンとを実験的
に形成し、各パターンから予め設定した寸法変動内のパ
ターン群を求めることによって疎のパターン領域４と密
のパターン領域５とを求める。次に、予め設定した焦点
深度バジョットＢを基準とし、この焦点深度バジョット
Ｂを疎のパターン領域４、密のパターン領域５にあては
めることによって疎のパターン領域の露光中心値Ｅａ、
密のパターン領域の露光中心値Ｅｂをそれぞれ求める。
その後、これら露光中心値Ｅａ、Ｅｂを以下の式にあて
はめ、疎のパターン領域と密のパターン領域との疎密差
の評価値Ｅｃを求める。 Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン密度が低
い疎のレジストパターンとパターン密度が高い密のレジ
ストパターンとを形成する際に、得られる疎のレジスト
パターンと密のレジストパターンとの疎密差を評価し、
あるいはこれらレジストパターンから得られる疎のエッ
チングパターンと密のエッチングパターンとの疎密差を
評価するためのパターンの疎密差評価方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ロジック混載メモリー等の半導体装置を
製造する場合、例えば光リソグラフィ技術によってレジ
ストパターンを形成する際には、通常、これに先立って
得られるレジストパターンの寸法等を推算（推定）して
おき、製造マージンとの関係などを評価する。

【０００３】このような評価を行うにあたり、特に形成
するレジストパターンに疎密差がある場合、すなわち孤
立したレジストパターン（パターン密度が低い疎のレジ
ストパターン）と密集したレジストパターン群（パター
ン密度が高い密のレジストパターン）とを同時に形成す
る場合には、そのパターン密度に対応して得られるパタ
ーンの寸法（パターンが例えばライン状の場合、線幅）
に差が生じる。このような寸法差が起こる現象は一般に
光近接効果と呼ばれており、レジストパターン、さらに
はこれをマスクにして形成される各種のエッチングパタ
ーンの高精度化、高精細化を妨げる一因となっている。

【０００４】従来、このような光近接効果に起因する不
都合を防止するための対策としてレジストの改善がなさ
れているが、レジストの改善は経験則に依存する部分が
多く、実際には多様なレジストを露光し、測定し、修正
する試行錯誤となっている。試行錯誤が生じる原因の一
つとして、疎密パターンの評価方法がある。ここで、疎
密差を評価する場合、一般には同一露光量、同一フォー
カス量の条件で疎のレジストパターンと密のレジストパ
ターンとの寸法差を求めるといった方法が採られる。

【０００５】図４は、このように同一露光量、同一フォ
ーカス量の条件で疎密差となる寸法差を求める一方法で
あり、ＣＤ−カーブ法と称される方法を説明するための
図である。このＣＤ−カーブ法は、測定条件が１点であ
ることから簡便な方法であるとして一般に採用されてい
る。しかしながら、このＣＤ−カーブ法は、簡便である
反面、測定条件が１点であることから得られる疎密差、
すなわちこの方法の場合では疎密寸法差（線幅差）に露
光量の変化と焦点深度（フォーカス量）の変化に対する
情報が欠けてしまっている。つまり、この方法によって
得られた疎密寸法差には、測定誤差、露光量誤差、フォ
ーカス量誤差などが全て上乗せされてしまっており、し
たがって信頼性の低いデータとなっているのである。

【０００６】また、露光裕度とフォーカス裕度とを評価
し得る方法として、ＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉｎｄｏ
ｗ法による評価方法が知られている。この評価方法で
は、まず、露光量とフォーカス量とを変化させて、孤立
ライン状のレジストパターン（疎のレジストパターン）
と密集ライン状のレジストパターン（密のレジストパタ
ーン）とをそれぞれ実験によって、あるいはシミュレー
ションによって形成し（求め）、図５に示すようにこれ
ら各パターンから予め設定した線幅変動内、すなわち寸
法変動内（図５に示した例では各々±１０％）に解像さ
れているパターン群からなる領域分布（ＥＤ−ｔｒｅ
ｅ）を求め、これら領域分布を疎のパターン領域１およ
び密のパターン領域２とする。

【０００７】次いで、予め設定した必要フォーカス量Ａ
（フォーカス範囲）を規定し、この必要フォーカス量Ａ
を前記疎のパターン領域１と密のパターン領域２との交
わる領域にあてはめて窓（ＥＤ−ｗｉｎｄｏｗ）３を求
め、この窓３から露光裕度とフォーカス裕度とを得る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉｎｄｏｗ法による評価
方法では、露光裕度とフォーカス裕度とを評価するには
有効であるものの、疎のレジストパターンと密のレジス
トパターンとの間の疎密差を分析する場合には、その指
針を得るのが困難である。

【０００９】例えば、このＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉ
ｎｄｏｗ法から得られる結果には、疎密差（疎密寸法
差）の値や、符号（疎のレジストパターンと密のレジス
トパターンとでどちらの露光量が多く必要か）等の情報
に欠けているからである。また、ＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ
−ｗｉｎｄｏｗ法では、レジストパターン間の疎密差は
少ないもののレジスト自体の解像性が劣る場合と、逆に
疎密差だけが悪い場合とで同じような結果が得られてし
まうことがあり、したがって信頼性の高い疎密差の評価
は行えないのが実状である。

【００１０】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、疎のレジストパターンと
密のレジストパターンとの疎密差を高精度で評価し、あ
るいはこれらレジストパターンから得られる疎のエッチ
ングパターンと密のエッチングパターンとの疎密差を高
精度に評価し得る、パターンの疎密差評価方法を提供す
ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載のパターンの疎密差評価方法では、光リソグラフィ
工程でパターン密度が低い疎のレジストパターンとパタ
ーン密度が高い密のレジストパターンとを形成する際、
得られる疎のレジストパターンと密のレジストパターン
との疎密差を評価するにあたり、まず、露光量とフォー
カス量とを変化させて前記疎のレジストパターンと密の
レジストパターンとをそれぞれ実験的に形成し、これら
各パターンから予め設定した寸法変動内のパターン群を
求めることによって疎のパターン領域と密のパターン領
域とを求め、次いで、予め設定した焦点深度バジョット
を基準とし、この焦点深度バジョットを前記疎のパター
ン領域、密のパターン領域にあてはめることによって疎
のパターン領域の露光中心値Ｅａ、密のパターン領域の
露光中心値Ｅｂをそれぞれ求め、その後、これら露光中
心値Ｅａ、Ｅｂを以下の式にあてはめることによって疎
のパターン領域と密のパターン領域との疎密差の評価値
Ｅｃを求める Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００ ことを前記課題の解決手段とした。

【００１２】請求項２記載のパターンの疎密差評価方法
では、光リソグラフィ工程でパターン密度が低い疎のレ
ジストパターンとパターン密度が高い密のレジストパタ
ーンとを形成し、さらにこれらレジストパターンを用い
てエッチングにより被パターニング体をパターニングし
て得られる、疎のエッチングパターンと密のエッチング
パターンとの疎密差を評価するにあたり、まず、露光量
とフォーカス量とを変化させて前記疎のレジストパター
ンと密のレジストパターンとをそれぞれ形成し、さらに
これらレジストパターンをマスクにしてエッチングによ
り被パターニング体をパターニングして疎のエッチング
パターンと密のエッチングパターンとを実験的に形成
し、これら各パターンから予め設定した寸法変動内のパ
ターン群を求めることによって疎のパターン領域と密の
パターン領域とを求め、次いで、予め設定した焦点深度
バジョットを基準とし、この焦点深度バジョットを前記
疎のパターン領域、密のパターン領域にあてはめること
によって疎のパターン領域の露光中心値Ｅａ、密のパタ
ーン領域の露光中心値Ｅｂをそれぞれ求め、その後、こ
れら露光中心値Ｅａ、Ｅｂを以下の式にあてはめること
によって疎のパターン領域と密のパターン領域との疎密
差の評価値Ｅｃを求める Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００ ことを前記課題の解決手段とした。

【００１３】これらの方法によれば、露光量とフォーカ
ス量とを変化させて形成した疎のレジストパターンと密
のレジストパターンとから疎のパターン領域、密のパタ
ーン領域を求め、さらにこれら各パターン領域から疎の
パターン領域の露光中心値Ｅａ、密のパターン領域の露
光中心値Ｅｂをそれぞれ求め、これら露光中心値Ｅａ、
Ｅｂから疎のパターン領域と密のパターン領域との疎密
差の評価値Ｅｃを求めるので、得られた評価値Ｅｃは露
光量とフォーカス量とを変化させて多くの測定点から求
められたことによりこれら露光量とフォーカス量との情
報を含み、しかも疎のレジストパターンと密のレジスト
パターンとでどちらの露光量が多く必要か、などといっ
た符号についての情報も含むものとなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明のパターンの疎密差
評価方法を詳しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本
発明における請求項１記載のパターンの疎密差評価方
法、すなわちレジストパターンの疎密差評価方法の一例
を説明するための図であり、いずれも横軸を露光量、縦
軸をフォーカス量とするものである。なお、本例は、パ
ターン密度が低い疎のレジストパターンを孤立ライン状
のレジストパターンとし、かつパターン密度が高い密の
レジストパターンを密集ライン状のレジストパターンと
した場合の例であり、これらのレジストパターンを光リ
ソグラフィ工程で形成する際に、その疎密差を評価する
方法である。

【００１５】本例の方法では、まず、露光量とフォーカ
ス量とを変化させて疎のレジストパターンと密のレジス
トパターンとをそれぞれ実験的に、すなわち実験によっ
てあるいはシミュレーションによって形成し（求め）、
図１（ａ）に示すようにこれら各パターンから予め設定
した線幅変動内、すなわち寸法変動内（図１（ａ）に示
した例では各々±１０％）に解像されているパターン群
からなる領域分布（ＥＤ−ｔｒｅｅ）を求め、これら領
域分布を疎のパターン領域４および密のパターン領域５
とする。

【００１６】なお、図１（ａ）より、疎のパターン領域
４と密のパターン領域とではその最適な露光量が大きく
異なることが分かる。一般にポジレジストにおいては、
最適露光量を孤立パターン（疎のレジストパターン）に
合わせると、密集パターン（密のレジストパターン）で
はアンダードーズとなり、、目的とする寸法よりも線幅
が太る傾向にある。したがって、このような疎のレジス
トパターンと密のレジストパターンとの間の疎密差を、
本発明では精度良く評価するようにしているのである。

【００１７】次いで、図１（ｂ）に示すように予め設定
した焦点深度バジョットＢを基準とし、この焦点深度バ
ジョットＢを前記疎のパターン領域４、密のパターン領
域５にあてはめることによってそれぞれのパターン領域
４、５内に接する矩形の窓６、７を計算等によって求め
る。そして、これら窓６、７の横軸方向（図１中の左
右）の両辺間の中心点８、９を求め、さらにこれら中心
点８、９の横軸上の値、すなわち露光量の値を求め、こ
の値をそれぞれ疎のパターン領域５の露光中心値Ｅａ、
密のパターン領域６の露光中心値Ｅｂとする。ここで、
焦点深度バジョットＢとしては、レジストパターンの製
造に必要とされる焦点深度が用いられ、したがって通常
は、製造条件が同じであれば図５に示した必要フォーカ
ス量Ａと同じ値が用いられる。

【００１８】その後、これら露光中心値Ｅａ、Ｅｂを以
下の式にあてはめることによって疎のレジストパターン
と密のレジストパターンとの疎密差の評価値Ｅｃ〔％〕
を求める。 Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００ すなわち、密のパターン領域６の露光中心値Ｅｂと疎の
パターン領域５の露光中心値Ｅａとの差である（Ｅｂ−
Ｅａ）が「０」になり、評価値Ｅｃが０％になるとき
が、マージン（必要焦点深度）を含めた最適条件となっ
て密のパターン領域６と疎のパターン領域５との間で疎
密差がないことになり、またその絶対値が大きい場合に
は、疎密差が大きいということになるのである。

【００１９】このような評価方法によれば、露光量とフ
ォーカス量とを変化させて多くの測定点から疎密差の評
価値Ｅｃ〔％〕を求めていることにより、得られた評価
値Ｅｃ〔％〕がこれら露光量とフォーカス量との情報を
含み、したがって露光量変化の要因となるプロセス条件
（下地反射、可干渉性、現像条件など）についての情報
を加味した評価値となる。よって、このようにプロセス
条件についての情報を加味していることにより、得られ
た評価値はより高い精度で疎のレジストパターンと密の
レジストパターンとの間の疎密差を示す指標となり、し
かも、疎のレジストパターンと密のレジストパターンと
でどちらの露光量が多く必要か、などといった符号につ
いての情報も含むものとなる。

【００２０】次に、本発明における請求項２記載のパタ
ーンの疎密差評価方法、すなわちエッチングパターンの
疎密差評価方法の一例を説明する。本例が先のレジスト
パターンの疎密差評価方法と異なるところは、先の例で
図１（ａ）に示したごとく疎のレジストパターンと密の
レジストパターンとを実験的に（実験であるいはシミュ
レーションによって）形成し、これらから疎のパターン
領域４と密のパターン領域５とを形成したのに代えて、
以下のようにして疎のパターン領域と密のパターン領域
とを形成する点にある。

【００２１】すなわち、まず、露光量とフォーカス量と
を変化させて疎のレジストパターンと密のレジストパタ
ーンとをそれぞれ形成し、さらにこれらレジストパター
ンをマスクにしてエッチングにより被パターニング体
（例えばポリシリコン層やＳｉＯ₂ 層など）をパターニ
ングして疎のエッチングパターンと密のエッチングパタ
ーンとを実験的に（実験であるいはシミュレーションに
よって）形成する。そして、先の例と同様にしてこれら
各パターンから予め設定した寸法変動内（線幅変動内）
のパターン群を求めることにより、疎のパターン領域と
密のパターン領域とを求める。

【００２２】このようにして疎のパターン領域と密のパ
ターン領域とを求めたら、以下は先の例と同様にして、
疎のパターン領域の露光中心値Ｅａ、密のパターン領域
の露光中心値Ｅｂをそれぞれ求め、さらにこれらの値を
前記式にあてはめることにより、疎のパターン領域と密
のパターン領域との疎密差の疎密差の評価値Ｅｃを求め
る。

【００２３】このような評価方法によれば、先のレジス
トパターンの疎密差評価方法と同様に、得られた評価値
Ｅｃ〔％〕が露光量とフォーカス量との情報を含み、し
たがって露光量変化の要因となるプロセス条件（下地反
射、可干渉性、現像条件など）についての情報を加味し
た評価値となる。よって、このようにプロセス条件につ
いての情報を加味していることにより、得られた評価値
はより高い精度で疎のエッチングパターンと密のエッチ
ングパターンとの間の疎密差を示す指標となる。

【００２４】また、エッチングパターンの疎密差は、こ
れを形成する際のマスクとなるレジストパターンの形状
に大きく影響を受ける。図２は、レジストパターンの形
状とこれをマスクとしてエッチングした場合に得られる
エッチングパターンの形状との関係を説明するための図
である。

【００２５】図２に示すように、密集ライン（密のレジ
ストパターン）１０に光学条件を合わせたことによって
ボトムフォーカスとなった場合に、その疎密差に起因し
て孤立ライン（疎のレジストパターン）１１をマスクと
したエッチングで得られたエッチングパターン１２は、
密集ライン１０をマスクとしたエッチングで得られたエ
ッチングパターン１３に比べその線幅が細くなってしま
う。一方、密集ライン（密のレジストパターン）１０に
光学条件を合わせたことによってトップフォーカスとな
った場合に、孤立ライン（疎のレジストパターン）１４
をマスクとしたエッチングで得られたエッチングパター
ン１５は、密集ライン１０をマスクとしたエッチングで
得られたエッチングパターン１３に比べその線幅が太く
なってしまう。なお、図２中において符号１６は、ポリ
シリコン等の被パターニング体である。ここで、このよ
うなレジストパターン（孤立ライン１１、１４）の形状
の測定については、上面観測で測定を行う測長ＳＥＭで
は極めて困難となっている。

【００２６】このようにエッチングパターンの疎密差
は、これを形成する際のマスクとなるレジストパターン
の形状に大きく影響を受けるが、本例の評価方法では、
前述したように得られた評価値Ｅｃ〔％〕が露光量とフ
ォーカス量との情報を含み、露光量変化の要因となるプ
ロセス条件（下地反射、可干渉性、現像条件など）につ
いての情報を加味した評価値となっていることから、エ
ッチングとリソグラフィとの疎密差評価を定量的に、し
かも分離して得ることができる。

【００２７】以下に、本発明の具体例を示す。 （具体例１）線幅が０．２５μｍの孤立ライン（疎のレ
ジストパターン）と、同じく線幅が０．２５μｍでＬ／
Ｓ比＝１：１の密集ライン（密のレジストパターン）と
を露光・現像して形成し、その疎密差を求めた。ここ
で、各ラインを形成するレジストは化学増幅型のポジ・
レジストとし、露光条件については、ＮＡ＝０．５５と
した。また、露光条件における変数としては、σ（パー
シャルコヒーレンシー）と下地基板反射率を用い、σは
０．５５〜０．８で変化させ、また下地基板反射率は高
反射率基板（５４％）にＳｉ基板を使用し、中反射基板
（３２％）、低反射基板（２％）にＢＡＲＣを使用し
た。

【００２８】図３（ａ）に、本発明の方法で得られた評
価結果を示す。図３（ａ）において横軸は下地基板反射
率（％）であり、縦軸は疎密差の評価値Ｅｃ（％）であ
る。また、本例では焦点深度バジェットの値として０．
８μｍを規定した。また、比較のため、従来のＣＤ−カ
ーブ法で求めた結果を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）に
おいて横軸は下地基板反射率（％）であり、縦軸は疎密
の寸法差（μｍ）である。図３（ａ）と図３（ｂ）よ
り、σ＝０．８の条件の場合に、疎密差の傾向が本発明
の評価方法と従来のＣＤ−カーブ法とで逆になってい
る。すなわち、図３（ａ）に示す本発明法では低反射率
の下地基板の方が疎密差について優れているが、図３
（ｂ）に示すＣＤ−カーブ法では高反射率の下地基板の
方が疎密差について優れていることになる。

【００２９】そこで、このσ＝０．８の条件の場合につ
いて、図５に示したＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉｎｄｏ
ｗ法による評価方法によってその露光裕度を調べたとこ
ろ、図３（ａ）、（ｂ）中に示したように、低反射率の
下地基板で露光裕度が３％であるのに対し、高反射率の
下地基板では露光裕度が０％となり、本発明法と同様に
低反射率の下地基板の方が疎密差について優れていると
の結果が得られた。よって、本発明の評価方法は、より
高精度に疎密差を評価し得ることが確認された。

【００３０】（具体例２）線幅が０．２５μｍの孤立ラ
イン（疎のレジストパターン）と、同じく線幅が０．２
５μｍでＬ／Ｓ比＝１：１の密集ライン（密のレジスト
パターン）とを露光・現像して形成し、その疎密差を求
めた。ここで、各ラインを形成するレジストは化学増幅
型のネガ・レジストとし、露光条件については前記具体
例１と同一にした。本発明の評価方法では、疎密差の最
小値が４．４％（Ｅｃの値）であるのに対し、ＣＤ−カ
ーブ法では疎密差が最小の条件で露光裕度が０．０％で
あった。したがって、本発明の評価方法の方が精度が高
いことが確認された。

【００３１】（具体例３）内径が０．２５μｍの孤立コ
ンタクト（疎のレジストパターン）と、同じく内径が
０．２５μｍでＤｕｔｙ比＝１：１の密集コンタクト
（密のレジストパターン）とを露光・現像して形成し、
その疎密差を求めた。ここで、各コンタクトを形成する
レジストは化学増幅型のポジ・レジストとし、マスクに
は透過率６％のハーフトーン位相シフトマスクを使用
し、露光条件については前記具体例１と同一にした。本
発明の評価方法では、疎密差の最小値が８％（Ｅｃの
値）であるのに対し、ＣＤ−カーブ法では疎密差が最小
の条件で露光裕度が４．０％であった。したがって、本
発明の評価方法の方が精度が高いことが確認された。

【００３２】（具体例４）具体例２と同様にして、０．
２５μｍの孤立ラインと密集ライン（Ｌ／Ｓ比＝１：
１）とをそれぞれ露光した。そして、形成した各レジス
トライン（レジストパターン）をマスクにしてポリシリ
コン（被パターニング体）をエッチングし、得られたエ
ッチングパターンの疎密差を求めた。本発明の評価方法
では、疎密差は０．５％（Ｅｃの値）であるのに対し、
ＣＤ−カーブ法では疎密寸法差は０．０μｍであった。
そこで、図５に示したＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉｎｄ
ｏｗ法による評価方法によってその露光裕度を調べたと
ころ、本発明の評価方法による結果を支持する結果が得
られた。よって、本発明の評価方法の方が精度が高いこ
と、および定量性に優れていることが確認された。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明のパターンの
疎密差評価方法は、露光量とフォーカス量とを変化させ
て形成した疎のレジストパターンと密のレジストパター
ンとから疎のパターン領域、密のパターン領域を求め、
さらにこれら各パターン領域から疎のパターン領域の露
光中心値Ｅａ、密のパターン領域の露光中心値Ｅｂをそ
れぞれ求め、これら露光中心値Ｅａ、Ｅｂから疎のパタ
ーン領域と密のパターン領域との疎密差の評価値Ｅｃを
求める方法であるから、得られた評価値Ｅｃを、露光量
とフォーカス量とを変化させて多くの測定点から求めら
れたことによってこれら露光量とフォーカス量との情報
を含み、しかも疎のレジストパターンと密のレジストパ
ターンとでどちらの露光量が多く必要か、などといった
符号についての情報も含むものにすることができる。

【００３４】よって、本発明の評価方法によれば、この
ような疎密差の評価値Ｅｃを得ることによってマージン
を考慮した疎密評価を高精度で行うことができ、これに
よりレジスト開発効率を改善することができ。また、プ
ロセス依存性（反射率や可干渉）を高精度に測定するこ
とができ、さらに、リソグラフィとエッチングの影響を
高精度に分離して評価測定することができる。また、シ
ミュレーションにも適用することができ、その場合にシ
ミュレーションによるレジスト最適化精度を向上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明のパターンの疎密差
評価方法の一例を説明するための図である。

【図２】レジストパターンの形状とこれをマスクとして
エッチングした場合に得られるエッチングパターンの形
状との関係を説明するための図である。

【図３】（ａ）は本発明の方法で得られた評価結果を示
す図、（ｂ）は従来のＣＤ−カーブ法で求めた結果を示
す図である。

【図４】ＣＤ−カーブ法を説明するための図である。

【図５】ＥＤ−ｔｒｅｅ＆ＥＤ−ｗｉｎｄｏｗ法による
評価方法を説明するための図である。

【符号の説明】

４…疎のパターン領域、５…密のパターン領域、６，７
…窓、Ｂ…焦点深度バジェット

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光リソグラフィ工程でパターン密度が低
   い疎のレジストパターンとパターン密度が高い密のレジ
   ストパターンとを形成する際、得られる疎のレジストパ
   ターンと密のレジストパターンとの疎密差を評価するに
   あたり、 まず、露光量とフォーカス量とを変化させて前記疎のレ
   ジストパターンと密のレジストパターンとをそれぞれ実
   験的に形成し、これら各パターンから予め設定した寸法
   変動内のパターン群を求めることによって疎のパターン
   領域と密のパターン領域とを求め、 次いで、予め設定した焦点深度バジョットを基準とし、
   この焦点深度バジョットを前記疎のパターン領域、密の
   パターン領域にあてはめることによって疎のパターン領
   域の露光中心値Ｅａ、密のパターン領域の露光中心値Ｅ
   ｂをそれぞれ求め、 その後、これら露光中心値Ｅａ、Ｅｂを以下の式にあて
   はめることによって疎のパターン領域と密のパターン領
   域との疎密差の評価値Ｅｃを求める Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００ ことを特徴とするパターンの疎密差評価方法。
2. 【請求項２】 光リソグラフィ工程でパターン密度が低
   い疎のレジストパターンとパターン密度が高い密のレジ
   ストパターンとを形成し、さらにこれらレジストパター
   ンを用いてエッチングにより被パターニング体をパター
   ニングして得られる、疎のエッチングパターンと密のエ
   ッチングパターンとの疎密差を評価するにあたり、 まず、露光量とフォーカス量とを変化させて前記疎のレ
   ジストパターンと密のレジストパターンとをそれぞれ形
   成し、さらにこれらレジストパターンをマスクにしてエ
   ッチングにより被パターニング体をパターニングして疎
   のエッチングパターンと密のエッチングパターンとを実
   験的に形成し、これら各パターンから予め設定した寸法
   変動内のパターン群を求めることによって疎のパターン
   領域と密のパターン領域とを求め、 次いで、予め設定した焦点深度バジョットを基準とし、
   この焦点深度バジョットを前記疎のパターン領域、密の
   パターン領域にあてはめることによって疎のパターン領
   域の露光中心値Ｅａ、密のパターン領域の露光中心値Ｅ
   ｂをそれぞれ求め、 その後、これら露光中心値Ｅａ、Ｅｂを以下の式にあて
   はめることによって疎のパターン領域と密のパターン領
   域との疎密差の評価値Ｅｃを求める Ｅｃ＝（Ｅｂ−Ｅａ）／（Ｅｂ＋Ｅａ）×１００ ことを特徴とするパターンの疎密差評価方法。