JPS58156938A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS58156938A JPS58156938A JP57038035A JP3803582A JPS58156938A JP S58156938 A JPS58156938 A JP S58156938A JP 57038035 A JP57038035 A JP 57038035A JP 3803582 A JP3803582 A JP 3803582A JP S58156938 A JPS58156938 A JP S58156938A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- pattern width
- wafer
- width
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置に関し、特にウェーハ表面に形
成する素子パターンの線巾寸法を所定値に制御して良好
な結果を得ることができる露光装置に関するものである
。
成する素子パターンの線巾寸法を所定値に制御して良好
な結果を得ることができる露光装置に関するものである
。
率導体装置の製造、とりわけ半導体ウェーへの表面に素
子パターンを形成する場合には所謂フォトリングラフイ
エ１が利用されているが、この場合形成されるパターン
はそのパターン輻←線幅）を常に一定に保持させること
が好ブしい。このため、従来ではウェーハ表面罠パター
ンを露光する際の露光量、即ち照度を積算した量を一定
に保持することによりパターン−の制御を行なっており
、露光装置としてのアライナもこのような露光量を任意
に制御し得る構成が採用されているうしかしながら、パ
ターン幅は前記した露光量の大小のみならす、定在波の
影畳の大小、ウェー八反射率の変動、ホトレジストの感
度のむら等積々のプロセス装置がプロセス装置の微妙な
特性とからみ合って影響されており、単に露光量を一定
に保持するだけで常に均一なパターン幅力′１得られる
ことはない。このため、パターン幅の低減化、特に微小
パターン幅を前提とした微細パターンの半導体装置を安
定かつ高信頼度で製造することは極めて困−なものとな
っている。
子パターンを形成する場合には所謂フォトリングラフイ
エ１が利用されているが、この場合形成されるパターン
はそのパターン輻←線幅）を常に一定に保持させること
が好ブしい。このため、従来ではウェーハ表面罠パター
ンを露光する際の露光量、即ち照度を積算した量を一定
に保持することによりパターン−の制御を行なっており
、露光装置としてのアライナもこのような露光量を任意
に制御し得る構成が採用されているうしかしながら、パ
ターン幅は前記した露光量の大小のみならす、定在波の
影畳の大小、ウェー八反射率の変動、ホトレジストの感
度のむら等積々のプロセス装置がプロセス装置の微妙な
特性とからみ合って影響されており、単に露光量を一定
に保持するだけで常に均一なパターン幅力′１得られる
ことはない。このため、パターン幅の低減化、特に微小
パターン幅を前提とした微細パターンの半導体装置を安
定かつ高信頼度で製造することは極めて困−なものとな
っている。
したがって本発明の目的は、パターン形成したウェー・
二のパターン幅を測定するＩＩＩｊ定部と、この測定部
からの出力ＫＪｌｔづいて露光量を補正する補正制御部
とを付設することにより、常に均一のバターン幅を得る
ことができ、これにより微細パターンを高信頼度で形成
することかできる露光装置を提供することにある。
二のパターン幅を測定するＩＩＩｊ定部と、この測定部
からの出力ＫＪｌｔづいて露光量を補正する補正制御部
とを付設することにより、常に均一のバターン幅を得る
ことができ、これにより微細パターンを高信頼度で形成
することかできる露光装置を提供することにある。
以下、本発明の図示の実施例に基づいて説明する。
図は本発明の露光装置を示し、１／ｌＯ縮小製のステッ
プアンドリピートカメラからなる了ライナ１で例示して
いる。即ち、このアライナｌはＸＹテーブル２上にセッ
トしたウェーハＷＫ対向してカメラ本体３を設置し、Ｘ
Ｙテーブル２の作動に伴なってウェーハＷ表面のホトレ
ジスト層罠マスク４のｌ／１０寸法のパターンを桝目状
に露光することができる。前記カメラ本体３は前配置ス
ク４の後側Ｉ／Ｃ元源５を有する一方、前働にはシ今ツ
タ６や結像レンズ７を有しており、特に本例では光源５
の光度を一定に保つように電気的かつ光字的な対策を施
す一方、Ｖ今ツタ６はその開閉時間をシキッタ制御部８
により制御するようＫしている。
プアンドリピートカメラからなる了ライナ１で例示して
いる。即ち、このアライナｌはＸＹテーブル２上にセッ
トしたウェーハＷＫ対向してカメラ本体３を設置し、Ｘ
Ｙテーブル２の作動に伴なってウェーハＷ表面のホトレ
ジスト層罠マスク４のｌ／１０寸法のパターンを桝目状
に露光することができる。前記カメラ本体３は前配置ス
ク４の後側Ｉ／Ｃ元源５を有する一方、前働にはシ今ツ
タ６や結像レンズ７を有しており、特に本例では光源５
の光度を一定に保つように電気的かつ光字的な対策を施
す一方、Ｖ今ツタ６はその開閉時間をシキッタ制御部８
により制御するようＫしている。
また、このシ考ツタ制御部８は予めマスクパターンの１
１ｍＫ応じて定められた基準時間の信号な記憶した基準
時間設定部９に接続され、露光するマスクに応じてシ今
ツタ６の基準開放時間を選択的に決定する。
１ｍＫ応じて定められた基準時間の信号な記憶した基準
時間設定部９に接続され、露光するマスクに応じてシ今
ツタ６の基準開放時間を選択的に決定する。
一方、露光が完了されたウェーハＷは現像装置ｌＯない
しエツチング装置１１を経て埃像、エツチングされるが
、これら現像装置１０若しくはエツチング装置１１１Ｉ
）［下流位置、本例ではエツチング装置１１の直下流位
置にハターン幅測定部１２を設け、エツチングにより形
成されたパターンの纏暢寸法ｔＪＩＩ定するようにして
いる。この場合、測定は桝１状に形成したパターンの一
つづつに対して行なうが、その順序はアライナ１におけ
る露光順序に一致させる。そして、この測定部１２の出
力は前記シ今ツタ制御部８に付設した補正制御部１３に
入力できるようにし、この補正制御部１３は測定出力に
応じて基準開放時間を増減補正することかできるように
している。
しエツチング装置１１を経て埃像、エツチングされるが
、これら現像装置１０若しくはエツチング装置１１１Ｉ
）［下流位置、本例ではエツチング装置１１の直下流位
置にハターン幅測定部１２を設け、エツチングにより形
成されたパターンの纏暢寸法ｔＪＩＩ定するようにして
いる。この場合、測定は桝１状に形成したパターンの一
つづつに対して行なうが、その順序はアライナ１におけ
る露光順序に一致させる。そして、この測定部１２の出
力は前記シ今ツタ制御部８に付設した補正制御部１３に
入力できるようにし、この補正制御部１３は測定出力に
応じて基準開放時間を増減補正することかできるように
している。
以上の構成のアライナＩＫよれば、同一ロットの最初の
ウェーハは従来と同様に基準のシ今ツタ時間にてパター
ン露光を行ない、現曹、エツチングを完了させるうエツ
チングの完了したウェーハＷｇは直ちに測定部１２にお
いてパターン幅が測定され、その測定値は順次補正制御
部１３に送られる。カメラ本体３＠ではこの開法のウェ
ーハＷの露光を停止していたが、測定の開始と共にそ？
露光が開始される。すると、カメラ本体３では、測定部
１２からの出力が補正制御部ＩＷＫ入力されて補正制御
部１３がシ考ツタ制御部８のシ噌ツタ基準時間を制御す
るのに伴なって、この１１定箇所と対応するウェーハ位
置に補正された時間にで露光を行なうように作動する。
ウェーハは従来と同様に基準のシ今ツタ時間にてパター
ン露光を行ない、現曹、エツチングを完了させるうエツ
チングの完了したウェーハＷｇは直ちに測定部１２にお
いてパターン幅が測定され、その測定値は順次補正制御
部１３に送られる。カメラ本体３＠ではこの開法のウェ
ーハＷの露光を停止していたが、測定の開始と共にそ？
露光が開始される。すると、カメラ本体３では、測定部
１２からの出力が補正制御部ＩＷＫ入力されて補正制御
部１３がシ考ツタ制御部８のシ噌ツタ基準時間を制御す
るのに伴なって、この１１定箇所と対応するウェーハ位
置に補正された時間にで露光を行なうように作動する。
例えばパターン幅が小さい場合にはシ今ツタ時間を長ク
シ、て露光量を増し、大きい場合には減らすようＫする
。
シ、て露光量を増し、大きい場合には減らすようＫする
。
したがって、次のウェーハはパターン箇所の夫々で露光
量が相違されることになるが、このことが種々の壁内に
逆（反）作用し１．結局現俸、エツチングが完了した時
点ではパターン幅は均一なものに形成される。これ−よ
り、定在波の影響の大小、ウェー八反射率の変動、ホト
レジスト感度のむら郷の寮内の存在に拘らず常に均一な
パターン幅を安定して得ることができるようになり、特
に微細パターンを安定して高信頼度で形成することがで
きる。 ５゜ここで、本例
では測定部１２の出力に基づいて補正制御部１３はシ今
ツタ時間を変化制御して犀光童を変えているが、−ｙｔ
、源の尤度や光路中にフィルタを介装して−の７・−夕
の透過度を変化させることによって露光量を変えるよう
にしても同様の効果を得ることができや。
、また、本例ではステップアンドリピートカメラに適
用して各シｌット毎罠露光童を変えているが、場合ｒ−
よってはコンタクトマスクを使用する露光装置において
も各ウェーハ間でのパターン幅を均一にする上で有効に
利用できる。
量が相違されることになるが、このことが種々の壁内に
逆（反）作用し１．結局現俸、エツチングが完了した時
点ではパターン幅は均一なものに形成される。これ−よ
り、定在波の影響の大小、ウェー八反射率の変動、ホト
レジスト感度のむら郷の寮内の存在に拘らず常に均一な
パターン幅を安定して得ることができるようになり、特
に微細パターンを安定して高信頼度で形成することがで
きる。 ５゜ここで、本例
では測定部１２の出力に基づいて補正制御部１３はシ今
ツタ時間を変化制御して犀光童を変えているが、−ｙｔ
、源の尤度や光路中にフィルタを介装して−の７・−夕
の透過度を変化させることによって露光量を変えるよう
にしても同様の効果を得ることができや。
、また、本例ではステップアンドリピートカメラに適
用して各シｌット毎罠露光童を変えているが、場合ｒ−
よってはコンタクトマスクを使用する露光装置において
も各ウェーハ間でのパターン幅を均一にする上で有効に
利用できる。
以上のように本発明の露光装置によれば、パターン形成
したウェーへのパターン幅を測定する測定部と、この測
定部からの出力に基やいて露光量を補止する補正制御部
とＹ：ｎ設しているので、実際に発生するパターン幅の
ばらつ、きに対応して露光量を変化でき、これにより常
に均一のパターン幅を得て高信頼度のパターンを安定し
て形成でき、特に微細パターンの形成に有効となる等の
５ａＪ果を奏する。
したウェーへのパターン幅を測定する測定部と、この測
定部からの出力に基やいて露光量を補止する補正制御部
とＹ：ｎ設しているので、実際に発生するパターン幅の
ばらつ、きに対応して露光量を変化でき、これにより常
に均一のパターン幅を得て高信頼度のパターンを安定し
て形成でき、特に微細パターンの形成に有効となる等の
５ａＪ果を奏する。
図は本発明装置の一実施例の全体構成図であるロト・・
アライナ（露光装置）、２・・・ＸＹテーブル、３・・
・カメラ本体、４・・・マスク、５・・・光源、ｂ・・
・シャッタ、７・・・レンズ、８・・・シ考ツタ制御部
、９・・シャッタ基準時間設定部、ｌＯ・・・視像装置
、１１・・・エツチング装置、１２・・・パターン翰棚
定部、１３・・・補正制御部。
アライナ（露光装置）、２・・・ＸＹテーブル、３・・
・カメラ本体、４・・・マスク、５・・・光源、ｂ・・
・シャッタ、７・・・レンズ、８・・・シ考ツタ制御部
、９・・シャッタ基準時間設定部、ｌＯ・・・視像装置
、１１・・・エツチング装置、１２・・・パターン翰棚
定部、１３・・・補正制御部。
Claims (1)
- １、 ウェー八にマスクパターンを露光する装置に動い
て、先に既知の露光量にて形成したパターンの幅をｉｌ
ｌ定するパターン幅測定部と、この測定部からの出力に
基づいて前記露光量を補正する補正制御部とを備えるこ
とを４１像とする露光装置、２、補正制御部は露光量カ
メラのシャッタ時間を補正制御し得るよう構成してなる
特許請求の範囲第１項記載め露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038035A JPS58156938A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038035A JPS58156938A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156938A true JPS58156938A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12514285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038035A Pending JPS58156938A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58156938A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225419A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPS6225422A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| EP0859285A2 (en) * | 1997-02-14 | 1998-08-19 | Nikon Corporation | Light exposure controlling method |
| EP1205806A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-15 | Semiconductor300 GmbH & Co KG | Method for exposing a semiconductor wafer |
| WO2002059695A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-08-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control based upon across wafer variations in device characteristics |
| EP1517189A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-15 | ASML Netherlands B.V. | Critical dimension optimisation in lithography |
-
1982
- 1982-03-12 JP JP57038035A patent/JPS58156938A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225419A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPS6225422A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPH0535568B2 (ja) * | 1985-07-25 | 1993-05-26 | Canon Kk | |
| JPH0535567B2 (ja) * | 1985-07-25 | 1993-05-26 | Canon Kk | |
| EP0859285A2 (en) * | 1997-02-14 | 1998-08-19 | Nikon Corporation | Light exposure controlling method |
| EP0859285A3 (en) * | 1997-02-14 | 2000-02-02 | Nikon Corporation | Light exposure controlling method |
| EP1205806A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-15 | Semiconductor300 GmbH & Co KG | Method for exposing a semiconductor wafer |
| WO2002039188A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co.Kg | Method for exposing a semiconductor wafer |
| US6887722B2 (en) | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co. Kg | Method for exposing a semiconductor wafer |
| WO2002059695A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-08-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control based upon across wafer variations in device characteristics |
| US6784001B2 (en) | 2001-01-22 | 2004-08-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated variation of stepper exposure dose based upon across wafer variations in device characteristics, and system for accomplishing same |
| EP1517189A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-15 | ASML Netherlands B.V. | Critical dimension optimisation in lithography |
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