JPH0225016A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPH0225016A
JPH0225016A JP63174066A JP17406688A JPH0225016A JP H0225016 A JPH0225016 A JP H0225016A JP 63174066 A JP63174066 A JP 63174066A JP 17406688 A JP17406688 A JP 17406688A JP H0225016 A JPH0225016 A JP H0225016A
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JP
Japan
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light
lens
fly
aperture
reticle
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Pending
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JP63174066A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Wakahara
健 若原
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH0225016A publication Critical patent/JPH0225016A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板の製造工程において、特にフォト
レジスト等の塗布液を塗布した半導体ウェーハ上に、マ
スク及びレチクル上の集積回路パターンをパターンニン
グする露光装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の露光装置は第5図に示すように、水銀ランプ1と
水銀ランプ1の上部を覆う楕円ミラー2、光の均一性を
向上させるフライズアイレンズ3、光を結像光学系へ集
光するコンデンサーレンズ7からなる照明系部と、レチ
クル8を載置するレチクルステージ9と、レチクル8上
のパターンをウェーハ11上へ結像させる投影レンズ1
0ど、ウェーハ11を載置して固定する試料ステージ1
2と、ウェーハ11上へ結像投影された照明光の強度分
布を測定する照度測定器13とから構成されている。
フライズアイレンズ3は凸面を上側に向けた複数の単レ
ンズ4,5.6の配列で構成され、個々の単レンズによ
り、ウェーハ上の一つの露光エリア(lショットフィー
ルド)全体を照射する。従って、露光エリア内の照度は
、各単レンズからの照明光の総和として得られるもので
ある。1s光工リア全体について均一な解像性能を得る
ためには、上述した露光エリア内の照度の均一性を向上
させることが極めて重要である。
露光エリア内の照度の均一性は、特に、フライズアイレ
ンズ3を構成する各単レンズ4,5.6からの照射光の
均一性と、水銀ランプ1の位置調整の2つに依存する。
しかし、従来の露光装置においては前者については全く
考慮されず、水銀ランプ1の位置調整のみにより照度分
布の調整が行なわれてきた。
水銀ランプ1の位W、調整による露光エリア内の照度調
整によれば、15I1m11′程度の露光エリアに対し
て±2%程度の均一度が得られ、これは1.5〜1.2
μm程度の加工線幅に対しては問題のないレベルである
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上述した従来の露光装置における露光エリア
内の照度の調整方法では使用中の水銀ランプ1の経時特
性変化、ランプ特性のロットバラツキ、照度系部内の各
光学素子のコーテイング膜のくもりやはがれ等が発生し
た場合には、照度分布均一化の為の調整マージンが極め
て少なくなり、面内照度分布が規格外となり、露光不良
を多発するという欠点があった。
さらに、近年になって要求される加工線幅がサブミクロ
ンレベルへと一段ときびしくなるに至っては、従来技術
のような水銀ランプ等の光源の位1lfn整のみによる
照度調整方法では満足できないものになってきた。
本発明の目的は、上記課題を解消した露光装置を提供す
ることにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の露光装置は、水銀ランプの位置調整のみ
により露光エリア内の照度の調整を行なっていたのに対
し、本発明においては、フライズアイレンズを構成する
各単レンズの照度分布をそ六、ぞれ単独で測定する手段
を有し、その測定結果に基づいて、各単レンズからの照
射光の強度分布を制御できるという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明は、光源と、該光源か
ら出先した光を反射、集光する楕円ミラーと、同形の単
レンズを組合せて構成され、集光後の光を透過するフラ
イズアイレンズと、フライズアイレンズから出射した光
を集積回路パターンを有するレチクルへ向けて集光する
コンデンサーレンズと、レチクルを載置するレチクルス
テージと、レチクル上のパターンを被処理基板上に結像
させる投影レンズと、被処理基板を載置する試料ステー
ジと、被処理基板上へ結像投影された光の露光エリア内
における強度分布を測定する照度測定器とから構成され
る装置 ズアイレンズを構成する単レンズの有効射出瞳径と同形
の光透過部を1個有する駆動可能な光量測定用アパーチ
ャと、該単レンズの有効射出瞳径と同形でかつ各単レン
ズからの射出先量を制御する駆動可能な光量調整部とを
フライズアイレンズの結像平面上に交換可能に載置し、
さらに、前記光量測定用アパーチャの光透過部を透過さ
せた各単レンズからの射出先量を前記照度測定器により
測定した結果に基づいてフライズアイレンズの各単レン
ズからの照射光強度及び分布を制御する演算制御部を装
備したものである。
〔実施例〕 次に本発明について、図面を参照して説明する。
(実施例1》 第1図及び第2図は本発明の第1の実施例を示す縦断面
図である。
図において、水銀ラン11と、水銀ラン11から出先し
た光を下方へ向けて反射して集中させる楕円ミラー2と
、楕円ミラー2からの反射光及び水銀ランプ1からの直
接光を均一にするフライズアイレンズ3と、フライズア
イレンズ3からの光をレチクル8に向けて集光するコン
デンサ・レンズ7と、レチクル8をn置するレチクルス
テージ9と、レチクル8上のパターンをウェーハ11上
に結像させて投影する投影レンズ10と、投影された光
の照度を測定する照度測定器13と、該照度測定器13
を搭載し、ウェーハ11を載置する試料ステージ12と
が配置されている0以上の構成は従来装置と同じである
本発明の露光装置は、フライズアイレンズ3の結像平面
上に交換可能に設置する、光量測定用アパーチャ14及
び光量調整用アパーチャ15とを準備し、前記照度測定
器13で測定された照度に基いて照射光の強度及び分布
を算出し、光量調整用アパーチャ15の位置指令を出力
する演X制御部1Gとを装備している。
光量測定用アパーチャ14は、フライズアイレンズ3を
構成する単レンズ4,5.6の有効射出瞳径と同形の光
透過部を1個有しており、図示しないモーター等の駆動
機構によりフライズアイレンズ3の結像平面上を矢印1
7.18の方向及びそれらと直交する方向に対して駆動
可能なように設けられている。
光量調整用アパーチャ15は、前記アパーチャ14とは
逆に、前記単レンズ4.5.6の射出瞳径と同形の遮光
部を1個有するものであり、光量測定用アパーチャ14
と同様にフライズアイレンズの結像平面上を矢印19.
20及びそれらと直交する方向に対して駆動可能に設け
られている。
次に動作を説明する。まず第1図に示すように光量測定
用アパーチャ14をモーター等により矢印21の方向に
駆動し、該アパーチャ14の光透過部がフライズアイレ
ンズ3の例えば単レンズ6からの射出先のみを透過する
位置で停止させて、単レンズ6からの光のみを照度測定
器13により測定する。
照度の測定値は単レンズ6の位置座標データーと共に、
演算制御部16へ入力される。
以降、同様に光量測定用アパーチャ14をX、Y方向に
移動させ、フライズアイレンズ3を構成するすべての単
レンズ4,5.6からの照射光をそれぞれ測定し、順次
、演算制御部16に該測定結果を入力する。
すべての測定が終了すると、各単レンズからの照射光量
の総和及び照度分布が演算制御部16により算出され、
照度分布をla1M化するうえで最も照度分布に悪影響
を及ぼす単レンズの位置座標が決定される。遮光すべき
単レンズの位置座標が決定されると、光量測定用アパー
チャ14を退去させ、次に、第2図に示すように図示し
ない駆動機構で光量調整用アパーチャ15を移動させ、
該アパーチャ15の光遮光部を指定の座標位置にアライ
メントさせる。それによって指定された単レンズからの
光が遮光されて、前記レチクル8上のパターンがウェー
ハ11上の露光エリア内に均一な照度分布で投影される
(実施例2) 第3図は第2の実施例を示す縦断面図、第4図は第2の
実施例における光量調整部を説明する図である0本実施
例は、光量調整部として偏光板24を用いており、該偏
光板24はフライズアイレンズ3を構成する単レンズ4
.5.6と同形の複数個の偏光素子23で構成した例を
示している。それぞれの偏光素子23.23・・・には
個々の電源25.25・・・が接続されている。電源2
5.25・・・は演算制御部36で制御されて各偏光素
子23ごとに電圧を印加する。
それによって、各偏光素子ごとに偏光面を回転させて、
光の遮光及び透過が制御される。
偏光素子23.23・・・は、第4図に示すように、さ
らに複数個の微細な偏光微素子30.30・・・により
構成されており、該偏光微素子30.30・・・は電圧
制御器33.33・・・を介してそれぞれの電源25.
25・・・に接続されている。′s源25により供給さ
れる電圧は演算制御部36の出力に基づいて電圧制御器
33に分配される。電圧制御器33は各偏光微素子30
ごとに印加する電圧を制御して光の遮光、透過を制御す
る。
本実施例においても、光量測定用アパーチャを用いて各
車レンズの透過光の照度分布を測定し、各単レンズの位
置データと共にその測定結果を演算制御部36に入力す
る要領は前実施例と同じである。
演算制御部36は、照度分布に悪影響を及ぼす単レンズ
の位置座標及び該単レンズ内の照度分布及び、その座標
値を電源25.25・・・に出力する。電源25は演算
制御部36に制御されて各電圧制御器33に信号を入力
する。電圧制御器33は対応する偏光微素子30に電圧
を印加して各偏光素子23ごとに透光部及び遮光部を形
成させる。
先きの第1の実施例では、最も悪い照度分布を与える単
レンズの位置座標を決定し、該単レンズからの光を完全
に遮光するのに対して、本実施例ではフライズアイレン
ズを構成する個々の単レンズに対してそれぞれ最悪の照
度分布を与える位置のみを遮光するため、より微細な照
度制御が可能になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、マスク又はレチク
ル上のパターンをウェーハ上の露光エリア内に均一な照
度で投影できるため、照度バラツキに起因する解像性能
の低下等の露光不良を低減し、製品歩留を向上させると
いう効果を有する。
さらに、今後のLSIの高度集積化に対応したサブミク
ロンレベルのパターン形成にも充分対応が可能となり、
露光工程の工程能力を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の第1の実施例を示す縦断面図
、第3図は本発明の第2の実施例を示す縦断面図、第4
図は第2の実施例における光量調整部を説明する図、第
5図は従来技術の装置の縦断面図である。 1・・・水銀ランプ    2・・・楕円ミラー3・・
・フライズアイレンズ 4・・・単レンズ     5・・・単レンズ6・・・
単レンズ 7・・・コンデンサーレンズ 8・・・レチクル     9・・・レチクルステージ
10・・・投影レンズ    11・・・ウェーハ12
・・・試料ステージ   13・・・照度測定器14・
・・光量測定用アパーチャ 15・・・光量調整用アパーチャ 16、36・・・演算制御部 17、18.19.20.21.22・・・移動方向2
3・・・偏光素子     24・・・偏光板25・・
・電源       30・・・偏光微素子33・・・
電圧制御器 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源と、該光源から出先した光を反射、集光する
    楕円ミラーと、同形の単レンズを組合せて構成され、集
    光後の光を透過するフライズアイレンズと、フライズア
    イレンズから出射した光を集積回路パターンを有するレ
    チクルへ向けて集光するコンデンサーレンズと、レチク
    ルを載置するレチクルステージと、レチクル上のパター
    ンを被処理基板上に結像させる投影レンズと、被処理基
    板を載置する試料ステージと、被処理基板上へ結像投影
    された光の露光エリア内における強度分布を測定する照
    度測定器とから構成される露光装置において、フライズ
    アイレンズを構成する単レンズの有効射出瞳径と同形の
    光透過部を1個有する駆動可能な光量測定用アパーチャ
    と、該単レンズの有効射出瞳径と同形でかつ各単レンズ
    からの射出光量を制御する駆動可能な光量調整部とをフ
    ライズアイレンズの結像平面上に交換可能に載置し、さ
    らに、前記光量測定用アパーチャの光透過部を透過させ
    た各単レンズからの射出光量を前記照度測定器により測
    定した結果に基づいてフライズアイレンズの各単レンズ
    からの照射光強度及び分布を制御する演算制御部を装備
    したことを特徴とする露光装置。
JP63174066A 1988-07-13 1988-07-13 露光装置 Pending JPH0225016A (ja)

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