JPH08179514A - 露光装置および露光方法 - Google Patents
露光装置および露光方法Info
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- JPH08179514A JPH08179514A JP6320042A JP32004294A JPH08179514A JP H08179514 A JPH08179514 A JP H08179514A JP 6320042 A JP6320042 A JP 6320042A JP 32004294 A JP32004294 A JP 32004294A JP H08179514 A JPH08179514 A JP H08179514A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光むらの少ない露光装置を提供する。
【構成】 パルス発振方式の光源１から発振されたパル
ス光の強度分布は、ウエハ１１と同一面上に設置された
強度分布測定センサ１２により測定される。強度分布測
定センサ１２の測定結果から、露光量制御系１０４でパ
ルス光の強度分布を求め、この強度分布からウエハの受
光パルス数と露光むらの関係を計算し、ステージ駆動制
御系１０１、光量制御系１０２、およびレーザ制御系１
０３に対して、目標の露光量を得るための、ステージ走
査速度、パルス光の光量、およびパルスの発振周波数の
条件設定および制御を行う。
ス光の強度分布は、ウエハ１１と同一面上に設置された
強度分布測定センサ１２により測定される。強度分布測
定センサ１２の測定結果から、露光量制御系１０４でパ
ルス光の強度分布を求め、この強度分布からウエハの受
光パルス数と露光むらの関係を計算し、ステージ駆動制
御系１０１、光量制御系１０２、およびレーザ制御系１
０３に対して、目標の露光量を得るための、ステージ走
査速度、パルス光の光量、およびパルスの発振周波数の
条件設定および制御を行う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体デバイス、液晶パネル、ＣＣＤ、磁気ヘッド等の各種
デバイス製造用の露光装置に関するものである。
体デバイス、液晶パネル、ＣＣＤ、磁気ヘッド等の各種
デバイス製造用の露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップが高集積化されていくにつ
れて、チップサイズは大きくなり、チップ内部のパター
ンは微細化を極めている。このようなパターンを露光す
る露光装置において、被露光物を移動させることにより
露光範囲を稼ぎながら微細パターンを露光するという方
式が提案されている（以下スキャン方式と記す）。
れて、チップサイズは大きくなり、チップ内部のパター
ンは微細化を極めている。このようなパターンを露光す
る露光装置において、被露光物を移動させることにより
露光範囲を稼ぎながら微細パターンを露光するという方
式が提案されている（以下スキャン方式と記す）。
【０００３】現在のスキャン方式は、高圧水銀ランプ等
の連続照射型の光源をおもに用いているが、パターンの
解像度は照明光の波長に比例するため、より短波長な遠
紫外領域の光を発する光源が求められている。水銀ラン
プの遠紫外領域の光の使用も考えられているが、露光装
置に使用できるほどの十分な出力が得られない。そこ
で、遠紫外領域の短い波長の光に対して十分な出力が得
られるエキシマレーザが有用になってきている。
の連続照射型の光源をおもに用いているが、パターンの
解像度は照明光の波長に比例するため、より短波長な遠
紫外領域の光を発する光源が求められている。水銀ラン
プの遠紫外領域の光の使用も考えられているが、露光装
置に使用できるほどの十分な出力が得られない。そこ
で、遠紫外領域の短い波長の光に対して十分な出力が得
られるエキシマレーザが有用になってきている。
【０００４】パルス発振方式であるエキシマレーザを光
源とした露光装置でスキャン露光を行う場合には、目標
積算露光量を達成するために、目標積算露光量に対応す
る回数だけパルス光が被露光物を照射するよう走査速度
を決めることになる。
源とした露光装置でスキャン露光を行う場合には、目標
積算露光量を達成するために、目標積算露光量に対応す
る回数だけパルス光が被露光物を照射するよう走査速度
を決めることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】走査方向に矩形の
強度分布を持つ光でパルス露光をする場合、走査方向の
１パルスの光の露光幅が１パルスごとの変位量の整数倍
のときには、すべての露光域に対して同数のパルス光が
照射されるため、露光むらは生じない。しかし、その他
の走査速度によって露光を行う場合には、パルス光の境
界域の重なりにより、１パルス分の光量の露光むらを生
じてしまう。この１パルス分の露光むらは、露光に用い
るパルス数が多い場合にはさほど問題にならない。しか
しながら、スループット向上のため露光に用いるパルス
数を少なくしていくと、この１パルス分の露光むらが、
積算露光量に対して大きく影響を及ぼしてくる。
強度分布を持つ光でパルス露光をする場合、走査方向の
１パルスの光の露光幅が１パルスごとの変位量の整数倍
のときには、すべての露光域に対して同数のパルス光が
照射されるため、露光むらは生じない。しかし、その他
の走査速度によって露光を行う場合には、パルス光の境
界域の重なりにより、１パルス分の光量の露光むらを生
じてしまう。この１パルス分の露光むらは、露光に用い
るパルス数が多い場合にはさほど問題にならない。しか
しながら、スループット向上のため露光に用いるパルス
数を少なくしていくと、この１パルス分の露光むらが、
積算露光量に対して大きく影響を及ぼしてくる。
【０００６】この１パルス分の露光むらを軽減するため
に、境界領域の強度分布を緩やかに変化させた走査方向
に対して対称な台形状の強度分布で照明を行うことが考
えられる。しかしながら、やはり走査速度と走査方向の
パルス光の強度分布の関係により露光むらを生じること
がある。
に、境界領域の強度分布を緩やかに変化させた走査方向
に対して対称な台形状の強度分布で照明を行うことが考
えられる。しかしながら、やはり走査速度と走査方向の
パルス光の強度分布の関係により露光むらを生じること
がある。
【０００７】本発明は、エキシマレーザ等のパルス発振
方式の光源を用いて、スキャン露光する露光装置におい
て、露光むらの少ない露光装置及び露光方法を提供し、
デバイスを正確に製造できるようにすることを目的とす
る。
方式の光源を用いて、スキャン露光する露光装置におい
て、露光むらの少ない露光装置及び露光方法を提供し、
デバイスを正確に製造できるようにすることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本願第１発明は、パルス光により転写パター
ンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを前
記パルス光に対して相対的に走査することによって、前
記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら重
ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露光
装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布を求
めるための強度分布測定手段と、前記パルス光の走査方
向の強度分布により、前記基板の積算露光量、または受
光パルス数と、前記基板上の露光むらとの関係を予め求
めておき、目標とする積算露光量に対して最も露光むら
が少なくなるような前記受光パルス数を求める演算手段
と、前記受光パルス数を制御することにより前記積算露
光量を制御する露光量制御手段とを有することを特徴と
する。これにより、パルス発振方式の光源を用いて、ス
キャン露光する露光装置において、露光むらを少なくす
ることができる。
するため、本願第１発明は、パルス光により転写パター
ンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを前
記パルス光に対して相対的に走査することによって、前
記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら重
ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露光
装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布を求
めるための強度分布測定手段と、前記パルス光の走査方
向の強度分布により、前記基板の積算露光量、または受
光パルス数と、前記基板上の露光むらとの関係を予め求
めておき、目標とする積算露光量に対して最も露光むら
が少なくなるような前記受光パルス数を求める演算手段
と、前記受光パルス数を制御することにより前記積算露
光量を制御する露光量制御手段とを有することを特徴と
する。これにより、パルス発振方式の光源を用いて、ス
キャン露光する露光装置において、露光むらを少なくす
ることができる。
【０００９】本願第２発明は、パルス光により転写パタ
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布が
等脚台形、若しくは等脚台形に近い形状であり、前記強
度分布の平坦な領域の幅Ｌ1 が、強度分布の変化する領
域の一方の幅をＬ2 とする時、露光中、 Ｌ1 ＝（２Ｎ−１）×Ｌ2 （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする。これにより、
パルス光の相対的な変位量によらず露光むらを少なくす
ることができる。
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布が
等脚台形、若しくは等脚台形に近い形状であり、前記強
度分布の平坦な領域の幅Ｌ1 が、強度分布の変化する領
域の一方の幅をＬ2 とする時、露光中、 Ｌ1 ＝（２Ｎ−１）×Ｌ2 （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする。これにより、
パルス光の相対的な変位量によらず露光むらを少なくす
ることができる。
【００１０】本願第３発明は、パルス光により転写パタ
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布が
等脚台形、若しくは等脚台形に近い形状であり、前記強
度分布の平坦な領域の幅Ｌ1 と、強度分布の変化する領
域の一方の幅Ｌ2 の和（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）が、前記パルス光
の発振周期をＴ、前記パルス光に対する前記マスクと前
記基板の相対的な走査速度をＶとする時、露光中、 Ｌ1 ＋Ｌ2 ＝Ｎ×Ｖ×Ｔ （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする。これにより、
露光むらをなくすことができる。
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光装置において、前記パルス光の走査方向の強度分布が
等脚台形、若しくは等脚台形に近い形状であり、前記強
度分布の平坦な領域の幅Ｌ1 と、強度分布の変化する領
域の一方の幅Ｌ2 の和（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）が、前記パルス光
の発振周期をＴ、前記パルス光に対する前記マスクと前
記基板の相対的な走査速度をＶとする時、露光中、 Ｌ1 ＋Ｌ2 ＝Ｎ×Ｖ×Ｔ （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする。これにより、
露光むらをなくすことができる。
【００１１】本願第４発明は、パルス光により転写パタ
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光方法において、前記パルス光の走査方向の強度分布に
より、前記基板の積算露光量、または受光パルス数と、
前記基板上の露光むらとの関係を予め求めておき、目標
とする積算露光量に対して最も露光むらが少なくなるよ
うな、前記受光パルス数を求め、前記受光パルス数を制
御することにより前記積算露光量を制御して前記基板の
露光を行うことを特徴とする。この方法により、露光む
らを少なくすることができる。
ーンが形成されたマスクを照明し、該マスクと基板とを
前記パルス光に対して相対的に走査することによって、
前記パルス光による照明領域を相対的に変位させながら
重ね合わせ、前記転写パターンを前記基板に転写する露
光方法において、前記パルス光の走査方向の強度分布に
より、前記基板の積算露光量、または受光パルス数と、
前記基板上の露光むらとの関係を予め求めておき、目標
とする積算露光量に対して最も露光むらが少なくなるよ
うな、前記受光パルス数を求め、前記受光パルス数を制
御することにより前記積算露光量を制御して前記基板の
露光を行うことを特徴とする。この方法により、露光む
らを少なくすることができる。
【００１２】本願第５発明は、本願第１乃至第３発明の
露光装置及び本願第４発明の露光方法を用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイスの製造方法。この
方法により、半導体デバイス、液晶デバイス、撮像デバ
イス、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製造できる。
露光装置及び本願第４発明の露光方法を用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイスの製造方法。この
方法により、半導体デバイス、液晶デバイス、撮像デバ
イス、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製造できる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す概略図であ
り、走査型投影露光装置を示す。
り、走査型投影露光装置を示す。
【００１４】図１において、エキシマレーザ等のパルス
光源１からのパルス光はビーム整形光学系２により所望
の形状に整形され、可変ＮＤフィルター３により光量調
整され、ハエノ目レンズ等のオプティカルインテグレー
タ４の光入射面に指向される。ハエノ目レンズは複数の
微小なレンズの集まりからなるものであり、その光射出
面近傍に複数の２次光源が形成される。なお、可変ＮＤ
フィルター３は、光源１とビーム整形光学系２の間に設
けてもよい。
光源１からのパルス光はビーム整形光学系２により所望
の形状に整形され、可変ＮＤフィルター３により光量調
整され、ハエノ目レンズ等のオプティカルインテグレー
タ４の光入射面に指向される。ハエノ目レンズは複数の
微小なレンズの集まりからなるものであり、その光射出
面近傍に複数の２次光源が形成される。なお、可変ＮＤ
フィルター３は、光源１とビーム整形光学系２の間に設
けてもよい。
【００１５】５はコンデンサーレンズであり、コンデン
サーレンズ５はオプティカルインテグレータ４の２次光
源からの光束でマスキングブレード６をケーラー照明し
ている。マスキングブレード６とレチクル９は結像レン
ズ７とミラー８により共役な関係になる位置に配置され
ており、マスキングブレード６の開口の形状と寸法によ
りレチクル９における照明領域の形状と寸法が規定され
る。マスキングブレード６を構成する遮光板は、光軸方
向および光軸と垂直方向に移動可能であり、レチクル９
における照明領域の形と寸法を変えることができる。
サーレンズ５はオプティカルインテグレータ４の２次光
源からの光束でマスキングブレード６をケーラー照明し
ている。マスキングブレード６とレチクル９は結像レン
ズ７とミラー８により共役な関係になる位置に配置され
ており、マスキングブレード６の開口の形状と寸法によ
りレチクル９における照明領域の形状と寸法が規定され
る。マスキングブレード６を構成する遮光板は、光軸方
向および光軸と垂直方向に移動可能であり、レチクル９
における照明領域の形と寸法を変えることができる。
【００１６】１０は投影光学系であり、レチクル９に描
かれた回路パターンを感光材を塗布したウエハ１１に縮
小投影している。１０１はレチクル９とウエハ１１を不
図示の駆動装置により投影光学系１０の倍率と同じ比率
で正確に一定速度で移動させるための移動制御系であ
る。１０２は光量制御系であり目標積算露光量にしたが
って、可変ＮＤフィルタ３の透過率を調整する。１０３
はレーザ制御系であり光源１の射出光量と発振周波数を
制御している。
かれた回路パターンを感光材を塗布したウエハ１１に縮
小投影している。１０１はレチクル９とウエハ１１を不
図示の駆動装置により投影光学系１０の倍率と同じ比率
で正確に一定速度で移動させるための移動制御系であ
る。１０２は光量制御系であり目標積算露光量にしたが
って、可変ＮＤフィルタ３の透過率を調整する。１０３
はレーザ制御系であり光源１の射出光量と発振周波数を
制御している。
【００１７】ウエハ１１上での１パルス当たりの露光域
の強度分布は、ウエハ１１を載置する可動ステージ上に
設置された強度分布測定センサ１２により測定される。
強度分布測定センサ１２はウエハ１１の走査方向に並ん
だラインセンサ、または、ウエハ１１の走査方向に走査
可能なフォトセンサ等で構成され、その受光面が投影光
学系１０の像面とほぼ一致するよう配される。１０４は
露光量制御系であり、強度分布測定センサ１２の測定結
果から、１パルス当たりの露光域の強度分布を求め、こ
の強度分布から受光パルス数と露光むらの関係を計算
し、ステージ駆動制御系１０１、光量制御系１０２、お
よびレーザ制御系１０３に対して、目標の露光量を得る
ための、ステージ走査速度、パルス光の光量、およびパ
ルスの発振周波数の条件設定および制御を行う。ここ
で、受光パルス数とは、パルス光の走査方向の幅Ｌを、
１パルス毎のパルス光の相対的な変位量ΔＸで割ったも
のであり、走査方向の幅Ｌのパルス光を１パルスと計上
した時に、幅Ｌの領域に照射されたパルス数の平均値を
表している。したがって、この受光パルス数は整数にな
るとは限らない。
の強度分布は、ウエハ１１を載置する可動ステージ上に
設置された強度分布測定センサ１２により測定される。
強度分布測定センサ１２はウエハ１１の走査方向に並ん
だラインセンサ、または、ウエハ１１の走査方向に走査
可能なフォトセンサ等で構成され、その受光面が投影光
学系１０の像面とほぼ一致するよう配される。１０４は
露光量制御系であり、強度分布測定センサ１２の測定結
果から、１パルス当たりの露光域の強度分布を求め、こ
の強度分布から受光パルス数と露光むらの関係を計算
し、ステージ駆動制御系１０１、光量制御系１０２、お
よびレーザ制御系１０３に対して、目標の露光量を得る
ための、ステージ走査速度、パルス光の光量、およびパ
ルスの発振周波数の条件設定および制御を行う。ここ
で、受光パルス数とは、パルス光の走査方向の幅Ｌを、
１パルス毎のパルス光の相対的な変位量ΔＸで割ったも
のであり、走査方向の幅Ｌのパルス光を１パルスと計上
した時に、幅Ｌの領域に照射されたパルス数の平均値を
表している。したがって、この受光パルス数は整数にな
るとは限らない。
【００１８】なお、露光域の強度分布の測定は、テスト
ウエハに実際に露光を行い、その結果を測定してもよ
い。この場合には、露光域の強度分布は、手動で露光量
制御系１０４に入力される。
ウエハに実際に露光を行い、その結果を測定してもよ
い。この場合には、露光域の強度分布は、手動で露光量
制御系１０４に入力される。
【００１９】マスキングブレード６を通過してきた光は
被露光面上でマスキングブレード６の開口の形状、本実
施例の場合は長方形、を映し出す。この長方形の短辺方
向にレチクル９とウエハ１１が移動しながら、光源１の
パルス発振にしたがって順次ウエハ１１を露光していく
様子を図２に示す。ここで、２０１は１パルスの露光域
である。また、この時のウエハ１１の速度は、投影光学
系１０の倍率をｍとすると、レチクル９の移動速度のｍ
倍になっている。なお、マスキングブレード６の開口の
形状は長方形に限らず他の形状でもよい。
被露光面上でマスキングブレード６の開口の形状、本実
施例の場合は長方形、を映し出す。この長方形の短辺方
向にレチクル９とウエハ１１が移動しながら、光源１の
パルス発振にしたがって順次ウエハ１１を露光していく
様子を図２に示す。ここで、２０１は１パルスの露光域
である。また、この時のウエハ１１の速度は、投影光学
系１０の倍率をｍとすると、レチクル９の移動速度のｍ
倍になっている。なお、マスキングブレード６の開口の
形状は長方形に限らず他の形状でもよい。
【００２０】ウエハ１１が、連続的にＸ方向に移動して
いる時に、パルス光が、ウエハ１１に断続的に照射され
ると、図２に示すように露光域が１パルス毎に変位量Δ
Ｘだけ変位し、露光が積算されていく。パルスの周期を
Ｔとし、ウエハ１１の移動スピードをＶとすると、 ΔＸ＝Ｖ×Ｔ で表される。
いる時に、パルス光が、ウエハ１１に断続的に照射され
ると、図２に示すように露光域が１パルス毎に変位量Δ
Ｘだけ変位し、露光が積算されていく。パルスの周期を
Ｔとし、ウエハ１１の移動スピードをＶとすると、 ΔＸ＝Ｖ×Ｔ で表される。
【００２１】走査方向のパルス光の強度分布と、変位量
ΔＸの関係を示したのが図３である。図の横軸は、ウエ
ハ１１のＸ座標を示しており、縦軸は光強度を示してい
る。ウエハ１１は１パルスごとにΔＸずつ変位すること
になる。したがって、ウエハ１１上のΔＸの区間ではｅ
1 からｅ8 の露光量が積算される。このΔＸの区間にお
ける積算露光量を示したのが図４である。図の横軸は、
ウエハ１１のＸ座標を示しており、縦軸は積算露光量を
示している。図３に示したようなパルス光の強度分布と
変位量の関係では、ΔＸの区間において、目標積算露光
量Ｅo に対しＥmax とＥmin の露光むらが生じる。
ΔＸの関係を示したのが図３である。図の横軸は、ウエ
ハ１１のＸ座標を示しており、縦軸は光強度を示してい
る。ウエハ１１は１パルスごとにΔＸずつ変位すること
になる。したがって、ウエハ１１上のΔＸの区間ではｅ
1 からｅ8 の露光量が積算される。このΔＸの区間にお
ける積算露光量を示したのが図４である。図の横軸は、
ウエハ１１のＸ座標を示しており、縦軸は積算露光量を
示している。図３に示したようなパルス光の強度分布と
変位量の関係では、ΔＸの区間において、目標積算露光
量Ｅo に対しＥmax とＥmin の露光むらが生じる。
【００２２】次に、図３に示したような走査方向に対し
て対称な台形の強度分布を持つパルス光の積算露光量と
露光むらの関係を、図５を用いて説明する。
て対称な台形の強度分布を持つパルス光の積算露光量と
露光むらの関係を、図５を用いて説明する。
【００２３】目標積算露光量Ｅo は１パルスの露光幅Ｌ
での平均光強度Ｉavg とすると、露光エリアの変位量Δ
Ｘを用いて次式のように計算出来る。次式の中のＬ／Δ
ＸはΔＸの区間に対する受光パルス数を示す。
での平均光強度Ｉavg とすると、露光エリアの変位量Δ
Ｘを用いて次式のように計算出来る。次式の中のＬ／Δ
ＸはΔＸの区間に対する受光パルス数を示す。
【００２４】Ｅo ＝Ｉavg ×Ｌ／ΔＸ この場合に、露光むらＹは、露光エリアの変位量ΔＸ、
光強度が一定の部分の幅Ｌ2 と光強度が緩やかに変化す
る部分の幅Ｌ1 により次式のように求めることができ
る。
光強度が一定の部分の幅Ｌ2 と光強度が緩やかに変化す
る部分の幅Ｌ1 により次式のように求めることができ
る。
【００２５】Ｙ＝ ｛Ｙ1 ＝σ×ΔＸ／（２×Ｌ1 ×（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）） または、 Ｙ2 ＝ε×ΔＸ／（２×Ｌ1 ×（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）） の小さい方｝ ここで、σ，εは、 σ： Ｌ1 ／ΔＸの余り または、 （ΔＸ−余り）の絶対量の小さい方 ε：（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／ΔＸの余り または、 （ΔＸ−余り）の絶対量の小さい方 である。上式から、目標積算露光量Ｅo が変化した場合
に、露光域の変位量ΔＸの大きさにかかわらずに、露光
むらを少なくする走査方向に対して対称な台形の強度分
布は、光強度が一定の部分の幅Ｌ2 と光強度が緩やかに
変化する部分の幅Ｌ1 の奇数倍になる時であることが分
かる。
に、露光域の変位量ΔＸの大きさにかかわらずに、露光
むらを少なくする走査方向に対して対称な台形の強度分
布は、光強度が一定の部分の幅Ｌ2 と光強度が緩やかに
変化する部分の幅Ｌ1 の奇数倍になる時であることが分
かる。
【００２６】前述の条件を満たすＬ＝５ｍｍ，Ｌ1 ＝１
ｍｍ，Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の、受光パルス数Ｌ／Δ
Ｘに対する露光むらＹを図６に示す。この場合の露光む
らは、Ｌ／ΔＸが１．２５の整数倍の時に０になってい
る。
ｍｍ，Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の、受光パルス数Ｌ／Δ
Ｘに対する露光むらＹを図６に示す。この場合の露光む
らは、Ｌ／ΔＸが１．２５の整数倍の時に０になってい
る。
【００２７】このようにして、走査方向のパルス光の強
度分布が対称な台形の場合、受光パルス数Ｌ／ΔＸが変
化しても、半導体基板に対する目標積算露光量を満た
し、露光むらを小さくする条件が分かる。
度分布が対称な台形の場合、受光パルス数Ｌ／ΔＸが変
化しても、半導体基板に対する目標積算露光量を満た
し、露光むらを小さくする条件が分かる。
【００２８】また、走査方向のパルス光の強度分布が対
称な台形の場合には、露光むらＹ＝０となる露光エリア
の変位量ΔＸは、光強度が一定の部分の長さＬ2 と光強
度が緩やかに変化する部分Ｌ1 により次式のように求め
ることができる。
称な台形の場合には、露光むらＹ＝０となる露光エリア
の変位量ΔＸは、光強度が一定の部分の長さＬ2 と光強
度が緩やかに変化する部分Ｌ1 により次式のように求め
ることができる。
【００２９】ΔＸ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｎ1 および ΔＸ＝Ｌ1 ／Ｎ2 ここで、Ｎ1 およびＮ2 は自然数である。
【００３０】すなわち、走査方向に対して対称な台形の
強度分布を持つパルス光において、露光むらがなくなる
条件は、光強度が緩やかに変化する部分の幅Ｌ1 と光強
度が一定の部分の幅Ｌ2 の和が、１パルスごとのウエハ
１１の変位量ΔＸの自然数倍の時、または光強度が緩や
かに変化する部分Ｌ1 が、１パルスごとのウエハ１１の
変位量ΔＸの自然数倍の時であることが分かる。
強度分布を持つパルス光において、露光むらがなくなる
条件は、光強度が緩やかに変化する部分の幅Ｌ1 と光強
度が一定の部分の幅Ｌ2 の和が、１パルスごとのウエハ
１１の変位量ΔＸの自然数倍の時、または光強度が緩や
かに変化する部分Ｌ1 が、１パルスごとのウエハ１１の
変位量ΔＸの自然数倍の時であることが分かる。
【００３１】前述のように、積算露光量と、露光むら
は、走査方向のパルス光の強度分布が分かれば、受光パ
ルス数Ｌ／ΔＸにより決定する。この関係を用いて、目
標積算露光量と露光むらを調整する方法を次に示す。
は、走査方向のパルス光の強度分布が分かれば、受光パ
ルス数Ｌ／ΔＸにより決定する。この関係を用いて、目
標積算露光量と露光むらを調整する方法を次に示す。
【００３２】図５に示したＬ＝５ｍｍ，Ｌ1 ＝１ｍｍ、
Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の受光パルス数Ｌ／ΔＸに対す
る露光むらＹは、前述したとおり図６のようになり、こ
の場合の露光むらは、Ｌ／ΔＸが１．２５の整数倍の時
に０になる。
Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の受光パルス数Ｌ／ΔＸに対す
る露光むらＹは、前述したとおり図６のようになり、こ
の場合の露光むらは、Ｌ／ΔＸが１．２５の整数倍の時
に０になる。
【００３３】ここで、図５の光強度Ｉo ＝１．５ｍｊ，
Ｉavg ＝１．２ｍｊとして、目標積算露光量Ｅo を１
４．４ｍｊとした場合のＬ／ΔＸは、目標積算露光量Ｅ
o の式より、 Ｌ／ΔＸ＝Ｅo ／Ｉavg ＝１４．４／１．２＝１２ となる。この時の露光むらは、図６から０．００８５と
なる。ここで許容露光むらを０に設定した場合には、Ｌ
／ΔＸを１２に近い１．２５の整数倍である１１．２５
として、 Ｉavg ＝Ｅo ／（Ｌ／ΔＸ）＝１４．４／１１．２５＝１．２８ｍｊ となるように、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
すれば良い。また、Ｌ／ΔＸを１２．５として、 Ｉavg ＝Ｅo ／（Ｌ／ΔＸ）＝１４．４／１２．５＝１．１５２ｍｊ となるように、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
しても良い。
Ｉavg ＝１．２ｍｊとして、目標積算露光量Ｅo を１
４．４ｍｊとした場合のＬ／ΔＸは、目標積算露光量Ｅ
o の式より、 Ｌ／ΔＸ＝Ｅo ／Ｉavg ＝１４．４／１．２＝１２ となる。この時の露光むらは、図６から０．００８５と
なる。ここで許容露光むらを０に設定した場合には、Ｌ
／ΔＸを１２に近い１．２５の整数倍である１１．２５
として、 Ｉavg ＝Ｅo ／（Ｌ／ΔＸ）＝１４．４／１１．２５＝１．２８ｍｊ となるように、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
すれば良い。また、Ｌ／ΔＸを１２．５として、 Ｉavg ＝Ｅo ／（Ｌ／ΔＸ）＝１４．４／１２．５＝１．１５２ｍｊ となるように、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
しても良い。
【００３４】次に、走査方向のパルス光の強度分布を変
えることにより、露光むらを少なくする方法について示
す。
えることにより、露光むらを少なくする方法について示
す。
【００３５】図５において、Ｌ＝５ｍｍ，Ｌ1 ＝１ｍ
ｍ，Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の受光パルス数Ｌ／ΔＸに
対する露光むらは、前述のように図６の様になる。ここ
で、Ｌ＝５ｍｍ，Ｌ／ΔＸ＝１２という条件を変えず
に、露光むらを０にするためには、 ΔＸ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｎ1 または ΔＸ＝Ｌ1 ／Ｎ2 を満たすＬ1 を求めれば良い。ここで、ΔＸ＝５／１２
であり、Ｎ2 ＝３とすれば、Ｌ1 は１．２５ｍｍとな
る。Ｌ1 の長さは、マスキングブレード６を光軸方向に
動かし、同時に開口の形状を変えて、Ｌを変えずに所望
のＬ1 が得られるように調節すれば良い。この場合に
は、Ｉavg ＝１．２ｍｊとするために、Ｉo ＝１．６ｍ
ｊとなるよう、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
を行う。
ｍ，Ｌ2 ＝３ｍｍである場合の受光パルス数Ｌ／ΔＸに
対する露光むらは、前述のように図６の様になる。ここ
で、Ｌ＝５ｍｍ，Ｌ／ΔＸ＝１２という条件を変えず
に、露光むらを０にするためには、 ΔＸ＝（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）／Ｎ1 または ΔＸ＝Ｌ1 ／Ｎ2 を満たすＬ1 を求めれば良い。ここで、ΔＸ＝５／１２
であり、Ｎ2 ＝３とすれば、Ｌ1 は１．２５ｍｍとな
る。Ｌ1 の長さは、マスキングブレード６を光軸方向に
動かし、同時に開口の形状を変えて、Ｌを変えずに所望
のＬ1 が得られるように調節すれば良い。この場合に
は、Ｉavg ＝１．２ｍｊとするために、Ｉo ＝１．６ｍ
ｊとなるよう、光源１または可変ＮＤフィルタ３で調節
を行う。
【００３６】このように、積算露光量と、露光むらは、
パルス光の走査方向の強度分布が分かれば、受光パルス
数Ｌ／ΔＸに対応して一義的に決定し、関数として表す
ことができる。このため、パルス光の走査方向の強度分
布と、受光パルス数Ｌ／ΔＸを調節すれば、半導体基板
に対する目標露光量を満たし、露光むらを許容値以下に
することができる。また、パルス光の走査方向の強度分
布は前述の台形の強度分布の斜辺部分に当たるぼけ領域
の形状が、直線からわずかに離れた曲線である台形に近
い形状でもよい。
パルス光の走査方向の強度分布が分かれば、受光パルス
数Ｌ／ΔＸに対応して一義的に決定し、関数として表す
ことができる。このため、パルス光の走査方向の強度分
布と、受光パルス数Ｌ／ΔＸを調節すれば、半導体基板
に対する目標露光量を満たし、露光むらを許容値以下に
することができる。また、パルス光の走査方向の強度分
布は前述の台形の強度分布の斜辺部分に当たるぼけ領域
の形状が、直線からわずかに離れた曲線である台形に近
い形状でもよい。
【００３７】なお、走査方向のパルス光の強度分布は図
７または図８の様なものであっても、積算露光量と、露
光むらは、パルス光の走査方向の強度分布が分かれば、
受光パルス数に対応して一義的に決定し、関数として表
すことができる。図７の場合の受光パルス数と露光むら
の関係を図９に、図８の場合の受光パルス数と露光むら
の関係を図１０に示す。このため、走査方向のパルス光
の強度分布がどのようなものでも、前記した台形の強度
分布の場合の手段と同様にして、パルス光の強度分布を
測定し、受光パルス数と露光むらの関係を求めることに
より、走査方向のパルス光の強度分布と、１パルスごと
のウエハの変位量の条件を調節し、半導体基板に対する
目標露光量を満たし、かつ露光むらを許容値以下にする
ことができる。
７または図８の様なものであっても、積算露光量と、露
光むらは、パルス光の走査方向の強度分布が分かれば、
受光パルス数に対応して一義的に決定し、関数として表
すことができる。図７の場合の受光パルス数と露光むら
の関係を図９に、図８の場合の受光パルス数と露光むら
の関係を図１０に示す。このため、走査方向のパルス光
の強度分布がどのようなものでも、前記した台形の強度
分布の場合の手段と同様にして、パルス光の強度分布を
測定し、受光パルス数と露光むらの関係を求めることに
より、走査方向のパルス光の強度分布と、１パルスごと
のウエハの変位量の条件を調節し、半導体基板に対する
目標露光量を満たし、かつ露光むらを許容値以下にする
ことができる。
【００３８】次に図１の投影露光装置を利用した半導体
装置の製造方法の実施例を説明する。図１１は半導体装
置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣ
Ｄ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体装置の回路設計を行う。ステップ２（マスク制
作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチ
クル３０４）を制作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（ウエハ３０
６）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工
程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、
リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形
成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作成されたウエハを用いてチッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行う。こうした工程を経て半導体装置が完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
装置の製造方法の実施例を説明する。図１１は半導体装
置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣ
Ｄ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では
半導体装置の回路設計を行う。ステップ２（マスク制
作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチ
クル３０４）を制作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（ウエハ３０
６）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工
程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、
リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形
成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作成されたウエハを用いてチッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行う。こうした工程を経て半導体装置が完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３９】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ３
０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上にイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジスト（感材）を塗
布する。ステップ１６（露光）では上記投影露光装置に
よってマスク（レチクル３０４）の回路パターンの像で
ウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらステップを繰り返し行うこ
とによりウエハ上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ３
０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上にイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジスト（感材）を塗
布する。ステップ１６（露光）では上記投影露光装置に
よってマスク（レチクル３０４）の回路パターンの像で
ウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらステップを繰り返し行うこ
とによりウエハ上に回路パターンが形成される。
【００４０】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
【００４１】
【発明の効果】以上、本発明によれば、露光むらを少な
くすることができ、デバイスを正確に製造できる。
くすることができ、デバイスを正確に製造できる。
【図１】本発明の実施例を示す装置概略図である。
【図２】照明域とウエハを示す図である。
【図３】走査方向に対して対称な台形の強度分布を持つ
パルス光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を示
す図である。
パルス光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を示
す図である。
【図４】ΔＸの区間に対する積算露光量を示す図であ
る。
る。
【図５】走査方向に対して対称な台形の強度分布を持つ
パルス光を示す図である。
パルス光を示す図である。
【図６】パルス光が図５に示した強度分布を持つ時の、
露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
【図７】走査方向に対して対称な三角形の強度分布を持
つパルス光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を
示す図である。
つパルス光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を
示す図である。
【図８】走査方向に対して対称な強度分布を持つパルス
光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を示す図で
ある。
光の１パルスあたりの変位量に対する露光量を示す図で
ある。
【図９】パルス光が図７に示した強度分布を持つ時の、
露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
【図１０】パルス光が図８に示した強度分布を持つ時
の、露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
の、露光むらと受光パルス数の関係を示す図である。
【図１１】半導体装置の製造工程を示すフローチャート
図である。
図である。
【図１２】図１１の工程中のウエハプロセスの詳細を示
すフローチャート図である。
すフローチャート図である。
１ パルス光源 ２ ビーム整形光学系 ３ 可変ＮＤフィルター ４ オプティカルインテグレーター ５ コンデンサーレンズ ６ マスキングブレード ７ 結像レンズ ８ ミラー ９ レチクル １０ 投影レンズ １１ ウエハ １０１ ステージ駆動制御系 １０２ 光量制御系 １０３ レーザ制御系 １０４ 露光量制御系
Claims (9)
- 【請求項１】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布を求めるための
強度分布測定手段と、前記パルス光の走査方向の強度分
布により、前記基板の積算露光量、または受光パルス数
と、前記基板上の露光むらとの関係を予め求め、且つ目
標とする積算露光量に対して最も露光むらが少なくなる
ような前記受光パルス数を求める演算手段と、前記受光
パルス数を制御することにより前記積算露光量を制御す
る露光量制御手段とを有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 が、強度分布の変化する領域の一方の幅
をＬ2 とする時、露光中、 Ｌ1 ＝（２Ｎ−１）×Ｌ2 （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 と、緩やかに強度分布の変化する一方の
領域の幅Ｌ2 との和（Ｌ1 ＋Ｌ2）が、前記パルス光の
発振周期をＴ、前記パルス光に対する前記マスクと前記
基板の相対的な走査速度をＶとする時、露光中、 Ｌ1 ＋Ｌ2 ＝Ｎ×Ｖ×Ｔ （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項４】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 が、強度分布の変化する領域の一方の幅
をＬ2 とする時、露光中、 Ｌ1 ＝（２Ｎ−１）×Ｌ2 （Ｎ：自然数） を満たすよう設定することを特徴とする請求項１記載の
露光装置。 - 【請求項５】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 と、強度分布の変化する領域の一方の幅
Ｌ2 との比が、 Ｌ1 ：Ｌ2 ＝１：３ であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項６】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 と、強度分布の変化する領域の一方の幅
Ｌ2 との比が、 Ｌ1 ：Ｌ2 ＝１：３ であることを特徴とする請求項２記載の露光装置。 - 【請求項７】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光装置におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布が等脚台形、若
しくは等脚台形に近い形状であり、前記強度分布の平坦
な領域の幅Ｌ1 と、強度分布の変化する領域の一方の幅
Ｌ2 との比が、 Ｌ1 ：Ｌ2 ＝１：３ であることを特徴とする請求項３記載の露光装置。 - 【請求項８】 パルス光により転写パターンが形成され
たマスクを照明し、該マスクと基板とを前記パルス光に
対して相対的に走査することによって、前記パルス光に
よる照明領域を相対的に変位させながら重ね合わせ、前
記転写パターンを前記基板に転写する露光方法におい
て、前記パルス光の走査方向の強度分布により、前記基
板の積算露光量、または受光パルス数と、前記基板上の
露光むらとの関係を予め求めておき、目標とする積算露
光量に対して最も露光むらが少なくなるような、前記受
光パルス数を求め、前記受光パルス数を制御することに
より前記積算露光量を制御して前記基板の露光を行うこ
とを特徴とする露光方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至７記載の露光装置及び請求
項８記載の露光方法を用いてデバイスを製造することを
特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320042A JPH08179514A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 露光装置および露光方法 |
| US08/576,694 US5846678A (en) | 1994-12-22 | 1995-12-21 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320042A JPH08179514A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 露光装置および露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179514A true JPH08179514A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18117095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6320042A Pending JPH08179514A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5846678A (ja) |
| JP (1) | JPH08179514A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270345A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 走査露光方法及び走査型露光装置 |
| US6393171B2 (en) | 1997-05-19 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Optical module for optical transmission and manufacturing process therefor |
| US6891172B2 (en) | 2002-09-03 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential pumping system and exposure apparatus |
| US6897456B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential pumping system and exposure apparatus |
| JP2006135325A (ja) * | 2004-11-03 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US7876420B2 (en) | 2004-12-07 | 2011-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
| US8115938B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Method of providing alignment marks, device manufacturing method and lithographic apparatus |
| JP2018533755A (ja) * | 2015-10-27 | 2018-11-15 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光学システムのためのコントローラ |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129550A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-05-16 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
| US6947120B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US6858853B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7142285B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| USRE41667E1 (en) * | 1998-05-05 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
| US7126137B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
| US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
| USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7006595B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| DE19935404A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
| US20050002090A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a folding geometry |
| US7109497B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| EP1014197B1 (en) * | 1998-12-16 | 2006-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| KR100583692B1 (ko) * | 2000-09-01 | 2006-05-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 작동 방법, 리소그래피 장치, 디바이스제조방법, 및 이것에 의해 제조된 디바이스 |
| TW200422749A (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, phase modulation element, device and display apparatus |
| WO2005029551A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US20060164711A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
| JP2010021211A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Canon Inc | 走査露光装置及びデバイス製造方法 |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
| JP6840540B2 (ja) | 2014-11-14 | 2021-03-10 | 株式会社ニコン | 造形装置 |
| KR102280355B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2021-07-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조형 장치 및 조형 방법 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2210945C3 (de) * | 1972-03-07 | 1978-09-21 | Gerhard 8200 Rosenheim Krause | Belichtungsmefigerät |
| US4519692A (en) * | 1983-04-08 | 1985-05-28 | Warner-Lambert Technologies, Inc. | Exposure and camera control |
| US4822975A (en) * | 1984-01-30 | 1989-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for scanning exposure |
| US5171965A (en) * | 1984-02-01 | 1992-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JPS6197830A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0614508B2 (ja) * | 1985-03-06 | 1994-02-23 | キヤノン株式会社 | ステップアンドリピート露光方法 |
| EP0266203B1 (en) * | 1986-10-30 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | An illumination device |
| US4884101A (en) * | 1987-02-03 | 1989-11-28 | Nikon Corporation | Apparatus capable of adjusting the light amount |
| JPS63193130A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | Canon Inc | 光量制御装置 |
| US4804978A (en) * | 1988-02-19 | 1989-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources |
| JP2569711B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
| US5191374A (en) * | 1988-11-17 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus |
| JPH02177415A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH02177313A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Canon Inc | 露光制御装置 |
| US5475491A (en) * | 1989-02-10 | 1995-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2731953B2 (ja) * | 1989-08-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | エネルギー量制御装置 |
| US5250797A (en) * | 1990-10-05 | 1993-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP2862477B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6320042A patent/JPH08179514A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-21 US US08/576,694 patent/US5846678A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270345A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 走査露光方法及び走査型露光装置 |
| KR19980080158A (ko) * | 1997-03-24 | 1998-11-25 | 요시다 쇼 이치로 | 주사 노광 방법 및 주사형 노광 장치 |
| US6393171B2 (en) | 1997-05-19 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Optical module for optical transmission and manufacturing process therefor |
| US6891172B2 (en) | 2002-09-03 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential pumping system and exposure apparatus |
| US6897456B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential pumping system and exposure apparatus |
| JP2006135325A (ja) * | 2004-11-03 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US7876420B2 (en) | 2004-12-07 | 2011-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
| US8879045B2 (en) | 2004-12-07 | 2014-11-04 | Asml Holding N.V. | Method utilizing an electrooptic modulator |
| US8115938B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Method of providing alignment marks, device manufacturing method and lithographic apparatus |
| JP2018533755A (ja) * | 2015-10-27 | 2018-11-15 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光学システムのためのコントローラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5846678A (en) | 1998-12-08 |
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