JPH07142304A - 投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法Info
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- JPH07142304A JPH07142304A JP5159056A JP15905693A JPH07142304A JP H07142304 A JPH07142304 A JP H07142304A JP 5159056 A JP5159056 A JP 5159056A JP 15905693 A JP15905693 A JP 15905693A JP H07142304 A JPH07142304 A JP H07142304A
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- illumination
- exposure
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査型露光装置の光源としてエキシマレーザ
等の出力が不安定な光を使用したときに、露光基盤上に
均一な露光量を得る。 【構成】 第１物体面上のパターンを第２物体面上に投
影する投影光学系と、第１物体と第２物体とを前記投影
光学系に対し同期させて１次元移動させる移動手段とを
有し、第１物体面上のパターンを走査露光方式で第２物
体面に露光する投影露光装置において、前記走査露光の
方向に向かって順に第１の照明領域と第２の照明領域を
設け、第１の照明領域の光強度に比べ第２の照明領域の
光強度を小さくするように第２の照明領域を照射する光
束の光路内に光を減衰させる光学素子を有する照明手段
と、第１の照明領域内で第１物体に照射される光量を検
出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて第２
の照明領域内で第１物体に照射する光量を制御する制御
手段とを有する。
等の出力が不安定な光を使用したときに、露光基盤上に
均一な露光量を得る。 【構成】 第１物体面上のパターンを第２物体面上に投
影する投影光学系と、第１物体と第２物体とを前記投影
光学系に対し同期させて１次元移動させる移動手段とを
有し、第１物体面上のパターンを走査露光方式で第２物
体面に露光する投影露光装置において、前記走査露光の
方向に向かって順に第１の照明領域と第２の照明領域を
設け、第１の照明領域の光強度に比べ第２の照明領域の
光強度を小さくするように第２の照明領域を照射する光
束の光路内に光を減衰させる光学素子を有する照明手段
と、第１の照明領域内で第１物体に照射される光量を検
出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて第２
の照明領域内で第１物体に照射する光量を制御する制御
手段とを有する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は投影露光装置に関するもので、特
にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスや液晶パネル等の表
示デバイスを製造するために使用される投影露光装置に
関する。
にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスや液晶パネル等の表
示デバイスを製造するために使用される投影露光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術は高集積化、微細化の一途を
たどりますますその領域を広げつつある。
たどりますますその領域を広げつつある。
【０００３】このような半導体露光装置において、マス
クまたはレチクルの回路パターンをウエハー上に転写、
焼き付ける場合には、ウエハー上に焼き付けられる回路
パターンの解像線幅は露光光の波長に比例するため、近
年では遠紫外領域の短い波長の光源が用いられている。
クまたはレチクルの回路パターンをウエハー上に転写、
焼き付ける場合には、ウエハー上に焼き付けられる回路
パターンの解像線幅は露光光の波長に比例するため、近
年では遠紫外領域の短い波長の光源が用いられている。
【０００４】この種の遠紫外光源としては重水素ランプ
や水銀ランプが知られている。これらの光源からの光は
直流または交流点灯した場合でも原則的には連続光であ
り、単位時間あたりの出力も一定に制御することは容易
である。
や水銀ランプが知られている。これらの光源からの光は
直流または交流点灯した場合でも原則的には連続光であ
り、単位時間あたりの出力も一定に制御することは容易
である。
【０００５】より高出力の光源としてエキシマレーザが
ある。しかしながらエキシマレーザからの光はパルス光
で、パルスごとの出力が不安定であるため、特に一定出
力・連続光を前提とした露光量制御を行う走査型露光装
置の光源としては、重水素ランプ、水銀ランプに比べ
エキシマレーザを用いることは困難であった。
ある。しかしながらエキシマレーザからの光はパルス光
で、パルスごとの出力が不安定であるため、特に一定出
力・連続光を前提とした露光量制御を行う走査型露光装
置の光源としては、重水素ランプ、水銀ランプに比べ
エキシマレーザを用いることは困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
走査型露光装置の光源としてエキシマレーザ等の出力が
不安定な光を使用したときに、露光基盤上全体に均一な
露光量を得ることにある。
走査型露光装置の光源としてエキシマレーザ等の出力が
不安定な光を使用したときに、露光基盤上全体に均一な
露光量を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、第１物体面上のパターンを第２物体面上に投影する
投影光学系と、第１物体と第２物体とを前記投影光学系
に対し同期させて１次元移動させる移動手段とを有し、
第１物体面上のパターンを走査露光方式で第２物体面に
露光する投影露光装置において、前記走査露光の方向に
向かって順に第１の照明領域と第２の照明領域を設け、
第１の照明領域の光強度に比べ第２の照明領域の光強度
を小さくするように第２の照明領域を照射する光束の光
路内に光を減衰させる光学素子を有する照明手段と、第
１の照明領域内で第１物体に照射される光量を検出する
検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて第２の照明
領域内で第１物体に照射する光量を制御する制御手段と
を有することを特徴としている。
は、第１物体面上のパターンを第２物体面上に投影する
投影光学系と、第１物体と第２物体とを前記投影光学系
に対し同期させて１次元移動させる移動手段とを有し、
第１物体面上のパターンを走査露光方式で第２物体面に
露光する投影露光装置において、前記走査露光の方向に
向かって順に第１の照明領域と第２の照明領域を設け、
第１の照明領域の光強度に比べ第２の照明領域の光強度
を小さくするように第２の照明領域を照射する光束の光
路内に光を減衰させる光学素子を有する照明手段と、第
１の照明領域内で第１物体に照射される光量を検出する
検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて第２の照明
領域内で第１物体に照射する光量を制御する制御手段と
を有することを特徴としている。
【０００８】特に、第１の照明領域が前記投影光学系の
光軸と交差することを特徴としている。
光軸と交差することを特徴としている。
【０００９】また、前記制御手段が、第２の照明領域を
前記走査方向に拡大・縮小させる照明領域規定手段を有
することを特徴としている。
前記走査方向に拡大・縮小させる照明領域規定手段を有
することを特徴としている。
【００１０】また、前記照明手段の照明光がパルス光で
あることを特徴としている。
あることを特徴としている。
【００１１】また、前記照明領域限定手段が前記パルス
光に同期して拡大・縮小させることを特徴としている。
光に同期して拡大・縮小させることを特徴としている。
【００１２】
【実施例】 図１は、本発明の第１の実施例を示してい
る。
る。
【００１３】１は、パルス発振している発光源で、３
は、オプティカルインテグレータ、２のレンズによっ
て、１の発光源と３のオプティカルインテグレータの入
射面３ａは、像と瞳の関係になっている。５は、レーザ
照射範囲を制限するためのマスキングブレードで、単軸
方向に移動可能とする。レンズ６は、マスキングブレー
ドの像をＮＤフィルター７に投影している。レンズ８は
ＮＤフィルター７の像を被露光面上９に投影している。
１０は投影レンズで、レチクル２１上のパターンを露光
面１１すなわちウエハ２２上に縮小投影している。１２
は折り曲げミラー、ハーフミラー１３は光束の一部を反
射し、被露光面９と共役な位置に配置された光強度検出
器３１に導光している。
は、オプティカルインテグレータ、２のレンズによっ
て、１の発光源と３のオプティカルインテグレータの入
射面３ａは、像と瞳の関係になっている。５は、レーザ
照射範囲を制限するためのマスキングブレードで、単軸
方向に移動可能とする。レンズ６は、マスキングブレー
ドの像をＮＤフィルター７に投影している。レンズ８は
ＮＤフィルター７の像を被露光面上９に投影している。
１０は投影レンズで、レチクル２１上のパターンを露光
面１１すなわちウエハ２２上に縮小投影している。１２
は折り曲げミラー、ハーフミラー１３は光束の一部を反
射し、被露光面９と共役な位置に配置された光強度検出
器３１に導光している。
【００１４】レチクル２１は、被照射面９上に配置さ
れ、光軸に垂直な方向に、ＸＹ移動ができる機構を有し
ている。２２は、上面が、被露光面１１に一致するよう
に配置されたウエハーで、光軸に垂直な方向にＸＹ移動
可能である。
れ、光軸に垂直な方向に、ＸＹ移動ができる機構を有し
ている。２２は、上面が、被露光面１１に一致するよう
に配置されたウエハーで、光軸に垂直な方向にＸＹ移動
可能である。
【００１５】マスキングブレード５を射出した光束は、
レンズ６によって結像された結像点のＮＤフィルター７
を介して、レンズ８によりＮＤフィルターと共役な被露
光面２１に像を結ぶ。被露光面上でマスキングブレード
の形状を映し出し、長方形をなしている。この長方形の
短辺方向に、レチクル２１が移動しながら、光源１のパ
ルス発振にしたがって、順次露光していく様子を図２に
示す。このとき、ＮＤフィルターは、図２のように、ス
キャンの進行方向と逆側にブレードのエッジと平行に配
置する。ＮＤフィルタの部分だけ、たとえば40 % （p
= 0.4 ）程度だけ透過し、そのほかの部分は、光強度を
減衰することなく光束を透過するようにすると、被露光
面上のスキャン方向の照度分布は図３のようになる。被
露光物を照度の高い方から走査しながら、パルスを打
ち、積算露光をしていく。このとき、パルスごとの照度
のばらつきが約10% 程度含まれているので、パルスごと
の照度を光強度検出器３１で測定しておく。３１は、場
所を変えることにより、ＮＤフィルターを透過してきた
光束（以下補助光束とする）と、ＮＤフィルターを通ら
ない光束（以下主光束とする）それぞれの光強度を測定
することが出来る。また主光束と補助光束とが照明する
領域の比と、ＮＤフィルターの透過率が既知であるなら
ば主光束と補助光束のそれぞれの光強度を光強度検出器
３１の場所を変えずに一つの測定結果より算出できる。
レンズ６によって結像された結像点のＮＤフィルター７
を介して、レンズ８によりＮＤフィルターと共役な被露
光面２１に像を結ぶ。被露光面上でマスキングブレード
の形状を映し出し、長方形をなしている。この長方形の
短辺方向に、レチクル２１が移動しながら、光源１のパ
ルス発振にしたがって、順次露光していく様子を図２に
示す。このとき、ＮＤフィルターは、図２のように、ス
キャンの進行方向と逆側にブレードのエッジと平行に配
置する。ＮＤフィルタの部分だけ、たとえば40 % （p
= 0.4 ）程度だけ透過し、そのほかの部分は、光強度を
減衰することなく光束を透過するようにすると、被露光
面上のスキャン方向の照度分布は図３のようになる。被
露光物を照度の高い方から走査しながら、パルスを打
ち、積算露光をしていく。このとき、パルスごとの照度
のばらつきが約10% 程度含まれているので、パルスごと
の照度を光強度検出器３１で測定しておく。３１は、場
所を変えることにより、ＮＤフィルターを透過してきた
光束（以下補助光束とする）と、ＮＤフィルターを通ら
ない光束（以下主光束とする）それぞれの光強度を測定
することが出来る。また主光束と補助光束とが照明する
領域の比と、ＮＤフィルターの透過率が既知であるなら
ば主光束と補助光束のそれぞれの光強度を光強度検出器
３１の場所を変えずに一つの測定結果より算出できる。
【００１６】図２に戻って、ウエハ２２は、レチクルの
移動方向と逆に移動し、ウエハの移動速度はレチクルの
移動速度のＭ10倍（投影レンズ１０の倍率をＭ10とし
た。）になっている。被露光面では、パルスの周期Ｔ、
スキャンのスピードをＶとすると、 △X = V × T で表され、△X ずつズレながら、露光が積算されてい
く。
移動方向と逆に移動し、ウエハの移動速度はレチクルの
移動速度のＭ10倍（投影レンズ１０の倍率をＭ10とし
た。）になっている。被露光面では、パルスの周期Ｔ、
スキャンのスピードをＶとすると、 △X = V × T で表され、△X ずつズレながら、露光が積算されてい
く。
【００１７】パルスの周期Ｔとすると、マスキングブレ
ードによって制限された主光束の露光距離Ｌ、補助光束
の露光距離Ｌ’と△X の間に、 L ＝ n × △X （n は整数） ＝ n × V × T L' ＝ m × V × T （m は整数） という関係がなり立っている。
ードによって制限された主光束の露光距離Ｌ、補助光束
の露光距離Ｌ’と△X の間に、 L ＝ n × △X （n は整数） ＝ n × V × T L' ＝ m × V × T （m は整数） という関係がなり立っている。
【００１８】あるh パルス目での１パルスあたりの主光
束の露光量をI(h)とすると、レチクルのパターン面が、
主光束により露光されだしてから、終了するまでの積算
露光量Siは、
束の露光量をI(h)とすると、レチクルのパターン面が、
主光束により露光されだしてから、終了するまでの積算
露光量Siは、
【００１９】
【外１】 で表されるが、積算露光量のばらつきも、最大10% 乗っ
てしまっている（図４）。
てしまっている（図４）。
【００２０】ここで、補正用の補助光束の領域にレチク
ルが走査されていく。ここでもパルスごとに強度のばら
つきがあるが、光強度が主光束のp 倍(0<p<1) とする
と、ばらつきは主光束の露光量の約(p/10)倍となる。補
助光束の照射範囲をレチクルが移動し終わるのに、ｍパ
ルス分かかるとすると、補助光束での露光量は、最大で
ルが走査されていく。ここでもパルスごとに強度のばら
つきがあるが、光強度が主光束のp 倍(0<p<1) とする
と、ばらつきは主光束の露光量の約(p/10)倍となる。補
助光束の照射範囲をレチクルが移動し終わるのに、ｍパ
ルス分かかるとすると、補助光束での露光量は、最大で
【００２１】
【外２】 となるが、最小値は0 であり、マスキングブレードを１
パルスごとに動かして、光束を遮る範囲を変えることに
より、主光束の積算露光で出たばらつきを補正してい
る。
パルスごとに動かして、光束を遮る範囲を変えることに
より、主光束の積算露光で出たばらつきを補正してい
る。
【００２２】主光束の積算露光で出る露光量のばらつき
は、 △Ｓ = ±（0.1 × n ×Ｉave ） （Ｉave ：主光束の平均パルス光量）なので、補助光束
での調整で使うパルス数は、 ｍ ≧ 2 × ｜△Ｓ｜ / (p ×Ｉave ） = 0.2 × n / p である。
は、 △Ｓ = ±（0.1 × n ×Ｉave ） （Ｉave ：主光束の平均パルス光量）なので、補助光束
での調整で使うパルス数は、 ｍ ≧ 2 × ｜△Ｓ｜ / (p ×Ｉave ） = 0.2 × n / p である。
【００２３】たとえば、n = 100 のとき、補正する露光
量は、±１０Ｉave 程度になる。
量は、±１０Ｉave 程度になる。
【００２４】ここでは、ｍ = 50 として、マスキングブ
レードの標準位置を補助光束の中心にとっている。主光
束での積算露光量が、平均値Ｓave = n ×Ｉave の時
に、露光補正するブレードは標準位置にある。
レードの標準位置を補助光束の中心にとっている。主光
束での積算露光量が、平均値Ｓave = n ×Ｉave の時
に、露光補正するブレードは標準位置にある。
【００２５】一方、主光束での露光が、常に平均値より
10% 多かったとき、 Ｓi[max] = 1.1× n ×Ｉave =Ｓave + 25 × p となり、25パルス分、補助光束を少なく当てて補正す
る。これは補助光束をすべてブレードで遮光することを
意味する。主光束での積算露光量が少ない場合も、同様
にして、補助光束のパルスを多く当てて補正する。
10% 多かったとき、 Ｓi[max] = 1.1× n ×Ｉave =Ｓave + 25 × p となり、25パルス分、補助光束を少なく当てて補正す
る。これは補助光束をすべてブレードで遮光することを
意味する。主光束での積算露光量が少ない場合も、同様
にして、補助光束のパルスを多く当てて補正する。
【００２６】マスキングブレードは、1 パルス分のレチ
クルの移動距離△X に相当する間隔で開け閉め出きるよ
うに、レンズ8 の倍率をM8とすると、△X / M8 ピッチ
でブレードを移動する。
クルの移動距離△X に相当する間隔で開け閉め出きるよ
うに、レンズ8 の倍率をM8とすると、△X / M8 ピッチ
でブレードを移動する。
【００２７】レチクル上で、隣接している箇所では、主
光束の露光量は、
光束の露光量は、
【００２８】
【外３】 と表せるので、主光束での隣接箇所の積算露光量の差は ｜ Ｓi+1 - Ｓi ｜ = ｜ I(i+n+1) - I(i)｜ ≦ 2 × Ｉave ／ 10 となる。
【００２９】これに対して、補助光束での１パルスの平
均露光量は、 p ×Ｉave なので、 p ≧ 0.2 ならば、隣接箇所の露光量の補正は、多くとも補助光束
の１パルス分である。これを、ブレードの開閉によって
制御すると、１パルスごとに（△X / M8）幅だけ開閉す
ることに相当する（図４）。従って、ブレード１枚の開
閉によって、主光束の積算露光量の補正を行うことが出
来る。
均露光量は、 p ×Ｉave なので、 p ≧ 0.2 ならば、隣接箇所の露光量の補正は、多くとも補助光束
の１パルス分である。これを、ブレードの開閉によって
制御すると、１パルスごとに（△X / M8）幅だけ開閉す
ることに相当する（図４）。従って、ブレード１枚の開
閉によって、主光束の積算露光量の補正を行うことが出
来る。
【００３０】補助光束の照射位置は、収差のとれている
光軸近傍でも良いが、補助光束の露光量は、主光束の露
光の10% 以下なので、少し収差の大きい軸外に配置して
も、積算露光されたパターンの解像度には影響が少な
い。したがって、露光のスループットを考えると、主光
束を光軸付近に配置し、補助光束はその外側に配置する
ことが有効である。
光軸近傍でも良いが、補助光束の露光量は、主光束の露
光の10% 以下なので、少し収差の大きい軸外に配置して
も、積算露光されたパターンの解像度には影響が少な
い。したがって、露光のスループットを考えると、主光
束を光軸付近に配置し、補助光束はその外側に配置する
ことが有効である。
【００３１】なお，投影レンズ９はステッパーのように
屈折系でも，あるいは反射系または反射屈折光学系でも
良い。
屈折系でも，あるいは反射系または反射屈折光学系でも
良い。
【００３２】以上の実施例ではパルス光の照明光を対象
としたが出力が時間的に不安定な連続光にも適応可能で
ある。
としたが出力が時間的に不安定な連続光にも適応可能で
ある。
【００３３】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図５は
半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤなど）の製造のフローを示
す。ステツプ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ３（ウエハ−製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ４（ウエハープロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイー技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステツプ４によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）などの工程を含む。ステツプ６（検査）
ではステツプ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステツプ
７）される。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図５は
半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤなど）の製造のフローを示
す。ステツプ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ３（ウエハ−製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ４（ウエハープロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイー技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステツプ４によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）などの工程を含む。ステツプ６（検査）
ではステツプ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステツプ
７）される。
【００３４】図６は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステツプ１１（酸化）ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ１３（電極形成）ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ１４
（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ１６（露光）では上記説明した投影
露光装置によってマスクの回路パターンをウエハーに焼
付け露光する。ステツプ１７（現像）では露光したウエ
ハーを現像する。ステツプ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステツプ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステツプを繰り返し行う
ことによってウエハー上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
ーを示す。ステツプ１１（酸化）ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ１３（電極形成）ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ１４
（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ１６（露光）では上記説明した投影
露光装置によってマスクの回路パターンをウエハーに焼
付け露光する。ステツプ１７（現像）では露光したウエ
ハーを現像する。ステツプ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステツプ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステツプを繰り返し行う
ことによってウエハー上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
【００３５】本実施例の製造方法を用いれば、従来製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、露光装置の照明光
源として出力の不安定な光源を用いても、露光基盤上全
体に均一な露光量を得ることができる投影露光装置及び
それを用いた素子の製造方法を達成することができる。
源として出力の不安定な光源を用いても、露光基盤上全
体に均一な露光量を得ることができる投影露光装置及び
それを用いた素子の製造方法を達成することができる。
【図１】本発明の実施例の光学系を示す図
【図２】照明光を制限する装置と，それを主光束、補助
光束に分割するＮＤフィルターと、被露光面での露光を
示す概略図
光束に分割するＮＤフィルターと、被露光面での露光を
示す概略図
【図３】被露光面上のスキャン方向の照度分布を示した
図
図
【図４】積算光量とブレード位置の図
【図５】デバイス製造フローの図
【図６】ウエハプロセスの図
１ 光源 ２ レンズ ３ オプティカルインテグレータ ４ レンズ ５ マスキングブレード ６ レンズ ７ ＮＤフィルター ８ レンズ ９ 被露光面 １０ 投影レンズ １１ 露光面 １２ 折曲げミラー １３ ハーフミラー ２１ レチクル ２２ ウエハー ３１ 光強度検出器
Claims (6)
- 【請求項１】 第１物体面上のパターンを第２物体面上
に投影する投影光学系と、第１物体と第２物体とを前記
投影光学系に対し同期させて１次元移動させる移動手段
とを有し、第１物体面上のパターンを走査露光方式で第
２物体面に露光する投影露光装置において、 前記走査露光の方向に向かって順に第１の照明領域と第
２の照明領域を設け、第１の照明領域の光強度に比べ第
２の照明領域の光強度を小さくするように第２の照明領
域を照射する光束の光路内に光を減衰させる光学素子を
有する照明手段と；第１の照明領域内で第１物体に照射
される光量を検出する検出手段と；前記検出手段の出力
に基づいて第２の照明領域内で第１物体に照射する光量
を制御する制御手段；とを有することを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項２】 第１の照明領域が前記投影光学系の光軸
と交差することを特徴とする請求項１の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記制御手段が、第２の照明領域を前記
走査方向に拡大・縮小させる照明領域規定手段を有する
ことを特徴とする請求項１、２の投影露光装置。 - 【請求項４】 前記照明手段の照明光がパルス光である
ことを特徴とする請求項１、２、３の投影露光装置。 - 【請求項５】 前記照明領域限定手段が前記パルス光に
同期して拡大・縮小させることを特徴とする請求項４の
投影露光装置。 - 【請求項６】 請求項１及び請求項５に至る投影露光装
置を用いることを特徴とする素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159056A JPH07142304A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159056A JPH07142304A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142304A true JPH07142304A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15685263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5159056A Withdrawn JPH07142304A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000294480A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| KR100551206B1 (ko) * | 1998-04-14 | 2006-02-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5159056A patent/JPH07142304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100551206B1 (ko) * | 1998-04-14 | 2006-02-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치 |
| JP2000294480A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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