JPH11204404A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】常に所望するレジストパターン寸法を得られる
うえに、ショット内の寸法制御精度を上げる。 【解決手段】所望するレジストパターン寸法に応じて設
定された標準露光量を、マスク開口率を変化させてプロ
ットしてなる最適露光量−マスク開口率の対応関係に使
用マスクの開口率を照合した結果に基づいて補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造工程にお
ける露光方法及び露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化、高集積化
に伴い、微細加工技術及び寸法制御の必要がますます増
大している。

【０００３】半導体装置開発から量産にかけての、一般
的なリソグラフィ工程における開発方法について、以
下、図面を参照しながら説明する。

【０００４】図９は、半導体装置開発のリソグラフィ工
程における開発から量産までの一般的な流れを示した図
である。まず、開発初期においては、種々のパターンの
入ったテストマスクを用いて、レジストが塗布されたテ
スト基板に対して露光・現像処理を行い（Ｓ９１）、半
導体装置開発目標レジストパターン寸法付近の露光量マ
ージン、焦点深度を調べて、標準露光量及び標準フォー
カスを求める（Ｓ９２）。そして、実際の量産段階にお
いては、量産マスクを作成したうえで、この量産マスク
を用いてテストマスクから得られた標準露光量、標準フ
ォーカスデータに基づいて、レジストが塗布された製品
基板を露光・現像処理して、所望のパターン寸法を有す
るレジストパターンを形成する（Ｓ９３）。

【０００５】このような従来の露光処理に用いられる従
来の露光装置の光学系は、図１０に示すように、光源１
と、照明絞り２と、コンデンサレンズ３と、マスク４
と、投影レンズ５とを備えて構成されている。なお、符
号６は基板である。

【０００６】以上のように構成された露光装置につい
て、以下、その動作について説明する。まず、光源１を
発せられた露光光は照明絞り２を通り、コンデンサレン
ズ３によって集光され、マスク４を照射する。マスク４
を透過した露光光は投影レンズ５を通過し基板６に結像
し、所望のレジストパターンを形成する。このときの露
光量、フォーカスは予め与えられた標準露光量及び標準
フォーカスであり、ショット内では常に一定となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の露光方法および露光装置では、マイコンの
ように配線パターンを変更して少量多品種生産を行う場
合などにおいては、同一のデザインルールの生産品種ど
うしであっても、パターン粗密程度に違いがあると、マ
スク開口率が変動し、これによって、生産品種毎にレジ
ストパターン寸法に変動が生じることがあった。そのた
め、レジストパターン寸法の変動がひどい場合には標準
露光量を再設定しなければならず、このことが、生産効
率を低下させる要因となっていた。

【０００８】また、マスク内のパターン寸法が同じであ
ってもマスク内のパターンの粗密バランスが異なる場合
がある。例えば、メモリ用基板ではメモリセル領域と周
辺回路領域とではパターンの粗密程度が異なる。このよ
うな場合では、同一ショット内であっても、パターン粗
密程度が異なる領域では、各領域毎に開口率が変化し、
これによって作成されるレジストパターン寸法が均一と
ならずに、パターン寸法にばらつきが生じた。

【０００９】さらには、量産段階において、パターン寸
法が目標寸法に達しない場合には、量産マスクにＯＰＣ
（オプティカル・プロキシミティ・コレクション：光近
接効果補正）等の補正をかけて、パターン寸法を矯正す
ることがあるが、この場合、量産マスクの開口率はテス
トマスクの開口率から多少とも変動してしまう。そのた
め、このような開口率の変動が影響して所望のレジスト
パターン寸法が得られないことがあった。

【００１０】本発明は上記問題に鑑み、リソグラフィ工
程において、常に所望するレジストパターン寸法を得ら
れること、及びショット内の寸法制御制度を上げること
を目的とした露光方法及び露光装置を提供するものであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の露光方法および露光装置は、所望するレジス
トパターン寸法に応じて設定された標準露光量を、マス
ク開口率を変化させてプロットしてなる最適露光量−マ
スク開口率の対応関係に使用マスクの開口率を照合した
結果に基づいて補正することに特徴を有している。

【００１２】

【実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は、露光
方法において、所望するレジストパターン寸法に応じて
設定された標準露光量を、使用マスクのパターン粗密程
度から補正することに特徴を有しており、これにより、
マスク内のパターン粗密程度（マスク開口率）に依存す
ることなく、所望のレジストパターン寸法を寸法制御性
良く得ることが出来る。

【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、所望す
るレジストパターン寸法に応じて設定された標準露光量
を、マスク開口率を変化させてプロットしてなる最適露
光量−マスク開口率の対応関係に使用マスクの開口率を
照合した結果に基づいて補正することに特徴を有してお
り、これにより、請求項１と同様、マスク開口率に依存
することなく、所望のレジストパターン寸法を寸法制御
性良く得ることが出来る。

【００１４】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２に係る露光方法において、前記対応関係は関数式であ
ることに特徴を有しており、これにより、前記対応関係
（関数式）を記憶する容量を小さくすることができるう
え、対応関係と開口率との照合作業も簡単にしかも精度
高く行えるようになる。

【００１５】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
２に係る露光方法において、前記対応関係を、レジスト
材料、下地基板の膜質、および下地基板の膜厚の種々の
組み合わせ毎に設定することに特徴を有しており、これ
により、対応関係の精度がさらに向上する。

【００１６】本発明の請求項５に記載の発明は、マスク
開口率を変化させてプロットしてなる最適露光量−マス
ク開口率の対応関係を記憶する記憶手段と、使用マスク
の開口率を測定する測定手段と、前記測定手段で測定し
た使用マスクの開口率を前記対応関係に照合した結果に
基づいて、所望するレジストパターン寸法に要する標準
露光量に対する補正量を設定する補正量設定手段と、前
記標準露光量を前記補正量設定手段で設定した補正量に
基づいて最適露光量に補正する補正手段とを備えること
に特徴を有しており、これにより、請求項１と同様、マ
スク開口率に依存することなく、所望のレジストパター
ン寸法を寸法制御性良く得ることが出来る。

【００１７】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
５に係る露光装置において、前記記憶手段は、前記対応
関係を関数式にして記憶するものであることに特徴を有
しており、これにより、請求項３と同様、前記対応関係
（関数式）の記憶容量を小さくできるうえ、対応関係と
開口率との照合作業も簡単に精度高く行えるようにな
る。

【００１８】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
５に係る露光装置において、前記記憶手段は、前記対応
関係を、レジスト材料、下地基板の膜質、および下地基
板の膜厚の種々の組み合わせ毎に記憶するものであるこ
とに特徴を有しており、これにより、請求項４と同様、
対応関係の精度がさらに向上する。

【００１９】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
５に係る露光装置において、前記補正手段は、露光光路
上に前記補正量に応じた光量補正フィルターを配置する
ことで、標準露光量を最適露光量に補正するものである
ことに特徴を有しており、これにより、露光量を簡単に
しかも精度よく補正することができる。

【００２０】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
５に係る露光装置において、前記測定手段は、複数分割
した使用マスクの各マスク領域毎に、マスク開口率を測
定するものであり、前記補正量設定手段は、前記測定手
段が測定した各マスク領域のマスク開口率を前記対応関
係に照合した結果に基づいて、マスク領域毎の補正量を
設定するものであり、前記補正手段は、前記補正量設定
手段が設定した各マスク領域の補正量に基づいて、マス
ク領域毎に標準露光量を最適露光量に補正するものであ
ることに特徴を有しており、これにより、マスクの各マ
スク領域毎に最適の露光量でもって露光することができ
る。

【００２１】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。

【００２２】実施の形態１ 図１は本発明の実施の形態１における半導体装置開発の
リソグラフィ工程における開発から量産までの流れを示
した図である。図２は露光方法における露光量補正の元
になる所定のレジストパターン寸法を得る条件の元で
の、マスク開口率と最適露光量との関係を示したグラフ
である。以下、この露光方法を説明する。

【００２３】半導体装置製造の開発段階において、目標
となるレジストパターン寸法を備えたテストパターンに
て露光し、ばらつきや露光量マージンや焦点深度マージ
ンの確認を行い、標準露光量、標準フォーカスを求め
る。そして、量産で使用する下地基板にレジスト塗布し
たうえで、このレジスト塗布基板に対して、マスク開口
率を変化させた種々のマスクを用いて、図２に示すよう
な、目標レジストパターン寸法を得る場合のマスク開口
率と露光量の関係を示したグラフ、すなわち、マスク開
口率を変化させてプロットしてなる最適露光量−マスク
開口率の対応関係を示すグラフを作成する。通常、この
対応関係は、直線グラフとなる。さらに作成したグラフ
から関数式（グラフが直線グラフであるので、関数式は
一次関数式となる）を導き出して記憶しておく。なお、
対応関係が曲線のグラフとなる場合には、導き出される
関数式は、その曲線に応じた関数式となるのはもちろん
である。

【００２４】図２に示すマスク開口率と露光量との関係
を示すグラフおよびこのグラフから導き出す関数式は、
下地基板の膜構成、および使用するレジストの種類によ
り異なるので、半導体装置製造に使用する組み合わせに
ついてすべて調べて記憶しておく。

【００２５】以上のような準備をしたうえで、図１に示
すフローチャートに沿って、半導体装置の開発が進めら
れる。まず、開発時においてテストパターンマスクを用
いてテスト露光が行われ（Ｓ１１）、分離形成工程、ゲ
ート形成工程、配線工程などの各工程の目標レジストパ
ターン寸法を得るための標準露光量、標準フォーカスが
決められる（Ｓ１２）。この時、テストパターンマスク
にて所望のレジストパターン寸法が得られなかった場合
には、量産時に所望のレジストパターン寸法が取得でき
るように、量産マスクにＯＰＣ等の補正をかける。

【００２６】次に、目標レジストパターン寸法が得られ
るマスクパターンを有する量産マスク、ないしは目標レ
ジストパターン寸法が得られるように補正をかけた量産
マスクを用いて露光する（Ｓ１３）。この時、目標レジ
ストパターン寸法が得られるように補正（ＯＰＣ補正
等）をかけた量産マスクを用いる場合には、補正後のマ
スクのマスク開口率が補正前のマスクのマスク開口率か
ら多少とも変化する。このような場合には、まず、量産
マスクのマスク開口率を測定したうえで、測定した量産
マスクのマスク開口率を、予め作成して記憶しておいた
前記関数式に参照することで最適露光量を引き出し、引
き出した最適露出量となるように、標準露光量を補正し
たうえで露光処理してレジストパターンを形成する。

【００２７】また、同一ルールの品種であっても配線領
域の露光工程のみ、マスクを変更して対応する場合があ
るが、そのような場合であっても、変更したマスクのマ
スク開口率を前記関数式に代入して得られる最適露光量
となるように標準露光量を補正すればよいので、標準露
光量の再設定を行うことなく半導体装置の生産にかかれ
ることになる。

【００２８】以上のように本実施の形態によれば、予め
作成して記憶しておいた関数式にマスクデータから導き
出されるマスク開口率を参照して最適露光量を算出した
うえで、当初設定しておいた標準露光量が最適露光量に
なるように補正することで、マスク補正に起因したレジ
ストパターン寸法の変動を防ぐことが出来る。また、同
一寸法ルールの半導体装置の品種変更に伴う再度の標準
露光量の設定作業が不必要となり、半導体装置製造にか
かるリソグラフィ工程の時間が短縮されることとなる。

【００２９】実施の形態２ 図３は本発明の実施の形態２を示す露光装置のシステム
概略図である。

【００３０】同図において、２１はマスク開口率測定手
段（請求項における測定手段に相当する）であり、２２
は露光条件ファイル（請求項における記憶手段に相当す
る）であり、２３は露光量補正データベース（請求項に
おける補正量設定手段に相当する）であり、２４は露光
手段であり、２５は補正手段である。

【００３１】マスク開口率測定手段２１は、使用マスク
のマスク開口率を測定している。露光条件ファイル２３
には、標準露光量データ、およびマスク開口率と最適露
光量との関係を示す関数式とを記憶している。露光量補
正データベース２３は、標準露光量と、使用マスクのマ
スク開口率を関数式に参照して得られる最適露光量とを
比較して、標準露光量が最適露光量になる補正量データ
を作成している。露光手段２４は標準露光光を照射して
いる。補正手段２５は、標準露光光が最適露光光となる
ように補正処理を行っている。

【００３２】以下、この露光装置による露光動作を説明
する。露光条件ファイル２３には、予め、目標レジスト
パターン寸法に応じて設定しておいた標準露光量デー
タ、および実施の形態１で説明したマスク開口率と最適
露光量との関係を示す関数式が記憶されている。なお、
関数式は、下地基板の膜構成、および使用するレジスト
の種類により異なるので、半導体装置製造に使用する組
み合わせについてすべて記憶している。

【００３３】露光量補正データベース２３は、露光条件
ファイル２２から、使用する下地基板の膜構成、および
使用するレジストの種類に応じた関数式を引き出したう
えで、引き出した関数式にマスク開口率測定手段２１で
測定した使用マスクのマスク開口率を参照して最適露光
量を算定する。さらに、露光条件ファイル２２から引き
出した標準露光量と算定した最適露光量とを比較し、標
準露光量が最適露光量となる補正量データを作成する。

【００３４】一方、露光手段２４は、露光条件ファイル
２２から引き出した標準露光量データに基づいて標準露
光光を作成して、使用マスクおよびレジスト塗布基板に
向けて照射する。

【００３５】補正手段２５は、露光手段２４が照射した
標準露光光を、露光量補正データベース２３が作成した
補正量データに基づいて最適露光光となるように補正す
る。

【００３６】以上のように、本実施の形態では、使用マ
スクの開口率を測定したうえで、予め作成した記憶して
おいた関数式にマスク開口率の測定結果を照合すること
で最適露光量を算定し、算定した最適露光量となるよう
に標準露光量に補正をかけている。これにより、製品生
産時におけるマスク開口率の変化によるレジストパター
ン寸法変動を、マスク開口率変化に伴った標準露光量デ
ータの再設定を行う事なく、今までと同じ手順で作業を
行うだけで防止することが出来る。また、半導体装置の
品種変更に伴う標準露光量の再設定作業も不必要とな
り、半導体装置製造にかかるリソグラフィ工程の時間を
短縮することができる。

【００３７】図４は露光手段２４および補正手段２５の
一例を示している。図４において、１は光源、２は照明
絞り、３はコンデンサレンズで、４はマスク、５は投影
レンズ、６は基板、１１は光量補正フィルターである。
この例では、光源１、照明絞り２、コンデンサレンズ
３、および投影レンズ５から露光手段２４が構成され、
光量補正フィルター１１から補正手段２５が構成されて
いる。光量補正フィルター１１は通過光量毎に複数のフ
ィルターを備えており、露光量補正データベース２３が
設定した補正量に基づいて、光量補正フィルター１１を
選択することで、標準露光量を補正して最適露光量が得
られるようになっている。

【００３８】実施の形態３ 図５は本発明の実施の形態３の露光装置の構成を示す図
である。この露光装置は、基本的には、実施の形態２と
同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分には、
同一の符号を付し、それらについての説明は省略する。

【００３９】本実施の形態の露光装置が、実施の形態２
の露光装置と異なるのは、次の２点である。すなわち、
第１は、マスク内を分割した各マスク領域毎にマスク開
口率を測定する機能を有するマスク開口率測定手段５１
を設けたことである。第２は、露光量補正データベース
５２が設定した各マスク領域毎の補正量に基づいて、マ
スク領域毎に標準露光量を最適露光量に補正する補正手
段５３を設けたことである。補正手段５３は、図４に示
した光量補正フィルターから構成することができるが、
フィルターは、最適露光量の違いにより、各マスク領域
毎に通過光量を違えた構成とする必要がある。このよう
なフィルターの面内領域で通過光量を可変できるものと
しては、液晶を用いた通過光量可変フィルターが一例と
して挙げられるが、通過光量を面内各所毎に個別に調整
できるものであれば、どのようなものであってもよい。

【００４０】図６はマスクの面内パターン粗密（各マス
ク領域毎のマスク開口率の変化）を計測した結果の一例
であって、図中、Ａ領域は面内パターン粗密が密の（パ
ターン開口率が高い）状態であり、Ｂ領域は面内パター
ン粗密が粗の（パターン開口率が低い）状態となってい
る。

【００４１】図７は、図６の面内パターン粗密に対応し
て作成された補正手段（光量補正フィルター）５３の明
暗分布を示しており、図中、Ａ’領域は、マスクのＡ領
域（面内粗密が密）に対応して、通過光量を多く（明る
く）しており、Ｂ’領域は、マスクのＢ領域（面内粗密
が粗）に対応して、通過光量を少なく（暗く）してい
る。

【００４２】以上のように構成された露光装置につい
て、以下、その動作について説明する。

【００４３】マスク開口率測定手段５１により、使用マ
スクの各マスク領域のマスク開口率を測定した結果、マ
スクの各マスク領域のマスク開口率が図６に示すように
なった、すなわち、Ａ領域はＢ領域と比較してマスク開
口率が高く（パターン粗密が密に）なっている。露光量
補正データベース５２では、測定手段５１で測定したマ
スク開口率を、予め露光条件フィルター２２から取り出
しておいた関数式（使用する下地基板の膜構成、および
使用するレジストの種類に応じて選択されている）に照
合することで最適露光量を算出し、さらに、露光条件フ
ァイル２２から同時に引き出した標準露光量と最適露光
量とを比較し、標準露光量が最適露光量となる補正量デ
ータを作成する。なお、露光量補正データベース５２で
は、このような補正量データの作成動作を、各マスク領
域Ａ，Ｂ毎に個別に行う。

【００４４】露光量補正データベース５２で作成した各
マスク領域Ａ，Ｂ毎の補正量は、補正手段（通過光量可
変フィルター）５３に送られる。補正手段５３では、入
力される各領域Ａ，Ｂの補正量データに基づいて、図７
に示すように、マスク内のマスク開口率の分布に対応し
て、マスク開口率が大きなマスク領域Ａに対向するフィ
ルター領域Ａ’は通過光量が多く（明るく）する一方、
マスク開口率が小さなマスク領域Ｂに対向するフィルタ
ー領域Ｂ’は通過光量を少なく（暗く）することで、補
正手段５３（通過光量可変フィルター）内で面内を通過
する光量を各マスク領域毎に調節する。

【００４５】したがって、図４に示すように、光源１を
発せられた露光光は照明絞り２を通り、コンデンサレン
ズ３によって集光され、光路上に設置されマスク開口率
にあわせて明暗を調整した補正手段（通過光量可変フィ
ルター）５３を通り、マスク４を照射する。マスク４を
透過した露光光は投影レンズ５を通過し基板６に結像
し、所望のレジストパターンを形成する。

【００４６】以上のように、マスク開口率測定手段５１
にマスク内を分割してマスク開口率を測定する機能を設
け、マスク開口率測定手段５１の測定結果と連動する補
正手段（通過光量可変フィルター）５３を光源１とマス
ク４との間の光路上に設けることにより、マスク内のパ
ターンの粗密にかかわらず、マスク上の同一パターン寸
法から同一のレジストパターン寸法が得られ、ショット
内の寸法ばらつきが小さくなる。

【００４７】なお、上述した各実施の形態において、マ
スク開口率は露光装置内にマスクを導入する時に測定し
たうえで、その測定結果に基づいて露光量の補正を行う
としたが、一度、測定したマスクの開口率を露光装置内
或いは露光装置に接続されている記憶装置内に保存して
おき、露光時にマスク名を入力することにより、保存し
てあるマスク開口率データを呼び出し、この開口率デー
タを関数式に照合することで最適露光量データを算出
し、この最適露光量データで標準露光量に補正をかける
ようにしてもよい。

【００４８】また、上述した各実施の形態では、補正手
段２５，５３は、図４に示すように、コンデンサレンズ
３とマスク４との間の光路上に設けていたが、図８に示
すように、照明絞り２の内部に組み込んだ光量補正フィ
ルター８１から、補正手段２５，５３を構成してもよ
い。

【００４９】さらにまた、上述した実施の形態２では、
マスクを４分割して各マスク領域でマスク開口率を求め
たが、ＤＲＡＭの周辺回路とメモリーセル内のようにマ
スク内の開口率が明らかに異なることがわかっている場
合など、マスク内において、開口率を測定するマスク領
域は座標設定で所望の領域毎に測定することもできる。
この場合、補正手段（通過光量可変フィルター）５３は
細分割した各マスク領域に対応したさらに正確な通過光
量調整を行うことができる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、所望する
レジストパターン寸法を得るためのマスク開口率と露光
量との対応関係に基づいて、標準露光量を最適露光量と
するための補正量を算出し、その補正量に基づいて標準
露光量を最適露光量に補正することにより、 ・同一のデザインルールの生産品種どうしであるがパタ
ーン粗密程度に違いがある製品どうしであっても、 ・単一のマスクを用いる場合であるがそのマスク面内に
マスク開口率（パターン粗密）の変動がある場合であっ
ても、 ・量産段階において、マスクにＯＰＣ等の補正をかけた
ために、開発段階に比べてマスク開口率が変動した場合
であっても、 所望のレジストパターン寸法を精度よく作成することが
できるようになり、その分、半導体装置の製造歩留り及
び品質を向上させることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるリソグラフィ工
程における半導体装置開発から量産に至るまでのフロー
図である。

【図２】実施の形態１におけるマスク開口率と露光量の
対応関係を示す図である。

【図３】本発明の実施の形態２における露光装置の構成
を示す図である。

【図４】実施の形態２の露光手段および補正手段の一例
を示す概略図である。

【図５】本発明の実施の形態３における露光装置の構成
を示す図である。

【図６】マスク内を分割してマスク開口率を測定した結
果のイメージ図である。

【図７】実施の形態３における光量補正フィルターの明
暗のイメージ図である。

【図８】本発明の露光手段および露光装置における露光
手段の他の例を示す概略図である。

【図９】従来のリソグラフィ工程における半導体装置開
発から量産に至るまでのフロー図である。

【図１０】従来の露光装置の概略図である。

【符号の説明】

１ 光源 ２ 照明絞り ３ コンデンサレンズ ４ マスク ５ 投影レンズ ６ 基板 １１，８１ 光量補正フィルタ ２１，５１ マ
スク開口率測定手段 ２２ 露光条件ファイル ２３，５２ 露光量補
正データベース ２４ 露光手段 ２５，５３ 補正手段

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所望するレジストパターン寸法に応じて
   設定された標準露光量を、使用マスクのパターン粗密程
   度から補正することを特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 所望するレジストパターン寸法に応じて
   設定された標準露光量を、マスク開口率を変化させてプ
   ロットしてなる最適露光量−マスク開口率の対応関係に
   使用マスクの開口率を照合した結果に基づいて補正する
   ことを特徴とする露光方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の露光方法であって、 前記対応関係は関数式であることを特徴とする露光方
   法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の露光方法であって、 前記対応関係を、レジスト材料、下地基板の膜質、およ
   び下地基板の膜厚の種々の組み合わせ毎に設定すること
   を特徴とする露光方法。
5. 【請求項５】 マスク開口率を変化させてプロットして
   なる最適露光量−マスク開口率の対応関係を記憶する記
   憶手段と、 使用マスクの開口率を測定する測定手段と、 前記測定手段で測定した使用マスクの開口率を前記対応
   関係に照合した結果に基づいて、所望するレジストパタ
   ーン寸法に要する標準露光量に対する補正量を設定する
   補正量設定手段と、 前記標準露光量を前記補正量設定手段で設定した補正量
   に基づいて最適露光量に補正する補正手段と、を備える
   ことを特徴とする露光装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の露光装置であって、 前記記憶手段は、前記対応関係を関数式にして記憶する
   ものであることを特徴とする露光装置。
7. 【請求項７】 請求項５記載の露光装置であって、 前記記憶手段は、前記対応関係を、レジスト材料、下地
   基板の膜質、および下地基板の膜厚の種々の組み合わせ
   毎に記憶するものであることを特徴とする露光装置。
8. 【請求項８】 請求項５記載の露光装置であって、 前記補正手段は、露光光路上に前記補正量に応じた光量
   補正フィルターを配置することで、標準露光量を最適露
   光量に補正するものであることを特徴とする露光装置。
9. 【請求項９】 請求項５記載の露光装置であって、 前記測定手段は、複数分割した使用マスクの各マスク領
   域毎に、マスク開口率を測定するものであり、 前記補正量設定手段は、前記測定手段が測定した各マス
   ク領域のマスク開口率を前記対応関係に照合した結果に
   基づいて、マスク領域毎の補正量を設定するものであ
   り、 前記補正手段は、前記補正量設定手段が設定した各マス
   ク領域の補正量に基づいて、マスク領域毎に標準露光量
   を最適露光量に補正するものであることを特徴とする露
   光装置。