TWI635368B - 微影方法與微影裝置 - Google Patents

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TWI635368B TW105100415A TW105100415A TWI635368B TW I635368 B TWI635368 B TW I635368B TW 105100415 A TW105100415 A TW 105100415A TW 105100415 A TW105100415 A TW 105100415A TW I635368 B TWI635368 B TW I635368B
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哈奇 爾金 希可利
柳星蘭
德 山登 史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 凡
哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 凡
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明係關於一種微影方法，其包含：曝光一基板上之數個場；獲得關於一場(1001)之資料；及在後續曝光中校正該場之曝光。該方法包括基於該經獲得資料而界定該場之一或多個子場(408、1011a、1011b)。處理與每一子場相關之資料以產生子場校正資訊。使用該子場校正資訊來校正該等子場之該等後續曝光。藉由參考一場內之一特定子場(408)之資料來控制一微影裝置，可針對關鍵特徵最小化疊對誤差，而非遍及該整個場平均化疊對誤差。藉由參考子場而非僅該整個場來控制一微影裝置，可在每一子場中縮減殘餘誤差(1103)。

Description

微影方法與微影裝置
本發明係關於一種控制微影程序之方法。詳言之，本發明係關於一種用於藉由處理與場之子場相關之資料而縮減基板上之疊對誤差的方法。本發明進一步係關於經組態以用於執行此等方法之微影裝置，及用於控制該微影裝置以執行該等方法之電腦程式產品。
微影程序為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之程序。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之產品圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。可涉及步進移動及/或掃描移動，以在橫越基板之順次目標部分處重複圖案。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。可藉由進一步處理步驟而將圖案變換成功能產品特徵。
微影程序之關鍵效能參數為疊對誤差。此誤差(常常被簡單地稱作「疊對」)為將產品特徵相對於先前層中形成之特徵置放於正確位置中的誤差。隨著產品特徵變得小得極多，疊對規格變得愈來愈嚴格。
當前，藉助於(例如)US2013230797A1中描述之校正模型來控制及校正疊對誤差。近年來已引入進階程序控制技術，且進階程序控制技術使用橫靠經施加器件圖案而施加至基板之度量衡目標之量測。此等目標允許使用諸如散射計之高產出率檢測裝置來量測疊對，且該等量測可用以產生在圖案化後續基板時回饋至微影裝置中之校正。舉例而言，US2012008127A1中描述進階程序控制(APC)之實例。檢測裝置可與微影裝置分離。在微影裝置內，習知地基於基板上提供之疊對目標之量測而應用晶圓校正模型，該等量測係作為每一圖案化操作之初步步驟。校正模型現今包括高階模型，以校正晶圓之非線性失真。亦可擴展校正模型以考量其他量測及/或諸如在圖案化操作期間之熱變形之經計算效應。
雖然使用高階模型可能夠考量較多效應，然而，此等模型要求進行較多位置量測。另外，高階校正模型需要較多計算能力及/或採取較多計算時間。因此，在某些情況下，使用進階校正模型理論上可為可行的，但實務上可不為經濟上切實可行的，此係由於其將負面地影響微影程序之產出率(亦即，晶圓/小時)。另外，若圖案化裝置自身在圖案化操作期間不提供對應參數之控制，則較進階校正模型可能具有有限用途。此外，甚至進階校正模型仍可能不足以或未經最佳化以校正某些疊對誤差。
需要改良疊對控制及校正潛能而不會不利地影響產出率。進一步需要可藉由使用現有微影方法及裝置而獲得此改良。此使得能夠升級現有微影裝置，藉此延長其有效壽命。
根據本發明之一態樣，提供一種微影方法，該方法包含：- 曝光一基板上之數個場；- 獲得關於一場之資料； - 基於該經獲得資料而界定該場之一子場；- 處理與該子場相關之資料以產生子場校正資訊；及- 使用該子場校正資訊來校正該子場之曝光。
在一些實施例中，該經獲得資料為用於該場之指紋。在一特定實施例中，該子場為該指紋中之一行資料點。該資料可另外或替代地包含構形(topography)、佈局、結構或模擬資料。
在一項實施例中，該微影方法進一步包含處理與數個子場相關之資料以產生用於每一子場之子場校正資訊，及使用用於彼子場之校正資訊來校正每一子場之曝光。
本發明進一步提供一種用於實施如上文所闡述之方法的微影裝置。
本發明進一步提供一種電腦程式產品，其含有經組態以控制一微影裝置以執行如上文所闡述之方法的機器可讀指令之一或多個序列。
本發明進一步提供一種電腦程式產品，其含有經組態以控制一微影裝置以執行如上文所闡述之方法的機器可讀指令之一或多個序列，其中該電腦程式產品包含一使用者介面。
對於熟習此項技術者而言，自以下實例之詳細描述的考慮，本發明之此等及另外特徵及優點將顯而易見。
300‧‧‧步驟
302‧‧‧步驟/量測資訊
304‧‧‧步驟/量測資訊
306‧‧‧配方資料
308‧‧‧量測資料
310‧‧‧步驟
312‧‧‧步驟
314‧‧‧步驟
316‧‧‧步驟
318‧‧‧步驟
320‧‧‧步驟
400‧‧‧對準標記(目標)
402‧‧‧規則矩形柵格
404‧‧‧實際位置/經量測位置/經量測目標
406‧‧‧經模型化晶圓柵格
408‧‧‧子場/突顯區/突顯區域
410‧‧‧經模型化晶圓柵格
601‧‧‧步驟
602‧‧‧步驟
603‧‧‧步驟
604‧‧‧步驟
605‧‧‧步驟
701‧‧‧場
702‧‧‧子場
703‧‧‧場
704‧‧‧子場
705‧‧‧子場
706‧‧‧子場
707‧‧‧子場
800‧‧‧晶圓
802‧‧‧場
804‧‧‧第一場
806‧‧‧第二場
808‧‧‧子場
810‧‧‧第三場
812‧‧‧完整子場
814‧‧‧不完整子場
901‧‧‧步驟
902‧‧‧步驟
903‧‧‧步驟
904‧‧‧步驟
1001‧‧‧場/人工場內指紋/完整子場指紋/人工場指紋
1002‧‧‧位置偏差
1003‧‧‧殘餘偏差
1011a‧‧‧子場
1011b‧‧‧子場
1101‧‧‧場內指紋
1102‧‧‧向量
1104‧‧‧六參數場內校正模型/整個場之校正模型
1110‧‧‧子場
1112‧‧‧向量
1201‧‧‧第一標繪圖
1202‧‧‧第二標繪圖
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MEA‧‧‧量測站
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記/基板標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板/晶圓
W'‧‧‧基板/晶圓
W"‧‧‧經曝光基板
WTa‧‧‧基板台/支撐件
WTb‧‧‧基板台/支撐件
x‧‧‧方向
y‧‧‧方向
X‧‧‧方向/位置/軸線
Y‧‧‧方向/位置/軸線
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2描繪併有圖1之裝置的微影製造單元(lithographic cell)或叢集(cluster)；圖3示意性地說明根據已知實務的且根據本發明之一實施例而修 改的圖1之裝置中之量測及曝光程序；圖4及圖5(包含圖5之(a)至圖5之(d))說明應用於生產設施之微影裝置中的進階對準量測及晶圓柵格校正之原理；圖6為實施本發明之一項實施例之程序的流程圖；圖7為劃分成子場之場的示意性說明；圖8示意性地說明劃分成數個場之晶圓，以及不同子場劃分；圖9為圖6之實施例之子程序的流程圖；圖10(包含圖10之(a)至圖10之(d))為圖6之程序之原理的示意性說明；圖11(包含圖11之(a)至圖11之(c))為圖6之程序之實例；及圖12為展示藉由圖11所展示之程序而判定之相對運動階段的曲線圖。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例 如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。其以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁 及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適合導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可 包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA，例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地進行檢測而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。
在度量衡系統MET內，檢測裝置用以判定基板之屬性，且尤其是判定不同基板或同一基板之不同層之屬性在不同層間如何變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了實現最快速量測，需要使檢測裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板實行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3說明用以在圖1之雙載物台裝置中曝光基板W上之目標部分 (例如，晶粒)的步驟。
量測站MEA處執行之步驟係在點框內之左側，而右側展示曝光站EXP處執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將在曝光站處，而另一者在量測站處，如上文所描述。出於此描述之目的，假定基板W已經裝載至曝光站中。在步驟300處，藉由圖中未繪示之機構將新基板W'裝載至裝置。並行地處理此兩個基板W、W'以便增加微影裝置之產出率。
最初參看新裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻而製備以供在裝置中進行第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此裝置及/或其他微影裝置若干次，且亦可經歷後續程序。特別針對改良疊對效能之問題，任務係確保新圖案被確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上的正確位置中。此等處理步驟逐漸地在基板中引入失真，該等失真必須被量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。
可在其他微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在較進階微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射予以曝光。
在302處，使用基板標記P1等等及影像感測器(圖中未繪示)之對準量測用以量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測橫越基板W'之若干對準標記。在一項實施例中，此等量測用以建立「晶圓柵格」，該晶圓柵格極準確地映射 標記橫越基板之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。
在步驟304處，亦使用位階感測器LS來量測相對於X-Y位置之晶圓高度(Z)圖。習知地，高度圖僅用以達成經曝光圖案之準確聚焦。如下文將進一步所解釋，本裝置亦使用高度圖資料以補充對準量測。
當裝載基板W'時，接收配方資料306，配方資料306界定待執行之曝光，且亦界定晶圓以及先前產生於及待產生於其上之圖案的屬性。將在302、304處產生的晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及量測資料308之完整集合傳遞至曝光站EXP。舉例而言，對準資料之量測包含以與為微影程序之產品的產品圖案成固定或標稱固定關係而形成之對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前採取之此等對準資料經組合及內插以提供校正模型之參數。此等參數及校正模型將在曝光操作期間用以校正當前微影步驟中施加之圖案之位置。習知校正模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同維度界定「理想」柵格之平移、旋轉及按比例調整。如US 2013230797A1中進一步所描述，使用較多參數之進階模型為吾人所知。
在310處，調換晶圓W'及W，使得經量測基板W'變為基板W而進入曝光站EXP。在圖1之實例裝置中，藉由在裝置內交換支撐件WTa及WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持被準確地夾持及定位於彼等支撐件上，以保持基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，判定投影系統PS與基板台WTb(以前為WTa)之間的相對位置就為使用用於基板W(以前為W')之量測資訊302、304以控制曝光步驟所必要。在步驟312處，使用光罩對準標記M1、M2來執行光罩對準。在步驟314、316、318中，將掃描運動及輻射脈衝施加於橫越基板W之順次目標部位處，以便完成數個圖案之曝光。
藉由在執行曝光步驟時使用量測站處獲得之對準資料及高度 圖，使此等圖案相對於所要部位且尤其是相對於先前敷設於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟320處自裝置卸載現在被標註為W"之經曝光基板，以根據經曝光圖案而經歷蝕刻或其他程序。
即使當使用進階校正模型時，誤差亦不可避免地存留於微影裝置之疊對效能中。個別微影裝置相比於處理同一基板之其他微影裝置亦可不同地執行。為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測效能參數，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。
因此，檢測裝置用以獨立於對準感測器AS來判定基板之屬性，且尤其是判定不同基板或同一基板之不同層之屬性在不同層間如何變化。檢測裝置(圖2中未繪示)可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。其可為散射計，例如，公開美國專利申請案US2006033921A1中所描述之當時的角解析散射計。
檢測裝置亦可用於進階程序控制(APC)系統中以校準個別微影裝置且允許較可互換地使用不同工具。近來已藉由實施穩定性模組而達成對裝置之聚焦及疊對(層間對準)均一性之改良，此導致用於給定特徵大小及晶片應用之經最佳化程序窗，從而使得能夠繼續產生較小的較進階晶片。在一項實施例中，穩定性模組以規則時間間隔(例如，每日)將系統自動地重設至預定義基線。可在US2012008127A1中找到併有穩定性模組之微影及度量衡方法之較多細節。已知實例實施三個主程序控制迴路。第一迴路使用穩定性模組及監控晶圓來提供微影裝置之局域控制。第二(APC)迴路係用於產品上局域掃描器控制(判定產品晶圓上之聚焦、劑量及疊對)。
第三控制迴路係允許至第二(APC)迴路中之度量衡整合(例如，用於雙重圖案化)。除了在圖3之實際圖案化操作期間進行之量測以外，所有此等迴路亦使用由檢測裝置進行之量測。
如上文所解釋，本文中所揭示之診斷方法及裝置使用為自遍及每一產品單元而空間上分佈之點量測之資料的物件資料。在產品單元為半導體基板(晶圓)的微影生產設施之實例中，特別關注的綜合物件資料源為在微影裝置中執行以特性化每一晶圓及先前沈積於其上之圖案的量測集合。此等量測用以獲得用於校正模型之參數，其用於新圖案化步驟中以準確地控制相對於已經存在之特徵而施加的圖案之定位。
標準場內及場間校正模型具有六個參數(實際上為每方向X及Y三個參數)，且另外，存在較進階校正模型。另一方面，對於當前在使用中且在開發中之大多數要求高的程序，達成所要疊對效能需要較多詳細校正。雖然標準模型可能使用十個以下參數，但進階校正模型通常使用15個以上參數，或20個以上參數。
圖4及圖5說明可用以校正如由對準感測器AL在晶圓(基板)W上之先前層中之對準標記(目標)400上所量測之晶圓柵格失真的校正資訊之形式。每一目標具有一標稱位置，其通常相對於規則矩形柵格402以軸線X及Y予以界定。每一目標之實際位置404之量測揭露與標稱柵格之偏差。對準標記可提供於基板之器件區域內，及/或其可提供於器件區域之間的所謂「切割道」區域中。
如圖5所說明，所有目標之經量測位置404可經數值上處理以設置用於此特定晶圓之晶圓柵格之模型。此校正模型用於圖案化操作中以控制施加至基板之圖案之位置。圖5之(a)展示所有目標之經量測位置404。亦展示突顯區408。圖5之(b)展示具有六個參數之標準校正模型用以模型化晶圓柵格的實例。經模型化晶圓柵格406之參數經修改以將經模型化晶圓柵格擬合至經量測目標404，經量測目標404係出於參考而予以展示。由於標準校正模型僅具有六個參數，故不可能將經模型化晶圓柵格完美地擬合至晶圓W上之目標的所有經量測位置。在 圖5之(b)中可看出，經模型化晶圓柵格406緊密地擬合至突顯區域408之區內之經量測目標。然而，在突顯區域外部，經模型化晶圓柵格偏離經量測柵格。換言之，經模型化晶圓柵格406已針對突顯區域408而最佳化以確保該區域內部之偏差小。因此，經模型化晶圓柵格通常針對具有關鍵組件或產品之區域而最佳化，該等關鍵組件或產品要求疊對誤差小。較不關鍵產品或組件可置放於突顯區域外部。當然應注意，本實例中之突顯區域之位置僅為例示性的，且經模型化晶圓柵格可針對晶圓上之任何適當部位而最佳化。當然，對於某些程序，某些區域形狀為不可能的。在此等狀況下，基板之設計佈局可經調整以使較易於將關鍵組件定位於具有特定形狀之區域內。
圖5之(c)以與圖5之(a)相似之方式展示所有目標之經量測位置404，但不具有突顯區域。在圖5之(d)所說明之例示性經模型化晶圓柵格410中，標稱柵格之直線已變為曲線，此指示使用高階(進階)校正模型。相比於標準校正模型，高階校正模型之使用允許經模型化晶圓柵格較緊密地與經量測柵格匹配。然而，即使在此狀況下，實務上亦將存留殘餘偏差(圖中未繪示)。即使當使用高階模型時，仍可存在用以將特定區域界定為關鍵區域且最佳化該模型以最小化彼等區域中之偏差的範疇。由於較進階校正模型具有較多參數，故有必要對晶圓執行較多量測，此又需要較多時間來執行此等量測。此在生產情形中縮減晶圓之產出率，其為不理想的。
不言而喻，所說明之失真與實際情形相比較被誇示。對準為微影程序之唯一部分，此係因為其為能夠校正每一經曝光晶圓中之偏差(失真)之校正機制。
每一基板上之疊對之某些分量在本質上將真實地為隨機的。然而，其他分量在本質上將為系統性的，而無論知道抑或不知道其原因。在相似基板經受疊對誤差之相似圖案的情況下，誤差之圖案可被 稱作微影程序之「指紋」。疊對誤差可被廣泛地分類成兩個相異群組：
1)橫越整個基板、晶圓而變化之比重在此項技術中被稱為場間指紋。
2)橫越基板或晶圓之每一目標部分(場)而相似地變化之比重在此項技術中被稱為場內指紋。
可應用進階校正模型以校正場間指紋及場內指紋兩者。每一指紋可歸因於不同原因而具有分量，例如，掃描器可具有自身所特有之指紋，或蝕刻程序可具有特定指紋。場間指紋及場內指紋之所有此等分量組合成實際上存在於給定基板上之誤差。
然而，雖然進階校正模型可(例如)包括20至30個參數，但當前在使用中之掃描器可能不具有對應於該等參數中之一或多者之致動器。因此，在任何給定時間可僅使用模型之整個參數集合之子集。另外，因為進階模型需要許多量測，所以不需要在所有情形中使用此等模型，此係由於執行必要量測所需要之時間縮減產出率。
疊對誤差源及縮減
疊對誤差之主要貢獻者中之一些包括但不限於以下各者：掃描器特定誤差：此等誤差可起因於在基板之曝光期間使用的掃描器之各種子系統，此實際上產生掃描器特定指紋；程序誘發性晶圓變形：對基板執行之各種程序可使基板或晶圓變形；照明設定差異：此等差異係由照明系統之設定造成，諸如孔徑之形狀、透鏡致動器定位等等；加熱效應-加熱誘發性效應在基板之各種子場之間將不同，尤其是對於各種子場包括不同類型之組件或結構的基板；光罩書寫誤差：在圖案化器件中歸因於其製造之限制而可能已 經存在誤差；及構形變化：基板可具有構形(高度)變化，尤其是在晶圓之邊緣周圍。
本發明人已認識到，有可能在不使用高階校正模型的情況下縮減疊對誤差。藉由將校正模型應用於特定場之一或多個特定部分而非整個特定場，可縮減疊對誤差。此等特定部分將在以下被稱作子場(但亦可在此項技術中(例如)被稱作子區帶(subzone))。
為了模型化子場，吾人可(例如)僅使用標準校正模型。實際上，在每一掃描操作內一或多次改變模型之參數，使得對場之每一部分之指紋自訂校正。因此，可在不要求使用較進階校正模型的情況下縮減疊對誤差。然而，藉由使用根據本發明之方法之標準校正模型，不會不利地影響晶圓之產出率。倘若由圖1之裝置中之投影系統PS及關聯定位系統形成的圖案化裝置可經控制以變化用於每一場之不同部分的模型參數，則可僅藉由對準及控制軟體之適合改變而實施新類型之校正。
可實行場之個別子場之疊對誤差的模型化而非整個場之疊對誤差的模型化，或除了模型化整個場以外亦可模型化場之個別子場。雖然後者由於場以及場內之子場兩者被模型化而需要較多處理時間，但其允許校正僅與特定子場相關之誤差源以及與整個場相關之誤差源。當然，其他組合(諸如模型化整個場及僅某些子場)為可能的。
參考圖6，說明根據本發明之一實施例的用於校正疊對誤差之微影方法。此圖中之參考數字係指以下步驟，以下將更詳細地解釋該等步驟中之每一者：601：曝光基板上之至少一個場；602：對場執行量測；603：判定子場；604：處理與子場相關之資料以產生子場校正資訊；及 605：使用子場校正資訊來校正子場之曝光。
應注意，儘管以特定次序在圖6中描繪且在下文論述以上步驟，但可以不同次序執行或可同時地執行此等步驟中之一些。
在步驟601中，使用掃描器而對一或多個基板實行微影曝光程序。所得經曝光基板將含有起因於先前所描述之原因中之一者或若干者的疊對誤差。基板可為產品基板，或其可為在生產開始之前製成之初始「原型(prototype)」基板。在步驟602中，在基板上之特定點處執行量測。量測點之數目及分佈可以任何適合方式而變化。舉例而言，量測點可經配置以便圍繞所關注之特定區域而叢集，或其可以柵格圖案而配置。在另一實施例中，量測點可隨機地分佈。量測將揭露場間指紋以及場內指紋兩者。在步驟603中，界定至少一個子場。可以數種方式界定子場，如下文將更詳細地所論述。在步驟604中，針對場之每一子場處理經獲得量測結果，以便判定校正任何疊對誤差所必要之任何校正。藉由使用如上文所描述之校正模型而完成此步驟。在步驟605中，在另外基板之曝光中，除了(或代替)基於針對整個場而模型化之場內指紋的校正以外，亦基於用於給定子場之經獲得校正資訊而校正彼子場之曝光。上文參考圖3所描述之配方資料306中通常含有曝光資訊。因此，使得掃描器能夠以比已知準確度更大之準確度控制產品基板之曝光。
可以數種不同方式界定個別子場。舉例而言，可由使用者完全手動地或以量測資料輔助方式界定子場。舉例而言，使用者可藉由使用微影裝置上或監督控制系統上或適合遠端器件上之使用者介面來界定子場。
圖7展示劃分成數個相等大小之子場702之例示性場701。場之此劃分在場(例如)含有數個相等大小之且間隔之產品、產品特徵或產品區域的情況下為有用的。然而，子場可同樣很好地經界定以便含有大 小不相等或橫越場不均勻地分佈之個別組件或產品。圖7展示場703，其上產品將形成有佔據不同產品區域之數個不同組件。作為一實例，基板上之每一場可具有在子場704中之一圖形處理器、在每一子場705中之一處理器核心、在子場706中之一快取記憶體，及在子場707中之一系統記憶體控制器。每一子場經界定以便含有此等組件中之一者。藉由界定子場以各自固持一個產品，可針對每一產品個別地校正疊對誤差，即使該等產品不均勻地分佈或大小不相等亦如此。此最小化由標準校正模型造成之偏差，此係由於可針對產品所處的子場之部分最佳化校正模型，如上文參考圖5所論述。
為了進一步最佳化該方法，子場之界定亦可考量額外因素，諸如特定場在個別基板上之部位。圖8說明例示性晶圓800，其被劃分成數個場802。不同場將用以說明在本發明之範疇內係可能的不同技術。在第一場804中，已界定子場(如上文所解釋)以便含有關鍵產品或產品區域。在子場外部的第一場之部分僅含有較不關鍵產品或產品區域，該等較不關鍵產品或產品區域容忍較大疊對區域。此途徑使用如上文所描述之標準校正模型，且在場之僅單一區域不容忍疊對誤差的情況下為有利的，此係由於其最小化量測及計算時間。
第二場806被劃分成相等地間隔之數個子場808，但其亦可如上文參考圖7所描述而被界定。儘管此實施相比於第一場804中之實施需要較多計算且因此需要較多執行時間，但其縮減用於整個場之疊對誤差，即使當僅使用標準校正模型時亦如此。因而，此途徑在整個場不容忍疊對誤差的情況下或在場含有數個產品或產品區域(該等產品或產品區域中之每一者可不容忍疊對誤差)的情況下為有利的。
晶圓800之第三場810位於該晶圓之邊緣處。該場以與第二場相似之方式被劃分成數個子場。然而，由於該場位於晶圓之邊緣處，故其含有數個完整子場812及數個不完整子場814。歸因於晶圓之邊緣的 近接，此場(且因此，其內任何子場)中之基板相關偏差不同於較靠近晶圓之中心的偏差。在過去，歸因於與較中心場之偏差的變化，此等場尚未用於產品。然而，為了增加生產率，在亦使用此空間的情況下將為有利的。藉由將第三場劃分成數個子場且基於個別子場而判定疊對誤差，有可能針對產品利用晶圓邊緣附近之子場中之至少一些。
圖9說明處理與上文參考圖6更詳細地所描述之特定例示性實施方法之子場相關之資料的步驟。在此例示性實施中，場之子場被界定為橫向於掃描方向之列。此圖中之參考數字係指以下步驟，以下將更詳細地解釋該等步驟中之每一者：901：獲得場內指紋；902：對整個指紋執行簡單場內模型；903：對每一列指紋執行簡單場內；904：調整致動器之參數；應注意，儘管以特定次序在圖9中描繪且在下文論述以上步驟，但可以不同次序執行或可同時地執行此等步驟中之一些。
在步驟901中，獲取與基板上之特定場相關之量測資料。量測資料通常含有來自數個資料源之資料，且可(例如)包括(而不限於)：與掃描器自身相關之資料；較早量測資料(例如，自其他基板所獲得)；或模擬資料。可使用之其他資料類型包括構形資料或光罩資料。在步驟902中，將線性場內校正模型應用於整個場之指紋。如先前所描述，線性校正模型可包含界定數個不同參數之數個參數。在本實例中，將描述使用六個參數之校正模型，該六個參數一起各自以兩個不同維度(亦即，平面之x及y方向)界定「理想」柵格之平移、旋轉及按比例調整。為了減低疊對誤差，除了步驟902以外且此後，亦將在步驟903中將六參數校正模型應用於場指紋之至少一個子場。應注意，可以任何有利或適合方式界定子場。有利地，子場可經界定以便含有 場之一部分，在該部分中形成對疊對誤差特別敏感之關鍵組件或產品。替代地或另外，子場經界定以便確保微影裝置之特定參數及/或致動器可用以執行在步驟903中執行之校正。如上文所提及，在本實例中，場之子場被界定為橫向於掃描方向(亦即，在y方向上)之列。在步驟903結束時，已獲得一校正資訊集合，該校正資訊集合可用以判定待對微影裝置之致動器中之一或多者進行的調整以控制基板之曝光。在步驟904中，隨著對場執行掃描操作而判定對致動器之實際調整。在本例示性實施中，藉由調整光罩載物台相對於晶圓載物台之速度而實施在掃描方向上之調整。可藉由調整裝置中之透鏡系統之一或多個透鏡致動器來實施橫向於掃描方向之調整。因此，在不使底層校正模型變複雜的情況下，可在該模型中於場之不同部分中應用不同參數。
在以上例示性實施中，藉由調整兩個特定致動器參數來實施致動器調整。取決於所使用裝置之特定類型，用以實施特定參數調整之致動器的數目及類型可變化。
另外，當已獲得校正資訊且已判定必要的致動器調整時，應考量個別致動器之回應功能。若校正經量測偏差所需要之頻寬超過相關致動器之頻帶，則致動器將不能夠(完全地)縮減疊對誤差。可執行對調整及校正之一或多個態樣的重新考慮直至找到最佳配方為止。
圖10展示根據本發明之方法之原理的示意性說明。圖10之(a)展示場之人工場內指紋1001。數個經量測位置偏差1002被展示為向量。僅出於說明性目的，場指紋僅包括在y方向上之位置偏差。實際上，偏差當然不限於在單一方向上之偏差。在實例中，場之上半部在y方向上偏離達-5奈米，且場之下半部在y方向上偏離達5奈米。實際上，當然，殘餘偏差將未必為此等精確捨位數。
圖10之(b)展示在將具有6個參數之標準場內校正模型應用於完整 子場指紋1001時獲得之結果。該等參數被標註為tx、ty、mx、my、rx、ry，且分別係指在x及y方向上之平移、放大及旋轉。殘餘偏差1003之量值自5.0奈米縮減至2.9奈米。在此實例中，模型藉由縮減在y方向上之放大而起作用。以百萬分點(ppm)表達放大，在此實例中，參數my=-0.4ppm實現校正。模型之剩餘參數保持為中性，亦即，tx、ty、rx、ry、mx=0。殘餘偏差1003藉此相對於未經校正偏差1002而縮減，但不縮減至零。
圖10之(c)說明與圖10之(a)相同之人工場指紋1001。然而，子場在此圖中被劃分成兩個子場1011a及1011b(如由各別虛線所指示)，子場1011a及1011b分別涵蓋場之上半部及下半部。
圖10之(d)展示在將標準6參數場校正模型分離地應用於子場1011a及1011b中之每一者時獲得之結果。對於子場1011a，將校正模型擬合至經量測資料會得到以下結果：tx、mx、my、rx、ry=0，且ty=5奈米，亦即，在y方向上之平移為5奈米。相似地，對於子場1011b擬合模型會得到以下結果：tx、mx、my、rx、ry=0，且ty=-5奈米，亦即，在y方向上之平移為-5奈米。如圖10之(d)所展示，可完全地取消而非縮減用於兩個子場之殘餘偏差。因此，藉由將場劃分成兩個子場，遍及整個場之六參數校正模型而改良疊對誤差校正，但不必使用比六參數場校正模型更複雜之模型，且在某些情況下相比於較複雜模型具有較好準確度。
參考圖11，現在將論述圖7之處理方法之例示性實施例。圖11之(a)說明例示性經量測場內指紋1101。具體言之，本實例含有光罩書寫誤差，其引起在Y方向上具有高空間頻率之似條紋圖案。如前所述，在說明中由向量1102表示每一經量測偏差。自此等經量測偏差，有可能以習知方式導出六參數校正模型。
圖11之(b)說明在將六參數場內校正模型1104應用於圖11之(a)所 展示之整個場時來自六參數場內校正模型1104的對應結果。如先前所解釋，可不太可能藉由使用標準校正模型來完全地消除殘餘偏差。實際上，在本實例中，大多數偏差保持未經校正。
為了進一步縮減殘餘偏差，將場劃分成數個子場，該等子場中之一者係由虛線1110突顯。該等子場中之每一者被界定為橫越場之寬度在y方向上(亦即，在橫向於掃描方向之方向上)延伸的量測點之單一列。當然將瞭解，可以數種其他方式界定子場，包括但不限於列、對角線或其他幾何形狀。然而，可應用哪些形狀可受到控制系統之能力限制。在模型之參數可在y方向上之掃描操作期間變化的實例中，則鑒於可用於後續曝光之控制能力，設定用於除了列或條紋以外之區的模型參數可為無意義的。在本實例中，僅使用校正模型之平移參數(tx,ty)而針對每一子場計算疊對校正參數。應注意，此係僅出於說明性目的，且有可能以任何特定組合使用模型之參數中之任一者。
圖11之(c)說明將校正模型應用於每一個別子場之結果。每一向量1112表示用於圖11之(a)所展示之場之對應子場(亦即，列)的疊對校正參數(tx,ty)。
用於圖11之(c)所展示之子場中之每一者的所得模型參數隨後與整個場之校正模型1104一起使用以修改微影裝置之對應致動器之設定。在本實例中，疊對校正參數僅含有平移組件，該等平移組件可藉由在掃描操作期間調整晶圓載物台與光罩載物台之間的相對運動而實施於微影裝置中。
圖12展示微影裝置之載物台依據用於圖11之(c)所說明之列之掃描位置的經判定相對運動。第一標繪圖1201說明補償在y方向上之殘餘偏差所需要的於光罩與基板之間在y方向上(亦即，在掃描方向上)之相對移動。第二標繪圖1202說明補償在x方向上之殘餘偏差的於光罩與基板之間在x方向上之相對移動。
可在適合使用者介面上或憑藉適合使用者介面完全地或部分地實行上述功能中之一些或全部。使用者介面可自裝置中或裝置外部之其他系統或子系統接受不同類型之輸入。替代地，使用者可將輸入直接地提供至使用者介面中。
可在使用者介面上實行之操作之實例為至少一個子場之界定。子場之判定係應用相依的，且形成產品解決方案之部分。因而，子場界定可為產品、產品之部分、光罩、層或甚至整個家族或類型之技術所特有。此等界定可(例如)自資料庫被自動地鍵入，或可取決於由裝置判定之量測資料或其他資料。
另外，使用者可指定參數或其他考慮，該等參數或其他考慮可(例如)作為開發程序之部分而為特定基板所特有。考慮包括但不限於最小化某些區域(諸如關鍵區域)中之疊對誤差、最小化用於整個子場或場之疊對誤差。
結論
本文中所揭示之方法及關聯檢測裝置實現以下益處中之一或多者。
本發明提供高空間頻率場內校正能力，使得較準確校正為可能的
使得能夠使用新模型，例如，具有大梯度之晶圓邊緣效應模型
藉由分離地模型化子區帶，可避免模型參數之間的潛在串擾，使得參數之較準確估計為可能的。因此亦支援根本原因分析。
新概念亦可應用於CD控制
可針對不同部分在APC控制中完成子場校正，且可針對靜態部分以前饋方式完成子場校正。
儘管可在本發明中特定地參考聚焦監控及控制配置在諸如散射計之檢測裝置中之使用，但應理解，所揭示之配置可應用於如上文已經提及的其他類型之功能裝置中。
儘管在本文中可特定地參考檢測裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之檢測裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。此外，裝置之部分可以如下形式予以實施：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (14)

  1. 一種微影方法，其包含：a.曝光一基板上之數個場(fields)；b.獲得關於一場之資料；c.基於該經獲得資料而界定該場之數個子場(sub-fields)，其中每一子場係經界定以各自固持(hold)一產品；d.處理與該數個子場相關之資料以產生用於每一子場之子場校正資訊；及e.使用用於每一子場之該校正資訊來校正該子場之曝光。
  2. 如請求項1之方法，其中該經獲得資料為用於該場之指紋(fingerprint)。
  3. 如請求項2之方法，其中該子場為該指紋中之一行資料點。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該經獲得資料進一步包括構形(topography)、佈局、結構或模擬資料。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其中與曝光分離地或同時地獲得資料。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其中曝光涉及使用一光罩，且該方法進一步包含獲得關於該光罩之資料。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含：處理所有或實質上所有該經獲得資料以產生完整場(complete field)校正資訊；及使用該完整場校正資訊來校正該完整場之曝光。
  8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中處理包含將一模型應用於該資料，且該校正資訊包含來自該模型之一校正集合。
  9. 如請求項1之方法，其中同時地或相繼地校正該數個子場之曝光。
  10. 一種微影裝置，其經組態以用於執行如請求項1至9中任一項之方法。
  11. 一種電腦程式產品，其含有經組態以控制微影裝置以執行如請求項1至9中任一項之方法的機器可讀指令之一或多個序列。
  12. 如請求項11之電腦程式產品，其中電腦程式提供一使用者介面以供一操作者用來界定一或多個子場。
  13. 如請求項12之電腦程式產品，其中該使用者介面用於使該操作者識別該場之一或多個部分，在該一或多個部分中將最佳化該曝光之效能。
  14. 如請求項12或13之電腦程式產品，其中該使用者介面經配置以根據該特定微影裝置內之特定致動器的回應而約束子場之選擇。
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