KR20170120153A - 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치 - Google Patents

Abstract

리소그래피 방법은 기판 상의 다수의 필드를 노광하는 단계, 필드(1001)에 대한 데이터를 획득하는 단계, 및 후속 노광 시에 상기 필드의 노광을 정정하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은 획득된 데이터에 기초하여, 상기 필드의 하나 이상의 서브-필드(408, 1011a, 1011b)를 규정하는 단계를 포함한다. 각각의 서브-필드에 관련된 데이터는 처리되어 서브-필드 정정 정보를 생성한다. 서브-필드의 후속 노광은 서브-필드 정정 정보를 사용하여 정정된다. 어떤 필드 내의 특정 서브-필드(408)의 데이터를 참조하여 리소그래피 장치를 제어함으로써, 오버레이 오차는, 전체 필드에 걸쳐서 평균화되지 않고 임계 피쳐에 대해 최소화될 수 있다. 전체 필드만 참조하는 것이 아니라 서브-필드를 참조하여 리소그래피 장치를 제어함으로써, 각각의 서브-필드 내에서 잔차 오차(1103)가 감소될 수 있다.

Description

리소그래피 방법 및 리소그래피 장치

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2015 년 3 월 13 일에 출원된 EP 출원 번호 제 15158935.5 의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.

본 발명은 리소그래피 프로세스를 제어하는 방법에 관련된다. 특히, 본 발명은 필드의 서브-필드에 관련된 데이터를 처리함으로써 기판 상의 오버레이 오차를 감소시키는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방법을 수행하도록 구성된 리소그래피 장치, 및 리소그래피 장치가 이러한 방법을 수행하도록 제어할 때 사용되기 위한 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.

리소그래피 프로세스는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 것이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 제품 패턴을 생성하기 위해 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 기판에 걸친 연속적인 타겟 부분에서 패턴을 반복하기 위하여, 스테핑 및/또는 스캐닝 이동이 수반될 수 있다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다. 패턴은 추가 처리 단계에 의해 기능성 제품 피쳐로 변환될 수 있다.

리소그래피 프로세스의 중요한 성능 파라미터는 오버레이 오차이다. 흔히 "오버레이"라고 간단히 불리는 이러한 오차는, 이전의 층 내에 형성된 피쳐에 대한 정확한 위치에 제품 피쳐를 배치할 때의 오차이다. 제품 피쳐가 점점 더 작아짐에 따라, 오버레이 사양은 더욱 엄격해진다.

현재, 오버레이 오차는 예를 들어 US2013230797A1 에 설명된 정정 모델을 이용하여 제어되고 정정된다. 진보된 프로세스 제어 기법이 최근 몇 년 동안에 소개되었고, 적용된 디바이스 패턴과 나란히 기판에 적용된 계측 타겟의 측정을 사용한다. 이러한 타겟은 산란계와 같은 고-쓰루풋 검사 장치를 사용하여 오버레이가 측정될 수 있게 하고, 이러한 측정은 후속 기판을 패터닝할 때에 리소그래피 장치로 피드백되는 정정을 생성하기 위하여 사용될 수 있다. 진보된 프로세스 제어(advanced process control; APC)의 예들은 예를 들어 US2012008127A1 에 기술된다. 검사 장치는 리소그래피 장치와 별개일 수 있다. 리소그래피 장치 내에는, 종래에는 기판 상에 제공된 오버레이 타겟의 측정에 기초하여 웨이퍼 정정 모델이 적용되고, 이러한 측정은 모든 패터닝 동작의 예비 단계와 같다. 현재의 정정 모델은 웨이퍼의 비선형 왜곡을 정정하기 위한 더 높은 차수의 모델을 포함한다. 또한, 정정 모델은 다른 측정 및/또는 패터닝 동작 중의 열변형과 같은 계산된 효과를 고려하도록 확장될 수 있다.

더 높은 차수의 모델을 사용하면 더 많은 효과를 고려하는 것이 가능해질 수 있지만, 이러한 모델을 위해서는 더 많은 위치 측정이 이루어져야 한다. 더 나아가, 더 높은 차수의 정정 모델에는 더 많은 계산 능력이 필요하고 및/또는 계산에 더 많은 시간이 걸린다. 따라서, 진보된 정정 모델을 사용하는 것은 어떤 상황에서는 이론상으로는 실현가능하지만, 실제로는 리소그래피 프로세스의 쓰루풋(즉 시간 당 웨이퍼 수)에 악영향을 미칠 것이기 때문에 경제적으로 실행가능하지 않을 수 있다. 추가하여, 패터닝 장치 자체가 패터닝 동작 중에 대응하는 파라미터의 제어를 제공하지 않는다면, 더 진보된 정정 모델은 제한된 용도를 가질 수 있다. 더욱이, 심지어 진보된 정정 모델은 특정한 오버레이 오차를 정정하기에 충분하거나 이를 위해 최적화되지 않을 수도 있다.

쓰루풋에 악영향을 주지 않으면서 오버레이 제어 및 정정 능력을 개선하는 것이 바람직하다. 이러한 개선이 현존하는 리소그래피 방법 및 장치를 사용하여 얻어질 수 있으면 더욱 바람직하다. 그러면 현존하는 리소그래피 장치가 업그레이드되어, 이를 통하여 그들의 유효 수명이 연장된다.

본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 방법으로서,

- 기판 상의 다수의 필드를 노광하는 단계;

- 필드에 대한 데이터를 획득하는 단계;

- 획득된 데이터에 기초하여 상기 필드의 서브-필드를 규정하는 단계;

- 서브-필드 정정 정보를 생성하도록, 상기 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하는 단계; 및

- 상기 서브-필드 정정 정보를 사용하여 상기 서브-필드의 노광을 정정하는 단계를 포함하는, 리소그래피 방법이 제공된다.

일부 실시예들에서, 획득된 데이터는 해당 필드에 대한 지문이다. 특정 실시예에서, 서브-필드는 지문 내의 데이터 포인트의 라인이다. 추가적으로 또는 대안적으로 데이터는 토포그래피, 레이아웃, 구조 또는 시뮬레이션 데이터를 포함한다.

일 실시예에서, 리소그래피 방법은, 각각의 서브-필드에 대한 서브-필드 정정 정보를 생성하도록, 다수의 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하는 단계 및 각각의 서브-필드에 대한 정정 정보를 사용하여, 그 서브-필드의 노광을 정정하는 단계를 더 포함한다.

또한, 본 발명은 전술된 방법을 구현하기 위한 리소그래피 장치를 제공한다.

또한, 본 발명은, 리소그래피 장치가 전술된 방법을 수행하도록 제어하게 구성되는 머신-판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공한다.

또한, 본 발명은, 리소그래피 장치가 전술된 방법을 수행하도록 제어하게 구성되는 머신-판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는데, 컴퓨터 프로그램 제품은 사용자 인터페이스를 포함한다.

본 발명의 이러한 특징과 다른 특징 그리고 장점은 후술되는 예들의 상세한 설명을 고려함으로써 당업자에게 명백해질 것이다.

본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한다;
도 2 는 도 1 의 장치를 포함하는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 묘사한다;
도 3 은 공지된 실무에 따른 것이고 본 발명의 일 실시예에 따라서 변경된, 도 1 의 장치에서 수행되는 측정 및 노광 프로세스를 개략적으로 도시한다;
도 4 및 도 5 는 생산 설비의 리소그래피 장치에 적용된 개선된 정렬 측정 및 웨이퍼 그리드 정정의 원리를 예시한다;
도 6 은 본 발명의 일 실시예를 구현하는 프로세스의 흐름도이다;
도 7 은 서브-필드로 분할되는 필드의 개략적인 예시이다;
도 8 은 여러 필드, 및 상이한 서브-필드 분주(division)로 분할되는 웨이퍼를 개략적으로 예시한다;
도 9 는 도 6 의 실시예의 서브-프로세스의 흐름도이다;
도 10 은 도 6 의 프로세스의 원리의 개략적인 예시도이다;
도 11 은 도 6 의 프로세스의 일 예이다; 그리고
도 12 는 도 11 에 도시되는 프로세스에 의해 결정되는 상대 운동 스테이지를 나타내는 그래프이다.

본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.

도 1 은 리소그래피 장치를 개략적으로 묘사한다. 이 장치는:

- 방사선 빔 (B)(예를 들어 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기)(IL);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크; MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 패터닝 디바이스를 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제 1 포지셔너(positioner; PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어 마스크 테이블; MT);

- 기판(예를 들어 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 기판을 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제 2 포지셔너(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어 웨이퍼 테이블)(WT); 및

- 방사 빔 (B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판 (W)의 타겟부 (C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함함)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.

조명 시스템은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절형, 반사형, 자기적, 전자기, 정전기 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지, 즉 이의 무게를 지탱한다. 이것은 패터닝 디바이스를, 패터닝 디바이스의 지향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수도 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 천이 피처(phase shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟부에서의 요구된 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 타겟부, 예컨대 집적 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정한 기능성 층에 대응할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수도 있다. 패터닝 장치의 예는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 주지되며, 이진, 교번 위상-천이, 감쇄 위상-천이, 및 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 채용하는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 미러 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학계, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어가 임의로 사용되면 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 같은 의미인 것으로 간주될 수도 있다.

도시된 것처럼, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 또는, 장치는 반사형 타입(예를 들어 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나, 반사 마스크를 채용함)일 수도 있다.

리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 유형의 것일 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 머신에서, 부가적인 테이블은 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 테이블들이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다.

리소그래피 장치는 또한, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 덮힐 수 있는 유형일 수 있다. 액침액은 또한 예컨대 마스크 및 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기법은 투영 시스템의 애퍼쳐(numerical aperture)를 증가시키기 위하여 당업계에 주지된다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.

도 1 을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사원(SO)으로부터 수광한다. 예를 들어, 방사원이 엑시머 레이저인 경우, 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 엔티티일 수 있다. 이러한 경우들에서, 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사원이 수은 램프인 경우에, 이러한 소스는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수 있다. 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.

조명기(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)는 조절될 수 있다. 부가적으로, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 조명기는 방사선 빔이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다.

방사선 빔 (B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔 (B)은 기판 (W)의 타겟부 (C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PL)을 통과한다. 제 2 포지셔너(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔 (B)의 경로에 상이한 타겟부들 (C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 포지셔너 및 다른 위치 센서(도 1 에는 명확하게 묘사되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 방사선 빔 (B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확하게 포지셔닝하기 위하여 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 제 1 포지셔너(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 정밀 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제 2 포지셔너(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너에 반대됨), 마스크 테이블(MT)은 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판 (W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟 영역을 점유하지만, 이들은 타겟 영역 사이의 공간(이들은 스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수도 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.

도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 본질적으로 정지 상태로 유지되는 동안, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟부 (C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 그러면, 상이한 타겟부 (C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 X 방향 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부 (C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기되어 스캐닝되는 동안, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부 (C) 상에 투영된다(즉, 단일 동적 노광). 마스크 테이블(MT)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수도 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광 시의 타겟부의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의)을 한정하는 한편, 스캐닝 모션의 길이는 타겟부의 높이(스캐닝 방향에서의)를 결정한다.

3. 다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 홀딩하면서 마스크 테이블(MT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 영역 (C) 상에 투영되는 동안에 이동되거나 스캐닝된다. 이러한 모드에서, 일반적으로 펄스화된(pulsed) 방사선 소스가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 요구될 때, 기판 테이블(WT)의 각 이동 이후에 또는 스캔 도중의 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 업데이트된다. 동작의 이러한 모드는 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 미러 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.

도 2 에 도시된 것처럼, 리소그래피 장치(LA)는 리소셀 또는 클러스터라고도 지칭되는 리소그래피 셀(LC)의 일부를 형성하고, 이는 또한 기판 상에서 노광 전 그리고 노광 후 프로세스를 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는 레지스트층을 침착시키기 위한 스핀 코터(spin coater; SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상기(DE), 칠 플레이트(chill plate; CH), 및 베이크 플레이트(bake plate; BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay; LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.

리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해서는, 노광된 기판을 검사하여 후속층들 사이의 오버레이 에러, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 리소셀(LC)이 그 안에 위치되는 제조 설비는, 리소셀 내에서 처리된 기판 (W)의 일부 또는 전부를 수납하는 계측 시스템(MET)을 더 포함한다. 계측 결과는 감독 제어 시스템(SCS)으로 직접적으로 또는 간접적으로 제공된다. 오차가 검출되는 경우, 특히 동일 배치(batch)의 다른 기판이 여전히 노광되기에 충분한 정도로 검사가 곧바로 신속하게 행해질 수 있으면, 후속 기판의 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 스트리핑되고 재작업(rework) 되며 - 수율을 개선하기 위하여 - 또는 폐기되어, 이를 통하여 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 다른 처리를 수행하는 것을 회피할 수도 있다. 기판의 일부 타겟 영역에만 오류가 있는 경우, 양호한 것으로 간주되는 타겟 영역에만 추가의 노광이 수행될 수 있다.

계측 시스템(MET) 내에서, 기판의 특성, 및 구체적으로 상이한 기판의 특성 또는 동일 기판의 상이한 층의 특성이 층에 따라 어떻게 변화하는지를 결정하기 위해 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 가장 신속한 측정을 할 수 있기 위해서는, 검사 장치가 노광 직후에 노광된 레지스트 층에서 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)이 매우 낮은 콘트라스트를 가지며 - 이 경우 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 방사선에 노광되지 않은 부분 간에 단지 매우 작은 굴절률차가 있음 - 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 따라서, 통상적으로 노광된 기판에 대해 수행되는 첫 번째 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시키는 단계인, 노광 후 베이크 단계(post-exposure bake step, PEB) 후에 측정이 이루어질 수 있다. 이 스테이지에서, 레지스트 내의 이미지는 반잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 또한, 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행하는 것도 가능하며, 그 시점에서 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중의 하나가 제거된다. 후자의 가능성은 오류가 있는 기판의 재작업에 대한 가능성은 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.

도 3 은 도 1 의 듀얼 스테이지 장치 내에서 기판 (W) 상의 타겟 부분(예를 들어 다이)을 노광하는 단계를 예시한다.

점선 박스 내의 좌측이 측정 스테이션(MEA)에서 수행되는 단계들인 반면에, 우측은 노광 스테이션(EXP)에서 수행되는 단계들이다. 가끔, 전술된 바와 같이, 기판 테이블(WTa, WTb) 중 하나는 노광 스테이션에 있는 반면에, 다른 기판은 측정 스테이션에 있다. 이것을 설명하기 위해서, 기판 (W)이 이미 노광 스테이션 내에 로딩되었다고 가정한다. 단계 300 에서, 새로운 기판(W')이 도시되지 않은 메커니즘에 의해 장치로 로딩된다. 이러한 두 개의 기판(W, W')은 리소그래피 장치의 쓰루풋을 증가시키기 위해서 병렬적으로 처리된다.

우선 새롭게-로드된 기판(W')을 참조하면, 이것은 장치 내에서 일차 노광을 위해 새로운 포토레지스트로 준비된, 이전에 처리되지 않은 기판일 수 있다. 그러나, 일반적으로는 설명된 리소그래피 프로세스는 일련의 노광 및 처리 단계 중 하나에 지나지 않을 것이므로, 기판(W')은 이러한 장치 및/또는 다른 리소그래피 장치를 이미 여러 차례 거쳤고, 거쳐야 할 후속 프로세스가 더 있을 수도 있다. 특히 오버레이 성능을 개선하는 문제에 대해서 살펴보면, 과제는 새로운 패턴이 패터닝 및 처리의 하나 이상의 사이클에 이미 노출되었던 기판 상의 정확하게 맞는 위치에 적용되도록 보장하는 것이다. 이러한 처리 단계의 결과, 만족스러운 오버레이 성능을 얻으려면 반드시 측정되고 정정돼야 하는 왜곡이 기판 내에 점진적으로 도입된다.

선행 및/또는 후속 패터닝 단계는 전술된 것처럼 다른 리소그래피 장치에서 수행될 수 있고, 심지어 상이한 타입의 리소그래피 장치에서 수행될 수도 있다. 예를 들어, 분해능 및 오버레이와 같은 파라미터가 매우 중요한 일부 층들은 디바이스 제작 프로세스 중에 덜 중요한 다른 층들 보다 더 진보된 리소그래피 툴에서 처리될 수 있다. 그러므로 일부 층들이 액침 타입 리소그래피 툴에서 노광될 수 있는 반면에 다른 층들은 '건식' 툴에서 노광된다. 일부 층들은 DUV 파장에서 동작하는 툴 안에서 노광될 수 있는 반면에, 다른 층들은 EUV 파장 방사선을 사용하여 노광된다.

302 에서, 기판 테이블(WTa/WTb)에 상대적인 기판의 정렬을 측정하고 기록하기 위해서 기판 마크(P1) 등과 이미지 센서(미도시)를 사용한 정렬 측정이 사용된다. 추가하여, 여러 정렬 마크가 정렬 센서(AS)를 사용하여 기판(W') 전체에 걸쳐 측정될 것이다. 일 실시예에서, 이러한 측정이 "웨이퍼 그리드"를 구축하도록 사용되는데, 이것은 공칭 직사각형 그리드에 상대적인 임의의 왜곡을 포함하여, 기판 전체에 걸쳐 마크의 분포를 매우 정확하게 매핑한다.

단계 304 에서, X-Y 위치에 대한 웨이퍼 높이 (Z)의 맵이 역시 레벨 센서(LS)를 사용하여 측정된다. 통상적으로, 높이 맵은 노광된 패턴의 정확한 포커싱을 얻기 위해서만 사용된다. 더 상세히 후술되는 바와 같이, 본 발명의 장치는 높이 맵 데이터를 정렬 측정을 보조하기 위해서도 사용한다.

기판(W')이 로딩될 때, 수행될 노광 및, 웨이퍼의 특성, 및 웨이퍼 위에 이미 형성되었거나 형성될 패턴을 규정하는 레시피 데이터(306)가 수신되었다. 302 및 304 에서 수행된 웨이퍼 위치, 웨이퍼 그리드 및 높이 맵의 측정치가 이러한 레시피 데이터에 추가되어, 레시피 및 측정 데이터의 완전한 세트(308)가 노광 스테이션(EXP)으로 전달될 수 있게 한다. 정렬 데이터의 측정은, 예를 들어 리소그래피 프로세스의 결과물인 제품 패턴에 대해서 고정되거나 공칭적으로 고정된 관련성으로 형성되는 정렬 타겟의 X 및 Y 위치를 포함한다. 노광 직전에 얻어진 이러한 정렬 데이터는 결합되고 보간되어 정정 모델의 파라미터를 제공한다. 이러한 파라미터 및 정정 모델이 현재의 리소그래피 단계에서 적용되는 패턴의 위치를 정정하기 위해서 노광 동작 중에 사용될 것이다. 종래의 정정 모델은, '이상적인' 그리드의 병진, 회전 및 크기조정을 상이한 차원에서 함께 규정하는 네 개, 다섯 개, 또는 여섯 개의 파라미터를 포함할 수 있다. US 2013230797A1 에서 더 자세히 설명되는 바와 같이, 더 많은 파라미터를 사용하는 진보된 모델도 알려져 있다.

310 에서, 웨이퍼(W') 및 웨이퍼 (W)가 교환되어, 측정된 기판(W')이 노광 스테이션(EXP)에 들어가면서 기판 (W)이 되게 한다. 도 1 의 예시적인 장치에서, 이러한 교환은 장치 내의 서포트(WTa 및 WTb)를 교환함으로써 수행되어, 기판(W, W')이 그러한 서포트들 상에 정확하게 클램핑되고 포지셔닝되어 기판 테이블과 기판 자체 사이의 상대적인 정렬을 유지하게 한다. 이에 상응하여, 테이블이 교환되면, 노광 단계를 제어할 때 기판 (W)(앞서서는 W' 였음)에 대한 측정 정보(302, 304)를 이용하려면, 투영 시스템(PS) 및 기판 테이블(WTb)(앞서서는 WTa 였음) 사이의 상대적인 위치를 결정하기만 하면 된다. 단계 312 에서, 마스크 정렬 마크(M1, M2)를 사용하여 레티클 정렬이 수행된다. 단계 314, 316, 318 에서, 여러 패턴들을 완전히 노광하기 위하여, 스캐닝 모션과 방사선 펄스가 기판 (W) 전체에 걸친 연속적인 타겟 위치에 적용된다.

측정 스테이션에서 얻어진 것과 같은 정렬 데이터 및 높이 맵을 사용함으로써, 노광 단계를 수행할 때, 이러한 패턴들은 원하는 위치와 특히 동일한 기판 상에 앞서서 배치된 피쳐에 대해서 정확하게 정렬된다. 이제 W"이라고 명명되는 노광된 기판이 단계 320 에서 장치로부터 언로딩되어, 노광된 패턴에 따른 에칭 또는 다른 프로세스를 거치게 된다.

진보된 정정 모델이 사용되는 경우에도, 리소그래피 장치의 오버레이 성능에는 필수적으로 오차가 계속 존재한다. 각 리소그래피 장치는 동일한 기판을 처리하는 다른 장치들과 다르게 작동될 수도 있다. 리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해서는, 노광된 기판을 검사하여 후속층들 사이의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 성능 파라미터들을 측정하는 것이 바람직할 수 있다.

그러므로, 기판의 특성을 정렬 센서(AS)로부터 독립적으로 결정하고, 특히 상이한 기판의 특성 또는 동일 기판의 상이한 층의 특성이 층에 따라 어떻게 변화하는지를 결정하기 위해 검사 장치가 사용된다. 검사 장치(도 2 에는 미도시)는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 이것은 산란계, 예를 들어 공개된 미국 특허 출원 US2006033921A1에 설명된, 각도-분해된 산란계일 수 있다.

또한, 검사 장치는 개개의 리소그래피 장치를 캘리브레이션하고 상이한 툴들이 더 쉽게 상호교환가능하도록 사용되게 하기 위해 개선된 프로세스 제어(APC) 시스템에서 사용될 수 있다. 장치의 초점 및 오버레이(층과 층의 정렬) 균일성에 대한 개선은, 안정성 모듈을 구현함으로써 최근에 달성되어 왔는데, 이것은 주어진 피쳐 크기 및 칩 애플리케이션을 위한 최적화된 프로세스 윈도우(process window)를 유도하여 더 소형이고 더 진보된 칩의 생성의 연속을 가능하게 한다. 일 실시예에서, 안정성 모듈은 일정한 간격마다, 예를 들어 매일 미리 규정된 베이스라인에 맞게 시스템을 자동적으로 재설정한다. 안정성 모듈을 포함하는 리소그래피 및 계측 방법의 추가적인 세부 내용은 US2012008127A1 에서 발견될 수 있다. 알려진 예는 3 개의 메인 프로세스 제어 루프를 구현한다. 제 1 루프는 안정성 모듈을 사용하는 리소그래피 장치의 로컬 제어를 제공하고, 웨이퍼를 모니터링한다. 제 2 의 APC 루프는 제품-상 로컬 스캐너 제어(초점, 도즈, 및 제품 웨이퍼 상의 오버레이를 결정하는 것)를 위한 것이다.

제 3 제어 루프는 제 2 APC 루프로의 계측 통합(metrology integration)을 허용하기 위한 것이다(예컨대, 더블 패터닝을 위해). 이러한 루프들 모두는, 도 3 의 실제 패터닝 동작 중에 이루어지는 측정에 추가하여, 검사 장치에 의해 이루어지는 측정을 사용한다.

전술된 바와 같이, 본 명세서에서 개시된 진단 방법 및 장치는 각각의 제품 유닛에 걸쳐 공간적으로 분산된 포인트들로부터 측정된 데이터인 오브젝트 데이터를 채택한다. 제품 유닛이 반도체 기판(웨이퍼)인 리소그래피 생산 설비의 예에서, 광범위한 오브젝트 데이터의 특히 흥미로운 소스는 각각의 웨이퍼 및 그 위에 사전 증착된 패턴을 특징짓기 위해 리소그래피 장치에서 수행되는 측정들의 세트이다. 이러한 측정은, 이미 존재하는 피쳐에 대해 적용되는 패턴의 포지셔닝을 정확하게 제어하기 위해서 새로운 패터닝 단계에서 사용되는 정정 모델에 대한 파라미터를 얻기 위해서 사용된다.

표준 필드내 및 필드간 정정 모델은 6 개의 파라미터(방향(X 및 Y) 마다 실제로 세 개씩)를 가지고, 또한 더 많은 진보된 정정 모델들이 존재한다. 반면에, 원하는 오버레이 성능을 얻기 위해서 현재 사용되거나 개발중인 가장 많이 사용되는 프로세스는 더 상세한 정정을 요구한다. 표준 모델이 10 개 미만의 파라미터를 사용할 수 있는 반면에, 개선된 정정 모델은 통상적으로 15 개 또는 20 개가 넘는 파라미터를 사용한다.

도 4 및 도 5 는 웨이퍼(기판)(W) 상의 이전의 층에 있는 정렬 마크(타겟)(400) 상의, 정렬 센서(AL)에 의해 측정되는 바와 같은 웨이퍼 그리드 왜곡을 정정하기 위해 사용될 수 있는 정정 정보의 형태를 예시한다. 각각의 타겟은 축들(X 및 Y)이 있는 규칙적인 직사각형 그리드(402)에 대해 일반적으로 규정되는 공칭 위치를 가진다. 각각의 타겟의 실제 위치(404)의 측정은 공칭 그리드로부터의 편차를 드러내게 된다. 정렬 마크는 기판의 디바이스 영역 내에 제공될 수도 있다, 및/또는 디바이스 영역들 사이의 소위 "스크라이브 레인" 영역 내에 제공될 수도 있다.

도 5 에 도시된 바와 같이, 모든 타겟의 측정된 위치(404)는 수치적으로 처리되어 이러한 특정 웨이퍼에 대한 웨이퍼 그리드의 모델을 설정할 수 있다. 이러한 정정 모델은 기판에 적용되는 패턴의 위치를 제어하기 위해 패터닝 동작 시에 사용된다. 도 5 의 (a)는 모든 타겟의 측정된 위치(404)를 보여준다. 강조된 지역(408)도 역시 도시된다. 도 5 의 (b)는 6 개의 파라미터가 있는 표준 정정 모델이 웨이퍼 그리드를 모델링하기 위해 사용되는 일 예를 보여준다. 모델링된 웨이퍼 그리드(406)의 파라미터는 모델링된 웨이퍼 그리드를 참조하도록 도시된 측정된 타겟(404)에 맞춤하도록 변경된다. 표준 정정 모델이 6 개의 파라미터만 가지기 때문에, 모델링된 웨이퍼 그리드를 웨이퍼 (W) 상의 타겟의 모든 측정된 위치로 완벽하게 맞춤시키는 것은 가능하지 않다. 도 5 의 (b)에서 알 수 있는 바와 같이, 모델링된 웨이퍼 그리드(406)는 하이라이트된 영역(408)의 지역 내에서는 측정된 타겟에 가깝게 맞는다. 그러나, 하이라이트된 영역 밖에서는, 모델링된 웨이퍼 그리드는 측정된 그리드로부터 벗어난다. 다른 말로는, 모델링된 웨이퍼 그리드(406)는 하이라이트된 영역(408)에 대해 최적화되어, 이러한 영역 내의 편차가 작을 것을 보장한다. 따라서, 모델링된 웨이퍼 그리드는 보통, 오버레이 오차가 작을 것을 요구하는 임계 컴포넌트 또는 제품이 있는 영역에 대하여 최적화된다. 더 적은 임계의 제품 또는 컴포넌트는 하이라이트된 영역 밖에 배치될 수 있다. 물론 주어진 예에서의 강조된 영역의 위치는 오직 예에 지나지 않으며, 모델링된 웨이퍼 그리드는 웨이퍼 상의 임의의 적합한 위치에 대해 최적화될 수 있다는 것에 주목하여야 한다. 물론, 특정 프로세스에 대해서, 특정 영역 형상은 가능하지 않다. 이러한 경우에, 기판의 디자인 레이아웃은, 임계 컴포넌트를 특정 형상을 가진 영역 내에 위치시키는 것이 더 용이해지도록 조절될 수 있다.

도 5 의 (c)는 도 5 의 (a)에 유사한 방식이지만 하이라이트된 영역이 없는, 모든 타겟의 측정된 위치(404)를 보여준다. 도 5 의 (d)에 예시된 예시적인 모델링된 웨이퍼 그리드(410)에서, 공칭 그리드의 직선들은 곡선이 되었으며, 이것은 더 높은 차수의 (진보된) 정정 모델을 사용하는 것을 표시한다. 더 높은 차수 정정 모델을 사용하면 모델링된 웨이퍼 그리드가 표준 정정 모델보다 측정된 그리드에 더 근접하게 매칭되게 된다. 그러나, 이러한 경우에도 잔차 편차(미도시)가 실무상 남아있게 될 것이다. 더 높은 차수의 모델이 사용되는 경우에도, 특정한 영역을 임계 영역이라고 규정하고, 그러한 영역 내에서의 편차를 최소화하기 위해서 모델을 최적화하는 범위(scope)가 여전히 존재할 수 있다. 더 진보된 정정 모델이 더 많은 파라미터를 요구하기 때문에, 웨이퍼 상에 더 많은 측정을 수행할 필요가 있으며, 따라서 이러한 측정을 수행하기 위해서 더 많은 시간이 필요하다. 그러면 제조 환경에서 웨이퍼의 쓰루풋이 감소되고, 이것은 바람직하지 않다.

도시된 왜곡이 실제 상황과 비교하여 과장되게 표현되었다는 것은 말할 나위도 없다. 정렬은, 각각의 노출된 웨이퍼에 있는 편차(왜곡)를 정정할 수 있는 정정 메커니즘이기 때문에 리소그래피 프로세스의 고유한 부분이다.

각각의 기판에 대한 오버레이의 특정한 컴포넌트는 성질 상 완전히 무작위적일 것이다. 그러나, 다른 컴포넌트는 그 이유가 알려지는지와 무관하게 성질상 체계적일 것이다. 유사한 기판들이 오버레이 오차의 유사한 패턴에 노출된다면, 오차의 패턴은 리소그래피 프로세스의 "지문"이라고 불릴 수 있다. 오버레이 오차는 광의로는 두 개의 개별 그룹으로 범주화될 수 있다:

1) 전체 기판, 웨이퍼에 걸쳐 변동하는 기여분이 당업계에서 필드간 지문(inter-field fingerprint)라고 알려진다.

2) 기판 또는 웨이퍼의 각각의 타겟 부분(필드)에 걸쳐 유사하게 변동하는 기여분은 당업계에서 필드내 지문(intra-field fingerprint)이라고 알려진다.

진보된 정정 모델은 필드간 지문 및 필드내 지문 양자 모두를 정정하기 위하여 적용될 수 있다. 각각의 지문은 상이한 원인에 기인한 컴포넌트들을 가질 수 있으며, 예를 들어 스캐너는 자신에게 고유한 지문을 가질 수 있고, 또는 에칭 프로세스가 특정 지문을 가질 수 있다. 필드간 지문 및 필드내 지문의 이러한 모든 컴포넌트들이 결합되어 주어진 기판 상에 실제로 존재하는 오차가 된다.

그러나, 진보된 정정 모델이, 예를 들어 20 내지 30 개의 파라미터를 포함할 수 있는 반면에, 현재 사용 중인 스캐너는 이러한 파라미터 중 하나 이상에 대응하는 액츄에이터를 가지지 않을 수 있다. 그러므로, 모델의 파라미터들의 전체 세트의 서브세트만이 임의의 주어진 시간에 사용될 수 있다. 추가하여, 진보된 모델이 많은 측정을 요구하기 때문에, 필요한 측정을 수행하기 위해 필요한 시간이 쓰루풋을 감소시키므로 이러한 모델을 모든 상황에 사용하는 것은 바람직하지 않다.

오버레이 오차 소스 및 감소

오버레이 오차에 대한 주된 기여자(contributor) 중 일부는 다음을 포함하지만 이들로 제한되지는 않는다:

스캐너-특유 오차: 이들은 기판의 노광 중에 사용되는 스캐너의 다양한 서브시스템으로부터 발생하며, 실제로 스캐너-특유 지문을 생성한다;

프로세스 유도형 웨이퍼 변형: 기판 상에 수행되는 다양한 프로세스가 기판 또는 웨이퍼를 변형시킬 수 있다;

조명 설정차: 이것은 조명 시스템의 셋팅, 예컨대 애퍼쳐의 형상, 렌즈 액츄에이터 포지셔닝 등에 의해 발생한다;

열효과 - 열에 의해 유도된 효과는 어떤 기판, 특히 다양한 서브-필드가 상이한 타입의 컴포넌트 또는 구조체를 포함하는 기판의 다양한 서브-필드들 사이에서 다를 것이다;

토포그래피 변동: 기판은 토포그래피(높이) 변동을, 특히 웨이퍼의 에지 주위에서 가질 수 있다.

발명자들은 더 고차인 정정 모델을 사용하지 않고서 오버레이 오차를 감소시키는 것이 가능하다는 것을 인식했다. 특정 필드의 전체가 아니라 특정 필드의 하나 이상의 특정한 부분에 정정 모델을 적용시킴으로써, 오버레이 오차가 감소될 수 있다. 이러한 특정 부분은 후속하는 설명에서 서브-필드라고 불릴 것이다(하지만 당업계에서는 예를 들어 서브존(subzone)이라고 불릴 수도 있음).

서브-필드를 모델링하기 위해서, 예를 들어 표준 정정 모델만을 사용할 수 있다. 사실상, 모델의 파라미터는 각각의 스캐닝 동작 내에서 한 번 이상 변경되어, 정정이 해당 필드의 각각의 부분의 지문에 대해 맞춤화되게 한다. 따라서, 오버레이 오차는 더 진보된 정정 모델을 사용하지 않아도 감소될 수 있다. 그러나, 본 발명의 방법에 따른 표준 정정 모델을 사용함으로써, 웨이퍼의 쓰루풋이 부정적으로 영향받지 않게 된다. 도 1 의 장치 내에서 투영 시스템(PS) 및 연관된 포지셔닝 시스템에 의해 형성된 패터닝 장치가 각각의 필드의 상이한 부분에 대한 모델 파라미터를 변경시키도록 제어될 수 있다면, 단지 정렬 및 제어 소프트웨어를 적절히 변경함으로써 새로운 타입의 정정이 구현될 수 있다.

필드의 오버레이 오차를 그 전체로서 모델링하는 대신에 어떤 필드의 개개의 서브-필드의 오버레이 오차를 모델링하는 것이 수행될 수 있고, 또는 이것은 해당 필드를 그 전체로서 모델링하는 것에 추가하여 모델링될 수 있다. 필드 및 그 안의 서브-필드 양자 모두가 모델링되기 때문에 후자가 더 많은 처리 시간이 걸리지만, 특정 서브-필드에만 관련된 오차 소스 및 필드의 전체에 관련된 오차 소스를 정정할 수 있게 한다. 다른 조합, 예컨대 전체 필드 및 특정 서브-필드만을 모델링하는 것도 역시 가능하다.

도 6 을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 오버레이 오차를 정정하기 위한 리소그래피 방법이 도시된다. 이 도면에서 참조 번호는 다음 단계들을 가리키며, 이들 각각은 후속하는 설명에서 좀 더 상세하게 설명될 것이다:

601: 기판 상의 적어도 하나의 필드를 노광함;

602: 해당 필드에서 측정을 수행함;

603: 서브-필드를 결정함;

604: 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하여 서브-필드 정정 정보를 생성함; 및

605: 서브-필드 정정 정보를 사용하여 서브-필드의 노광을 정정함;

비록 위의 단계들이 도 6 과 다음 설명에서 특정한 순서로 표시되고 논의되지만, 이러한 단계들 중 일부는 다른 순서로 수행될 수 있거나 동시에 수행될 수도 있다는 것에 주목하여야 한다.

단계 601 에서, 리소그래피 노광 프로세스는 스캐너를 사용하여 하나 이상의 기판 상에 수행된다. 결과적으로 얻어지는 노광된 기판은 전술된 원인 중 하나 또는 수 개에 기인한 오버레이 오차를 보유할 것이다. 기판은 제품 기판일 수 있고, 또는 생산이 시작되기 전에 제작된 초기 "프로토타입" 기판일 수 있다. 단계 602 에서, 기판(들) 상의 특정 포인트에서 측정이 수행된다. 측정 포인트의 개수와 분포는 임의의 적합한 방식으로 변동될 수 있다. 예를 들어, 측정 포인트는 특정 관심 영역 주위에서 클러스터링되도록 배치될 수 있고, 또는 그리드 패턴으로 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 측정 포인트는 무작위로 분포될 수도 있다. 측정을 하면 필드간 지문 및 필드내 지문 양자 모두가 드러나게 될 것이다. 단계 603 에서, 적어도 하나의 서브-필드가 규정된다. 서브-필드는 이하에서 좀 더 상세하게 논의되는 바와 같이 여러 방법으로 규정될 수 있다. 단계 604 에서, 임의의 오버레이 오차를 정정하기 위해 필요한 임의의 정정을 결정하기 위해서, 획득된 측정 결과가 해당 필드의 각각의 서브-필드에 대해서 처리된다. 이것은, 전술된 바와 같은 정정 모델을 사용하여 수행된다. 단계 605 에서, 다음 기판의 노광 시에, 주어진 서브-필드의 노광은 전체 필드에 대해 모델링된 필드내 지문에 기초한 정정에 추가하여(또는 그 대신에), 해당 서브-필드에 대한 획득된 정정 정보에 기초하여 정정된다. 노광 정보는 일반적으로 도 3 을 참조하여 전술된 레시피 데이터(306) 내에 보유된다. 결과적으로, 스캐너는 알려진 것보다 더 큰 정확도로 제품 기판의 노광을 제어할 수 있게 된다.

개개의 서브-필드는 여러 상이한 방식으로 규정될 수 있다. 예를 들어, 서브-필드는 전체적으로 손수 또는 측정 데이터의 도움을 받아 사용자에 의해 규정될 수 있다. 예를 들어, 사용자는 리소그래피 장치 상의 또는 감독 제어 시스템 상의 또는 적합한 원격 디바이스 상의 사용자 인터페이스를 사용하여 서브-필드를 규정할 수 있다.

도 7 은 동일 크기의 다수의 서브-필드(702)로 분할되는 예시적인 필드(701)를 보여준다. 필드의 이러한 분할은, 예를 들어 해당 필드가 동일 크기와 간격의 여러 제품, 제품 피쳐, 또는 제품 영역을 포함하는 경우에 유용하다. 그러나, 서브-필드들은 크기가 동일하지 않거나 필드에 걸쳐 균일하게 분포되지 않은 개개의 컴포넌트 또는 제품을 포함하도록, 역시 양호하게 규정될 수 있다. 도 7 은 제품이 상이한 제품 영역을 점유하는 여러 상이한 컴포넌트로 형성될 필드(703)를 보여준다. 일 예로서, 기판 상의 각각의 필드는 서브-필드(704) 내의 그래픽 프로세서, 서브-필드들(705) 각각 내의 프로세서 코어, 서브-필드(706) 내의 캐시 및 서브-필드(707) 내의 시스템 메모리 제어기를 가질 수 있다. 각각의 서브-필드는 이러한 컴포넌트들 중 하나를 보유하도록 규정된다. 서브-필드가 각각 하나의 제품을 홀딩하도록 규정함으로써, 제품이 균일하게 분포되거나 크기가 동일하지 않더라도, 오버레이 오차는 각각의 제품에 대해 개별적으로 정정될 수 있다. 그러면, 도 5 를 참조하여 전술된 바와 같이 정정 모델이 제품이 위치되는 서브-필드의 부분에 대해 최적화될 수 있기 때문에, 표준 정정 모델에 의해 생긴 편차가 최소화된다.

방법을 더 최적화하기 위해서, 서브-필드의 정의는 개개의 기판 상의 특정 필드의 위치와 같은 추가적 인자도 고려할 수 있다. 도 8 은 다수의 서브-필드(802)로 분할되는 예시적인 필드(800)를 보여준다. 본 발명의 범위 안에서 가능한 상이한 기법들을 예시하기 위해서 상이한 필드가 사용될 것이다. 제 1 필드(804)에서, 임계 제품 또는 제품 영역을 보유하도록 전술된 바와 같이 서브-필드가 규정되었다. 이러한 서브-필드 밖의 제 1 필드의 일부는 덜 중요한 제품 또는 제품 영역만을 보유하며, 이들은 더 큰 오버레이 영역을 허용한다. 이러한 접근법은 전술된 바와 같은 표준 정정 모델을 사용하고, 어떤 필드의 단일 영역만이 오버레이 오차를 허용하지 않는다면 유리할 것이며, 그 이유는 측정 및 계산 시간이 최소화되기 때문이다.

제 2 필드(806)는 균일하게 이격된 다수의 서브-필드(808)로 분할되는데, 하지만 이들은 도 7 을 참조하여 전술된 바와 같이 규정될 수도 있다. 제 1 필드(804) 내에서의 구현형태 보다 이러한 구현형태가 더 많은 계산을, 그리고 따라서 더 많은 수행 시간을 요구하는 반면에, 이것은 표준 정정 모델만을 사용하는 경우에도 전체 필드에 대한 오버레이 오차를 감소시킨다. 이와 같이, 이러한 접근법은, 어떤 필드가 그 전체로서 오버레이 오차를 허용하지 않거나, 어떤 필드가 각각 오버레이 오차를 허용하지 않을 수 있는 여러 제품 또는 제품 영역을 보유하는 경우에 유리하다.

웨이퍼(800)의 제 3 필드(810)는 웨이퍼의 에지에 위치된다. 이러한 필드는 제 2 필드와 유사한 방식으로 다수의 서브-필드로 분할된다. 그러나, 이러한 필드가 웨이퍼의 에지에 위치되기 때문에, 이것은 여러 완전한 서브-필드(812) 및 여러 불완전한 서브-필드(814)를 보유한다. 웨이퍼의 에지에 근접하기 때문에, 이러한 필드 내의, 그리고 따라서 그 안의 임의의 서브-필드 내의 기판-관련 편차는 웨이퍼의 중심에 더 가까운 편차와는 다르다. 과거에는, 이러한 필드는 더 중앙에 위치한 필드들과의 편차의 변동 때문에 제품을 위해서 사용되지 않았다. 그러나, 생산성을 증가시키기 위해서는, 이러한 공간도 역시 사용하게 되면 유익할 것이다. 제 3 필드를 다수의 서브-필드로 분할하고, 개개의 서브-필드에 기초한 오버레이 오차를 결정함으로써, 웨이퍼 에지에 가까운 서브-필드들 중 적어도 일부를 제품을 위해 활용하는 것이 가능해진다.

도 9 는 도 6 을 참조하여 전술된 특정한 예시적 구현 방법의 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하는 단계를 더 상세하게 예시한다. 이러한 예시적인 구현형태에서, 필드의 서브-필드들은 스캐닝 방향을 가로지르는 행들로서 규정된다. 이 도면에서 참조 번호는 다음 단계들을 가리키며, 이들 각각은 후속하는 설명에서 좀 더 상세하게 설명될 것이다:

901: 필드내 지문을 획득함;

902: 전체 지문 상에 간단한 필드내 모델링을 수행함;

903: 지문의 각각의 행에 간단한 필드내 모델링을 수행함;

904: 액츄에이터의 파라미터를 조절함;

비록 위의 단계들이 도 9 와 다음 설명에서 특정한 순서로 표시되고 논의되지만, 이러한 단계들 중 일부는 다른 순서로 수행될 수 있거나 동시에 수행될 수도 있다는 것에 주목하여야 한다.

단계 901 에서, 기판 상의 특정 필드에 관련된 측정 데이터가 획득된다. 측정 데이터는 통상적으로 여러 데이터 소스로부터의 데이터를 보유하고, 예를 들어(한정하는 것이 아님): 스캐너 자체에 대한 데이터; 앞선 측정 데이터(예를 들어 다른 기판으로부터 획득된 데이터); 또는 시뮬레이션 데이터를 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 다른 데이터 타입은 토포그래피 데이터 또는 레티클 데이터를 포함한다. 단계 902 에서, 선형 필드내 정정 모델이 전체 필드의 지문에 적용된다. 전술된 바와 같이, 선형 정정 모델은 여러 상이한 파라미터를 규정하는 여러 파라미터를 포함할 수 있다. 주어진 예에서, 두 상이한 차원(즉 평면의 x 및 y 방향)에서의 '이상적인' 그리드의 병진, 회전 및 스케일링을 함께 규정하는 6 개의 파라미터를 사용하는 정정 모델이 설명될 것이다. 오버레이 오차를 감소시키기 위하여, 6-파라미터 정정 모델은 단계 903 에서, 단계 902 에 추가하고 그에 후속하여, 필드 지문의 적어도 하나의 서브-필드에 적용될 것이다. 서브가 임의의 유리하거나 적합한 방식으로 규정될 수 있다는 것에 주목하여야 한다. 바람직하게는, 서브-필드는, 오버레이 오차에 특히 민감한 임계 컴포넌트 또는 제품이 형성되는 필드의 부분을 포함하도록 규정될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 서브-필드는 리소그래피 장치의 특정 파라미터 및/또는 액츄에이터가 단계 903 에서 수행되는 정정을 수행하기 위하여 사용될 수 있게 보장하기 위해 규정된다. 위에서 언급된 바와 같이, 주어진 예에서 필드의 서브-필드들은 스캐닝 방향을 가로지르는(즉 y-방향임) 행들로서 규정된다. 단계 903 의 결론으로서, 정정 정보의 세트가 획득되었고, 이것이 기판의 노광을 제어하기 위해서 리소그래피 장치의 액츄에이터 중 하나 이상에 이루어질 조절을 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 단계 904 에서, 액츄에이터에 가해지는 실제 조절은 스캐닝 동작이 필드 상에 수행될 때에 결정된다. 본 발명의 예시적인 구현형태에서, 스캐닝 방향의 조절은 웨이퍼 스테이지에 대한 레티클 스테이지의 상대 속도를 조절함으로써 구현된다. 스캐닝 방향을 가로지르는 조절은, 장치 내의 렌즈 시스템의 하나 이상의 렌즈 액츄에이터를 조절함으로써 구현될 수 있다. 따라서, 언더라잉(underlying) 정정 모델을 복잡하게 만들지 않고서, 상이한 파라미터들이 모델 내에서, 필드의 상이한 부분 내에 적용될 수 있다.

위의 예시적인 구현형태에서, 액츄에이터 조절은 두 개의 특정한 액츄에이터 파라미터를 조절함으로써 구현된다. 사용되는 특정 타입의 장치에 따라서, 특정한 파라미터 조절을 구현하기 위해서 사용되는 액츄에이터의 개수와 타입은 달라질 수 있다.

추가하여, 정정 정보가 얻어지고 필요한 액츄에이터 조절이 결정되었으면, 개개의 액츄에이터의 응답 함수를 고려해야 한다. 측정된 편차를 정정하기 위하여 필요한 대역폭이 관련된 액츄에이터의 대역폭을 초과한다면, 액츄에이터는 오버레이 오차를 (완전히) 감소시킬 수 없을 것이다. 최적의 레시피가 발견될 때까지 조절 및 정정의 하나 이상의 양태를 다시 고려할 수 있다.

도 10 은 본 발명에 따르는 방법의 원리의 개략도를 도시한다. 도 10 의 (a)는 필드의 인공 필드내 지문(1001)을 도시한다. 여러 측정된 위치 편차(1002)가 벡터로 표시된다. 오직 예를 들기 위해서, 필드 지문은 y-방향에서만 위치의 편차를 가진다. 실제로는, 편차는 물론 단일 방향에서의 편차로 한정되지 않는다. 이러한 예에서, 필드의 상부 절반은 y-방향에서 -5nm만큼 편차가 생기고, 필드의 하부 절반은 y-방향에서 5nm만큼 편차가 생긴다. 물론, 실제로는 잔차 편차는 반드시 이렇게 정밀하게 반올림된 숫자는 아닐 것이다.

도 10 의 (b)는 6 개의 파라미터가 있는 표준 필드내 정정 모델이 완전한 서브-필드 지문(1001)에 적용된 경우 얻어지는 결과를 도시한다. 파라미터는 tx, ty, mx, my, rx, ry로 명명되고 각각 x 및 y 방향에서의 병진, 확대 및 회전을 가리킨다. 잔차 편차(1003)의 크기는 5.0nm로부터 2.9nm로 감소된다. 이러한 예에서, 모델은 y-방향에서의 확대를 감소시킴으로써 작동한다. 확대를 ppm(parts per million)으로 나타내면, 이러한 예에서 파라미터 my= -0.4ppm이 정정에 영향을 준다. 모델의 잔여 파라미터는 중립이고, 즉 tx, ty, rx, ry, mx = 0 이다. 따라서, 잔차 편차(1003)는 무정정 편차(1002)에 비해 감소되지만, 제로로 감소되지는 않는다.

도 10 의 (c)는 도 10 의 (a)와 동일한 인공 필드 지문(1001)을 도시한다. 그러나, 이 도면에서의 서브-필드는 각각의 쇄선으로 표시되고 필드의 상부 및 하부 절반을 각각 커버하는 두 개의 서브-필드(1011a 및 1011b)로 분할된다.

도 10 의 (d)는 표준 6-파라미터 필드 정정 모델이 서브-필드(1011a 및 1011b) 각각에 별개로 적용되는 경우에 얻어지는 결과를 보여준다. 서브-필드(1011a)에 대하여, 정정 모델을 측정된 데이터로 맞춤하면 다음 결과: tx, mx, my, rx, ry = 0, 및 ty = 5 nm가 얻어지고, 즉 y-방향에서 5 nm 병진한다. 이와 유사하게, 서브-필드(1011b)에 대해 모델을 맞춤하면 결과: tx, mx, my, rx, ry = 0, 및 ty = -5 nm가 얻어지고, 즉 y-방향에서 -5 nm 병진한다. 도 10 의 (d)에 도시된 바와 같이, 서브-필드들 양자 모두에 대한 잔차 편차는 감소되는 것이 아니라 완전히 상쇄될 수 있다. 따라서, 필드를 두 개의 서브-필드로 분할함으로써, 6-파라미터 필드 정정 모델보다 더 복잡한 모델을 사용해야 할 필요가 없이, 그리고 어떤 실례에서는 더 복잡한 모델보다 더 양호한 정확도를 가지면서, 오버레이 오차 정정이 전체-필드 6 개의-파라미터 정정 모델보다 개선된다.

도 11 을 참조하면, 도 7 의 처리 방법의 예시적인 실시예가 논의될 것이다. 도 11 의 (a)는 예시적인 측정된 필드내 지문(1101)을 보여준다. 구체적으로 설명하면, 이러한 예는 레티클 쓰기 오차를 가지고 있고, 이것은 Y 방향에서 높은 공간 주파수를 가지는 줄무늬-유사 패턴이 된다. 전술된 바와 같이, 각각의 측정된 편차는 벡터(1102)에 의해 예시도에서 표현된다. 이러한 측정된 편차로부터, 종래의 방식으로 6-파라미터 정정 모델을 유도하는 것이 가능하다.

도 11 의 (b)는 도 11 의 (a)에 도시되는 필드 전체에 적용될 경우, 6-파라미터 필드내 정정 모델(1104)로부터의 대응하는 결과를 예시한다. 전술된 바와 같이, 표준 정정 모델을 사용함으로써 잔차 편차가 완전히 제거된 가능성이 없다. 사실상, 이러한 예에서, 대부분의 편차는 무정정 상태로 남는다.

잔차 편차를 더 감소시키기 위하여, 필드는 다수의 서브-필드로 분할되고, 이들 중 하나가 쇄선(1110)으로 강조된다. 서브-필드 각각은 필드의 폭에 걸쳐 y-방향(즉 스캐닝 방향을 가로지르는 방향)으로 연장되는 측정 포인트들의 단일 행으로 규정된다. 물론, 서브-필드는 행, 대각선, 또는 다른 기하학적 형상을 포함하지만 이들로 한정되는 것은 아닌 여러 다른 방법으로 규정될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러나, 어떠한 형상이 적용되는지는 제어 시스템의 성능에 의해서 한정될 수 있다. 모델의 파라미터가 y-방향에서의 스캐닝 동작 중에 변동될 수 있는 일 예에서, 행 또는 줄무늬가 아닌 지역에 대한 모델 파라미터의 셋팅은 후속 노광에 대해 이용가능한 제어 능력의 관점에서는 중요하지 않을 수 있다. 주어진 예에서, 정정 모델의 병진 파라미터(tx, ty)만을 사용하여 각각의 서브-필드에 대해 오버레이 정정 파라미터가 계산된다. 이것은 오직 예를 들기 위한 것이고, 모델의 파라미터들 중 임의의 것을 임의의 특정 조합으로 사용하는 것이 가능하다는 것에 주목하여야 한다.

도 11 의 (c)는 정정 모델을 각각의 개개의 서브-필드에 적용한 결과를 예시한다. 각각의 벡터(1112)는 도 11 의 (a)에 도시되는 필드의 대응하는 서브-필드(즉 행)에 대한 오버레이 정정 파라미터(tx, ty)를 나타낸다.

도 11 의 (c)에 도시되는 서브-필드 각각에 대해 결과적으로 얻어지는 모델 파라미터는 전체-필드 정정 모델(1104)과 함께 사용되어 리소그래피 장치의 대응하는 액츄에이터의 셋팅을 변경한다. 주어진 예에서, 오버레이 정정 파라미터는 병진 컴포넌트만 보유하며, 이것은 리소그래피 장치에서 웨이퍼 스테이지와 레티클 스테이지 사이의 상대 운동을 스캐닝 동작 중에 조절함으로써 구현될 수 있다.

도 12 는 리소그래피 장치의 스테이지들의 결정된 상대 운동을 도 11 의 (c)에 예시된 행에 대한 스캔 위치의 함수로서 보여준다. 제 1 플롯(1201)은 y-방향에서의 잔차 편차를 보상하기 위해 필요한 레티클과 기판 사이의 y-방향(즉 스캐닝 방향)에서의 상대 운동을 나타낸다. 제 2 플롯(1202)은 x-방향에서의 잔차 편차를 보상하기 위해 필요한 레티클과 기판 사이의 x-방향에서의 상대 운동을 나타낸다.

전술된 기능들 중 일부 또는 전부는 적합한 사용자-인터페이스에서 또는 그 도움으로 전체적으로 또는 부분적으로 수행될 수 있다. 사용자 인터페이스는 상이한 타입의 입력을, 장치 내부 또는 외부에 있는 다른 시스템 또는 서브시스템으로부터 수신할 수 있다. 또는, 사용자는 직접적으로 입력을 사용자-인터페이스에 제공할 수 있다.

사용자-인터페이스에서 수행될 수 있는 동작의 일 예는 적어도 하나의 서브-필드를 규정하는 것이다. 서브-의 결정은 애플리케이션에 의존적이고, 제품 솔루션의 일부를 형성한다. 이를 고려하여, 서브-필드 정의는 제품, 제품의 부품, 마스크, 층 또는 심지어 기술의 전체 패밀리 또는 타입에 고유할 수 있다. 이러한 정의는, 예를 들어 데이터베이스로부터 자동적으로 입력될 수 있고, 또는 측정 데이터 또는 장치에 의해 결정되는 다른 데이터에 따라 다를 수 있다.

더 나아가, 사용자는, 예를 들어 현상 프로세스의 일부로서 특정 기판에 고유할 수 있는 파라미터 또는 다른 고려사항을 특정할 수 있다. 고려사항에는 특정한 영역(임계 영역과 같은 영역)에서의 오버레이 오차를 최소화하는 것, 전체 서브-필드 또는 필드에 대한 오버레이 오차를 최소화하는 것이 있지만 이들로 제한되지는 않는다.

결론

본 명세서에서 개시된 방법 및 연관된 검사 장치는 다음 장점 중 하나 이상의 구현한다.

본 발명은 높은 공간 주파수 필드내 정정 능력을 제공하여 더 정확한 정정이 가능하게 한다.

본 발명은 새로운 모델, 예를 들어 큰 그레디언트를 가지는 웨이퍼 에지 효과 모델을 사용할 수 있게 한다.

서브-존을 분리하여 모델링함으로써, 모델 파라미터들 사이의 잠재적인 크로스토크가 회피될 수 있어서, 파라미터의 더 정확한 추정이 가능하다. 그러므로, 본 발명은 근본 원빈 분석을 지원한다.

새로운 개념은 CD 제어에도 적용될 수 있다.

서브-필드 정정은 변동하는 부분에 대한 APC 제어에서 이루어질 수 있고, 정적 부분에 대해 피드 포워드 방식으로 이루어질 수도 있다.

본 명세서에서 산란계와 같이 검사 장치 내의 초점 모니터링 및 제어 장치를 사용하는 것을 특히 참조하였지만, 개시된 장치가 전술된 바와 같은 다른 타입의 기능성 장치에도 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.

비록 본문에서 IC의 제조에서 검사 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 검사 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다.

본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5-20 nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는, 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다.

본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.

비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 장치의 부분들은 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광디스크)의 형태로 구현될 수 있다.

위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (15)

1. 리소그래피 방법으로서,
   a. 기판 상의 다수의 필드를 노광하는 단계;
   b. 필드에 대한 데이터를 획득하는 단계;
   c. 획득된 데이터에 기초하여 상기 필드의 서브-필드를 규정하는 단계;
   d. 서브-필드 정정 정보를 생성하도록, 상기 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하는 단계; 및
   e. 상기 서브-필드 정정 정보를 사용하여 상기 서브-필드의 노광을 정정하는 단계를 포함하는, 리소그래피 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 획득된 데이터는 상기 필드에 대한 지문인, 리소그래피 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 서브-필드는 상기 지문 내의 데이터 포인트의 라인인, 리소그래피 방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 획득된 데이터는 토포그래피, 레이아웃, 구조 또는 시뮬레이션 데이터를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   데이터는 노광과 분리되어 획득되거나 동시에 획득되는, 리소그래피 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 노광하는 단계는 레티클을 사용하는 것을 수반하고,
   상기 방법은 상기 레티클에 대한 데이터를 획득하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 방법은, 전체 필드 정정 정보(complete field correction information)를 생성하도록, 상기 획득된 데이터의 전부 또는 실질적으로 전부를 처리하는 단계, 및 상기 전체 필드 정정 정보를 사용하여 전체 필드의 노광을 정정하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 처리하는 단계는, 상기 데이터에 모델을 적용하는 단계를 포함하고, 상기 정정 정보는 상기 모델로부터의 정정들의 세트를 포함하는, 리소그래피 방법.
9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 방법은,
   각각의 서브-필드에 대한 서브-필드 정정 정보를 생성하도록, 다수의 서브-필드에 관련된 데이터를 처리하는 단계; 및
   각각의 서브-필드에 대한 정정 정보를 사용하여, 그 서브-필드의 노광을 정정하는 단계를 포함하는, 리소그래피 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    다수의 서브-필드의 노광은 동시에 또는 하나씩 정정되는, 리소그래피 방법.
11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하도록 구성되는 리소그래피 장치.
12. 리소그래피 장치가 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하도록 제어하게 구성되는 머신-판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
13. 제 12 항에 있어서,
    컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 서브-필드를 규정할 때에 운영자가 사용하기 위한 사용자 인터페이스를 제공하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 사용자 인터페이스는 상기 필드 중 노광의 성능이 최적화될 하나 이상의 부분을 상기 운영자가 식별하게 하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 사용자 인터페이스는 특정 리소그래피 장치 내의 특정 액츄에이터의 응답에 따라 서브-필드의 선택을 제한하도록 구현되는, 컴퓨터 프로그램 제품.

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