JP6792572B2 - リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 115
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 57
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000547 structure data Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 34
- 239000000047 product Substances 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
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Description
本出願は、2015年3月13日に出願された欧州出願15158935.5号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、リソグラフィプロセスの制御方法に関連する。特に、本発明はフィールドのサブフィールドに関連する処理データによる基板上のオーバレイ誤差を低減する方法に関連する。本発明はさらに、このような方法を実行するよう構成されるリソグラフィ装置および本手法を実行するリソグラフィ装置の制御に用いるコンピュータプログラム製品に関連する。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが実質的に静止状態とされる間、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに一度で投影される(つまり、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Cが露光されることができる。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光にて結像されるターゲット部分Cのサイズを制限する。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが同期してスキャンされる間、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(つまり、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)特性および像反転特性により決定されうる。スキャンモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向の)幅を制限する。一方、スキャン動作の長さは、ターゲット部分の(スキャン方向の)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態を維持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる間、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される。このモードにおいて、一般にパルス放射源が用いられ、基板テーブルWTの移動後またはスキャン中の一連の放射パルスの間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
オーバレイ誤差の主要な寄与のいくつかは、以下を含むが、これに限られない。
スキャナ特有の誤差:これは、基板の露光中に用いるスキャナの様々なサブシステムから生じることがあり、実際にスキャナ特有のフィンガープリントを生じさせる。
プロセス起因のウェハ変形:基板上で実行される様々なプロセスは、基板またはウェハを変形させることがある。
照明設定の差異:アパチャ形状やレンズアクチュエータの位置決めなどの照明システムの設定により生じる。
熱影響:熱に起因する影響は、特に様々なサブフィールドが異なる形式の要素または構造を含む基板において、基板の様々なサブフィールド間で異なるであろう。
レチクル描画誤差:製造時の制約に起因してパターニングデバイスにすでに誤差が存在することがある。
601:基板上の少なくとも一つのフィールドを露光;
602:フィールド上で測定を実行;
603:サブフィールドを決定;
604:サブフィールドに関連するデータを処理してサブフィールド補正情報を生成;
605:サブフィールド補正情報を用いてサブフィールドの露光を補正。
901:フィールド内フィンガープリントを取得;
902:フィンガープリント全体で単純なフィールド内モデルを実行;
903:フィンガープリントの各行で単純なフィールド内を実行;
904:アクチュエータのパラメータを調整。
本書に開示される方法および関連する検査装置は、以下の一以上の利益を可能にする。
Claims (14)
- 多数の露光されたフィールドを備える基板上のフィールドについてのデータであって、フィンガープリント、トポグラフィ、レイアウトおよび構造のデータの少なくとも一つを含むデータを得ることと、
前記得られたデータに基づいて各フィールドに含まれる一以上のサブフィールドを定義することであって、前記基板上の各フィールドの場所に応じて前記一以上のサブフィールドのサイズおよび分布の少なくとも一方が異なることを可能としつつ、製品、製品フィーチャおよび製品領域の少なくとも一つが各サブフィールドに含まれるように前記サブフィールドを定義することと、
前記サブフィールドに関連するフィールドを処理してサブフィールド補正情報を生成することと、
前記サブフィールド補正情報を用いて前記サブフィールドの露光を補正して前記サブフィールド内のオーバレイ、パターン位置またはクリティカルディメンジョン(CD)の誤差を低減することと、を備えることを特徴とするリソグラフィ方法。 - 前記サブフィールドは、全て手動または測定データによる補助のいずれかでユーザにより定義されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ方法。
- 前記得られたデータは、前記フィールドについてのフィンガープリントを含み、
前記サブフィールドは、前記フィンガープリント内の一連のデータ点であることを特徴とする請求項1または2に記載のリソグラフィ方法。 - 前記得られたデータは、測定データおよびシミュレーションのデータの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- データは、露光とは別に、または、露光と同時に得られることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 露光することは、レチクルを用いることを含み、当該方法は、前記レチクルについてのデータを得ることをさらに備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 処理することは、前記データにモデルを適用することを備え、前記サブフィールド補正情報は、前記モデルから提供される一式の補正を備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 多数のサブフィールドに関連するデータを処理して各サブフィールドについてのサブフィールド補正情報を生成することと、
各サブフィールドについての補正情報を用いて各サブフィールドの露光を補正することと、を備えることを特徴する請求項1から7のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。 - 多数のサブフィールドの露光は、同時または順に補正されることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ方法。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法を実行するよう構成されることを特徴とするリソグラフィ装置。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法を実行するリソグラフィ装置を制御するよう構成される機械可読指令の一以上のシーケンスを含むことを特徴とするコンピュータプログラム製品。
- 前記コンピュータプログラムは、一以上のサブフィールドをユーザが定義する際に用いるユーザインターフェースを提供することを特徴とする請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記ユーザインターフェースは、露光性能が最適化されるべき前記フィールドの一以上の部分をユーザが識別できるようにすることを特徴とする請求項12に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記ユーザインターフェースは、特定のリソグラフィ装置内の特定のアクチュエータの応答特性にしたがってサブフィールドの選択肢を制限するよう構成されることを特徴とする請求項12または13に記載のコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15158935 | 2015-03-13 | ||
EP15158935.5 | 2015-03-13 | ||
PCT/EP2015/079282 WO2016146217A1 (en) | 2015-03-13 | 2015-12-10 | Lithographic method and lithographic apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018508049A JP2018508049A (ja) | 2018-03-22 |
JP6792572B2 true JP6792572B2 (ja) | 2020-11-25 |
JP6792572B6 JP6792572B6 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=52648936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017566192A Active JP6792572B6 (ja) | 2015-03-13 | 2015-12-10 | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11156923B2 (ja) |
JP (1) | JP6792572B6 (ja) |
KR (2) | KR102269301B1 (ja) |
TW (1) | TWI635368B (ja) |
WO (1) | WO2016146217A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3358413A1 (en) * | 2017-02-02 | 2018-08-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
EP3382606A1 (en) | 2017-03-27 | 2018-10-03 | ASML Netherlands B.V. | Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units |
EP3396457A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method |
KR102326191B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2021-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 디바이스 제조 프로세스 |
JP7038737B2 (ja) | 2017-06-08 | 2022-03-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
EP3495889A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses |
EP3547029A1 (en) * | 2018-03-29 | 2019-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Control method for a scanning exposure apparatus |
WO2019185230A1 (en) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Control method for a scanning exposure apparatus |
EP3640735A1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-04-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for inspection of a structure and associated apparatuses |
EP3734366A1 (en) | 2019-05-03 | 2020-11-04 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
CN113678063A (zh) * | 2019-04-04 | 2021-11-19 | Asml荷兰有限公司 | 光刻工艺的子场控制和相关设备 |
EP4235306A3 (en) | 2019-05-22 | 2023-09-20 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus |
US20220244649A1 (en) * | 2019-07-04 | 2022-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
EP3767391A1 (en) | 2019-07-17 | 2021-01-20 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
US20220291590A1 (en) | 2019-08-13 | 2022-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Modeling method for computational fingerprints |
JP7431319B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2024-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィプロセスのサブフィールド制御及び関連する装置 |
EP3792693A1 (en) | 2019-09-16 | 2021-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
US20230084130A1 (en) * | 2020-02-12 | 2023-03-16 | Asml Netherlands B.V. | Methods of tuning a model for a lithographic process and associated apparatuses |
JP7309639B2 (ja) | 2020-03-13 | 2023-07-18 | キオクシア株式会社 | 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753948B2 (en) | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3448614B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | 投影露光方法、走査型投影露光装置、及び素子製造方法 |
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NL2006002A (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
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US9177219B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
NL2009345A (en) | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
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-
2015
- 2015-12-10 WO PCT/EP2015/079282 patent/WO2016146217A1/en active Application Filing
- 2015-12-10 JP JP2017566192A patent/JP6792572B6/ja active Active
- 2015-12-10 US US15/557,802 patent/US11156923B2/en active Active
- 2015-12-10 KR KR1020197032407A patent/KR102269301B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-10 KR KR1020177026655A patent/KR20170120153A/ko active Application Filing
-
2016
- 2016-01-07 TW TW105100415A patent/TWI635368B/zh active
-
2021
- 2021-09-23 US US17/482,630 patent/US11493851B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI635368B (zh) | 2018-09-11 |
JP6792572B6 (ja) | 2020-12-23 |
US11493851B2 (en) | 2022-11-08 |
JP2018508049A (ja) | 2018-03-22 |
US20180292761A1 (en) | 2018-10-11 |
US20220011681A1 (en) | 2022-01-13 |
TW201633008A (zh) | 2016-09-16 |
KR20190125550A (ko) | 2019-11-06 |
WO2016146217A1 (en) | 2016-09-22 |
KR102269301B1 (ko) | 2021-06-25 |
KR20170120153A (ko) | 2017-10-30 |
US11156923B2 (en) | 2021-10-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191118 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20191118 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20191126 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20191203 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20200131 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20200204 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200512 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
C302 | Record of communication |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C302 Effective date: 20200923 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20200929 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20201104 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20201104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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