TWI427434B

TWI427434B - 用以控制一微影裝置之方法、裝置及電腦程式產品

Info

Publication number: TWI427434B
Application number: TW100104475A
Authority: TW
Inventors: Boris Menchtchikov; Alexander Padiy
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2010-02-19
Filing date: 2011-02-10
Publication date: 2014-02-21
Also published as: IL210774A0; IL210774A; JP2011171732A; EP2392970A3; CN102163001B; US20110205510A1; TW201142534A; US9310698B2; KR101208462B1; JP5178855B2; CN102163001A; EP2392970A2; SG173957A1; KR20110095833A

Description

用以控制一微影裝置之方法、裝置及電腦程式產品

本發明係關於在可用於(例如)藉由微影技術之器件製造中的微影程序中控制微影裝置以校正誤差(諸如疊對)。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。

為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或經圖案化基板上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在微影程序中所形成之顯微鏡結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡及各種專門工具之使用。一種快速且非侵入形式之專門檢測工具為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。藉由比較光束在其已藉由基板反射或散射之前與之後的屬性，可判定基板之屬性。此判定可(例如)藉由比較反射光束與儲存於相關聯於已知基板屬性之已知量測庫中的資料而進行。吾人已知兩種主要類型之散射計。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上，且量測經散射成特定窄角範圍之輻射的光譜(作為波長之函數的強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。

通常，橫越曝光場及橫越晶圓基板量測基板之屬性，諸如晶圓上之疊對誤差。不在每一個量測點處控制疊對誤差。相反地，使用參數化以特性化橫越場及晶圓之疊對。

此參數化描述作為晶圓及場位置之函數的疊對誤差。此參數化可為簡單的(諸如10參數模型)或較複雜的(諸如高階多項式之基集(basis set))。在使用此參數化的情況下，可計算為了驅使橫越晶圓(場)之疊對誤差為零而應在微影裝置處應用之校正。

當前，離線參數化模型以通用方式考慮疊對誤差。此情形可藉由在微影裝置處應用非最佳校正而導致無效維護。此維護之不準確度導致對執行微影裝置之較頻繁線上重校準的需要，或導致針對校準之場位置及大小的特定校正，該等校正對於其他場位置及大小並不通用(校準相對於生產佈局)。

因此，需要一種改良式離線參數化模型化之有效系統及方法。

在本發明之一實施例中，提供一種控制一微影裝置之方法，該方法包含：量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測；及自該等基板屬性量測分離地判定該微影裝置之各種經估計模型參數子集。此外，每一子集係與起因於該微影裝置之一對應特定子系統的該基板屬性之誤差相關。另外，該微影裝置之控制包括控制該微影裝置之一特定子系統，該控制該微影裝置之一特定子系統係使用該受控特定子系統之對應經估計模型參數子集而進行。

在本發明之另一實施例中，提供一種用於控制藉由用以對一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理的裝置，其中該裝置包括：一檢測裝置，該檢測裝置用於量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測；及一處理器，該處理器用以自該等基板屬性量測分離地判定該微影裝置之各種經估計模型參數子集。此外，每一子集係與起因於該微影裝置之一對應特定子系統的該基板屬性之誤差相關。另外，該微影裝置之控制包括控制該微影裝置之一特定子系統，該控制該微影裝置之一特定子系統係使用該受控特定子系統之對應經估計模型參數子集而進行。

在本發明之一另外實施例中，提供一種電腦程式產品，該電腦程式產品含有用於控制藉由用以對一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理之機器可讀指令的一或多個序列，其中該等指令經調適以使一或多個處理器接收起因於該微影程序之基板屬性量測，且自該等基板屬性量測分離地判定該微影裝置之各種經估計模型參數子集。此外，每一子集係與起因於該微影裝置之一對應特定子系統的該基板屬性之誤差相關。另外，該微影裝置之控制包括控制該微影裝置之一特定子系統，該控制該微影裝置之一特定子系統係使用該受控特定子系統之對應經估計模型參數子集而進行。

下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。

根據上文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。另外，併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理，且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。

本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由此處所附加之申請專利範圍界定。

所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。

可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可藉由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。

然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可實施本發明之實施例的實例環境。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

在此實施例中，例如，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台及(例如)兩個或兩個以上光罩台的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(例如，粗略定位)及短衝程模組(例如，精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

如圖2所示，根據本發明之一實施例，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載盤LB。通常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身係藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。

為了正確地且一致地曝光藉由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可(例如)對後續基板之曝光進行調整，尤其係在檢測可足夠迅速且快速地進行以使得同一分批之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重做以改良良率或可能被捨棄，藉此避免對已知為有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷的情況下，可僅對被認為非有缺陷之該等目標部分執行另外曝光。

使用檢測裝置來判定基板之屬性，且特別係判定不同基板或同一基板之不同層的屬性如何在層與層之間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為單獨器件。為了實現最快速之量測，需要使檢測裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度，此在於：在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小的折射率差，且並非所有檢測裝置均具有足夠敏感性來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且其增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛伏的(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測，此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除，或在圖案轉印步驟(諸如蝕刻)之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重做有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。

根據本發明之一實施例，圖3描繪可用於本發明中之散射計。該散射計包含寬頻帶(例如，白光)輻射投影儀2，其將輻射投影至基板W上。反射輻射傳遞至光譜儀偵測器4，其量測鏡面反射輻射之光譜10(例如，作為波長之函數的強度)。自此資料，可藉由處理單元PU來重建構引起經偵測光譜之結構或剖面，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸，或藉由與圖3之底部處所展示之模擬光譜庫比較。一般而言，對於重建構，結構之通用形式係已知的，且根據對製造該結構所採用之程序的認識來假定一些參數，從而僅留下該結構之少許參數以自散射量測資料加以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。

根據本發明之一實施例，圖4展示可用於本發明之另一散射計。在此器件中，藉由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12加以準直，且透射通過干涉濾光器13及偏光器17、藉由部分反射表面16反射且經由顯微鏡接物鏡15而聚焦至基板W上，顯微鏡接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，例如，較佳地為至少約0.9且更佳地為至少約0.95。浸沒散射計可甚至具有數值孔徑超過1之透鏡。反射輻射接著通過部分反射表面16而透射至偵測器18中，以便偵測散射光譜。該偵測器可位於處於透鏡系統15之焦距的背部投影式光瞳平面11中，然而，該光瞳平面可代替地藉由輔助光學器件(圖中未繪示)而再成像至該偵測器上。光瞳平面為輻射之徑向位置界定入射角且角位界定輻射之方位角所在的平面。在一實例中，偵測器為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。

舉例而言，通常使用參考光束來量測入射輻射之強度。為此，當輻射光束入射於光束分裂器16上時，將該輻射光束之部分透射通過該光束分裂器以作為朝向參考鏡面14之參考光束。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上，或者，投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。

干涉濾光器13之集合可用以選擇在(例如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵以代替干涉濾光器。

偵測器18可量測散射光在單一波長(或窄波長範圍)下之強度、單獨地在多個波長下之強度，或在一波長範圍內所積分之強度。此外，偵測器可單獨地量測橫向磁偏光及橫向電偏光之強度，及/或橫向磁偏光與橫向電偏光之間的相位差。

使用寬頻帶光源(亦即，具有寬光頻率或波長範圍(且因此具有寬顏色範圍)之光源)係可能的，其給出大光展量(etendue)，從而允許多個波長之混合。寬頻帶中之複數個波長較佳地各自具有為Δλ之頻寬及為至少2 Δλ(亦即，為該頻寬之兩倍)之間隔。複數個輻射「源」可為已使用光纖束加以分裂的延伸型輻射源之不同部分。以此方式，可在多個波長下並行地量測角解析散射光譜。可量測3-D光譜(例如，波長及兩個不同角度)，其含有多於2-D光譜之資訊的資訊。此情形允許量測更多資訊，其增加度量衡程序穩固性。此情形被更詳細地描述於全文以引用之方式併入本文中的歐洲專利第1,628,164A號中。

基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，條狀物(bar)係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑柱狀物或導孔形成。或者，條狀物、柱狀物或導孔可經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別係投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，使用經印刷光柵之散射量測資料來重建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測程序之認識，可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如柱狀物或導孔寬度或長度或形狀)輸入至藉由處理單元PU執行之重建構程序。

根據本發明之一實施例，圖5示意性地展示圖1之裝置之一實施例的配置，其中該裝置為具有雙基板支撐件以及分離度量衡站及曝光站之類型。

基座框架FB在地面上支撐及環繞裝置。在裝置內，且充當準確位置參考，度量衡框架FM被支撐於空氣軸承402上，空氣軸承402使度量衡框架FM隔離於環境中之振動。投影系統PS安裝於此框架上，投影系統PS自然地形成曝光站EXP之核心，且器具404、406、408亦安裝於此框架上，器具404、406、408為度量衡站MET之功能元件。在此等站上方，光罩台MT及光罩MA安裝於投影系統PS上方。第一定位器PM包含長行距(例如，粗略)致動器410及短行距(例如，精細)致動器412及414。此等致動器藉由主動回饋控制而操作以獲得光罩MA相對於投影系統PS之所要位置，且因此獲得光罩MA相對於度量衡框架FM之所要位置。以416示意性地指示此量測。用於光罩MA之整個定位機構係經由主動空氣軸承418等等而在B處被支撐於基座框架上。提供平衡塊狀物(balance mass)420以模仿光罩台MT之至少粗略移動及定位，以減少傳輸至框架及其他組件中之振動。低頻伺服控制使平衡塊狀物420保持於所要平均位置中。在投影系統下方所展示之晶圓台WT類似地具有粗略致動器422及精細致動器424、426，以用於相對於投影系統PS之出射透鏡(exit lens)準確地定位基板W。

另外，根據此實例之雙載物台配置，提供重複晶圓台WT'及定位機構PW'。如所說明，此等重複元件在度量衡站MET處支撐第二基板W'。晶圓台WT、WT'以及該等晶圓台之各別定位器PW及PW'被載運於共用平衡塊狀物428上且連接至共用平衡塊狀物428。再次，例如，以430示意性地展示空氣軸承或其他適當軸承(諸如磁性軸承、靜電軸承，等等)。相對於度量衡站處之元件406及曝光站處之PS進行用於晶圓W及W'之位置之粗略控制及精細控制的晶圓台位置量測，度量衡站處之元件406及曝光站處之PS最終均返回參考度量衡框架FM。

根據本發明之一實施例，圖6說明在圖5之此複式載物台裝置中之步驟，該等步驟用以曝光基板W上之晶粒。在虛線方框內之左側為在度量衡站MET處所執行之步驟，而右側展示在曝光站EXP處所執行之步驟。已經將基板W裝載至曝光站中。藉由在步驟500處未展示之機構將新基板W'裝載至裝置。並行地處理此兩個基板，以便總體上增加度量衡程序之產出率。初始地參考經新裝載基板W'，此經新裝載基板可為未經先前處理基板，該基板經製備有新光阻以用於在裝置中之第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光步驟及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此裝置及/或其他微影裝置若干次，且亦可具有待經歷之後續程序。在502處，將使用基板標記P1等等及影像感測器等等之對準量測用以量測及記錄基板相對於基板台WT之對準。實務上，將量測橫越基板W'之若干標記以建立「晶圓柵格」(wafer grid)，該「晶圓柵格」極準確地映射橫越基板之標記的分佈，包括相對於標稱規則柵格之任何失真。在步驟504處，亦量測晶圓高度相對於X-Y位置之映射，以用於經曝光圖案之準確聚焦。

當裝載基板W'時，接收配方資料(recipe data)506，該配方資料界定待執行之曝光，且亦界定晶圓的屬性以及先前產生於晶圓上及待產生於晶圓上之圖案的屬性。將在502、504處所進行之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及度量衡資料508之完整集合傳遞至曝光載物台。在510處，調換晶圓W'與晶圓W，使得經量測基板W'變為進入曝光裝置之基板W。藉由交換裝置內之支撐件WT與支撐件WT'來執行此調換，使得基板W、W'保持被準確地夾持及定位於該等支撐件上，以保持基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，判定投影系統PS與基板台WT(原先為WT')之間的相對位置隨即為在曝光步驟之控制中針對基板W(原先為W')利用量測資訊502、504所必要的過程。在步驟512處，使用光罩對準標記來執行光罩對準。在步驟514、516、518中，在橫越基板W之順次晶粒部位處施加掃描運動及輻射脈衝，以便完成許多圖案之曝光。幸虧對準及位階映射資料，相對於所要部位且特別地相對於先前安放於同一基板上之特徵準確地對準此等圖案。在步驟520處自裝置卸載經曝光基板(現被標記為W")，以根據經曝光圖案而經歷蝕刻或其他程序。

藉由使用分離基板台，維持依據經由曝光載物台之基板產出率的裝置之效能，同時准許執行相對耗時之量測集合以特性化晶圓及先前沈積於晶圓上之圖案。

如上文所提及，圖1所示之晶圓台WT及圖5所示之晶圓台WT、WT'具有粗略致動器422及精細致動器424、426，以用於相對於投影系統PS之出射透鏡準確地定位基板W。

存在用於移動晶圓台及光罩台以及用於量測晶圓台及光罩台之位置的不同已知機構。根據本發明之一實施例，圖7示意性地說明一種此類系統(本文中被稱作NXT)，且該系統使用平面馬達以驅動兩個晶圓台WT及WT'。在此實施例中，平衡塊狀物428包含磁體板，且晶圓台WT及WT'之下側包含用於在x、y及z方向上移動該等台之力致動器(z方向係在頁面之平面外)。在圖7所說明之類型的系統中，經由位於度量衡框架(在圖5中經展示為FM)之下側上的編碼器量測該等台WT及WT'之位置，且在相關晶圓夾盤上提供影像感測器以經由該等台之編碼器監視該位置。該等編碼器合作以輸出在(x,y)座標中晶圓台之部位。

圖8中展示本發明之一替代實施例(本文中被稱作XT)。此處，經由用於在x方向上(如該圖所示之向左及向右)移動晶圓台WT、WT'之致動器800、800'及用於在y方向上(例如，如該圖所示之向上及向下)移動該等台之致動器802、802'控制在平衡塊狀物428上該等台之位置。藉由將光束投影至晶圓台之鏡面式側壁表面上的干涉計量測該等台WT、WT'之位置。通常，「x」干涉計提供在x軸中一個晶圓台之部位，且「y」干涉計提供在y軸中一個晶圓台之部位。「x」干涉計及「y」干涉計中之每一者可包含在平衡塊狀物428之兩側處的傳輸器，該等傳輸器經配置以引導干涉計光束朝向晶圓台之相對側。

準確微影之關鍵組分為控制微影掃描器及掃描功能性之增加能力。當提及「掃描器」時，應瞭解，此情形涵蓋本文中所描述之所有掃描模式及功能性，以及其他掃描功能性。最近，已藉由申請人之Baseliner^TM 掃描器穩定性模組達成對掃描器之聚焦及疊對(例如，層與層之對準)均一性的改良，此情形導致用於給定特徵大小及晶片應用之最佳化程序窗，從而實現更小、更進階之晶片之產生的延續。

當最初安裝微影系統時，必須校準微影系統以確保最佳操作。然而，隨時間推移，系統效能參數將漂移。可容許少量漂移，但系統之過多漂移將不滿足規格。因此，要求製造商週期性地停止生產以用於重校準。較頻繁地校準系統會給出較大程序窗，但以較多排程停機時間為代價。

掃描器穩定性模組極大地減少此等生產停止。取而代之，掃描器穩定性模組每天自動地將系統重設定至經預界定基線。為此，該掃描器穩定性模組擷取使用度量衡工具自監視晶圓所採取之標準量測。使用含有特殊散射量測標記之特殊光罩來曝光監視晶圓。自當天之量測，掃描器穩定性模組判定系統已自其基線漂移多遠。接著，掃描器穩定性模組計算晶圓位階疊對及聚焦校正集合。接著，微影系統針對後續生產晶圓上之每一曝光將此等校正集合轉換成特定校正。

對於批量生產(volume production)，需要在將用於曝光之層指派至掃描器時具有充分靈活性。交替層-掃描器專用將使每月輸出容量處於危險之中，此係因為微影叢集之任何小干擾均直接地顯現於該月之輸出中。一種用以克服此危險之可能方式係藉由疊對柵格匹配。所有掃描器柵格均故意地略微偏移，使得所有掃描器均或多或少地具有相同或平均疊對柵格。此柵格通常被稱作「至善」(holy)或「貴重」(golden)柵格。每一產品層現可曝光於同一類型之每一掃描器上。此「貴重」柵格經曝光及蝕刻至所謂的「參考晶圓」上。若代替隨機監視晶圓而將此等「貴重」匹配晶圓用作疊對穩定性控制之基線，則可在單一自動化步驟中達成疊對柵格匹配及長期穩定性。

根據本發明之一實施例，圖9描繪併有掃描器穩定性模組500之總微影及度量衡方法，例如，基本上為在伺服器上執行之應用程式。展示三個主要程序控制迴路。第一迴路提供使用掃描器穩定性模組500及監視晶圓之局域掃描器控制。監視晶圓505經展示為自主要微影單元510傳遞，從而已經曝光以設定聚焦及疊對之基線參數。在稍後時間，度量衡單元515讀取此等基線參數，接著藉由掃描器穩定性模組500解譯該等基線參數以便計算校正常式550，將校正常式550傳遞至主要微影單元510且在執行另外曝光時使用校正常式550。

第二(APC)迴路係用於產品上局域掃描器控制(判定聚焦、劑量及疊對)。將經曝光產品晶圓520傳遞至度量衡單元515，且接著傳遞至進階程序控制(APC)模組525上。將來自度量衡單元515之資料再次傳遞至掃描器穩定性模組500。在製造執行系統(MES)535接管之前進行程序校正540，從而與掃描器穩定性模組500通信而提供對主要微影單元510之掃描器控制。

第三迴路係允許至第二APC迴路中之度量衡整合(例如，用於雙重圖案化)。將經後蝕刻晶圓530傳遞至度量衡單元515，且接著傳遞至進階程序控制(APC)模組上。該迴路與第二迴路相同地繼續。

本發明係關於用於控制藉由微影裝置(例如，掃描器)之曝光以便減少微影程序中之誤差(例如，疊對)的實施例。

掃描器誤差

以下疊對誤差已被識別為待經由掃描器穩定性模組應用程式而校正之誤差的顯著原因：

1.定位漂移(用於XT之鏡面及用於NXT之柵格板/編碼器)。

2.向上/向下掃描及向左/向右步進效應，該等效應顯現為取決於XT之移動及NXT之移動相依編碼器偏移的鏡面變形。對於NXT及XT系統之描述，見上文圖7及圖8之論述。

3.藉由在晶圓夾持指紋中以及在曝光期間之晶圓變形中之漂移誘發的晶圓變形。

4.場指紋漂移(例如，歸因於透鏡或光罩載物台漂移)。

5.掃描方向相依場內指紋(歸因於(例如)動態透鏡干擾之「擺動」效應)。

模型

用以校正此等誤差之模型假定：

1.為定位類型特定的關於定位誤差之低頻漂移

a.鏡面變形(XT)：每夾盤之一維多項式dx~P_n(y)及dy~P_n(x)(XT定位概念)。

b.將經由關於位置相依編碼器偏移之多項式判定編碼器/柵格板變形(NXT)：dh(x,y)~P_n(x,y)，其中dx及dy被判定為(dx,dy)~Encoder model(dh(x,y))=Encoder model(P_n(x,y))。2D多項式表示將用於每一編碼器。

2.向上/向下掃描及向左/向右步進誤差之絕對值相同(對於同一位置)，該等誤差具有相反正負號。此等誤差描述取決於移動歷史之定位及變形的改變。為了減少校準之雜訊，亦假定此等誤差具有低頻性質。對於XT，經由多項式表示此等定位及變形誤差。對於NXT，自位於夾盤之特定位置上的編碼器信號判定定位。因此，為了描述掃描/步進相依誤差，僅必須考慮編碼器上之誤差，而非夾盤之總變形。因此，對於NXT，吾人認為掃描/步進相依定位誤差係移動相依編碼器偏移。認為晶圓變形相依誤差對於XT/NXT系統類型係類似的，此係因為該等系統類型係安置獨立的。

3.經由2D多項式描述取決於晶圓上之位置的其餘二維誤差，且2D多項式表示晶圓柵格變形。

4.藉由透鏡/RS誘發之場指紋對於所有場係恆定的，且正交於其餘誤差。

5.將經由三個一維多項式將掃描方向相依場內誤差描述為低頻光罩載物台定位誤差：dx~P_n(y)、dy~P_n(y)、dy~x*P_n(y)(此情形表示旋轉誤差)。

判定疊對誤差之此概念不確保經校準參數之絕對正確性。確信，所判定之參數係獨立的，且該等參數對於掃描器之應用範圍(針對典型場大小之動態曝光)係正確的。又，藉由不考慮可能由鏡面形狀引起之2D晶圓變形項而使一維鏡面形狀校準正交於二維晶圓變形。

定位誤差

若存在鏡面變形，則該鏡面變形將在掃描或步進方向上獨立地影響曝光。因此，用於鏡面之多項式模型將好像為

dx(y_w)=Sum(a_n*y_w^n)

dy(x)=Sum(b_n*x^n)

其中x為場之中心點的x座標，且y_w為散射計目標標記之y座標。此情形表示藉由XT掃描器產生之物理定位誤差。

用於定位誤差之NXT模型較複雜。因為該等編碼器中之每一者可影響x偏移及y偏移，所以該模型變為二維。此外，必須分離地針對每一編碼器/柵格板判定該模型(dx,dy)=Encoder_model(Sum(Sum(c_i_n_m*x^n*y^m)))其中i標註編碼器i。

掃描/步進相依誤差

向上/向下掃描及向左/向右步進誤差可藉由曝光夾盤或晶圓之變形誘發。在此情況下，該變形將針對不同移動(XT)或經移位編碼器位置(NXT)導致鏡面變形。因此，為了描述XT向上/向下掃描及向左/向右步進效應，使用以下多項式

dx_up(y)=Sum(d_n*y^n)

dx_down(y)=-dx_up(y)

dy_up(x)=Sum(e_n*x^n)

dy_down(x)=-dy_up(x)

dx_left(y)=Sum(f_n*y^n)

dx_right(y)=-dx_left(y)

dy_left(x)=Sum(g_n*x^n)

dy_right(x)=-dy_left(x)

其中(x,y)為經曝光場之位置(中心點)。

對於NXT，可使用以下描述：

(dx_up,dy_up)=Encoder model(h_up)

(dx_left,dy_left)=Encoder model(h_left)

(dx_down,dy_down)=-(dx_up,dy_up)

(dx_right,dy_right)=-(dx_left,dy_left)

又，在曝光期間，可預期晶圓或晶圓台之變形。為了描述晶圓及晶圓台變形，使用二維多項式模型：

dx_up=Sum(u_n_m*x^n*y^m)

dy_up=Sum(v_n_m*x^n*y^m)

dx_down(x,y)=-dx_up(x,y)

dy_down(x,y)=-dy_up(x,y)

晶圓變形

認為其餘柵格誤差係藉由可具有機械或熱性質之晶圓變形誘發。晶圓可藉由(例如)在晶圓夾持期間之力靜態地變形，或晶圓可在曝光期間變形。因為正常系統使用為曝光，所以吾人可假定，若BL之校準佈局接近為「典型」(場數目、場大小、正常曝光)，則藉由曝光之晶圓變形在產品與校準之間不應偏差很多。

因此，晶圓變形之描述將為

dx=Sum(Sum(r_n_m*x^n*y^m))

dy=Sum(Sum(s_n_m*x^n*y^m))

其中(x,y)為在晶圓上YS標記之位置。

又，針對比如雙重圖案化(其中在兩個遍次(例如，影像)中曝光一個晶圓)之應用可擴展此模型。在此情況下，第二或較多影像可歸因於(例如)熱干擾而具有不同變形。對於此等應用，可藉由對一個晶圓執行多次曝光且判定每曝光遍次之晶圓變形(如上文所描述)而相應地校準晶圓變形。

場誤差

可如下描述場校正模型(標註P_n(x)=Sum(a_n*x^n))：

dx~P_n(x)(n<4)

dx~P_n(y)

dy~P_n(x)(n<3)

dy~P_n(y)

dy~x*P_n(y)

在因取決於y之透鏡誤差之誘發而擴展校正機制(藉由掃描透鏡元件或聚焦偏移)的情況下，吾人可僅藉由在掃描操作期間調整透鏡或聚焦偏移來擴展場內校正，因此，亦可校正比如以下各項之誤差：

dx~P_n_m(x,y)=Sum(t_n_m*x^n*y^m),　n<4

dy~P_n_m(x,y)=Sum(w_n_m*x^n*y^m),　n<3。

應注意，與x之冪成比例的誤差僅可藉由調整透鏡元件予以校正，且因此具有有限校正能力。

掃描方向相依場誤差

掃描方向誤差假定，掃描干擾出現於光罩載物台上，該等誤差影響光罩之定位。此等誤差誘發掃描方向相依定位指紋，其將在場位階上被校正為：

dx_up~P_n(y)

dy_up~P_n(y)

dy_up~x*P_n(y)

dx_down=-dx_up

dy_down=-dy_up。

用於模型參數估計之方法

將如下自經量測資料判定此等效應

1.首先，判定場失真(場內誤差)。基於對掃描器誤差之認識，吾人可假定，場失真係由光罩載物台或透鏡引起，且該場失真獨立於其餘柵格誤差。

2.判定掃描/步進方向誤差(晶圓及光罩載物台定位誤差)。因為此等誤差對疊對之效應將具有高頻性質(相鄰場將展示顯著改變)，所以可與位置及變形誤差分離地判定此等誤差(相鄰場將展示輕微改變)。可使用縫合資料或經量測疊對資料以判定此等誤差。因此，存在用以判定此等誤差之若干方式。

3.在掃描/步進方向校準之殘餘資料上同時地判定定位及變形誤差。不同於場及掃描/步進方向誤差，可能不強烈地去耦定位及晶圓變形之誤差。因此，必須同時地判定此等誤差以提供最佳校正。視情況，亦可與柵格誤差同時地判定掃描/步進方向誤差。此處可使用獨立參考，例如，經蝕刻參考晶圓。

為了能夠判定校正，必須量測一場之足夠數目個點(在x及y座標中為~7個)。又，必須選擇曝光圖案，使得其對於掃描/步進方向係代表性的。

校正方法

根據本發明之一實施例的校正方法為分離地施加至掃描器之不同子系統之所有以上模型化參數的組合：

1.藉由低位階安置控制器來校正定位誤差，以能夠校正一曝光內之快速柵格改變。此情形將在對校正之執行時給出最佳效能。其為新功能性。

2.藉由定位或度量衡控制器來校正掃描/步進方向相依誤差。又，如在步驟1中，若需要針對場內之快速改變校正誤差，則對低位階定位模組執行該校正。

3.可藉由調整用於經曝光場之設定點來校正柵格變形誤差。

4.可藉由調整透鏡/光罩載物台設定點來校正場誤差。

5.可在掃描驅動器中校正掃描相依光罩載物台定位指紋(YTX、YTY及YRZ)作為方向相依光罩載物台掃描映射校正。

參看圖10，根據本發明之一實施例，說明根據本發明之一實施例的控制微影裝置之方法。

使用掃描器1006對基板1004執行(1002)微影曝光程序1000。掃描器包含若干子系統1008、1010、1012。在曝光期間存在起因於子系統之疊對誤差。使用散射計來量測(1014)疊對誤差以獲得疊對量測1016。執行(1018)模型化以自疊對量測分離地判定不同經估計模型參數(例如，場失真模型參數1020、掃描/步進方向模型參數1022，及位置/變形模型參數1024)子集。每一子集係與起因於微影裝置之對應特定子系統的疊對誤差相關，如上文所描述。最後，藉由控制掃描器1006之特定子系統1008、1010、1012而在該掃描器中控制(1026)曝光，該控制掃描器1006之特定子系統1008、1010、1012係分別使用其對應經估計模型參數1024、1022、1020子集而進行。此情形導致在受良好控制之疊對1030的情況下曝光產品晶圓1028。

藉由考慮疊對誤差以便考量掃描器誤差之特定指紋，本發明之實施例的應用導致較有效維護。根據本發明之一實施例將關於掃描器特定誤差之認識提供至離線模型化應用會增加維護之準確度。因此，較少需要對系統執行線上重校準，此情形亦獲益於減少之維護時間。本發明之實施例提供無需用以執行廣泛量測之掃描器時間的有效維護。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。

應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置儲存區塊來描述本發明。本文中已為了便於描述而任意地界定此等功能建置儲存區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之認識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。

本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。

2．．．寬頻帶(例如，白光)輻射投影儀

4．．．光譜儀偵測器

10．．．光譜

11．．．背部投影式光瞳平面

12．．．透鏡系統

13．．．干涉濾光器

14．．．參考鏡面

15．．．透鏡系統

16．．．部分反射表面/光束分裂器

17．．．偏光器

18．．．偵測器

30．．．基板目標

402．．．空氣軸承

404．．．器具

406．．．器具

408．．．器具

410．．．長行距(例如，粗略)致動器

412．．．短行距(例如，精細)致動器

414．．．短行距(例如，精細)致動器

416．．．量測

420．．．平衡塊狀物

422．．．粗略致動器

424．．．精細致動器

426．．．精細致動器

428．．．平衡塊狀物

430．．．空氣軸承

500．．．步驟(圖6)/掃描器穩定性模組(圖9)

502．．．步驟/量測資訊

504．．．步驟/量測資訊

505．．．監視晶圓

506．．．配方資料

508．．．度量衡資料

510．．．步驟(圖6)/主要微影單元(圖9)

512．．．步驟

514．．．步驟

515．．．度量衡單元

516．．．步驟

518．．．步驟

520．．．步驟(圖6)/經曝光產品晶圓(圖9)

525．．．進階程序控制(APC)模組

530．．．經後蝕刻晶圓

535．．．製造執行系統(MES)

540．．．程序校正

550．．．校正常式

800．．．致動器

800'．．．致動器

802．．．致動器

802'．．．致動器

1000．．．微影曝光程序

1002．．．執行步驟

1004．．．基板

1006．．．掃描器

1008．．．子系統

1010．．．子系統

1012．．．子系統

1014．．．量測步驟

1016．．．疊對量測

1018．．．執行步驟

1020．．．場失真模型參數

1022．．．掃描/步進方向模型參數

1024．．．位置/變形模型參數

1026．．．控制步驟

1030．．．受良好控制之疊對

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

BK．．．烘烤板

C．．．目標部分

CH．．．冷卻板

CO．．．聚光器

DE．．．顯影器

EX．．．P曝光站

FB．．．基座框架

FM．．．度量衡框架

I/O1．．．輸入/輸出埠

I/O2．．．輸入/輸出埠

IF．．．位置感測器

IL．．．照明系統/照明器

IN．．．積光器

LA．．．微影裝置

LACU．．．微影控制單元

LB．．．裝載盤

LC．．．微影單元

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．圖案化器件/光罩

MET．．．度量衡站

MT．．．支撐結構/光罩台

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PL．．．投影系統

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PU．．．處理單元

PW．．．第二定位器

PW'．．．定位機構/定位器

RO．．．機器人

SCS．．．監督控制系統

SC．．．旋塗器

SO．．．輻射源

TCU．．．塗佈顯影系統控制單元

W．．．基板

W'．．．第二基板/晶圓

W"．．．經曝光基板

WT．．．基板台/晶圓台/支撐件

WT'．．．晶圓台/支撐件

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。

圖2描繪根據本發明之一實施例的微影單元或叢集。

圖3描繪根據本發明之一實施例的第一散射計。

圖4描繪根據本發明之一實施例的第二散射計。

圖5為展示根據本發明之一實施例的具有分離量測載物台及曝光載物台之微影裝置之組件的示意圖。

圖6示意性地說明根據本發明之一實施例的根據已知實務在圖5之裝置中處於量測程序及曝光程序中之載物台。

圖7描繪根據本發明之一實施例的用於在基板上移動晶圓載物台之配置之第一實例。

圖8描繪根據本發明之一實施例的用於在基板上移動晶圓載物台之配置之第二實例。

圖9說明根據本發明之一實施例的利用掃描器穩定性模組之微影程序中的控制迴路。

圖10為說明根據本發明之一實施例之方法的流程圖。

500．．．掃描器穩定性模組