TWI427435B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術之元件製造中的方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或經圖案化基板上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在微影程序中所形成之顯微鏡結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡及各種專門工具之使用。一種快速且非侵入形式之專門檢測工具為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。藉由比較光束在其已藉由基板反射或散射之前與之後的屬性，可判定基板之屬性。此判定可(例如)藉由比較反射光束與儲存於相關聯於已知基板屬性之已知量測庫中的資料而進行。吾人已知兩種主要類型之散射計。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上，且量測經散射成特定窄角範圍之輻射的光譜(作為波長之函數的強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。
為了更好地控制掃描器功能性，最近已設計出每天(左右)自動地驅動系統朝向經預界定基線之模組。此掃描器穩定性模組擷取使用度量衡工具自監視晶圓所採取之標準量測。先前已使用含有特殊散射量測標記之特殊光罩來曝光監視晶圓。在使用監視晶圓及當天之量測(及可能地，來自前幾天之歷史量測資料)的情況下，掃描器穩定性模組判定系統已自其基線漂移多遠，且接著計算晶圓位階疊對及聚焦校正集合。可藉由監視晶圓上之參考層直接地界定基線(在此情況下，掃描器穩定性模組將驅動系統朝向基線器(baseliner)監視晶圓上之最小疊對)，或藉由晶圓上之參考層與目標疊對指紋的組合間接地界定基線(在此情況下，掃描器穩定性模組將驅動系統朝向監視晶圓上之經界定目標疊對指紋)。接著，微影系統針對後續生產晶圓上之每一曝光將此等校正集合轉換成特定校正。
基線器控制器與掃描器之間的當前介面係自已知GridMapperTM 介面(其中使用兩個二維多項式：一個二維多項式係用於向上掃描場，且另一個二維多項式係用於向下掃描場)導出。此情形之一個結果為：掃描器穩定性模組參數化不能夠詳細地涵蓋掃描器場內效應。相反地，過多參數被用於描述掃描器穩定性模組參數化可涵蓋之掃描器效應。
需要提供一種系統，藉以減輕以上問題中之至少一些問題。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化元件；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；一圖案化系統，該圖案化系統經組態以將一圖案自該圖案化元件轉印至該基板之一目標部分上；一控制模組，該控制模組可操作以幫助藉由自一或多個參考基板週期性地擷取界定基線控制參數之量測以便自該等基線控制參數判定參數漂移來控制該支撐件、該基板台或該圖案化系統中之至少一者，藉此使能夠產生該漂移之容差(allowance)及/或校正，該(該等)參考基板已初始地經歷圖案化，以便判定該等基線控制參數；一介面，該介面係在該控制模組與另一微影裝置之間；其中該介面之參數化不同於該控制模組之控制參數化。
根據本發明之一第二態樣，提供一種使用一控制模組以控制一微影裝置之掃描/步進功能的方法，該方法包含：曝光一參考基板以判定關於該掃描/步進功能之基線控制參數：自該參考基板週期性地擷取該等基線控制參數；自該等基線控制參數判定參數漂移；及基於該判定而採取校正動作，其中將不同於用於該控制模組與該微影裝置之間的通信之參數化的一參數化用於該控制模組之控制來執行該方法。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化元件。支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2所示，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載匣LB。通常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等元件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身係藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確地且一致地曝光藉由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其係在檢測可足夠迅速且快速地進行以使得同一分批之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重做(以改良良率)或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷之情況下，可僅對為良好之該等目標部分執行另外曝光。
使用檢測裝置來判定基板之屬性，且特別係判定不同基板或同一基板之不同層的屬性如何在層與層之間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為單獨元件。為了實現最快速之量測，需要使檢測裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度(在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小的折射率差)，且並非所有檢測裝置均具有足夠敏感性來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且其增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測(此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除)，或在圖案轉印步驟(諸如蝕刻)之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重做有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3描繪可用於本發明中之散射計。該散射計包含寬頻帶(白光)輻射投影儀2，其將輻射投影至基板W上。反射輻射傳遞至光譜儀偵測器4，其量測鏡面反射輻射之光譜10(作為波長之函數的強度)。自此資料，可藉由處理單元PU來重建構引起經偵測光譜之結構或剖面，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸，或藉由與圖3之底部處所展示之模擬光譜庫比較。一般而言，對於重建構，結構之通用形式係已知的，且根據對製造該結構所採用之程序的認識來假定一些參數，從而僅留下該結構之少許參數以自散射量測資料加以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
圖4中展示可用於本發明之另一散射計。在此元件中，藉由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12加以準直，且透射通過干涉濾光器13及偏光器17、藉由部分反射表面16反射且經由顯微鏡接物鏡15而聚焦至基板W上，顯微鏡接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，較佳地為至少0.9且更佳地為至少0.95。浸沒散射計可甚至具有數值孔徑超過1之透鏡。反射輻射接著通過部分反射表面16而透射至偵測器18中，以便偵測散射光譜。該偵測器可位於處於透鏡系統15之焦距的背部投影式光瞳平面11中，然而，該光瞳平面可代替地藉由輔助光學儀器(圖中未繪示)而再成像至該偵測器上。光瞳平面為輻射之徑向位置界定入射角且角位界定輻射之方位角所在的平面。偵測器較佳地為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。
舉例而言，通常使用參考光束來量測入射輻射之強度。為此，當輻射光束入射於光束分裂器16上時，將該輻射光束之部分透射通過該光束分裂器以作為朝向參考鏡面14之參考光束。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上，或者，投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。
干涉濾光器13之集合可用以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵以代替干涉濾光器。
偵測器18可量測散射光在單一波長(或窄波長範圍)下之強度、單獨地在多個波長下之強度，或在一波長範圍內所積分之強度。此外，偵測器可單獨地量測橫向磁偏光及橫向電偏光之強度，及/或橫向磁偏光與橫向電偏光之間的相位差。
使用寬頻帶光源(亦即，具有寬光頻率或波長範圍(且因此具有寬顏色範圍)之光源)係可能的，其給出大光展量(etendue)，從而允許多個波長之混合。寬頻帶中之複數個波長較佳地各自具有為Δλ之頻寬及為至少2 Δλ(亦即，為該頻寬之兩倍)之間隔。若干輻射「源」可為已使用光纖束加以分裂的延伸型輻射源之不同部分。以此方式，可在多個波長下並行地量測角解析散射光譜。可量測3-D光譜(波長及兩個不同角度)，其含有多於2-D光譜之資訊的資訊。此情形允許量測更多資訊，其增加度量衡程序穩固性。此情形在EP1,628,164A中得以更詳細地描述。
基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，條狀物(bar)係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑柱狀物或導孔形成。或者，條狀物、柱狀物或導孔可經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別係投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，使用經印刷光柵之散射量測資料來重建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測程序之認識，可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如柱狀物或導孔寬度或長度或形狀)輸入至藉由處理單元PU執行之重建構程序。
準確微影之關鍵構成要素為控制微影掃描器及掃描功能性之增加能力(當提及「掃描器」時，應瞭解，此情形涵蓋本文中所描述之所有掃描模式及功能性，以及其他掃描功能性)。最近，已藉由申請人之BaselinerTM 掃描器穩定性模組達成對掃描器之聚焦及疊對(層與層之對準)均一性的改良，此情形導致用於給定特徵大小及晶片應用之最佳化程序窗，從而實現更小、更進階之晶片之產生的延續。
當最初安裝微影系統時，必須校準微影系統以確保最佳操作。然而，隨時間推移，系統效能參數將漂移。可容許少量漂移，但系統之過多漂移將不滿足規格。因此，要求製造商週期性地停止生產以用於重校準。較頻繁地校準系統會給出較大程序窗，但以較多排程停機時間為代價。
掃描器穩定性模組極大地減少此等生產停止。取而代之，掃描器穩定性模組定期地(通常每隔幾天)自動地驅動系統朝向經預界定基線。為此，掃描器穩定性模組擷取使用度量衡工具自一或多個監視晶圓所採取之標準量測。使用含有特殊散射量測標記之特殊光罩來曝光監視晶圓。根據當天之量測，掃描器穩定性模組判定系統已自其基線漂移多遠。接著，掃描器穩定性模組計算晶圓位階疊對及聚焦校正集合。接著，微影系統針對後續生產晶圓上之每一曝光將此等校正集合轉換成特定校正。
對於批產(volume production)，需要在將用於曝光之層指派至掃描器時具有充分靈活性。交替層-掃描器專用將使每月輸出容量處於危險之中，此係因為微影叢集之任何小干擾均將直接地顯現於該月之輸出中。一種用以克服此危險之已知方式係藉由所謂的(疊對)柵格匹配。所有掃描器柵格均故意地略微偏移，使得所有掃描器均或多或少地具有相同(平均)疊對柵格。此柵格通常被稱作「至善」(holy)或「貴重」(golden)柵格。每一產品層現可曝光於同一類型之每一掃描器上。此「貴重」柵格經曝光及蝕刻至所謂的「參考晶圓」上。若代替隨機監視晶圓而將此等「貴重」匹配晶圓用作疊對穩定性控制之基線，則可在單一自動化步驟中達成疊對柵格匹配及長期穩定性。
圖5描繪併有掃描器穩定性模組500之總微影及度量衡方法(在此實例中，基本上為在伺服器上執行之應用程式)。展示三個主要程序控制迴路。第一迴路提供使用掃描器穩定性模組500及監視晶圓之局域掃描器控制。監視晶圓505經展示為自主要微影單元510傳遞，從而已經曝光以設定聚焦及疊對之基線參數。在稍後時間，度量衡單元515讀取此等基線參數，接著藉由掃描器穩定性模組500解譯該等基線參數以便計算校正常式，以便提供掃描器回饋550，將掃描器回饋550傳遞至主要微影單元510且在執行另外曝光時使用掃描器回饋550。
第二(APC)迴路係用於產品上局域掃描器控制(判定聚焦、劑量及疊對)。將經曝光產品晶圓520傳遞至度量衡單元515，其中判定關於臨界尺寸、側壁角度及疊對之資訊且將該資訊傳遞至進階程序控制(APC)模組525上。亦將此資料傳遞至掃描器穩定性模組500。在製造執行系統(MES)535接管之前進行程序校正540，從而與掃描器穩定性模組500通信而提供對主要微影單元510之掃描器控制。
第三迴路係允許至第二APC迴路中之度量衡整合(例如，用於雙重圖案化)。將經後蝕刻晶圓530傳遞至度量衡單元515，度量衡單元515再次將自晶圓所讀取的關於臨界尺寸、側壁角度及疊對之資訊傳遞至進階程序控制(APC)模組。該迴路與第二迴路相同地繼續。
圖6示意性地展示圖1之裝置之一實施例的配置，其中該裝置為具有雙基板支撐件以及分離度量衡站及曝光站之類型。
基座框架FB在地面上支撐及環繞裝置。在裝置內，且充當準確位置參考，度量衡框架FM被支撐於空氣軸承602上，空氣軸承602使度量衡框架FM隔離於環境中之振動。投影系統PS安裝於此框架上，投影系統PS自然地形成曝光站EXP之核心，且器具604、606、608亦安裝於此框架上，器具604、606、608為度量衡站MET之功能元件。在此等站上方，光罩台MT及光罩MA安裝於投影系統PS上方。第一定位器PM包含長行距(粗略)致動器610及短行距(精細)致動器612、614，如上文所描述。此等致動器藉由主動回饋控制而操作以獲得光罩MA相對於投影系統PS之所要位置，且因此獲得光罩MA相對於度量衡框架FM之所要位置。以616示意性地指示此量測。用於光罩MA之整個定位機構係經由主動空氣軸承618等等而在B處被支撐於基座框架上。提供平衡質量(balance mass)620以模仿光罩台MT之至少粗略移動及定位，以減少傳輸至框架及其他組件中之振動。低頻伺服控制使平衡質量620保持於所要平均位置中。在投影系統下方所展示之晶圓台WT類似地具有粗略致動器622及精細致動器624、626，以用於相對於投影系統PS之出射透鏡(exit lens)準確地定位基板W。另外，根據此實例之雙載物台配置，提供重複晶圓台WT'及定位機構PW'。如所說明，此等重複元件在度量衡站MET處支撐第二基板W'。晶圓台WT、WT'以及該等晶圓台之各別定位器PW及PW'被載運於共用平衡質量628上且連接至共用平衡質量628。再次，例如，以630示意性地展示空氣軸承或其他適當軸承(諸如磁性軸承、靜電軸承，等等)。相對於度量衡站處之元件606及曝光站處之PS進行用於晶圓W及W'之位置之粗略控制及精細控制的晶圓台位置量測，度量衡站處之元件606及曝光站處之PS最終均返回參考度量衡框架FM。
圖7說明在圖6之此複式載物台裝置中之步驟，該等步驟用以曝光基板W上之晶粒。在虛線方框內之左側為在度量衡站MET(量測側)處所執行之步驟，而右側展示在曝光站EXP(曝光側)處所執行之步驟。已經將基板W載入至曝光站中。藉由在步驟700處未展示之機構將新基板W'載入至裝置。並行地處理此兩個基板，以便總體上增加度量衡程序之產出率。初始地參考經新載入基板W'，此經新載入基板可為未經先前處理基板，該基板經製備有新光阻以用於在裝置中之第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光步驟及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此裝置及/或其他微影若干次，且亦可具有待經歷之後續程序。在702處，將使用基板標記P1等等及影像感測器IAS1等等之對準量測用以量測及記錄基板相對於基板台WT之對準。實務上，將量測橫越基板W'之若干標記以建立「晶圓柵格」(wafer grid)，該「晶圓柵格」極準確地映射橫越基板之標記的分佈，包括相對於標稱規則柵格之任何失真。在步驟704處，亦量測晶圓高度相對於X-Y位置之映射，以用於經曝光圖案之準確聚焦。
當載入基板W'時，接收配方資料(recipe data)706，該配方資料界定待執行之曝光，且亦界定晶圓的屬性以及先前產生於晶圓上及待產生於晶圓上之圖案的屬性。將在702、704處所進行之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及度量衡資料708之完整集合傳遞至曝光載物台。在710處，調換晶圓W'與晶圓W，使得經量測基板W'變為進入曝光裝置之基板W。藉由交換裝置內之支撐件WT與支撐件WT'來執行此調換，使得基板W、W'保持被準確地夾持及定位於該等支撐件上，以保持基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，判定投影系統PS與基板台WT(原先為WT')之間的相對位置隨即為在曝光步驟之控制中針對基板W(原先為W')利用量測資訊702、704所必要的過程。在步驟712處，使用光罩對準標記M1、M2(圖3C)來執行光罩對準。在步驟714、716、718中，在橫越基板W之順次晶粒部位處施加掃描運動及輻射脈衝，以便完成許多圖案之曝光。幸虧對準及位階映射資料，相對於所要部位且特別地相對於先前安放於同一基板上之特徵準確地對準此等圖案。在步驟720處自裝置卸載經曝光基板(現被標記為W")，以根據經曝光圖案而經歷蝕刻或其他程序。
藉由使用分離基板台，維持依據經由曝光載物台之基板產出率的裝置之效能，同時准許執行相對耗時之量測集合以特性化晶圓及先前沈積於晶圓上之圖案。另一方面，雙載物台(各自具有其各別定位器PW、PW'、感測器，等等)之提供顯著地增加裝置之成本。此外，因為在步驟702、704中之量測之執行與在步驟714、716、718中使用之該等量測之最終曝光之間存在一定的時間間隔(例如，30秒至60秒)，所以會發生如下危險：基板及其位置之尺寸(全域地及局域地)將在曝光之前改變(柵格漂移)，從而導致對準準確度之損失(疊對誤差)。詳言之，儘管極仔細地控制在裝置內及在裝置外之環境的溫度，但在30秒左右之時間間隔內發生之甚至輕微溫度變化亦可足以導致安放於晶圓上之圖案的失真。
圖8為在一特定實施例中構成掃描器穩定性模組校正模型之參數的表。該等參數已基於該等參數是場間(兩個頂部群組)或是場內(兩個底部群組)予以垂直地分組。該等參數亦已根據該等參數是關於聚焦兩個(左側群組)或是關於疊對(兩個右側群組)予以水平地分組。
當前，掃描器穩定性模組(在工裝應用程式伺服器(Off-Tool Application Server)或OTAS上執行)與掃描器之間的介面對於每一掃描器係特定的，其中該介面之參數化經預定為與該掃描器之參數化相同。此情形具有如下主要缺點：不可能傳達掃描器可經組態以使用之新校正參數，此係因為該介面不具有用於執行該傳達之機構。因為開發出能夠使用新校正參數之新機器，所以此情形變為日益增加的問題。
圖9說明此問題。度量衡工具900自先前已曝光之晶圓採取量測。將此資訊傳遞至掃描器穩定性模組910(諸如Baseliner 或Gridmapper Intrafield )。此處，使用該等量測以計算特定的預定掃描器特定參數(k7 、k12 ，等等)，該等參數係經由掃描器特定介面920而發送至掃描器930。此介面920僅在該等參數經辨識為包含於介面920/掃描器930參數化中的情況下才接受該等參數。若偵測到不同參數化，則介面920將完全排斥該等參數。若該等參數被接受，則將使用該等參數以對掃描器930之(必要地為掃描器特定的)模型及硬體950執行校正。
詳言之，當前介面940係自已知GridMapper TM介面(其中使用兩個二維多項式：一個二維多項式係用於向上掃描場，且另一個二維多項式係用於向下掃描場)導出。此基於GridMapper之參數化遭受以下兩個嚴重問題：
■　該參數化不涵蓋對於掃描器硬體為相關的所有效應：
○　掃描器穩定性模組參數化不能夠詳細地涵蓋掃描器場內效應：在掃描器穩定性模組中用於描述場內之三階多項式顯著地比用於掃描器中之1毫米間距GISM YTX、YTY、YRZ RS映射更具限制性；
○　當結合特定微影裝置(諸如Twinscan XT)使用時，掃描器穩定性模組參數化僅具有準確地描述晶圓載物台鏡面之有限能力：在掃描器穩定性模組中使用五階多項式，而對於適當地追蹤鏡面漂移需要七階多項式(如在2DE掃描器校準中所實施)；
○　當結合其他微影裝置(諸如Twinscan NXT)使用時，掃描器穩定性模組參數化不能夠描述晶圓載物台編碼器之漂移，此係因為編碼器漂移導致晶圓柵格之非多項式失真(NXT象限中之每一者應藉由其自有多項式加以描述，此係因為該等象限之間的過渡可能不平滑)。
此外，掃描器穩定性模組參數化不緊密，此在於：過多參數被用於描述掃描器穩定性模組參數化可涵蓋之掃描器效應，因此導致掃描器穩定性模組控制器之次最佳雜訊抑制能力。舉例而言，在掃描器穩定性模組中，藉由全二維多項式(總共120個係數)有效地描述向上掃描/向下掃描，而已知的是，對於Twinscan XT系統，可藉由用於晶圓載物台鏡面之簡單的三階一維多項式(總共6個係數)描述相同效應。在另一實例中，掃描器穩定性模組將120個係數用於描述晶圓台熱指紋(五階二維多項式用於所有6個場內參數：tx、ty、rs、ra、ms、ma)，而已知的是，僅基於每場tx、ty之四階多項式柵格係足夠的(大約30個係數)。
因此，提議使用於在掃描器/微影元件與掃描器穩定性模組/OTAS之間建立介面連接的參數化自用於掃描器穩定性模組控制器中之參數化去耦。
■　關於介面參數化，此介面參數化經最佳地設計為儘可能地通用(具有許多自由度)，以允許針對掃描器穩定性模組控制器及針對掃描器硬體參數化之獨立時間改良；亦應獨立於機器類型進行該參數化，且因此，該參數化經超定以涵蓋當前及近期的微影裝置以及預想的掃描器穩定性模組控制器參數化。
■　另一方面，應以緊密地涵蓋掃描器硬體之儘可能少的自由度來界定用於掃描器穩定性模組控制器之緊密參數化，以便最大化掃描器穩定性模組控制器之雜訊排斥能力。在此情況下，取決於微影裝置及軟體版本最佳地進行掃描器穩定性模組控制器參數化，例如，使用專用鏡面模型/參數化來達成針對XT之WS鏡面漂移之控制，而使用對於NXT編碼器為特定的不同模型/參數化進行NXT編碼器漂移之控制。在依據內部參考P-3590.000(D8060)之同日申請的同在申請中之申請案中論述關於此模組控制器參數化之另外論述。可結合本文中所揭示之方法來使用該申請案中所揭示之方法；
關於介面參數化，提議以下特定實例(僅舉例而言)：
■　藍色對準偏移(Blue Alignment Offset)-BAO：每夾盤。
○　BAO補償晶圓上之經曝光場的實際位置與預期位置(基於載物台對準、晶圓對準及TIS對準資料所計算，其中TIS為透射影像感測器)之間的差異。依據10參數線性模型來計算此補償(x平移tx、y平移ty、對稱晶圓旋轉rws、不對稱晶圓旋轉rwa、對稱晶圓放大率mws、不對稱晶圓放大率mwa、對稱場旋轉rs、不對稱場旋轉ra、對稱場放大率ms、不對稱場放大率ma)。此差異可(例如)歸因於晶圓夾盤TIS板之形狀的曝光側相對於量測側差而發生，此係因為對準模型假定TIS板在晶圓夾盤自量測側移動至曝光側時不變形(TIS板載運用於量測側對準之TIS對準標記、用於曝光側TIS對準之TIS感測器光柵及TIS感測器)。該差異之另一可能原因為經設計相對偏移(介於TIS對準標記之間)與TIS感測器光柵/感測器之間的失配。
■　晶圓載物台量測側柵格參數：
○　具有高空間頻率(比如，5毫米間距)之夾持柵格映射當量測量測側柵格之狀態(包括夾持)時，應依據取樣密度(例如，5毫米間距)來收集足夠資料，以便能夠估計客戶對準策略將如何對量測柵格之改變起反應。
■　晶圓載物台曝光側柵格參數：
○　鏡面(每鏡面之每夾盤)：高階1D多項式(比如，16次多項式)-用於Twinscan XT裝置
○　編碼器位置(每夾盤之每編碼器的多項式)：高階2D多項式(比如，8次多項式)-用於Twinscan NXT裝置
○　2DE熱指紋(每夾盤)：高階2D多項式(比如，8次多項式)
○　SUSD/SLSR(每夾盤)：高階2D多項式(比如，8次多項式)。SUSD為向上掃描/向下掃描效應：且為在「向上」掃描方向上所曝光之場相對於在「向下」掃描方向上所曝光之場之移位的量測。其可經參數化為「向上」場及「向下」場自對應於「向上」及「向下」之平均值之「標稱」柵格的移位。SUSD可歸因於相對於晶圓台之可再現晶圓滑動、相對於光罩夾具之可再現光罩滑動、晶圓台/晶圓夾盤/光罩載物台之非彈性行為而發生。
SLSR為向左步進/向右步進效應：其為在自「左側」先前場步進之後所曝光之場相對於在自「右側」先前場步進之後所曝光之場之移位的量測；且可經參數化為「自左側步進」場及「自右側步進」場自對應於「SL」及「SR」之平均值之「標稱」柵格的移位。SLSR可歸因於相對於晶圓台之可再現晶圓滑動、晶圓台/晶圓夾盤之非彈性行為而發生。
■　場內參數：
○　光罩狀態編碼器映射(YTX、YTY、YRZ)：高階1D多項式(比如，16次多項式)
○　平均狹縫描述(dx分量及dy分量)：高階1D多項式(比如，16次多項式)
○　狹縫之Y位置相依性(dx分量及dy分量)：在狹縫中之高階1D多項式(比如，16次多項式)與在掃描方向上之高階1D多項式(比如，16次多項式)的乘積。
應瞭解，可依據傳立葉(Fourier)變換或能夠描述所需次數之任何其他適當基底函數來同等地描述上文依據多項式函數所描述之任何參數。
以上實施例提議針對鏡面、編碼器位置、2DE熱指紋及SUSD/SLSR而經由高階(8階至16階)多項式描述晶圓載物台柵格參數。另外，多項式表示經建議用於場內參數之表示。然而，在一另外實施例中，可針對掃描器之曝光場(場間及場內)實現顯著更有效率的(且更簡單的)介面參數化。
圖10說明此有效率參數化概念。再次，使用度量衡工具1000以自先前已曝光之晶圓採取量測，且將此資訊傳遞至掃描器穩定性模組1010(諸如Baseliner 或Gridmapper Intrafield )。然而，在此實施例中，藉由界定足夠密集以準確地表示掃描器1030可引入之所有失真的場內參考柵格1025(比如笛卡兒(Cartesian)柵格(具有(例如)13×N個點，其中N可為19))且使用在用於場內之參考柵格之節點中所界定的原始(dx、dy)疊對來參數化介面1020。理想地，亦可藉由使場內參數在不同場之間變化以便考量場內指紋在不同場之間的可能變化(例如，歸因於晶圓柵格變形)來參數化曝光柵格。
因此，此介面1020參數化係通用的(非掃描器特定的)，其中參考柵格1025僅界定所要或所請求之校正，而不管目標掃描器是否能夠執行此等校正1030。掃描器1030藉由將參考柵格1020投影至其內部掃描器柵格1040上且對掃描器1030之(必要地為掃描器特定的)模型及硬體1050執行校正來使用該參考柵格。當然，因為所請求之校正柵格係通用的，所以掃描器將未必具有執行所有所請求之校正的功能性(事實上，此功能性係不可能的)。取而代之，掃描器1030使用參考柵格中之資訊以進行其能夠進行之校正。掃描器亦將輸出另外(例如，13×N)標準化參考柵格1060，其包含實際掃描器校正原始資料，亦即，掃描器1030具有在執行校正時使用之功能性且因此在執行校正時實際上使用的資料。此資料可被回饋以供控制器1010使用以將所請求之參考柵格1025之校正資料定目標至所使用之掃描器1030。
為了實現校正資料之較簡單分析，導出側串流1070、1075，其中應用程式1080僅使用在參考柵格1025、1060上所界定之所請求及/或實際資料的特定選定態樣/參數以監視隨時間推移之趨勢。
在一較佳實施例中，介面可能能夠進行以下各項：
-　指定(每場)經曝光於晶圓上之所有場的垂直尺寸及水平尺寸連同場中心座標；
-　指定(每場)曝光方向及曝光速度；及
-　指定(每場)在參考柵格上之場內指紋(比如，指定在固定13×19個點處之dx、dy疊對)。
參考柵格可對於所有場相同或不同。實務上，一共同柵格有可能將被用於所有場。當使用具有不同尺寸之曝光場時，共同參考柵格可連結至最大可能場(用於XT、NXT及EUV系統的26毫米×32毫米之所謂的全場)上之絕對位置，或者，可被允許經由使用該場上之相對座標系統隨著場大小而按比例調整。
儘管在本文中可特定地參考投影微影裝置及掃描功能性之使用，但應瞭解，本文中所揭示之概念同等地可適用於壓印微影裝置(藉以應認為對「曝光」之參考係對藉由壓印微影之圖案化的參考，且應認為對投影特定裝置之任何參考係對壓印微影中之等效物的參考，此將為熟習此項技術者所知)及/或步進器功能性(藉以應認為對「掃描器」、「掃描」或「掃描器穩定性模組」之任何參考係對步進器等效物之參考，此將為熟習此項技術者所知)。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
2．．．寬頻帶(白光)輻射投影儀
4．．．光譜儀偵測器
10．．．光譜
11．．．背部投影式光瞳平面
12．．．透鏡系統
13．．．干涉濾光器
14．．．參考鏡面
15．．．顯微鏡接物鏡
16．．．部分反射表面/光束分裂器
17．．．偏光器
18．．．偵測器
30．．．基板目標
500．．．掃描器穩定性模組
505．．．監視晶圓
510．．．主要微影單元
515．．．度量衡單元
520．．．經曝光產品晶圓
525．．．進階程序控制(APC)模組
530．．．經後蝕刻晶圓
535．．．製造執行系統(MES)
602．．．空氣軸承
604．．．器具
606．．．器具
608．．．器具
610．．．長行距(粗略)致動器
612．．．短行距(精細)致動器
614．．．短行距(精細)致動器
616．．．量測
620．．．平衡質量
622．．．粗略致動器
624．．．精細致動器
626．．．精細致動器
628．．．共用平衡質量
700．．．步驟
702．．．步驟/量測資訊
704．．．步驟/量測資訊
706．．．配方資料
708．．．度量衡資料
710．．．步驟
712．．．步驟
714．．．步驟
716．．．步驟
718．．．步驟
720．．．步驟
900．．．度量衡工具
910．．．掃描器穩定性模組
920．．．掃描器特定介面
930．．．掃描器
950．．．模型及硬體
1000．．．度量衡工具
1010．．．掃描器穩定性模組/控制器
1020．．．介面
1025．．．場內參考柵格
1030．．．掃描器
1040．．．內部掃描器柵格
1050．．．模型及硬體
1060．．．標準化參考柵格
1070．．．側串流
1075．．．側串流
1080．．．應用程式
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BK．．．烘烤板
C．．．目標部分
CH．．．冷卻板
CO．．．聚光器
DE．．．顯影器
EXP．．．曝光站
FB．．．基座框架
FM．．．度量衡框架
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
LA．．．微影裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載匣
LC．．．微影單元
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MET．．．度量衡站
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PU．．．處理單元
PW．．．第二定位器
PW'．．．定位機構/定位器
RO．．．機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
SO．．．輻射源
TCU．．．塗佈顯影系統控制單元
W．．．基板
W'．．．第二基板/晶圓
W"．．．經曝光基板
WT．．．基板台/晶圓台/支撐件
WT'．．．晶圓台/支撐件
圖1描繪微影裝置；
圖2描繪微影單元或叢集；
圖3描繪第一散射計；
圖4描繪第二散射計；
圖5說明利用掃描器穩定性模組之微影程序中的控制迴路；
圖6為展示可用於本發明之一實施例中的具有分離量測載物台及曝光載物台之微影裝置之組件的示意圖；
圖7示意性地說明根據已知實務的在圖6之裝置中處於量測程序及曝光程序中之載物台；
圖8為在一特定實施例中構成掃描器穩定性模組校正模型之參數的表；
圖9展示用於微影裝置之已知系統架構；及
圖10展示根據本發明之一實施例的用於微影裝置之系統架構。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
LA．．．微影裝置
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台/晶圓台/支撐件

Claims (29)

  1. 一種微影裝置，其包含：一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化元件；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；一圖案化系統，該圖案化系統經組態以將一圖案自該圖案化元件轉印至該基板之一目標部分上；一進階程序控制模組(advanced process control module)，該進階程序控制模組可操作以幫助藉由自一或多個參考基板週期性地擷取界定基線控制參數之量測以便自該等基線控制參數判定參數漂移來控制該支撐件、該基板台或該圖案化系統中之至少一者，藉此使能夠產生該漂移之容差及/或校正，該(該等)參考基板已初始地經歷圖案化，以便判定該等基線控制參數；一介面，該介面係在該進階程序控制模組與另一微影裝置之間；其中該介面之參數化(parameterization)不同於該進階程序控制模組之控制參數化。
  2. 如請求項1之裝置，其中該介面之該參數化對於複數個已知微影裝置係通用的。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該介面之該參數化可操作以描述場內效應，該等場內效應包括光罩狀態編碼器映射、在dx分量及dy分量中之平均狹縫描述及狹縫之Y位置相依性中的一或多者。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該介面之該參數化係藉由界 定表示藉由該微影裝置引入之失真的一場內參考柵格而實現。
  5. 如請求項4之裝置，其中該參考柵格之場內參數能夠遍及不同目標部分而變化，以便考量場內指紋遍及不同目標部分之可能變化。
  6. 如請求項4之裝置，其中該介面之該參數化：指定(每目標部分)經圖案化於該基板上之所有該等目標部分的垂直尺寸及水平尺寸連同目標部分中心座標；指定(每目標部分)曝光方向及曝光速度；及/或指定(每目標部分)在該參考柵格上之該場內指紋。
  7. 如請求項4之裝置，其可操作以使得一共同參考柵格被用於所有目標部分，該共同參考柵格連結至用於該微影裝置之最大可能目標部分上之絕對位置。
  8. 如請求項4之裝置，其可操作以使得一共同參考柵格被用於所有目標部分，該共同參考柵格被允許使用該目標部分上之一相對座標系統隨著目標部分大小而按比例調整。
  9. 如請求項1或2之裝置，其中該介面之該參數化係使得每一參數具有至少若干自由度。
  10. 如請求項5之裝置，其中該至少若干自由度包含8個或16個自由度。
  11. 如請求項6之裝置，其可操作以使得所有晶圓載物台圖案化側柵格參數在適當時係藉由1D多項式或2D多項式或1D傅立葉變換或2D傅立葉變換加以描述。
  12. 如請求項5之裝置，其可操作以使得所有場內參數係藉由1D多項式或1D傅立葉變換加以描述。
  13. 如請求項1或2之裝置，其中該進階程序控制模組之該控制參數化係使用該微影裝置所需要之儘可能少的自由度加以界定。
  14. 如請求項1或2之裝置，其可操作以執行投影微影，該裝置進一步包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光束；一投影系統，該投影系統包含於該圖案化系統中，其中該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，且該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之該目標部分上以執行該圖案化。
  15. 一種使用一進階程序控制模組以控制一微影裝置之掃描/步進功能的方法，其包含：曝光一參考基板以判定關於該掃描/步進功能之基線控制參數；自該參考基板週期性地擷取該等基線控制參數；自該等基線控制參數判定參數漂移；及基於該判定而採取校正動作，其中用於該進階程序控制模組與該微影裝置之間的通信之參數化係不同於用於該進階程序控制模組之控制參數化。
  16. 如請求項15之方法，其中用於該進階程序控制模組與該 微影裝置之間的通信之該參數化對於複數個已知微影裝置係通用的。
  17. 如請求項15或16中任一項之方法，其中用於該進階程序控制模組與該微影裝置之間的通信之該參數化可操作以描述場內效應，該等場內效應包括光罩狀態編碼器映射、在dx分量及dy分量中之平均狹縫描述及狹縫之Y位置相依性中的一或多者。
  18. 如請求項15或16中任一項之方法，其中藉由界定表示藉由該微影裝置引入之失真的一場內參考柵格而實現用於該進階程序控制模組與該微影裝置之間的通信之參數化。
  19. 如請求項18之方法，其中該參考柵格之場內參數能夠遍及不同目標部分而變化，以便考量場內指紋遍及不同目標部分之可能變化。
  20. 如請求項18之方法，其中用於該進階程序控制模組與該微影裝置之間的通信之參數化係：指定(每目標部分)經圖案化於該基板上之所有該等目標部分的垂直尺寸及水平尺寸連同目標部分中心座標；指定(每目標部分)曝光方向及曝光速度；及/或指定(每目標部分)在該參考柵格上之該場內指紋。
  21. 如請求項18之方法，其中將一共同參考柵格用於所有目標部分，該共同參考柵格連結至用於該微影裝置之最大可能目標部分上之絕對位置。
  22. 如請求項18之方法，其中將一共同參考柵格用於所有目 標部分，該共同參考柵格被允許使用該目標部分上之一相對座標系統隨著目標部分大小而按比例調整。
  23. 如請求項15或16之方法，其中在每一參數具有至少若干自由度之情況下界定用於該進階程序控制模組與該微影裝置之間的通信之該參數化。
  24. 如請求項23之方法，其中該至少若干自由度包含8個或16個自由度。
  25. 如請求項24之方法，其中在適當時藉由1D多項式或2D多項式或1D傅立葉變換或2D傅立葉變換來描述所有晶圓載物台圖案化側柵格參數。
  26. 如請求項23之方法，其中藉由1D多項式或1D傅立葉變換來描述所有場內參數。
  27. 如請求項15或16之方法，其中使用該微影裝置所需要之儘可能少的自由度來界定該進階程序控制模組之該控制參數化。
  28. 如請求項15或16之方法，其中取決於所使用之特定微影裝置及軟體進行該進階程序控制模組之該控制參數化。
  29. 如請求項15或16之方法，其中該微影裝置在至少一掃描模式中操作，在該至少一掃描模式中，使一經圖案化輻射光束橫越一基板之一目標部分進行掃描。
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