TWI426357B - 估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置 - Google Patents

估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI426357B
TWI426357B TW100103752A TW100103752A TWI426357B TW I426357 B TWI426357 B TW I426357B TW 100103752 A TW100103752 A TW 100103752A TW 100103752 A TW100103752 A TW 100103752A TW I426357 B TWI426357 B TW I426357B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
lithography
measurement
discrete orthogonal
predetermined
Prior art date
Application number
TW100103752A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201142531A (en
Inventor
Scott Anderson Middlebrooks
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201142531A publication Critical patent/TW201142531A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI426357B publication Critical patent/TWI426357B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns

Description

估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置
本發明係關於估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置，微影裝置可用於(例如)藉由微影技術之器件製造中。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或經圖案化基板上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在微影程序中所形成之顯微鏡結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡及各種專門工具之使用。一種快速且非侵入形式之專門檢測工具為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。藉由比較光束在其已藉由基板反射或散射之前與之後的屬性，可判定基板之屬性。此判定可(例如)藉由比較反射光束與儲存於相關聯於已知基板屬性之已知量測庫中的資料而進行。吾人已知兩種主要類型之散射計。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上，且量測經散射成特定窄角範圍之輻射的光譜(作為波長之函數的強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。
通常，橫越曝光場及橫越晶圓基板量測基板之屬性，諸如晶圓上之疊對誤差。不在每一個量測點處控制疊對誤差。相反地，使用參數化以特性化橫越場及晶圓之疊對。
此參數化描述作為晶圓及場位置之函數的疊對誤差。此參數化可為簡單的(諸如10參數模型)或較複雜的(諸如高階多項式之基底集合(basis set))。在使用此參數化的情況下，可計算為了驅使橫越晶圓(場)之疊對誤差為零而應在微影裝置處應用之校正。
經計算控制移動之精確度為量測之方差及模型的函數。藉由在何處執行量測來判定模型，因此，控制移動之精確度最終為量測之方差、模型及在何處執行量測之函數。
若界定模型之基底函數橫越晶圓(場)域非正交，則在參數之間將存在線性相依性，此情形使系統非唯一且使參數更難以被估計。結果，會不利地影響控制精確度。
需要提供一種克服此等問題之系統。
根據本發明之一第一態樣，提供一種估計一微影裝置之模型參數的方法，該方法包含以下步驟：橫越一基板使用該微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
根據本發明之一第二態樣，提供一種控制藉由一微影裝置之微影處理的方法，該方法包含以下步驟：橫越一基板使用該微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
根據本發明之一第三態樣，提供一種用於估計用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之模型參數的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
根據本發明之一第四態樣，提供一種用於控制藉由用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
根據本發明之一第五態樣，提供一種電腦程式產品，該電腦程式產品含有用於估計用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之模型參數之機器可讀指令的一或多個序列，該等指令經調適以使一或多個處理器：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
根據本發明之一第六態樣，提供一種電腦程式產品，該電腦程式產品含有用於控制藉由用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理之機器可讀指令的一或多個序列，該等指令經調適以使一或多個處理器：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理，且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由此處所附加之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。
可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可藉由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，其遇合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2所示，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載匣LB。通常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身係藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確地且一致地曝光藉由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其係在檢測可足夠迅速且快速地進行以使得同一分批之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重做(以改良良率)或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷之情況下，可僅對為良好之該等目標部分執行另外曝光。
使用檢測裝置來判定基板之屬性，且特別係判定不同基板或同一基板之不同層的屬性如何在層與層之間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為單獨器件。為了實現最快速之量測，需要使檢測裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度(在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小的折射率差)，且並非所有檢測裝置均具有足夠敏感性來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且其增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測(此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除)，或在圖案轉印步驟(諸如蝕刻)之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重做有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3描繪可用於本發明之一實施例中的散射計。該散射計包含寬頻帶(白光)輻射投影儀2，其將輻射投影至基板W上。反射輻射傳遞至光譜儀偵測器4，其量測鏡面反射輻射之光譜10(作為波長之函數的強度)。自此資料，可藉由處理單元PU來重建構引起經偵測光譜之結構或剖面，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸，或藉由與圖3之底部處所展示之模擬光譜庫比較。一般而言，對於重建構，結構之通用形式係已知的，且根據對製造該結構所採用之程序的認識來假定一些參數，從而僅留下該結構之少許參數以自散射量測資料加以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
圖4中展示可用於本發明之實施例的另一散射計。在此器件中，藉由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12加以準直，且透射通過干涉濾光器13及偏光器17、藉由部分反射表面16反射且經由顯微鏡接物鏡15而聚焦至基板W上，顯微鏡接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，較佳地為至少0.9且更佳地為至少0.95。浸沒散射計可甚至具有數值孔徑超過1之透鏡。反射輻射接著通過部分反射表面16而透射至偵測器18中，以便偵測散射光譜。該偵測器可位於處於透鏡系統12之焦距的背部投影式光瞳平面11中，然而，該光瞳平面可代替地藉由輔助光學儀器(圖中未繪示)而再成像至該偵測器上。光瞳平面為輻射之徑向位置界定入射角且角位界定輻射之方位角所在的平面。偵測器較佳地為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。
舉例而言，通常使用參考光束來量測入射輻射之強度。為此，當輻射光束入射於光束分裂器16上時，將該輻射光束之部分透射通過該光束分裂器以作為朝向參考鏡面14之參考光束。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上，或者，投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。
干涉濾光器13之集合可用以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵以代替干涉濾光器。
偵測器18可量測散射光在單一波長(或窄波長範圍)下之強度、單獨地在多個波長下之強度，或在一波長範圍內所積分之強度。此外，偵測器可單獨地量測橫向磁偏光及橫向電偏光之強度，及/或橫向磁偏光與橫向電偏光之間的相位差。
使用寬頻帶光源(亦即，具有寬光頻率或波長範圍(且因此具有寬顏色範圍)之光源)係可能的，其給出大光展量(etendue)，從而允許多個波長之混合。寬頻帶中之複數個波長較佳地各自具有為Δλ之頻寬及為至少2 Δλ(亦即，為該頻寬之兩倍)之間隔。若干輻射「源」可為已使用光纖束加以分裂的延伸型輻射源之不同部分。以此方式，可在多個波長下並行地量測角解析散射光譜。可量測3-D光譜(波長及兩個不同角度)，其含有多於2-D光譜之資訊的資訊。此情形允許量測更多資訊，其增加度量衡程序穩固性。此情形被更詳細地描述於全文以引用之方式併入本文中的EP1,628,164A中。
基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，條狀物(bar)係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑柱狀物或導孔形成。或者，條狀物、柱狀物或導孔可經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別係投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，使用經印刷光柵之散射量測資料來重建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測程序之認識，可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如柱狀物或導孔寬度或長度或形狀)輸入至藉由處理單元PU執行之重建構程序。
準確微影之關鍵構成要素為控制微影掃描器及掃描功能性之增加能力(當提及「掃描器」時，應瞭解，此情形涵蓋本文中所描述之所有掃描模式及功能性，以及其他掃描功能性)。最近，已藉由申請人之BaselinerTM 掃描器穩定性模組達成對掃描器之聚焦及疊對(層與層之對準)均一性的改良，此情形導致用於給定特徵大小及晶片應用之最佳化程序窗，從而實現更小、更進階之晶片之產生的延續。
當最初安裝微影系統時，必須校準微影系統以確保最佳操作。然而，隨時間推移，系統效能參數將漂移。可容許少量漂移，但系統之過多漂移將不滿足規格。因此，要求製造商週期性地停止生產以用於重校準。較頻繁地校準系統會給出較大程序窗，但以較多排程停機時間為代價。
掃描器穩定性模組極大地減少此等生產停止。取而代之，掃描器穩定性模組每天自動地將系統重設定至經預界定基線。為此，該掃描器穩定性模組擷取使用度量衡工具自監視晶圓所採取之標準量測。使用含有特殊散射量測標記之特殊光罩來曝光監視晶圓。自當天之量測，掃描器穩定性模組判定系統已自其基線漂移多遠。接著，掃描器穩定性模組計算晶圓位階疊對及聚焦校正集合。接著，微影系統針對後續生產晶圓上之每一曝光將此等校正集合轉換成特定校正。
理想地，對於批產(volume production)，需要在將用於曝光之層指派至掃描器時具有充分靈活性。交替層-掃描器專用將使每月輸出容量處於危險之中，此係因為微影叢集之任何小干擾均直接地顯現於該月之輸出中。一種用以克服此危險之已知方式係藉由所謂的(疊對)柵格匹配。所有掃描器柵格均故意地略微偏移，使得所有掃描器均或多或少地具有相同(平均)疊對柵格。此柵格通常被稱作「至善」(holy)或「貴重」(golden)柵格。每一產品層現可曝光於同一類型之每一掃描器上。此「貴重」柵格經曝光及蝕刻至所謂的「參考晶圓」上。若代替隨機監視晶圓而將此等「貴重」匹配晶圓用作疊對穩定性控制之基線，則可在單一自動化步驟中達成疊對柵格匹配及長期穩定性。
圖5描繪併有掃描器穩定性模組500之總微影及度量衡方法(在此實例中，基本上為在伺服器上執行之應用程式)。展示三個主要程序控制迴路。第一迴路提供使用掃描器穩定性模組500及監視晶圓之局域掃描器控制。監視晶圓505經展示為自主要微影單元510傳遞，從而已經曝光以設定聚焦及疊對之基線參數。在稍後時間，度量衡單元515讀取此等基線參數，接著藉由掃描器穩定性模組500解譯該等基線參數以便計算校正常式550，將校正常式550傳遞至主要微影單元510且在執行另外曝光時使用校正常式550。
第二進階程序控制(APC)迴路係用於產品上局域掃描器控制(判定聚焦、劑量及疊對)。將經曝光產品晶圓520傳遞至度量衡單元515，且接著傳遞至進階程序控制(APC)模組525上。將來自度量衡單元515之資料再次傳遞至掃描器穩定性模組500。在製造執行系統(MES)535接管之前進行程序校正540，從而與掃描器穩定性模組500通信而提供對主要微影單元510之掃描器控制。
第三迴路係允許至第二APC迴路中之度量衡整合(例如，用於雙重圖案化)。將經後蝕刻晶圓530傳遞至度量衡單元515，且接著傳遞至進階程序控制(APC)模組上。該迴路與第二迴路相同地繼續。
本發明之實施例係關於用於估計微影裝置之模型參數及控制藉由微影裝置之曝光的實施例。
晶圓域經界定以存在於[-1 1]上(假設N個量測點係在[-1 1]上)，且產生在[-1 1]上為離散地正規正交之契比雪夫(Chebyshev)多項式。接著，利用此正規正交多項式集合作為基底函數以模型化橫越晶圓(場)之疊對誤差。亦可使用其他離散正交基底函數。
以線性狀態空間形式將疊對系統參數化為：
y=Cx
其中：y為經量測疊對誤差，該等疊對誤差係使用諸如散射計之檢測裝置予以量測；矩陣C係自正規正交多項式基底函數及量測座標予以建置；且向量x為將經由以上模型之反轉所推斷的狀態，亦被稱作模型參數，諸如標度、光罩放大率、旋轉，等等。
基底函數之正交性保證矩陣C具有有限線性相依性或不具有線性相依性。因此，在最少量測的情況下精確地估計模型之參數。
參看圖6，橫越晶圓604使用微影裝置來執行(602)曝光600。獲得(608)預定晶圓量測部位集合606。可藉由判定在何處量測以使得達成最佳(最精確)模型來最佳化此樣本計劃。因此，可最佳化預定基板量測部位，以增加經計算之經估計模型參數之準確度。使用預定基板量測部位來產生(610)離散正交多項式(在此實施例中為正規正交多項式)。可如在Mukundan,R.之「Some computational aspects of discrete orthonormal moments」(IEEE Transactions on Image Processing，2004年8月，第13卷，第8期，第1055頁至第1059頁)中所描述而產生此等離散正交多項式，該文件之全文以引用之方式併入本文中。在預定部位處量測(612)起因於曝光之疊對誤差以獲得疊對量測614(y)。可藉由圖5所示之度量衡單元515執行此步驟。藉由使用離散正交多項式作為基底函數以模型化(C)橫越晶圓之疊對而自疊對量測614(y)計算(618)微影裝置之經估計模型參數616(x)。最後，使用經估計模型參數616(x)以控制(620)微影裝置622(諸如圖5中之主要微影單元510)，以便提供橫越晶圓624之經校正疊對。在一實施例中，可與度量衡單元515及主要微影單元510合作而將本發明之實施例實施為在圖5所示之掃描器穩定性模組500上執行的軟體程式。
本發明之實施例可提供若干優點。操作及系統之執行可為簡單的。可在不引入線性相依性的情況下增加多項式基底函數之階數。可容易地計算估計之精確度。
使用正交多項式作為疊對模型之基底會允許更精確的狀態估計。換言之，在狀態中含有更多資訊。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採用如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。本文中已為了便於描述而任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般本性以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。
2．．．寬頻帶(白光)輻射投影儀
4．．．光譜儀偵測器
10．．．光譜
11．．．背部投影式光瞳平面
12．．．透鏡系統
13．．．干涉濾光器
14．．．參考鏡面
15．．．顯微鏡接物鏡
16．．．部分反射表面/光束分裂器
17．．．偏光器
18．．．偵測器
30．．．基板目標
500．．．掃描器穩定性模組
505．．．監視晶圓
510．．．主要微影單元
515．．．度量衡單元
520．．．經曝光產品晶圓
525．．．進階程序控制(APC)模組
530．．．經後蝕刻晶圓
535．．．製造執行系統(MES)
600．．．曝光
602．．．執行步驟
604．．．晶圓
606．．．預定晶圓量測部位集合
608．．．獲得步驟
610．．．產生步驟
612．．．量測步驟
614．．．疊對量測
616．．．經估計模型參數
618．．．計算步驟
620．．．控制步驟
622．．．微影裝置
624．．．晶圓
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BK．．．烘烤板
C．．．目標部分
CH．．．冷卻板
CO．．．聚光器
DE．．．顯影器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
LA．．．微影裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載匣
LC．．．微影單元
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PU．．．處理單元
PW．．．第二定位器
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
RO．．．機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
SO．．．輻射源
TCU．．．塗佈顯影系統控制單元
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪微影裝置；
圖2描繪微影單元或叢集；
圖3描繪第一散射計；
圖4描繪第二散射計；
圖5說明利用掃描器穩定性模組之微影程序中的控制迴路；及
圖6為說明根據本發明之一實施例之方法的流程圖。
根據上文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位進行指示。
500．．．掃描器穩定性模組
505．．．監視晶圓
510．．．主要微影單元
515．．．度量衡單元
520．．．經曝光產品晶圓
525．．．進階程序控制(APC)模組
530．．．經後蝕刻晶圓
535．．．製造執行系統(MES)

Claims (42)

  1. 一種估計一微影裝置之模型參數的方法，該方法包含以下步驟：橫越一基板使用該微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
  2. 如請求項1之方法，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  4. 如請求項1或2之方法，其中計算該微影裝置之經估計模型參數(x)的該步驟包含：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  5. 如請求項1或2之方法，其中最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  6. 一種控制藉由一微影裝置之微影處理的方法，該方法包含以下步驟： 橫越一基板使用該微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
  7. 如請求項6之方法，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  8. 如請求項6或7之方法，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  9. 如請求項6或7之方法，其中計算該微影裝置之經估計模型參數(x)的該步驟包含：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  10. 如請求項6或7之方法，其中最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  11. 一種用於估計用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之模型參數的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以： 使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
  12. 如請求項11之裝置，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  13. 如請求項11或12之裝置，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  14. 如請求項11或12之裝置，其中該處理器經組態以藉由以下方式來計算該微影裝置之經估計模型參數(x)：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  15. 如請求項11或12之裝置，其中該處理器經組態以產生該等預定基板量測部位，使得最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  16. 一種用於控制藉由用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)； 藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
  17. 如請求項16之裝置，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  18. 如請求項16或17之裝置，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  19. 如請求項16或17之裝置，其中該處理器經組態以藉由以下方式來計算該微影裝置之經估計模型參數(x)：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  20. 如請求項16或17之裝置，其中該處理器經組態以產生該等預定基板量測部位，使得最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  21. 一種電腦程式產品，該電腦程式產品含有用於估計用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之模型參數之機器可讀指令的一或多個序列，該等指令經調適以使一或多個處理器：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；及 藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
  22. 一種電腦程式產品，該電腦程式產品含有用於控制藉由用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理之機器可讀指令的一或多個序列，該等指令經調適以使一或多個處理器：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
  23. 一種估計一參數的方法，其包含：橫越一基板使用一微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；及使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
  24. 如請求項23之方法，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  25. 如請求項23之方法，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  26. 如請求項23之方法，其中該計算該微影裝置之經估計模型參數(x)包含：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  27. 如請求項23之方法，其中最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  28. 一種估計一參數的方法，其包含：橫越一基板使用一微影裝置來執行一微影程序；使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處量測起因於該微影程序之一基板屬性以獲得基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之該基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
  29. 如請求項28之方法，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  30. 如請求項28之方法，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  31. 如請求項28之方法，其中該計算該微影裝置之經估計模型參數(x)包含：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  32. 如請求項28之方法，其中最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  33. 一種用於估計用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之模型參數的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；及藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)。
  34. 如請求項33之裝置，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  35. 如請求項33之裝置，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  36. 如請求項33之裝置，其中該處理器經組態以藉由以下方式來計算該微影裝置之經估計模型參數(x)： 使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  37. 如請求項33之裝置，其中該處理器經組態以產生該等預定基板量測部位，使得最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
  38. 一種用於控制藉由用以橫越一基板執行一微影程序之一微影裝置之微影處理的裝置，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以：使用預定基板量測部位以產生離散正交多項式；接收在對應於該等預定基板量測部位的該基板之部位處所量測的起因於該微影程序之基板屬性量測(y)；藉由使用該等經產生離散正交多項式作為一基底函數以模型化(C)橫越該基板之基板屬性而自該等基板屬性量測(y)計算該微影裝置之經估計模型參數(x)；及使用該等經估計模型參數來控制藉由該微影裝置之微影處理。
  39. 如請求項38之裝置，其中該等離散正交多項式為正規正交的。
  40. 如請求項38之裝置，其中該等離散正交多項式包含契比雪夫多項式。
  41. 如請求項38之裝置，其中該處理器經組態以藉由以下方式來計算該微影裝置之經估計模型參數(x)：使用該等經產生離散正交多項式及該等預定基板量測 部位來建構一矩陣(C)；及反轉該矩陣。
  42. 如請求項38之裝置，其中該處理器經組態以產生該等預定基板量測部位，使得最佳化該等預定基板量測部位以增加該等經計算之經估計模型參數之準確度。
TW100103752A 2010-02-17 2011-01-31 估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置 TWI426357B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30533210P 2010-02-17 2010-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201142531A TW201142531A (en) 2011-12-01
TWI426357B true TWI426357B (zh) 2014-02-11

Family

ID=43902860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100103752A TWI426357B (zh) 2010-02-17 2011-01-31 估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8947642B2 (zh)
NL (1) NL2006024A (zh)
TW (1) TWI426357B (zh)
WO (1) WO2011101192A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2009056A (en) * 2011-08-09 2013-02-12 Asml Netherlands Bv A lithographic model for 3d topographic wafers.
NL2013751A (en) * 2013-12-18 2015-06-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus.
WO2017194289A1 (en) * 2016-05-12 2017-11-16 Asml Netherlands B.V. Method of obtaining measurements, apparatus for performing a process step and metrology apparatus
EP3432072A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate
WO2019015995A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Asml Netherlands B.V. METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP3570110A1 (en) * 2018-05-16 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Estimating a parameter of a substrate
KR20200040104A (ko) 2018-10-08 2020-04-17 삼성전자주식회사 조합된 모델 함수를 산출하는 방법, 리소그래피 장치 세팅 방법, 리소그래피 방법, 리소그래피 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2020621A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-04 ASML Netherlands BV Inspection method and apparatus, lithographic apparatus and lithographic processing cell
EP2053349A2 (en) * 2007-10-25 2009-04-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for determining properties of a lithographic pattern on a substrate
WO2010006935A2 (en) * 2008-07-14 2010-01-21 Asml Netherlands B.V. Alignment system, lithographic system and method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496454B1 (ko) * 2003-04-30 2005-06-22 주식회사 피케이엘 스테이지 기울어짐과 포토마스크 표면의 불균일에 의한선폭변화 보정방법
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
NL2004887A (en) * 2009-06-24 2010-12-27 Asml Netherlands Bv Method for selecting sample positions on a substrate, method for providing a representation of a model of properties of a substrate, method of providing a representation of the variation of properties of a substrate across the substrate and device manufacturing method.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2020621A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-04 ASML Netherlands BV Inspection method and apparatus, lithographic apparatus and lithographic processing cell
EP2053349A2 (en) * 2007-10-25 2009-04-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for determining properties of a lithographic pattern on a substrate
WO2010006935A2 (en) * 2008-07-14 2010-01-21 Asml Netherlands B.V. Alignment system, lithographic system and method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201142531A (en) 2011-12-01
WO2011101192A1 (en) 2011-08-25
US8947642B2 (en) 2015-02-03
NL2006024A (en) 2011-08-18
US20110199596A1 (en) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI427434B (zh) 用以控制一微影裝置之方法、裝置及電腦程式產品
US9360770B2 (en) Method of determining focus corrections, lithographic processing cell and device manufacturing method
TWI430333B (zh) 決定疊對誤差之方法及裝置
TWI470375B (zh) 用於判定疊對誤差之方法及裝置
TWI470370B (zh) 微影裝置及元件製造方法
US7619737B2 (en) Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
TWI553427B (zh) 檢測方法及裝置、微影裝置、微影製程單元及元件製造方法
TWI410756B (zh) 判定疊對誤差的方法及元件製造方法
KR101425627B1 (ko) 기판 상에서 대상물의 개략적인 구조를 결정하기 위한 방법, 검사 장치 및 기판
TWI448658B (zh) 量測疊對誤差的方法及器件製造方法
USRE49199E1 (en) Inspection method and apparatus and lithographic processing cell
TWI426357B (zh) 估計微影裝置之模型參數及控制微影裝置之方法及裝置
TWI448829B (zh) 微影裝置及圖案化方法
KR20180095605A (ko) 스캐터로메트리에서의 편광 튜닝
TW201717256A (zh) 用於製程窗定義之度量衡方法
TWI460549B (zh) 微影裝置及元件製造方法
WO2011012412A1 (en) Inspection method for lithography
TWI467346B (zh) 決定特性之方法
US8982328B2 (en) Method and apparatus for overlay measurement