TW201717256A - 用於製程窗定義之度量衡方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種方法，該方法涉及：量測針對一製程參數之值的一第一範圍設計之一第一度量衡目標；量測針對同一製程參數之值的一第二範圍設計之一第二度量衡目標，該第二範圍不同於該第一範圍且該第二度量衡目標具有與該第一度量衡目標不同的一實體設計；及自根據該量測該第一度量衡目標判定之該第一範圍中的該製程參數之一值及自根據該量測該第二度量衡目標判定之該第二範圍中的該製程參數之一值來導出製程窗資料。

Description

用於製程窗定義之度量衡方法
本描述係關於一種藉由度量衡定義製程窗之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 為了監視圖案化製程之一或多個步驟(亦即，藉由製作圖案之器件製造製程，包括(例如)圖案化印刷(例如，光學微影、壓印，等等)、抗蝕劑處理、蝕刻、顯影、烘烤，等等)，檢測經圖案化基板且量測經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，一或多個參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及/或經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對包含產品基板特徵之度量衡目標及/或對提供於該基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在圖案化製程中形成之微觀結構進行量測之各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。 快速且非侵入之形式的特殊化檢測工具為散射計，其中將輻射光束導向至基板上之目標上，且量測經散射光束或經反射光束之屬性。藉由比較光束在其已自基板反射或散射之前及之後的一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。兩種主要類型之散射計為已知的。光譜散射計將寬頻帶輻射光束導向至基板上且量測經散射至特定窄角範圍中之輻射之光譜(依據波長變化之強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測依據角度變化之經散射輻射之強度。 散射量測之特定應用係在週期性目標內之特徵不對稱性之量測中。此散射量測可用作(例如)疊對誤差之量度，但其他應用亦為吾人所知。在角解析散射計中，可藉由比較繞射光譜之對置部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中的-1階及+1階)來量測不對稱性。此情形可簡單地在角度解析散射量測中完成，如針對美國專利申請公開案US2006-066855中之實例所描述。已設計出基於影像之散射量測，其涉及依次使用-1階輻射及+1階輻射來拍攝目標之分離影像。此基於影像之技術之實例於經公開的美國專利申請公開案第US2011-0027704號、第US2011-0043791號及第US2012-0044470號中加以描述，上述專利申請公開案以全文引用之方式併入本文中。
隨著圖案化製程中之實體尺寸之縮減，需要(例如)增加根據針對度量衡設計之目標之量測判定的資料之量測準確度/精確度。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：量測針對一製程參數之值的一第一範圍設計之一第一度量衡目標；量測針對相同製程參數之值的一第二範圍設計之一第二度量衡目標，該第二範圍不同於該第一範圍且該第二度量衡目標具有與該第一度量衡目標不同的一實體設計；及自根據該量測該第一度量衡目標判定之該製程參數在該第一範圍中之一值及自根據該量測該第二度量衡目標判定之該製程參數在該第二範圍中之一值導出製程窗資料。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：量測經設計以具有用於在一製程參數之一第一值下之量測的一最佳量測屬性之一第一度量衡目標；量測經設計以具有其用於在該製程參數之一第二不同值下之量測的相同最佳量測屬性之一第二度量衡目標；及使用該第一度量衡目標及該第二度量衡目標自該製程參數之量測導出製程窗資料。 在一實施例中，提供一種方法，其包含獲得製程窗資料，該製程窗資料自根據量測一第一度量衡目標判定之一第一範圍中之一製程參數之值及自根據量測一第二度量衡目標判定之不同於該第一範圍之一第二範圍中之相同製程參數之值導出，其中該第二度量衡目標與該第一度量衡目標具有一不同實體設計；及基於該製程窗資料形成及/或控制一圖案化製程之至少部分。 在一實施例中，提供一種製造器件之方法，其中使用一圖案化製程將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括使用如本文所描述之一方法獲得製程窗資料，及根據該方法之結果控制用於稍後基板之該圖案化製程之至少部分。 在一實施例中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器導致執行如本文所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一檢測裝置，其經組態以將一光束提供在一基板上之一度量衡目標上且偵測由該度量衡目標重新導向之輻射以判定一圖案化製程之一參數；及如本文所描述之一非暫時性電腦程式產品。在一實施例中，該系統進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變投影至一輻射敏感基板上。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含： -    照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)； -    支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； -    基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及 -    投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上，該投影系統被支撐於參考框架(RF)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來支撐圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。 本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用於在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜之鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化器件台、在無專用於(例如)促進量測及/或清潔等之基板的投影系統下方之基板台WTa及基板台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角，等)量測。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如)以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。 2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。 如圖2所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元(lithographic cell) LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將基板在不同製程裝置之間移動且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。因此，微影製造單元LC位於之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，該度量衡系統MET收納已在微影製造單元中經處理之基板W中之一些或全部。度量衡系統MET可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影裝置LA之部分。 可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或經曝光基板之後續曝光進行調整。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。 在度量衡系統MET內，檢測裝置係用於判定基板之一或多個屬性，且尤其判定不同基板之一或多個屬性如何發生變化或同一基板之不同層在層間如何發生變化。檢測裝置可經整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為獨立器件。為實現快速量測，需要使檢測裝置就在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有低對比度—在抗蝕劑之已曝光於輻射的部分與抗蝕劑之尚未曝光於輻射的部分之間僅存在極小折射率差—且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度以進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能對經顯影抗蝕劑影像進行量測—此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除—或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後一可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。 圖3描繪實例檢測裝置(例如，散射計)。其包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。經反射輻射被傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器4量測鏡面反射輻射之光譜10 (依據波長變化之強度)，如在(例如)左下方之圖中所展示。根據此資料，可藉由(例如)嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與圖3之右下方所展示之經模擬光譜之庫的比較由處理器PU重新建構導致偵測到之光譜的結構或剖面。一般而言，對於重新建構，結構之一般形式為吾人所知，且根據藉以製作結構之製程之知識來假定一些參數，從而僅留下結構之幾個參數以根據經量測資料予以判定。此檢測裝置可經組態作為正入射檢測裝置或斜入射檢測裝置。 圖4中展示可使用之另一檢測裝置。在此器件中，由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12而準直且透射通過干涉濾光器13及偏振器17、由部分反射表面16反射且經由接物鏡15而聚焦至基板W上之光點S中，接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，理想地為至少0.9或至少0.95。浸潤檢測裝置(使用相對高折射率流體，諸如水)甚至可具有大於1之數值孔徑。 與在微影裝置LA中一樣，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。該等基板台可在形式上與圖1之基板台WTa、WTb相似或相同。在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至為同一基板台。可將粗略定位器及精細定位器提供至經組態以相對於量測光學系統來準確地定位基板之第二定位器PW。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至接物鏡15下方之位置中。通常將對橫越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。可在X及Y方向上移動基板支撐件以獲取不同目標，且可在Z方向上移動該基板支撐件以獲得目標相對於光學系統之焦點之所要部位。舉例而言，當實務上光學系統可保持實質上靜止(通常在X及Y方向上但可能亦在Z方向上)且僅基板移動時，考慮且描述操作如同接物鏡被帶入至相對於基板之不同部位為方便的。倘若基板與光學系統之相對位置正確，則原則上無關緊要的係，基板與光學系統中之哪一者在真實世界中移動，或其兩者皆移動，抑或光學系統之一部分之組合移動(例如，在Z方向及/或傾斜方向上)，其中光學系統之其餘部分靜止且基板移動(例如，在X及Y方向上，且視情況亦在Z方向及/或傾斜方向上)。 由基板W重新導向之輻射接著通過部分反射表面16傳遞至偵測器18中以便使光譜被偵測到。偵測器18可位於背向投影式焦平面11處(亦即，位於透鏡系統15之焦距處)，或平面11可運用輔助光學件(未圖示)而再成像至偵測器18上。該偵測器可為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如) CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。 參考光束可用以(例如)量測入射輻射之強度。為進行此量測，當輻射光束入射於部分反射表面16上時，將輻射光束之部分通過部分反射表面16作為參考光束而透射朝向參考鏡面14。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(未圖示)上。 一或多個干涉濾光器13可用於選擇在為(例如) 405奈米至790奈米或甚至更低(諸如，200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。該干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵代替干涉濾光器。孔徑光闌或空間光調變器(未圖示)可提供於照明路徑中以控制目標上之輻射之入射角之範圍。 偵測器18可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之經重新導向輻射之強度、分離地在多個波長下之經重新導向輻射之強度，或遍及一波長範圍而積分之經重新導向輻射之強度。此外，偵測器可分別量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。 基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條(bar)係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷以使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可經蝕刻至基板中或基板上(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。(例如，長條、導柱或通孔之)圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PS)中之光學像差敏感，且照明對稱性及此像差之存在將顯現在經印刷光柵中之變化。因此，經印刷光柵之經量測資料用以重新建構光柵。可根據印刷步驟及/或其他檢測製程之知識，將1-D光柵之一或多個參數(諸如線寬及/或形狀)，或2-D光柵之一或多個參數(諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理器PU執行之重新建構製程。 除了藉由重新建構進行參數之量測以外，角解析散射量測亦適用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性之量測。不對稱性量測之一特定應用係用於疊對之量測，其中目標30包含疊置於一組週期性特徵上的另一組週期性特徵。使用圖3或圖4之器具之不對稱性量測之概念係(例如)在美國專利申請公開案US2006-066855中描述，該公開案之全文併入本文中。簡單地陳述，雖然目標之繞射光譜中之繞射階的位置僅藉由目標之週期性判定，但繞射光譜中之不對稱性指示構成目標之個別特徵中的不對稱性。在圖4之器具中(其中偵測器18可為影像感測器)，繞射階中之此不對稱性直接顯現為由偵測器18記錄之光瞳影像中的不對稱性。此不對稱性可藉由單元PU中之數位影像處理來量測，且對照已知疊對值來予以校準。 圖5說明典型目標30之平面視圖，及圖4之裝置中之照明光點S之範圍。為獲得擺脫來自環繞結構之干涉的繞射光譜，在一實施例中，目標30為大於照明光點S之寬度(例如，直徑)之週期性結構(例如，光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標係由照明「填充不足」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者之任何信號。照明配置2、12、13、17可經組態以提供橫越物鏡15之背焦平面之均一強度的照明。替代地，藉由(例如)在照明路徑中包括孔隙，照明可限於同軸或離軸方向。 圖6示意性地描繪基於使用度量衡獲得之量測資料判定目標圖案之一或多個所關注參數之實例製程。由偵測器18偵測到之輻射提供用於目標30'之經量測輻射分佈108。此經量測輻射分佈108含有用以使得能夠導出所關注參數(諸如形成於基板中或上之順次層之間的疊對誤差及/或(例如)經顯影感光抗蝕劑之臨界尺寸)之資訊。 對於給定目標30'，可根據用於目標30'之圖案之經參數化模型206 (其為目標(諸如目標30、30')之一部分之實例單位晶胞模型且展示構成該目標且與該目標相關聯之各種材料之實例層，且進一步展示可變化及被導出之樣本參數，諸如由w表示之CD)使用(例如)數值馬克士威(Maxwell)求解程序210來計算/模擬輻射分佈208。如上文所指出，經參數化模型206可包括在考慮之中的目標之部分的特徵及層之參數中之一或多者，諸如一或多個層之厚度、一或多個特徵之寬度(例如，CD)、層中之一或多者之折射率(例如，實折射率或複折射率、折射率張量，等等)、一或多個層之側壁角度、一或多個層之吸收率等等，以及其任何部分之參數中之一或多者。參數之初始值可為針對經量測之目標所預期的值。接著在212處比較經量測輻射分佈108與經計算輻射分佈208以判定兩者之間的差。若存在差，則可變化經參數化模型206之參數中之一或多者之值，計算新的經計算輻射分佈208且將其與經量測輻射分佈108比較直至在經量測輻射分佈108與經計算輻射分佈208之間存在足夠匹配為止。此時，經參數化模型206之參數之值提供實際目標30'之幾何形狀的良好或最佳匹配。經參數化模型之彼等參數中之一者(例如，CD)可由使用者使用以評估圖案化製程或其他製造製程之一或多個步驟。另外或替代地，所關注參數可自經參數化模型之值中之一或多者導出。 圖案化製程可具有一或多個製程參數。圖案化製程可包括在實際曝光上游及/或下游之製程。可存在各種分類之製程參數。第一分類可為用於圖案化製程中之微影裝置或任何其他裝置之參數。此分類之實例包括微影裝置之源、投影光學件、基板載物台等等之參數、蝕刻裝置之參數、抗蝕劑顯影或烘烤工具之參數，等等。對於光學微影裝置，此參數可包括焦點、劑量、角或空間照明分佈，等等。第二分類可為在微影製程中執行之任何工序之參數。此分類之實例包括曝光持續時間、顯影溫度、用於顯影中之化學成分，等等。第三分類可為設計佈局之參數。此分類之實例可包括輔助特徵之形狀及部位，以及藉由解析度增強技術(RET)應用之調整。第四分類可為基板之參數。實例包括在抗蝕劑層下方之結構之特性、抗蝕劑層之化學成分及/或實體尺寸。第五分類可為圖案化製程之一或多個參數之時間變化之特性。舉例而言，該製程參數可包括高頻率載物台移動(例如，頻率、振幅，等等)、高頻率雷射頻寬改變(例如，頻率、振幅，等等)及/或高頻率雷射波長改變之特性。此等高頻率改變或移動為用以調整基礎參數(例如，載物台位置及/或雷射強度)之大於機構之回應時間的高頻率改變或移動。第六分類可為在曝光下游之特性，諸如蝕刻、沈積、摻雜及/或封裝參數。可藉由合適方法判定製程參數中之一些或全部之值。舉例而言，可根據藉由各種度量衡工具(例如，基板度量衡工具)獲得之資料判定值。值可自製程工具中(例如，微影裝置中)之各種感測器獲得。值可來自圖案化製程之業者。 此外，在一實施例中，圖案化製程模型可用於評估及/或改變圖案化製程。圖案化製程模型為描述涉及圖案印刷步驟之製造製程之一或多個步驟的數學模型。舉例而言，圖案化製程模型可為使用圖案化器件模型化基板之曝光的模型，其中該模型描述圖案自圖案化器件至基板之轉印的成像及/或抗蝕劑特性。在一實施例中，該模型可進一步模型化一或多個曝光前及/或曝光後製程，諸如抗蝕劑施加、曝光後烘烤、顯影、蝕刻，等等。 此外，在一實施例中，製程窗及製程窗資料可用於評估及/或改變圖案化製程一個或連同圖案化製程模型一起。根據數學觀點，製程窗為由所有製程參數跨越之向量空間中之區。在給定圖案化製程中，圖案之製程窗僅藉由圖案之規格及圖案化製程中所涉及之物理學及/或化學規定。亦即，若規格及物理學/化學在圖案化製程期間不會改變，則製程窗不會改變。 為輔助圖案化製程之評估及/或改變，根據複數個製程參數來考量製程窗可為有用的。舉例而言，製程窗(及相關聯製程窗資料)可經定義為焦點及劑量值之集合，針對該焦點及劑量值之集合的抗蝕劑影像係在抗蝕劑影像之設計目標之某一界限內。但，製程窗及製程窗資料可經擴展為一般化製程窗定義，其可由除曝光劑量及散焦之外或作為曝光劑量及散焦之替代方案的不同或額外基本參數建立。此等參數可包括但不限於光學設定，諸如NA、照明之均方偏差、光學像差、偏振，及/或抗蝕劑層之光學常數。此外，用於使用圖案化器件之曝光之各種圖案可具有不同程序窗(亦即，製程參數之空間，將在其下方於規格內產生圖案)。係關於潛在性系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、臨界尺寸(CD)、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併每一個別圖案之製程窗(例如，使該等製程窗重疊)來獲得圖案化器件或其區域上之所有圖案之製程窗。所有圖案之製程窗之邊界含有個別圖案中之一些之製程窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之製程窗。此等圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換地使用。在一實施例中，當控制或改變圖案化製程時，聚焦於熱點上係可能的且經濟的；當熱點沒有缺陷時，最可能所有圖案皆無缺陷。然而，在一實施例中，可考慮其他圖案以判定製程窗資料。 為了各種用途，需要具有一或多個準確的圖案化製程模型及/或準確的圖案化製程窗資料。該(等)模型及/或製程窗資料可用於設定或控制圖案化製程以(例如)獲得圖案及器件之較佳生產。舉例而言，該(等)模型及/或製程窗資料可用於在基板之生產曝光之前或在基板之生產曝光期間變化微影裝置之一或多個參數(諸如劑量設定、焦點相關設定、照射在圖案化器件上之角/空間強度分佈，等等)。可使用該(等)模型及/或製程窗資料在以下時刻變化該一或多個參數：在許多基板中之第一基板之曝光之前，在基板上之曝光之間，在一批量之不同基板之曝光之間，等等。舉例而言，該(等)模型及/或製程窗資料可用於針對圖案化製程之生產運作時間評估及/或設定一或多個參數。作為另一實例，在圖案化製程之生產運作時間期間獲得之一或多個經量測值可結合該(等)模型及/或製程窗資料使用以以變化用於後續經曝光晶粒、後續基板、後續批量等等之圖案化製程之一或多個參數。 為獲得準確模型及/或準確製程窗資料，可量測在圖案化製程之不同條件下形成之數個目標以獲得反映圖案化製程中之一系列可能變化之資料。舉例而言，可針對一或多個製程參數之不同值之範圍(例如，針對包含焦點及劑量參數之組合之製程窗、及焦點及劑量之不同值之範圍)曝光相對大量目標(例如，CD量規、1D特徵、2D特徵、熱點(例如，已知難以曝光之特徵之組合)，等等)，且接著根據經形成目標判定或量測一或多個參數(例如，CD)。在一實施例中，可收集對應於另一參數之某一經判定或經量測值(或在彼特定值之某一容差內(例如，在小於或等於特定值之15%內、在小於或等於特定值之10%內、在小於或等於特定值之5%內，等等))之一或多個製程參數(例如，焦點及劑量)之此等不同值以定義製程窗資料(其可用於定義或參數化圖案化製程模型)。舉例而言，對於包含劑量及焦點之製程窗，製程窗資料可為產生用於各種類型之目標(例如，CD量規、1D特徵、2D特徵、熱點(例如，已知難以曝光之特徵之組合)，等等)的某些經判定或經量測臨界尺寸(例如，在特定容差(諸如+/-10%)內之設計CD)之焦點及劑量的範圍。此資料接著可用於產生(例如)一或多個Bossung曲線，諸如如圖7所描繪之焦點/劑量Bossung曲線(其中最佳聚焦係在0處且劑量經正規化為1)。接著可定義製程窗PW，其識別製程窗參數之範圍，在該範圍內，該製程產生在設計規格內之一或多個各種經圖案化特徵。舉例而言，製程窗PW可限定製程窗參數(例如，焦點及劑量)之範圍，在該範圍內，藉由在設計CD之某一容差內之CD成像一或多個各種圖案特徵。 此外，為獲得較準確模型及/或較準確製程窗資料，可在經量測之經形成目標處或附近判定一或多個製程參數(例如，焦點、劑量，等等)之實際值。亦即，除使用該一或多個製程參數之經分別獲得之值(例如，曝光時自微影裝置調平/伺服資料導出之焦點之值、來自微影裝置之劑量之標稱或經量測值，等等)以外或作為使用該一或多個製程參數之經分別獲得之值的替代方案，可在經形成目標處或附近進行量測以準確地判定在經量測之經形成目標的形成處或附近盛行之一或多個參數(例如，焦點、劑量，等等)之值。為實現此判定，例如，可提供度量衡目標以用於一或多個之量測。舉例而言，可在形成經形成目標時產生度量衡目標，該度量衡目標具有對一或多個製程參數敏感之設計且可根據該度量衡目標判定在經形成目標之形成處盛行之一或多個製程參數的值。舉例而言，度量衡目標之臨界尺寸可對焦點敏感，且因此度量衡目標之量測可用於判定臨界尺寸，且度量衡目標之經量測臨界尺寸與標稱臨界尺寸之差可用於導出焦點。在一實施例中，度量衡目標為基於繞射之目標。在一實施例中，度量衡目標對焦點敏感。在一實施例中，度量衡目標對劑量敏感。在一實施例中，使用本文所描述之技術中之一者量測度量衡目標。 根據量測度量衡目標判定一或多個製程參數之潛在性問題為度量衡目標(例如，對於基於繞射之度量衡目標量測技術)可能具有有限的準確捕捉範圍。舉例而言，對於在較大散焦處判定焦點，該等量測可能係不可能的，或對於無散焦或小散焦不夠準確。因此，在製程窗之邊緣處(例如，在大散焦處)，針對一或多個製程參數之值之判定可能完全失敗，或相較於剛好在製程窗內之部位處(例如，在最佳焦點處)針對一或多個製程量測之值之判定要不準確得多。因此，雖然度量衡目標可經設計成具有高捕捉範圍(例如，實現廣泛範圍的焦點值之量測)使得一種類型之度量衡目標可用於整個製程窗，但若捕捉範圍越大，則敏感度越低。因此，遍及製程參數之範圍之量測可能遭受精確度損失。 此外，在一些情況下，製程窗之一或多個邊緣處之製程窗資料的一或多個參數之值之品質可比製程窗內部處之製程窗資料的一或多個參數之值之品質重要。此係因為製程窗之一或多個邊緣定義程序窗參數值之範圍之外部限度，在程序窗參數值之範圍內，該製程在設計規格內產生一或多個經圖案化特徵(例如，經成像成使CD在設計CD之某一容差內之一或多個圖案特徵)。因此，舉例而言，一些應用(例如，ASML之製程窗最佳化器或ASML之微影可製造性檢查(LMC)產品)可能主要對製程窗之邊緣有興趣，以便準確地判定(例如)適用製程參數臨限值，在該等適用製程參數臨限值下有可能出現缺陷。因此，由於此等應用想要偵測及/或防止缺陷，所以關於製程窗之邊緣之資訊對於此等應用係重要的。 因此，需要獲得關於一或多個製程參數之較準確且可靠之資料以判定製程窗資料，關於一或多個製程參數之該資料可能另外或替代地用於改良一或多個圖案化製程模型之準確度。 在圖8中，示意性地描繪針對兩個製程參數802及804之Bossung曲線800之實例部分。在一實施例中，第一製程參數802可為焦點且第二製程參數804可為劑量。因此，Bossung曲線為在標稱CD下或在彼標稱CD之某一容差內產生圖案特徵之焦點/劑量資料。雖然可就焦點及劑量為製程參數且CD為Bossung曲線之目標參數而言來描述此文件中之實例，但應瞭解，可使用不同及/或較多製程參數且不同製程參數可為涉及焦點及/或劑量之組合。此外，可使用與CD不同之目標參數。 參看圖8，此實例中之Bossung曲線之頂點806通常接近於最佳焦點或係在相對稍微散焦處(針對在標稱CD下或在彼標稱CD之某一容差內之圖案特徵)。曲線在該頂點之左側之側朝向較大負散焦延伸且曲線在該頂點之右側之側朝向較大正散焦延伸。 如圖8中在頂點806處之切線處所指示，存在臨界尺寸(CD)對焦點(F)之相對低敏感度，亦即，低dCD/dF。因此，就焦點而言，在製程窗之中部處，經由量測CD判定焦點在最佳焦點或低散焦處幾乎不具有敏感度或不具有敏感度。相比而言，如圖8中在實例點808處的切線處所展示，在相對高散焦(不論正或負)處存在臨界尺寸(CD)對焦點(F)之相對高敏感度，亦即，高dCD/dF。因此，就焦點而言，在製程窗之邊緣處，經由量測CD判定焦點在相對大散焦處具有高敏感度。 因此，在一實施例中，提供待量測以用於判定製程窗資料之至少兩個不同度量衡目標。亦即，提供具有各別不同實體設計之至少兩個度量衡目標，其中第一度量衡目標經設計以用於量測製程參數之值的第一範圍，且第二度量衡目標經設計以用於量測相同製程參數之值的第二範圍，第二範圍不同於第一範圍。自根據量測第一度量衡目標判定之第一範圍中之製程參數之值及自根據量測第二度量衡目標判定之第二範圍中之製程參數之值而導出製程窗資料。 在一實施例中，第一及第二度量衡目標包含具有各別一或多個不同實體特徵(諸如不同間距、不同週期性特徵寬度、不同週期性空間寬度，等等)之各別週期性結構。在一實施例中，第一及第二度量衡目標之週期性結構在多於一個實體特徵方面可不同。因此，舉例而言，第一度量衡目標之週期性結構與第二度量衡目標之週期性結構可具有不同間距及/或不同週期性特徵寬度。在一實施例中，第一及第二度量衡目標分別包含繞射週期性結構。 在一實施例中，度量衡目標可經設計以量測特定製程窗參數(例如，焦點)。在一實施例中，舉例而言，當在基板上產生之度量衡目標之一或多個特徵之臨界尺寸對焦點敏感時，該臨界尺寸產生度量衡目標，使得判定基板上之度量衡目標之一或多個特徵之臨界尺寸在曝光時產生焦點之量度。舉例而言，可自由度量衡目標繞射之輻射量測臨界尺寸。在其他實施例中，可使用掃描電子顯微鏡或其他度量衡裝置量測臨界尺寸。 如上文所論述，就作為製程參數之焦點而言，經由量測CD判定焦點在最佳焦點或低散焦處幾乎不具有敏感度直至不具有敏感度，經由量測CD判定焦點在相對大散焦處具有高敏感度。因此，在一實施例中，就製程窗參數中之至少一者而言，第一度量衡目標可經設計以用於在製程窗之中部處進行量測，且至少就製程窗參數而言，第二度量衡目標可經設計以用於在製程窗之一或多個邊緣處進行量測。 因此，在一實施例中，第一度量衡目標經設計以具有用於在製程參數之第一值下之量測之最佳量測屬性，且第二度量衡目標經設計以具有用於在製程參數之第二不同值下之量測之其相同最佳量測屬性。因此，就作為製程參數之焦點而言，第一度量衡目標經設計以具有用於在第一焦點值下之量測之最佳量測屬性，且第二度量衡目標經設計以具有用於在第二焦點值下之量測之其相同最佳量測屬性。因此，在一實施例中，第一度量衡目標經設計以用於在第一焦點值下之量測，且第二度量衡目標經設計以用於在相對大散焦值下之量測。在一實施例中，第一度量衡目標經設計以用於在最佳焦點處或附近或在另一相對大散焦(例如，相較於用於第一度量衡目標之相對大正散焦之相對大負散焦，或反之亦然)處之量測。在一實施例中，製程參數之第二值與製程參數之第一值相距大於或等於製程參數之範圍之30%，大於或等於該範圍之40%，大於或等於該範圍之50%，或大於或等於該範圍之60%。因此，例如，參看圖9，製程參數之第二值係在線902處或在線902左邊，就作為製程參數之焦點而言，該第二值可與最佳焦點相距(例如) -0.5焦點深度(製程參數之範圍，亦即焦點)。作為另一實例，參看圖9，製程參數之第二值係在線904處或在線904右邊，就作為製程參數之焦點而言，該第二值可與最佳焦點相距(例如) +0.5焦點深度(製程參數之範圍，亦即焦點)。因此，在任一狀況下，製程參數(例如，焦點)之第二值與第一值(例如，最佳焦點)相距大於或等於製程參數之範圍(例如，焦點深度)之50%。在一實施例中，製程參數之第二值小於或等於製程參數之第一值之70%，小於或等於該第一值之80%，小於或等於該第一值之85%，或小於或等於該第一值之90%，或該第二值大於或等於該第一值之110%，大於或等於該第一值之115%，大於或等於該第一值之120%，或大於或等於該第一值之130%。 舉例而言，度量衡目標之量測屬性可為零不對稱性(零交叉)，其可用於度量衡目標之繞射週期性結構。此時，舉例而言，在所要製程參數值下(例如，在所要焦點值下)在強度方面平衡正第一繞射階及負第一繞射階。在零不對稱性(零交叉)下，度量衡目標針對(例如)像差及/或劑量變化為穩固的(例如，最穩固)。此外，度量衡目標之捕捉範圍圍繞零不對稱性(零交叉)通常或多或少對稱。雖然零不對稱性(零交叉)之位置可經設計成使得其與最佳焦點儘可能緊密地重合，但在如本文所描述之實施例中，零不對稱性(零交叉)之位置可經設計成使得其在如上文所描述之散焦值處重合。在一實施例中，可使用藉以區別第一及第二度量衡目標之一或多個額外或替代量測屬性。 如上文所指出，第一度量衡目標經設計以用於量測製程參數之值的第一範圍，且第二度量衡目標經設計以用於量測相同製程參數之值的第二範圍，第二範圍不同於第一範圍。在一實施例中，第二範圍包含或基本上由如下值組成：該等值與第一範圍中之值相距大於或等於製程參數之範圍之30%，大於或等於該範圍之40%，大於或等於該範圍之50%，或大於或等於該範圍之60%。因此，例如，參看圖9，製程參數之值的第二範圍係在線902處或在線902左邊，就作為製程參數之焦點而言，該等值之第二範圍可與第一範圍中之焦點值(例如，與最佳焦點)相距(例如) -0.5焦點深度(製程參數之範圍，亦即焦點)。作為另一實例，參看圖9，製程參數之值的第二範圍係在線904處或在線904右邊，就作為製程參數之焦點而言，該等值之第二範圍可與第一範圍中之焦點值(例如，與最佳焦點)相距(例如) +0.5焦點深度(製程參數之範圍，亦即焦點)。因此，在任一狀況下，製程參數(例如，焦點)之第二範圍與第一範圍中之值(例如，最佳焦點)相距大於或等於製程參數之範圍(例如，焦點深度)之50%。在一實施例中，第二範圍包含或基本上由如下值組成：該等值小於或等於第一範圍中之值之70%，小於或等於第一範圍中之值之80%，小於或等於第一範圍中之值之85%，或小於或等於第一範圍中之值之90%，或該第二範圍包含如下值：該等值大於或等於第一範圍中之值之110%，大於或等於第一範圍中之值之115%，大於或等於第一範圍中之值之120%，或大於或等於第一範圍中之值之130%。在一實施例中，第二範圍與小於或等於第一範圍之30%、小於或等於第一範圍之40%、小於或等於第一範圍之50%或小於或等於第一範圍之60%重疊。在一實施例中，第一範圍與第二範圍不重疊。在一實施例中，就作為製程參數之焦點而言，第一範圍包含最佳焦點且第二範圍排除最佳焦點。 因此，在一實施例中，可提供兩個或多於兩個度量衡目標(例如，各自包含繞射週期性結構之度量衡目標)。度量衡目標中之每一者可經設計以分別量測製程參數(例如，焦點)之不同範圍。在一實施例中，度量衡目標中之每一者可經設計以具有其在製程參數之不同值下之零不對稱性(零交叉)。舉例而言，若製程參數為焦點，則第一度量衡目標可具有其針對最佳焦點(亦即，用於焦點之製程窗之中部)限定之零不對稱性(零交叉)，且第二度量衡目標可具有其在散焦下限定之零不對稱性(零交叉)。在一實施例中，第二度量衡目標可具有其針對負散焦(亦即，用於焦點之製程窗之下部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)或具有其針對正散焦(亦即，用於焦點之製程窗之上部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)。因此，當建構製程窗資料時，根據量測第一度量衡目標判定之製程參數值可用於建構在製程窗之中部處或附近之製程窗資料之彼部分。因此，舉例而言，若製程參數為焦點且第一度量衡目標經設計成在最佳焦點處或附近，則使用第一度量衡目標量測之焦點值可用於針對在最佳焦點處或附近之焦點值來判定製程窗資料。且，根據量測第二度量衡目標判定之製程參數值可用於建構在製程窗之邊緣處或附近之製程窗資料之彼部分。因此，舉例而言，若製程參數為焦點且針對相對大散焦設計第二度量衡目標，則使用第二度量衡目標量測之焦點值可用於針對在相對大散焦處或附近(亦即，在製程窗之邊緣處)之焦點值判定製程窗資料。 在一實施例中，可針對相同製程參數之值的第三範圍設計至少第三度量衡目標，第三範圍不同於第一及第二範圍。在一實施例中，第一範圍係在第二範圍與第三範圍中間。在一實施例中，第二範圍與第三範圍不重疊。在一實施例中，若製程參數為焦點，則第三度量衡目標可具有其針對負散焦(亦即，用於焦點之製程窗之下部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)，或具有其針對正散焦(亦即，用於焦點之製程窗之上部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)。在一實施例中，若製程參數為焦點，則第二度量衡目標可具有其針對負散焦(亦即，用於焦點之製程窗之下部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)，且第三度量衡目標可具有其針對正散焦(亦即，用於焦點之製程窗之上部邊緣)限定之零不對稱性(零交叉)，或反之亦然。且因此，根據量測第三度量衡目標判定之製程參數值可用於建構在製程窗之邊緣處或附近之製程窗資料之彼部分。因此，舉例而言，若製程參數為焦點且針對相對大散焦設計第三度量衡目標，則使用第三度量衡目標量測之焦點值可用於針對在相對大散焦處或附近(亦即，在製程窗之邊緣處)之焦點值判定製程窗資料。因此，若(例如)針對負散焦(亦即，用於焦點之製程窗之下部邊緣)設計第二度量衡目標且針對正散焦(亦即，用於焦點之製程窗之上部邊緣)設計第三度量衡目標，則根據量測第二度量衡目標判定之製程參數值可用於建構在製程窗之下部邊緣處或附近之製程窗資料之彼部分，且根據量測第三度量衡目標判定之製程參數值可用於建構在製程窗之上部邊緣處或附近之製程窗資料之彼部分。 因此，若製程參數為焦點且針對相對大散焦(在(例如)焦點曝光矩陣或製程窗檢核曝光中)，則針對正散焦經特定設計之度量衡目標係用於導出在製程窗之上部邊緣處之製程窗資料。此外，經特定設計成在最佳焦點處或附近之度量衡目標係用於導出在製程窗之中部處之製程窗資料，且針對負散焦經特定設計之度量衡目標係用於導出在製程窗之下部邊緣處之製程窗資料。 在一實施例中，使用自複數個不同度量衡目標(例如，兩個或多於兩個或三個或多於三個不同度量衡目標)獲得之資料之加權。舉例而言，當在用於特定度量衡目標之經設計製程參數值下時，(例如)使用特定度量衡目標獲得之資料之100%可用於導出製程窗資料。在各別度量衡目標之經設計製程參數值之間的點處，用於導出製程窗資料之歸於各別度量衡目標之資料的加權可取決於(例如)製程參數資料與用於特定度量衡目標之經設計製程參數值之距離(例如，經估計距離)(例如，若製程參數資料相比於與第二度量衡目標之經設計參數值之距離更接近於第一度量衡目標之經設計參數值，則將對來自第一度量衡目標之製程參數資料給予較高加權)或度量衡目標之經量測參數值與其設計參數值之距離(例如，經估計距離)。在一實例中，在製程參數為焦點且複數個度量衡目標經設計以具有針對某一焦點限定之零不對稱性(零交叉)的情況下，則(例如)當在用於第一度量衡目標之零不對稱性(零交叉)下或針對來自第一度量衡目標之在其經設計焦點下之經量測資料時，可100%地使用來自第一度量衡目標之資料以導出製程窗資料，且相似地，當在用於第二度量衡目標之零不對稱性(零交叉)下或針對來自第二度量衡目標之在其經設計焦點下之經量測資料時，可100%地使用來自第二度量衡目標之資料以導出製程窗資料。且，在兩者之間，來自第一及第二度量衡目標之資料可與歸於每一度量衡目標之權重一起使用，該權重取決於第一及第二度量衡目標與零不對稱性(零交叉)之各別距離或取決於第一及第二度量衡目標與其經設計焦點之各別距離。因此，例如，兩者之間的一半可為應用於第一度量衡目標資料之50%權重及應用於第二度量衡目標資料之50%權重，或兩者之間的¾可為應用於第一度量衡目標資料之75%權重及應用於第二度量衡目標資料之25%權重。 為使得能夠適當地使用來自度量衡目標之資料，可能需要判定量測資料是針對製程窗之下部邊緣還是針對製程窗之上部邊緣。亦即，需要判定經量測製程參數之「正負號」資訊。因此，若製程參數為焦點，則可能需要判定散焦之「正負號」，亦即，該散焦是負散焦還是正散焦。若製程參數為焦點，則可藉由判定度量衡目標之一或多個特徵之側壁角度來判定散焦之正負號。用於相對高正散焦之側壁角度之範圍不同於用於相對高度負散焦之側壁角度之範圍。 此外，為實現較佳準確度，需要度量衡目標參數之量測在製程參數之間進行區分。亦即，根據度量衡目標之量測，需要在製程參數之間具有分別。舉例而言，特徵之大小(例如，CD)可受到(例如)焦點及劑量影響。因此，特徵之CD自標稱之變化可歸因於焦點及劑量兩者。因此，需要使劑量及焦點對度量衡目標參數(諸如CD、側壁角度、繞射階強度不對稱性，等等)之影響分離，使得自度量衡目標之量測獲得之度量衡目標參數值(例如，CD值、側壁角度值、繞射輻射之強度之不對稱性，等等)可準確地表示焦點(或準確地表示劑量)。為此，在一實施例中，可判定度量衡目標參數(例如，分別具有不同特徵間距之至少兩個度量衡目標之CD、側壁角度、繞射階強度不對稱性，等等)，且可自經判定度量衡目標參數獲得製程參數之間(例如，焦點與劑量之間)的分別，此係因為(例如)製程參數中之一者相比於製程參數中之另一者對間距較敏感。 為實現較佳準確度，度量衡目標可經設計成對一或多個其他製程參數相對不敏感。因此，舉例而言，若製程參數為焦點，則度量衡目標可經設計成對劑量及/或像差及/或一或多個其他製程參數相對不敏感以便使得度量衡目標參數(例如，CD)能夠較準確地表示焦點。可經由使用一或多個測試基板上之度量衡目標來校準度量衡目標。 在一實施例中，需要使一或多個度量衡目標具有足夠捕捉(量測)範圍。因此，在一實施例中，度量衡目標特徵(例如，產品特徵、線/空間CD目標，等等)及其適當實體特性(例如，CD、間距，等等)經選擇使得量測度量衡目標特徵時所獲得之經判定參數值具有Bossung頂部(例如，製程窗之下部邊緣、中部邊緣或上部邊緣)，該Bossung頂部在適用重疊製程窗之中心處或接近於該適用重疊製程窗之中心。在一實施例中，度量衡目標特徵經選擇使得量測度量衡目標特徵時所獲得之經判定參數值具有用於敏感度之足夠Bossung曲率且亦具有足夠印刷範圍(非過高曲率)。 在一實施例中，可需要注意複數個目標之校準曲線。舉例而言，在一實施例中，校準曲線不應具有相對於一或多個鄰近校準曲線之位移且應具有平滑重疊(例如，幾乎無不連續性或無不連續性)。舉例而言，若至少三個度量衡目標與在最佳焦點處或附近之第一度量衡目標、在相對大負散焦處之第二度量衡目標及在相對大正散焦處之第三度量衡目標一起使用，則可針對第一度量衡目標獲得之有意義的量測(例如，CD相對於焦點)之曲線應與可針對第二度量衡目標獲得之有意義的量測之曲線重疊，且可針對第一度量衡目標獲得之有意義的量測之曲線應與用於第三度量衡目標之有意義的量測之曲線重疊，使得可藉由有意義的(例如，準確的)量測獲得焦點之全範圍。因此，應相對於彼此校準度量衡目標。 在一實施例中，度量衡目標可包含多於一個週期性結構。在一實施例中，該複數個週期性結構可用於獲得繞射階不對稱性資料之多個值，該多個值可用於校準度量衡目標以改良對光學像差之敏感度。 因此，在一實施例中，出於能夠在接近製程窗邊緣處準確地量測之目的，特定地設計度量衡目標(例如，焦點度量衡目標)。在一實施例中，該結果為製程窗資料中之較高準確度。 參看圖10，用以設計一或多個度量衡目標且用以根據經量測度量衡目標判定製程參數之值的製程之流程圖。在S101處，設計第一度量衡目標。舉例而言，可針對製程參數(例如，焦點)之值的第一範圍設計第一度量衡目標。在一實施例中，第一度量衡目標經設計以具有用於在製程參數之第一值下之量測的最佳量測屬性。 在S102處，設計一或多個另外度量衡目標。在一實施例中，針對相同製程參數之值的第二範圍設計第二度量衡目標，該第二範圍不同於該第一範圍且該第二度量衡目標與該第一度量衡目標具有不同實體設計。在一實施例中，該一或多個另外度量衡目標經設計以具有用於在製程參數之一或多個不同值下之量測的其(與第一度量衡目標)相同之最佳量測屬性。在一實施例中，設計至少三個度量衡目標，其中針對相同製程參數之值的第二範圍設計第二度量衡目標且針對相同製程參數之值的第三範圍設計第三度量衡目標，其中第三範圍不同於第一範圍及第二範圍。在一實施例中，第一範圍係在第二範圍與第三範圍中間。 在S103處，量測第一度量衡目標及一或多個另外度量衡目標以導出各別範圍中之製程參數之值。 在S104處，自根據量測第一度量衡目標判定之第一範圍中之製程參數之值導出製程窗資料，且自根據量測一或多個另外度量衡目標判定之一或多個另外範圍中之製程參數之值導出製程窗資料。 在S105處，藉由量測在度量衡目標中之一者處或附近形成之目標(例如，產品特徵，例如，諸如熱點之片段)來判定製程窗資料之製程窗參數之值。此外，製程窗參數之值可與來自該等範圍中之一者之值相關。 在S106處，在具有製程窗資料的情況下，可基於製程窗資料控制圖案化製程之至少部分(例如，改變、監視圖案化製程之至少部分及使圖案化製程之至少部分保持在一界限內，等等)。此外，在具有製程窗資料的情況下，可基於製程窗資料形成或組態圖案化製程之一或多個部分(例如，圖案化器件圖案、一或多個照明參數(例如，照明劑量、照明空間或角分佈，等等)) (例如，設計諸如圖案化器件圖案、照明參數等等，或設定此微影裝置參數，諸如焦點、劑量等等)。因此，使用如本文所描述之方法獲得之經改良製程窗資料可實現用於控制或設計圖案化製程之模型(例如，抗蝕劑模型) (例如，用於藉由相關聯照明最佳化(有時被稱作源光罩最佳化(SMO))圖案化器件圖案之模型、用於組態圖案化器件圖案以提供光學近接校正(OPC)之模型、用以經由(例如)在標稱操作條件下比較全晶片之經模擬輪廓及判定歸因於圖案化器件圖案誤差及焦點曝光製程變化等等之基板影像變化性及器件良率損失來實現微影製造檢查之模型)之校準的較高準確度。在一實施例中，使用如本文所描述之方法獲得之經改良製程窗資料可實現焦點臨限值相對於缺陷之較準確預測以實現使用圖案化製程製造基板之程序控制。 用於根據度量衡目標判定製程參數之值之技術在(例如)美國專利申請案第US 2012/0013875號及第US 2005/0185174號中加以描述，上述專利申請案以全文引用之方式併入本文中。 雖然本文中之論述已集中於圖案化製程，但本文所描述之技術可用於另一製造製程(例如，蝕刻製程、抗蝕劑顯影製程等等)中。 在一實施例中，該等技術在諸如如下各者之光學度量衡或檢測裝置中具有特定適用性：散射計、對準感測器(其判定對準標記之間的對準)、編碼器或干涉計(其使得能夠進行位置量測)，及/或高度或位階感測器(其使得能夠量測表面之位置)。因此，雖然本文所揭示之實施例使用光學度量衡作為所揭示技術之應用，但該等技術可應用於其他應用中。無需獨佔地應用該等技術，且該等技術可結合一或多個其他技術來應用。 如本文所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」意謂調整一裝置(例如，微影裝置)使得(例如，微影之)器件製造結果及/或製程具有一或多個合乎需要特性，諸如基板上之設計佈局之投影的較高準確度、較大製程窗，等等。 可使用以下條項來進一步描述本發明： 1.    一種方法，其包含： 量測針對一製程參數之值的一第一範圍設計之一第一度量衡目標； 量測針對相同製程參數之值的一第二範圍設計之一第二度量衡目標，該第二範圍不同於該第一範圍且該第二度量衡目標與具有該第一度量衡目標不同的一實體設計；及 自根據該量測該第一度量衡目標判定之該第一範圍中之該製程參數之一值及自根據該量測該第二度量衡目標判定之該第二範圍中之該製程參數之一值導出製程窗資料。 2.    如條項1之方法，其中該第一度量衡目標經設計以具有用於在該製程參數之一第一值下之量測之一最佳量測屬性，且該第二度量衡目標經設計以具有其用於在該製程參數之一第二不同值下之量測之相同最佳量測屬性。 3.    如條項2之方法，其中該第二值與該製程參數之該第一值相距大於或等於該製程參數之一範圍之30%，大於或等於該範圍之40%，大於或等於該範圍之50%，或大於或等於該範圍之60%。 4.    如條項1至3中任一項之方法，其中該第二範圍基本上由如下值組成：該等值與該第一範圍中之一值相距大於或等於該製程參數之一範圍之30%，大於或等於該範圍之40%，大於或等於該範圍之50%，或大於或等於該範圍之60%。 5.    如條項1至4中任一項之方法，其中該第二範圍與小於或等於該第一範圍之30%、小於或等於該第一範圍之40%、小於或等於該第一範圍之50%或小於或等於該第一範圍之60%重疊。 6.    如條項1至5中任一項之方法，其中該第一範圍與該第二範圍不重疊。 7.    如條項1至6中任一項之方法，其中該導出製程窗資料包含在該第一範圍中之該製程參數之該值與該第二範圍中之該製程參數之該值之間應用一不同加權。 8.    如條項7之方法，其中該加權取決於該製程參數之該值與用於該第一度量衡目標及該第二度量衡目標之一各別經設計製程參數值之一距離或取決於一經量測參數之該值與用於該第一度量衡目標及該第二度量衡目標之一各別經設計之經量測參數值之一距離。 9.    如條項1至8中任一項之方法，其中該製程參數包含焦點。 10.  如條項9之方法，其中該第一範圍包含最佳焦點且該第二範圍排除最佳焦點。 11.   如條項9或條項10之方法，其中該第二範圍包含與最佳焦點相距大於或等於一焦點深度之30%、大於或等於該焦點深度之40%、大於或等於該焦點深度之50%或大於或等於該焦點深度之60%的值。 12.  如條項1至11中任一項之方法，其進一步包含基於該製程窗資料控制一圖案化製程之至少部分。 13.  如條項1至12中任一項之方法，其進一步包含量測針對相同製程參數之值的一第三範圍設計之一第三度量衡目標，該第三範圍不同於該第一範圍及該第二範圍，及自根據該量測該第三度量衡目標判定之該第三範圍中之該製程參數之一值導出該製程窗資料。 14.  如條項13之方法，其中該第一範圍在該第二範圍與該第三範圍中間。 15.  如條項13或條項14之方法，其中該第二範圍與該第三範圍不重疊。 16.  如條項1至15中任一項之方法，其進一步包含藉由量測在該等度量衡目標中之一者處或附近形成之一目標來判定該製程窗資料之一製程窗參數之一值。 17.  如條項16之方法，其進一步包含將該製程窗參數之該值與來自該等範圍中之一者之一值相關。 18.  如條項1至17中任一項之方法，其中該第一度量衡目標及該第二度量衡目標各自包含一繞射週期性結構。 19.  一種方法，其包含： 量測經設計以具有用於在一製程參數之一第一值下之量測的一最佳量測屬性之一第一度量衡目標； 量測經設計以具有用於在該製程參數之一第二不同值下之量測的其相同最佳量測屬性之一第二度量衡目標；及 使用該第一度量衡目標及該第二度量衡目標自該製程參數之量測導出製程窗資料。 20.  一種方法，其包含 獲得製程窗資料，該製程窗資料自根據量測一第一度量衡目標判定之一第一範圍中之一製程參數之值及自根據量測一第二度量衡目標判定之不同於該第一範圍之一第二範圍中之相同製程參數之值導出，其中該第二度量衡目標與該第一度量衡目標具有一不同實體設計；及 基於該製程窗資料形成及/或控制一圖案化製程之至少部分。 21.  一種製造器件之方法，其中使用一圖案化製程將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括使用如條項1至20中任一項之方法獲得製程窗資料，及根據該方法之結果控制用於稍後基板之該圖案化製程之至少部分。 22.  一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器導致執行如條項1至21中任一項之方法。 23.一種系統，其包含： 一檢測裝置，其經組態以將一光束提供在一基板上之一度量衡目標上且偵測由該度量衡目標重新導向之輻射以判定一圖案化製程之一參數；及 如條項22之非暫時性電腦程式產品。 24.  如條項23之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變投影至一輻射敏感基板上。 25.  一種如條項1至20中任一項中限定之第一度量衡目標及第二度量衡目標，其用於實踐如彼條項之方法。 26.  一種圖案化器件結構，其經組態以至少部分地形成如條項25之第一度量衡及第二度量衡目標。 27.  一種圖案化系統基準件，其包含如條項25之第一度量衡目標及第二度量衡目標。 28.  一種非暫時性電腦程式產品，其包含定義如條項25之第一度量衡目標及第二度量衡目標之機器可讀指令或資料。 29.  一種基板，其包含如條項25之第一度量衡目標及第二度量衡目標或如條項27之圖案化系統基準件。 本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如本文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。此外，可以兩個或多於兩個電腦程式體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 本文所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。儘管在本文中可特定參考檢測裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之檢測裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有一或多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件(包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件)中之任一者或其組合。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。 以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述的本發明進行修改。
2‧‧‧輻射投影儀/輻射源/照明配置
4‧‧‧光譜儀偵測器
10‧‧‧光譜
11‧‧‧背向投影式焦平面
12‧‧‧透鏡系統/照明配置
13‧‧‧干涉濾光器/照明配置
14‧‧‧參考鏡面
15‧‧‧接物鏡/物鏡/透鏡系統
16‧‧‧部分反射表面
17‧‧‧偏振器/照明配置
18‧‧‧偵測器
30‧‧‧目標
30'‧‧‧目標
108‧‧‧經量測輻射分佈
206‧‧‧經參數化模型
208‧‧‧輻射分佈
210‧‧‧馬克士威(Maxwell)求解程序
212‧‧‧步驟
800‧‧‧Bossung曲線
802‧‧‧第一製程參數
804‧‧‧第二製程參數
806‧‧‧頂點
808‧‧‧實例點
902‧‧‧線
904‧‧‧線
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
F‧‧‧焦點
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理器/單元
PW‧‧‧製程窗/第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器/機器人
S‧‧‧光點
S101‧‧‧步驟
S102‧‧‧步驟
S103‧‧‧步驟
S104‧‧‧步驟
S105‧‧‧步驟
S106‧‧‧步驟
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，其中： 圖1示意性地描繪微影裝置之一實施例； 圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之一實施例； 圖3示意性地描繪實例檢測裝置及度量衡技術； 圖4示意性地描繪實例檢測裝置； 圖5說明檢測裝置之照明光點與度量衡目標之間的關係； 圖6示意性地描繪基於量測資料導出所關注參數之製程； 圖7示意性地描繪實例焦點/劑量Bossung曲線及實例相關聯製程窗PW； 圖8示意性地描繪用於兩個製程參數之實例Bossung曲線之一部分； 圖9示意性地描繪用於兩個製程參數之實例Bossung曲線之一部分；且 圖10描繪用以設計一或多個度量衡目標且用以根據經量測度量衡目標判定製程參數之值的製程之流程圖。
800‧‧‧Bossung曲線
802‧‧‧第一製程參數
804‧‧‧第二製程參數
806‧‧‧頂點
808‧‧‧實例點

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 量測針對一製程參數之值的一第一範圍設計之一第一度量衡目標； 量測針對同一製程參數之值的一第二範圍設計之一第二度量衡目標，該第二範圍不同於該第一範圍且該第二度量衡目標具有與該第一度量衡目標不同的一實體設計；及 自根據該量測該第一度量衡目標判定之該第一範圍中的該製程參數之一值及自根據該量測該第二度量衡目標判定之該第二範圍中的該製程參數之一值而導出製程窗資料。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一度量衡目標經設計以具有用於在該製程參數之一第一值下之量測的一最佳量測屬性，且該第二度量衡目標經設計以具有其用於在該製程參數之一不同之第二值下之量測的相同最佳量測屬性。
  3. 如請求項1之方法，其中該第二範圍基本上由數個值組成，該等值相距該第一範圍中之一值大於或等於該製程參數之一範圍的30%，大於或等於該範圍之40%，大於或等於該範圍之50%，或大於或等於該範圍之60%。
  4. 如請求項1之方法，其中該第一範圍與該第二範圍不重疊。
  5. 如請求項1之方法，其中該導出製程窗資料包含在該第一範圍中之該製程參數之該值與該第二範圍中之該製程參數之該值之間應用一不同加權。
  6. 如請求項5之方法，其中該加權取決於該製程參數之該值與針對該第一度量衡目標及該第二度量衡目標之一各別經設計製程參數值之一距離或取決於一經量測參數之該值與針對該第一度量衡目標及該第二度量衡目標之一各別經設計之經量測參數值之一距離。
  7. 如請求項1之方法，其中該製程參數包含焦點。
  8. 如請求項7之方法，其中該第一範圍包含最佳焦點且該第二範圍排除最佳焦點。
  9. 如請求項7或請求項8之方法，其中該第二範圍包含數個值，該等值與最佳焦點相距大於或等於一焦點深度之30%、大於或等於該焦點深度之40%、大於或等於該焦點深度之50%或大於或等於該焦點深度之60%。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包含基於該製程窗資料控制一圖案化製程之至少部分。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包含量測針對該同一製程參數之值的一第三範圍設計之一第三度量衡目標，該第三範圍不同於該第一範圍及該第二範圍，及自根據該量測該第三度量衡目標判定之該第三範圍中之該製程參數之一值導出該製程窗資料。
  12. 如請求項11之方法，其中該第一範圍在該第二範圍與該第三範圍中間。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包含藉由量測在該等度量衡目標中之一者處或附近形成之一目標來判定該製程窗資料之一製程窗參數之一值。
  14. 一種方法，其包含： 量測一第一度量衡目標，該第一度量衡目標經設計以具有用於在一製程參數之一第一值下之量測的一最佳量測屬性； 量測一第二度量衡目標，該第二度量衡目標經設計以具有其用於在該製程參數之一第二不同值下之量測的相同最佳量測屬性；及 使用該第一度量衡目標及該第二度量衡目標自該製程參數之量測導出製程窗資料。
  15. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器執行如請求項1之方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11126092B2 (en) * 2015-11-13 2021-09-21 Asml Netherlands B.V. Methods for determining an approximate value of a processing parameter at which a characteristic of the patterning process has a target value
EP3293575A1 (en) * 2016-09-12 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Differential target design and method for process metrology
CN110998449B (zh) * 2017-08-07 2022-03-01 Asml荷兰有限公司 计算量测
CN113260926A (zh) 2019-01-03 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、以及器件制造方法
US10921261B2 (en) 2019-05-09 2021-02-16 Kla Corporation Strontium tetraborate as optical coating material
CN112904679B (zh) * 2021-01-26 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 确定焦点边界、判断晶圆是否需要返工的方法
US11988612B2 (en) 2021-01-26 2024-05-21 Changxin Memory Technologies, Inc. Methods for determining focus spot window and judging whether wafer needs to be reworked
US20240133823A1 (en) * 2021-03-01 2024-04-25 Leica Microsystems (Suzhou) Technology Co., Ltd. Processing device and inspection apparatus for optical inspection and corresponding methods

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6879400B2 (en) 2000-12-11 2005-04-12 International Business Machines Corporation Single tone process window metrology target and method for lithographic processing
US20050185174A1 (en) 2004-02-23 2005-08-25 Asml Netherlands B.V. Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
JP4806020B2 (ja) * 2005-08-08 2011-11-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体
US7925486B2 (en) * 2006-03-14 2011-04-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout
US7619717B2 (en) 2006-10-12 2009-11-17 Asml Netherlands B.V. Method for performing a focus test and a device manufacturing method
WO2010040696A1 (en) 2008-10-06 2010-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-d target
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
JP2013502592A (ja) 2009-08-24 2013-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板
NL2007052A (en) 2010-07-15 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Calibration method and inspection apparatus.
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
NL2008702A (en) * 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv Computational process control.
NL2011683A (en) * 2012-12-13 2014-06-16 Asml Netherlands Bv Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product.
US10935893B2 (en) * 2013-08-11 2021-03-02 Kla-Tencor Corporation Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets
WO2015080858A1 (en) 2013-12-01 2015-06-04 Kla-Tencor Corporation Target element types for process parameter metrology
US9490182B2 (en) 2013-12-23 2016-11-08 Kla-Tencor Corporation Measurement of multiple patterning parameters
US9383657B2 (en) * 2014-03-03 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for lithography processes with focus monitoring and control

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