JP4806020B2 - リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、"Methodology of Unified, Through-Process Window Lithography Modeling"という題名の米国特許仮出願第60/706,144号の利益を主張する。この関連出願の内容が、参照によってその全体について本明細書に組み込まれる。
Claims (53)
- リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法であって、
(a)光学モデルモジュールを含み、フォーカスと、露光と、可変値を有する1組のフィッティングパラメータと、を含む1組のモデルパラメータを有する、前記リソグラフィプロセスのモデルを選択すること、
(b)フォーカス露光空間内で前記リソグラフィプロセスのためのプロセスウィンドウを定義すること、
(c)前記モデルに対する1組の初期フィッティングパラメータ値を選択すること、
(d)公称条件を含み、かつ前記プロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合である、前記プロセスウィンドウ内の複数のサンプリング位置を選択すること、
(e)前記初期フィッティングパラメータ値を一定に保ちながら、前記プロセスウィンドウ内の前記複数のサンプリング位置に対応するフォーカスおよび露光の変更値を用いて前記リソグラフィプロセスをシミュレーションすることによって、前記1組の初期フィッティングパラメータ値を有する前記モデルを使用して、前記プロセスウィンドウ内の前記複数のサンプリング位置のそれぞれでの前記リソグラフィプロセスのシミュレーション結果を生成すること、
(f)前記プロセスウィンドウ内の前記複数のサンプリング位置のそれぞれで前記シミュレーション結果を前記リソグラフィプロセスの実結果と比較して、前記複数のサンプリング位置のすべてでの前記シミュレーション結果と前記実結果との間の合計差分測定値を作成すること、
(g)前記プロセスウィンドウ内の前記複数のサンプリング位置のそれぞれで前記1組のフィッティングパラメータ値を修正し、修正した前記1組のフィッティングパラメータ値に基づいて前記(e)により新たなシミュレーション結果を生成し、前記(f)により前記新たなシミュレーション結果に対応する新たな合計差分測定値を作成することを1以上繰り返すこと、
(h)前記(f)で作成された前記合計差分測定値および前記(g)で作成された1以上の前記新たな合計差分測定値のうち最小値となるか、または、所定の閾値未満となる1組のフィッティングパラメータを最適フィッティングパラメータ値として識別すること、および
(i)全プロセスウィンドウ内のいずれの位置でも前記リソグラフィプロセスをシミュレーションすることが可能である、前記最適フィッティングパラメータ値を含むモデルとして前記フォーカス露光モデルを定義すること
を含む、方法。 - 前記フォーカス露光モデルが、前記プロセスウィンドウ内の単一の位置で前記リソグラフィプロセスをシミュレーションするために使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記フォーカス露光モデルが、前記最適フィッティングパラメータ値を変更することなく、第1の原理に従って、前記プロセスウィンドウ内の前記位置に対応するフォーカス値および露光値を前記フォーカス露光モデルに適用することによって、前記複数のサンプリング位置の1つではない前記プロセスウィンドウ内のある位置で前記リソグラフィプロセスをシミュレーションするために使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記1組のモデルパラメータが、フォーカスおよび露光に加えて1つまたは複数の第1の原理パラメータをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の第1の原理パラメータが、照射源、開口数、および光学収差のうちの1つまたは複数を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、レジストモデルモジュールをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、マスクモデルモジュールをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のサンプリング位置が、公称露光およびフォーカスの変更値でのサンプリング位置のみを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のサンプリング位置が、公称条件、公称露光条件での正のデフォーカス条件、および公称露光条件での負のデフォーカス条件のみを含む、請求項1に記載の方法。
- テストマスクのための1組のテストパターンを選択することであって、前記1組のテストパターンが、前記リソグラフィプロセスの特性である近接相互作用の全範囲をカバーしている、該選択すること、
ウェハ上の前記1組のテストパターンをプリントして、1組のテスト構造を形成すること、および
前記1組のテスト構造を使用して、前記実結果を作成すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記シミュレーション結果および前記実結果が、クリティカルディメンション測定値である、請求項1に記載の方法。
- 前記合計差分測定値が、二乗平均平方根差である、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法であって、
(a)リソグラフィプロセスの所定のプロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合であり、露光値およびデフォーカス値である、1組のプロセス条件を選択すること、
(b)光学モデルモジュールを含み、フォーカスと、露光と、可変値を有する1組のフィッティングパラメータと、を含む1組のモデルパラメータを有する、前記リソグラフィプロセスのモデルを選択すること、
(c)前記1組のフィッティングパラメータを一定に保持しながら、前記フォーカスおよび露光パラメータの値を変更することにより、前記1組のプロセス条件のそれぞれにおける前記リソグラフィプロセスをシミュレーションしてシミュレーション結果を作成すること、
(d)前記1組のプロセス条件のすべてについて作成した前記シミュレーション結果と前記リソグラフィプロセスの実結果との差分を作成すること、
(e)前記1組のフィッティングパラメータを修正して、前記(c)のシミュレーション結果の作成と前記(d)の差分の作成とを繰り返すこと、および、
(f)前記(e)で得られた複数の前記差分に基づいて最適なフィッティングパラメータを決定することにより単一の前記フォーカス露光モデルを作成すること
を含む、方法。 - 前記フォーカス露光モデルが、前記1組のプロセス条件の1つではない所定のプロセスウィンドウ内のプロセス条件で、前記リソグラフィプロセスをシミュレーションするために使用される、請求項13に記載の方法。
- 前記1組のモデルパラメータが、フォーカスおよび露光に加えて1つまたは複数の第1の原理パラメータをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の第1の原理パラメータが、照射源、開口数、および光学収差のうちの1つまたは複数を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、レジストモデルモジュールをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- リソグラフィプロセスのモデルが、マスクモデルモジュールをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称露光およびフォーカスの変更値でのプロセス条件のみを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称条件、公称露光条件での正のデフォーカス条件、および公称露光条件での負のデフォーカス条件のみを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスの特性である近接相互作用の全範囲をカバーする、テストマスクのため1組のテストパターン該選択すること、
前記1組のテストパターンをウェハ上にプリントして、1組のテスト構造を形成すること、および
前記1組のテスト構造を使用して、前記実結果を作成すること
をさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 前記シミュレーション結果および前記実結果が、クリティカルディメンション測定値である請求項13に記載の方法。
- 全プロセスウィンドウにわたってリソグラフィプロセスをシミュレーションすることが可能な前記リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを生成するための方法であって、
(a)露光デフォーカス空間内のプロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合である1組のプロセス条件のそれぞれで前記リソグラフィプロセスを使用してウェハ上にプリントされた1組のテスト構造の測定値を得ること、
(b)フォーカスと、露光と、可変値を有する1組のフィッティングパラメータとを含むモデルパラメータを含む前記リソグラフィプロセスのモデルを使用して、前記1組のフィッティングパラメータにおける前記可変値を一定に保持しながら、前記プロセスウィンドウ内の複数のサンプリング位置の各々について、前記1組のプロセス条件を変更することにより前記リソグラフィプロセスをシミュレーションして、シミュレーション結果を作成すること、、
(c)前記1組のプロセス条件のすべてについて作成した前記シミュレーション結果と前記1組のテスト構造の前記測定値とを比較することによって、前記シミュレーション結果と前記1組のテスト構造の前記測定値との差分値を作成すること、
(d)前記1組のフィッティングパラメータの前記可変値を修正して、前記(b)のシミュレーション結果の作成と前記(c)の差分値の作成とを繰り返すこと、および、
(e)前記(d)で得られる複数の前記差分値に基づいて前記フィッティングパラメータの最適値を決定すること、および
(f)前記フォーカス露光モデルを前記フィッティングパラメータの前記最適値を有するモデルとして定義すること
を含む、方法。 - 前記フォーカス露光モデルが、前記フィッティングパラメータの最適値を変更することなく、第1の原理に従って、前記プロセスウィンドウ内の前記プロセス条件に対応するフォーカス値および露光値を前記フォーカス露光モデルに適用することによって、前記1組のプロセス条件の1つではない前記プロセスウィンドウ内のあるプロセス条件でリソグラフィプロセスをシミュレーションするために使用される、請求項23に記載の方法。
- 前記モデルパラメータが、フォーカスおよび露光に加えて1つまたは複数の第1の原理パラメータを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の第1の原理パラメータが、照射源、開口数、および光学収差のうちの1つまたは複数を含む、請求項25に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、レジストモデルモジュールを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、マスクモデルモジュールを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称露光およびフォーカスの変更値でのプロセス条件のみを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称条件、公称露光条件での正のデフォーカス条件、および公称露光条件での負のデフォーカス条件のみを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記1組のテストパターンが、リソグラフィプロセスの特性である近接相互作用の全範囲をカバーする、テストマスクのため1組のテストパターンを選択すること、および
ウェハ上に前記1組のテストパターンをプリントして、1組のテスト構造を形成すること
をさらに含む、請求項23に記載の方法。 - 前記1組のテスト構造の前記測定値および前記シミュレーション結果が、クリティカルディメンション測定値である、請求項23に記載の方法。
- リソグラフィプロセスのモデルを作成するための方法であって、
(a)リソグラフィプロセスの所定のプロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合であり、各プロセス条件が、少なくとも1つのパラメータに対する値である、1組のプロセス条件を選択すること、
(b)前記プロセス条件の少なくとも1つのパラメータおよび1組のフィッティングパラメータを含む1組のモデルパラメータを有する、前記リソグラフィプロセスのモデルを選択すること、
(c)前記フィッティングパラメータ値を一定に保持した状態で、前記少なくとも1つのパラメータの前記値を前記1組のプロセス条件に対応するように変更することにより、前記モデルを使用して前記1組のプロセス条件のそれぞれで前記リソグラフィプロセスをシミュレーションしてシミュレーション結果を作成することを、前記フィッティングパラメータ値を修正しながら、前記1組のプロセス条件のすべてについて繰り返すこと、および
(d)前記1組のプロセス条件のすべてについて作成した前記シミュレーション結果と前記リソグラフィプロセスの実結果とを比較することによって、前記シミュレーション結果と前記リソグラフィプロセスの実結果との差分を最小にするモデルを、所定のプロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件で前記リソグラフィプロセスをシミュレーションすることを可能にする単一のモデルとして作成すること
を含む、リソグラフィプロセスのモデルを作成するための方法。 - 前記少なくとも1つのパラメータが、光学パラメータである、請求項33に記載の方法。
- 前記光学パラメータが、フォーカスである、請求項34に記載の方法。
- 前記光学パラメータが、リソグラフィ露光ツールの開口数である、請求項34に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのパラメータが、レジストパラメータである、請求項33に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのパラメータが、光学パラメータおよびレジストパラメータを含む、請求項33に記載の方法。
- 公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法であって、
(a)リソグラフィプロセスの所定のプロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合であり、公称条件を含む少なくとも1つのパラメータに対する値を選択すること、
(b)前記プロセス条件の前記少なくとも1つのパラメータおよび1組のフィッティングパラメータを含むモデルパラメータを有する前記リソグラフィプロセスのモデルを選択すること、
(c)前記モデルを使用して、前記フィッティングパラメータ値を一定に保持した状態で、前記少なくとも1つのパラメータの前記値を変更することにより、前記1組のプロセス条件のそれぞれで前記リソグラフィプロセスをシミュレーションして、シミュレーション結果を作成すること、
(d)前記1組のプロセス条件のすべてについて作成した前記シミュレーション結果と前記リソグラフィプロセスの実結果との合計差分測定値を作成すること、
(e)前記フィッティングパラメータを修正して、前記(c)のシュミレーション結果の作成と前記(d)の合計差分測定値の作成とを繰り返すこと、および
(f)前記(e)で得られた複数の前記合計差分測定値を最小化する単一のモデルを作成すること
を含み、
前記単一のモデルが、前記公称条件で前記リソグラフィプロセスをモデリングするために使用される、方法。 - 前記少なくとも1つのパラメータが、フォーカスである、請求項39に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのパラメータが、照射源、開口数、および光学収差のうちの1つまたは複数を含む、請求項39に記載の方法。
- テストマスクに対して1組のテストパターンを選択すること、
ウェハ上に前記1組のテストパターンをプリントして、1組のテスト構造を形成すること、および
前記1組のテスト構造を使用して、実結果を作成すること
をさらに含む、請求項39に記載の方法。 - 前記合計差分測定値が、二乗平均平方根差である、請求項39に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称露光およびフォーカスの変更値でのプロセス条件のみを含む、請求項39に記載の方法。
- 前記1組のプロセス条件が、公称条件、公称露光条件での正のデフォーカス条件、および公称露光条件での負のデフォーカス条件のみを含む、請求項39に記載の方法。
- コンピュータに以下の実行によりリソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成させるための命令を記憶するコンピュータ読取可能媒体であって、
(a)光学モデルモジュールを含み、フォーカスと、露光と、可変値を有する1組のフィッティングパラメータと、を含む1組のモデルパラメータを有する、前記リソグラフィプロセスのモデルを記憶すること、
(b)前記モデルのための1組の初期フィッティングパラメータ値を記憶すること、
(c)公称条件を含み、かつ前記プロセスウィンドウ内の考えられるすべてのプロセス条件の部分集合である、フォーカス露光空間内のプロセスウィンドウ内の複数のサンプリング位置を記憶すること、
(d)前記初期フィッティングパラメータ値を一定に保ち保ながら、前記複数のサンプリング位置に対応するフォーカスおよび露光の変更値を用いて前記リソグラフィプロセスをシミュレーションすることによって、前記1組の初期フィッティングパラメータ値を有する前記モデルを使用して、前記プロセスウィンドウ内の前記複数のサンプリング位置のそれぞれでの前記リソグラフィプロセスのシミュレーション結果を生成すること、
(e)前記複数のサンプリング位置のそれぞれで前記シミュレーション結果を前記リソグラフィプロセスの実結果と比較して、前記複数のサンプリング位置のすべてでの前記シミュレーション結果と前記実結果との間の合計差分測定値を作成すること、
(f)前記複数のサンプリング位置のそれぞれで前記1組のフィッティングパラメータ値を修正し、修正した前記1組のフィッティングパラメータ値に基づいて前記(d)により新たなシミュレーション結果を生成し、前記(e)により前記新たなシミュレーション結果に対応する新たな合計差分測定値を作成することを1以上繰り返すこと、
(g)前記(e)で作成された前記合計差分測定値および前記(f)で作成された1以上の前記新たな合計差分測定値のうち最小値となるか、または、所定の閾値未満となるフォーカス露光モデルを、前記プロセスウィンドウ内のいかなる位置でも前記リソグラフィプロセスをシミュレーションすることが可能である、前記最適フィッティングパラメータ値を含むモデルとして定義すること、
を前記命令として含む、コンピュータ読取可能媒体。 - 前記1組のモデルパラメータが、フォーカスおよび露光に加えて1つまたは複数の第1の原理パラメータをさらに備える、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記1つまたは複数の第1の原理パラメータが、照射源、開口数、および光学収差のうちの1つまたは複数を含む、請求項47に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、レジストモデルモジュールをさらに含む、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記リソグラフィプロセスのモデルが、マスクモデルモジュールをさらに含む、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記複数のサンプリング位置が、公称露光でのプロセス条件およびフォーカスの変更値でのサンプリング位置のみを含む、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記複数のサンプリング位置が、公称条件、公称露光条件での正のデフォーカス条件、および公称露光条件での負のデフォーカス条件のみを含む、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 合計差分測定値が、平方根二乗平均差である、請求項46に記載のコンピュータ読取可能媒体。
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