JPH07175204A - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
関係を見い出せ、これらにより最適条件を求められ、実
際との乖離も小さく、性能の定量的な把握が可能で、時
間とコストの低減も図り得、マスクパターンサイズのば
らつきなどの影響も考慮できるフォトマスク、その製造
方法、露光方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 デフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕
度II、露光量裕度Iのいずれか1つを、あらかじめ設定
した他の2つI,IIの範囲内の複数個のデータで組み合
わせて、許容される該他の裕度1つの範囲III を求める
ことによりその最適値を決定する。
Description
マスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法
に関する。本発明は、各種パターン状画像形成に使用で
きるフォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォ
トマスクを使用する露光方法及び該フォトマスクを使用
した半導体装置の製造方法として利用でき、例えば、半
導体装置製造工程において各種パターン形成技術等に用
いられるフォトマスク、その製造方法、このフォトマス
クを用いる露光方法として利用することができ、更にこ
れを適用した露光装置、更には半導体装置の製造方法と
して具体化できるものであり、例えば、メモリ素子、論
理演算素子、CCD素子、LCD素子等の半導体装置の
製造方法に利用することができるものである。
とって以下説明する。半導体装置製造の際には、各種パ
ターンを形成するが、このような場合の半導体装置製造
におけるパターン転写工程、いわゆるリソグラフィー工
程は、フォトマスクのパターンを半導体ウェハ上のレジ
スト材料に転写するために主に用いられる。
微細なフォトマスクのパターンを所望の解像度をもって
得ることが困難になって来つつある。例えば、従来マス
クにおいて、微細なマスクパターンサイズと、転写する
ことによって得られたレジストパターンサイズが一致せ
ず、レジストパターンサイズが所望の値よりも小さくな
る問題が生じている。このため、マスクのパターンサイ
ズを、本来転写されるべきレジストパターンサイズより
も大きく設定することが公知技術として行われている。
また上記のような問題を解決するために、解像度向上を
目的として、リソグラフィー工程で使用する露光装置の
露光光の短波長化、光の位相を異ならせる位相シフトマ
スク、光源の形状を変化させる変形照明法、射出瞳にフ
ィルターを入れる瞳フィルター法、フォーカス位置を異
ならせて複数回の露光を行うFLEX法等が検討される
に至っている。
の従来方法の一例の概念図である。この方法において
は、ある所定の条件下において、複数のデフォーカスに
おいて、転写レジストパターンのサイズを実験またはシ
ミュレーションによって求め、これより、デフォーカス
対転写レジストパターンの曲線を求め、該曲線から
設計許容条件を満たす範囲でのパターンサイズの範囲
を求めて、これから焦点深度を求め、この数値により
リソグラフィーの性能を示す方法が一般に行われてい
る。
う方法として、ED Treeという方法がある。この
方法の例を図3に示す。図に示す曲線41〜46は、転
写レジストパターンサイズの設計パターンサイズに対す
る変化率ごとに、デフォーカスと露光量の関係をプロ
ットしたものである。例えば、転写レジストパターンサ
イズの設計での許容条件を、設計値からの変化率が±1
0%以内(図3のグラフ43及びグラフ44参照)であ
ることとし、露光量裕度が図3にで示すようにレンジ
で20%必要であるとすると、この条件での焦点深度は
図3にで示すように求められる。
術のシミュレーションによる評価においては、多くとも
2個のパラメータを評価するにとどまっている。また、
3個以上のパラメータを評価する場合においても、一つ
のパラメータをある特定の値に固定し、残り2つのパラ
メータのみの関係を求めるにとどまり、3個以上のパラ
メータを互いの相関のもとで、最適な条件を求めること
は不可能である。
は、次のような問題点が存在する。
らつきや、マスクパターンサイズのばらつきを考慮して
いないため、これより得られる焦点深度は、実際のプロ
セス条件と大きく乖離しており、得られた焦点深度は実
際の焦点深度より大きくなる著しい問題がある。また、
この方法では、露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度
等といった、他のパラメータを定量的に評価することが
できない。
も、マスクパターンサイズのばらつきは全く考慮されて
おらず、焦点深度等の算出値の実際のプロセスとの乖離
が著しく大きい欠点に加えて、マスクパターンサイズ裕
度を求められないといった致命的な欠点がある。
よる評価において、実際のプロセスとの乖離が大きいと
いう欠点を補うために、尨大な量の実験を行う必要があ
った。実験は時間及びコストがかかり、かつ効率的かつ
系統的に評価しにくいという欠点がある。特に、装置や
材料が確立されていないような最先端のデバイス開発に
おいては、各技術の相関関係を見出すことが甚だ困難で
あるという著しい欠点があった。
問題にならなかったマスクパターンサイズのばらつきの
転写パターンへの影響が大きな問題として顕在化しつつ
あるが、従来技術においては、これまでマスクパターン
サイズのばらつきを考慮して評価を行うことは不可能で
あった。マスクパターンサイズのばらつきを考慮しない
ことは、即ち、マスクパターンサイズが常に設計サイズ
と一致して一定であるとの条件のもとで評価が行われて
来たことを意味する。しかしながら、実際にはマスク作
製工程におけるプロセス上のばらつきにより、マスクパ
ターンサイズのばらつきを完全に無くすることは不可能
である。よって必然的にマスクパターンサイズのばらつ
きを該評価に反映させることが適正な条件設定のために
は不可欠であったにも拘らず、従来技術ではこれが不可
能であった。
して、多数のパラメータ、例えば3個以上のパラメータ
についても、それらの相関関係を見い出すことができ、
これらの相関により最適条件を求めることができ、実際
の条件との乖離も小さく、各種性能の定量的な把握が可
能で、時間とコストの低減も図ることができ、マスクパ
ターンサイズのばらつきなどの影響をも考慮できて、実
際の最適化が可能であるフォトマスク、フォトマスクの
製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
は、フォトリソグラフィー工程に用いられ、光透過領域
と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、あらかじめ
設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度
の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパターンサイ
ズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を変化させ
て、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時
における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前
記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕度、マス
クパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を
満たす露光量の範囲である露光量裕度を求め、更にマス
クパラメータが、前記求められた露光量裕度を最大にす
る構成で設定されていることを特徴とするフォトマスク
であって、これにより上記目的を達成するものである。
場合に、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、
マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定するが、
この設定は、該あらかじめ設定したデフォーカス裕度、
マスクパターンサイズ裕度の範囲内をできるだけ細かく
網羅する組み合わせで設定する構成が好ましい。更にこ
の組み合わせに基づき、各組み合わせについて、露光量
を変化させて、得られる転写パターンを求めるのである
が、この露光量を変化させてその各場合に得られる転写
パターンを求めるのは、シミュレーション等を用いる計
算による操作でも、実験等による実測によるものでも、
双方を組み合わせて求めるのでもよい。これは、フォト
リソグラフィー時の転写レジストパターンを求める態様
で好ましく実施できる。このように各種手段により求め
た各場合の転写パターンが、設定時における許容条件を
満たすか否かを判定し、即ち例えば該パターンにおい
て、パターンサイズ、パターン面積、あるいはパターン
形状等が、設計時(半導体装置形成用マスクであれば、
半導体装置設計時)における許容条件を満たすか否かを
判定する。この判定に基づいて、前記あらかじめ設定し
たデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲
内全てにおいて許容条件を満たす露光量の範囲即ち露光
量裕度を求めるのである。この露光量裕度が最大になる
ように、少なくともいずれかのマスクパラメータを設定
する。このマスクパラメータとしては、例えば、設計パ
ターンの形状及びサイズ、光透過領域の透過率及び位
相、遮光領域の透過率及び位相等のマスクパラメータを
挙げることができる。
域が、互いに位相を異ならしめて光を透過する少なくと
も2つの部分を備えることを特徴とする請求項1に記載
のフォトマスクであって、これによって上記目的を達成
するものである。
少なくとも2部分を備えるフォトマスクは、いわゆる位
相シフトマスクである。この場合、位相差は、最も好ま
しくは180°とすることにより、解像度を高めること
ができる。設計によっては、それ以外の位相差をもたせ
るようにしてもよい。
むことにより厚みを変えた部分で位相シフト部、いわゆ
るシフター部を形成したり、あるいは位相シフト材料
(レジスト、SiO2 等)を用いて、これにより膜を形
成し、例えば180°の位相差をもたらす厚みで位相シ
フト部、いわゆるシフター部を形成することにより、構
成できる。その他ドーピングにより屈折率を変えたりし
て、光路長を変えることによって位相差をもたらす部分
を形成するなど、各種の手段を用いることができる。
が、フォトリソグラフィー工程において被露光感光剤を
感光させない程度に光を透過し、かつ、光透過領域とは
互いに位相を異ならしめて光を透過するものであること
を特徴とする請求項1に記載のフォトマスクであって、
これにより上記目的を達成するものである。
ラメータが、マスクパターンサイズ、光透過領域の位
相、遮光領域の透過率、遮光領域の位相のいずれか1
つ、またはいずれか2以上の組み合わせであることを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のフォトマ
スクであって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
遮光領域を有するフォトマスクの製造方法において、あ
らかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサ
イズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパタ
ーンサイズの値の組み合わせを設計し、更に露光量を変
化させて、得られる転写パターンを求め、該パターンが
設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、これ
より前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて該
許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求
め、マスクパラメータが、該露光量裕度を最大にする構
成で設定されていることを特徴とするフォトマスクの製
造方法であって、これによって上記目的を達成するもの
である。
場合に、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、
マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定するが、
この設定は、該あらかじめ設定したデフォーカス裕度、
マスクパターンサイズ裕度の範囲内をできるだけ細かく
網羅する組み合わせで設定することが好ましい。更にこ
の組み合わせに基づき、各組み合わせについて、露光量
を変化させて、得られる転写パターンを求めるのである
が、この露光量を変化させてその各場合に得られる転写
パターンを求めるのは、シミュレーション等を用いる計
算による操作でも、実験等による実測によるものでも、
双方を組み合わせて求めるのでもよい。
ォトリソグラフィー時の転写レジストパターンであり、
かかる転写レジストパターンを求める態様で好ましく実
施できる。各種手段により求めた各場合の転写パターン
が、設定時における許容条件を満たすか否かを判定し、
即ち例えば該パターンにおいて、パターンサイズ、パタ
ーン面積、あるいはパターン形状等が、設計時(半導体
装置形成用マスクであれば、半導体装置設計時)におけ
る許容条件を満たすか否かを判定する。この判定に基づ
いて、前記あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マス
クパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を
満たす露光量の範囲即ち露光量裕度を求めるのである。
この露光量裕度を最大とするように、少なくともいずれ
かのマスクパラメータを設定する。このマスクパラメー
タとしては、例えば、設計パターンの形状及びサイズ、
光透過領域の透過率及び位相、遮光領域の透過率及び位
相等のマスクパラメータを挙げることができる。
を求めることができ、これによって最適なマスクを製造
することができる。
同時に、露光条件の最適化条件を定めるようにすること
ができる。
ラフィー工程において、あらかじめ設定したデフォーカ
ス裕度及びマスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個
のデフォーカス、マスクパターンサイズの値の組み合わ
せを設定し、さらに露光量を変化させて、得られる転写
パターンを求め、該パターンが設計時における許容条件
を満たすか否かを判定し、これより前記においてあらか
じめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を満たす露光量の
範囲である露光量裕度を求め、露光パラメータが該露光
量裕度を最大にする構成で設定されていることを特徴と
する露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。かかる露光パラメータとしては、レンズ開
口部(NA)、パーシャルコヒーレンシー、露光波長、
光源形状、瞳フィルター形等が挙げられる。
遮光領域を有するフォトマスクを用いる露光方法におい
て、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパタ
ーンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マス
クパターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光
量を変化させて、得られる転写パターンを求め、該パタ
ーンが設計時における許容条件を満たすか否かを判定
し、これより前記においてあらかじめ設定したデフォー
カス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにお
いて該許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度
を求め、マスクパラメータが、該露光量裕度を最大にす
る構成で設定されたフォトマスクを用いることを特徴と
する露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
件の設定は、上記請求項1ないし6で採用できる手段に
よって、この設定を行うことができる。
め設定したデフォーカス裕度及びマスクパターンサイズ
裕度に基づいてその露光量裕度を求めるフォトマスクの
設計条件の最適化の際に、同時に該フォトマスクを用い
る露光条件の最適化を行って最適露光条件を求める構成
としたことを特徴とする請求項7に記載の露光方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
の設定と同様に、このマスク使用時の露光最適条件を決
めることができるので、有利である。
遮光領域を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラ
フィーにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方
法において、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マ
スクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカ
ス、マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定し、
更に露光量を変化させて、得られる転写パターンを求
め、該パターンが設計時における許容条件を満たすか否
かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定した
デフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内
全てにおいて許容条件を満たす露光量の範囲である露光
量裕度を求め、マスクパラメータが、該露光量裕度を最
大にする構成で設定されているフォトマスクを用いるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
LSIとして好適に利用できる。例えば、論理演算素
子、CCD素子、LCD素子、メモリ素子等として具体
化することができる。なお本明細書中、上記請求項1な
いし9の発明を、第1の態様の発明と称することにす
る。
と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、あらかじめ
設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲
内の複数個の露光量、マスクパターンサイズの値の組み
合わせを設定し、更にデフォーカスをジャストフォーカ
ス近傍で変化させて、得られる転写パターンを求め、該
パターンが設計時における許容条件を満たすか否かを判
定し、これより前記においてあらかじめ設定した露光量
裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて
許容条件を満たすデフォーカスの範囲であるデフォーカ
ス裕度を求め、マスクパラメータが、該デフォーカス裕
度を最大にする構成で設定されていることを特徴とする
フォトマスクであって、これによって上記目的を達成す
るものである。
求める場合に、あらかじめ設定した露光量裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内の複数個の露光量、マスク
パターンサイズの値の組み合わせを設定するが、この設
定は、該あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパター
ンサイズ裕度の範囲内をできるだけ細かく網羅する組み
合わせで設定することが好ましい。更にこの組み合わせ
に基づき、各組み合わせについて、デフォーカスをジャ
ストフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パター
ンを求めるのであるが(本明細書中、ジャストフォーカ
スとは、最も光強度分布のコントラストの大きいフォー
カス位置を言う。)、このデフォーカスを変化させてそ
の各場合に得られる転写パターンを求めるのは、シミュ
レーション等を用いる計算による操作でも、実験等によ
る実測によるものでも、双方を組み合わせて求めるもの
でもよい。これは、フォトリソグラフィー時の転写レジ
ストパターンを求める態様で好ましく実施できる。この
ように各種手段により求めた各場合の転写パターンが、
設定時における許容条件を満たすか否かを判定し、即ち
例えば該パターンにおいて、パターンサイズ、パターン
面積、あるいはパターン形状等が、設計時(半導体装置
形成用マスクであれば、半導体装置設計時)における許
容条件を満たすか否かを判定する。この判定に基づい
て、前記あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパター
ンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たすデ
フォーカスの範囲即ちデフォーカス裕度を求めるのであ
る。このデフォーカス裕度を最大とするように、少なく
ともいずれかのマスクパラメータを設定する。このマス
クパラメータとしては、例えば、設計パターンの形状及
びサイズ、光透過領域の透過率及び位相、遮光領域の透
過率及び位相等のマスクパラメータを挙げることができ
る。
領域が、互いに位相を異ならしめて光を透過する少なく
とも2つの部分を備えることを特徴とする請求項10に
記載のフォトマスクであって、これによって上記目的を
達成するものである。
ことにより、解像度を高めることができる。設計によっ
ては、それ以外の位相差をもたせるようにしてもよい。
むことにより厚みを変えた部分で位相シフト部、いわゆ
るシフター部を形成したり、あるいは位相シフト材料
(レジスト、SiO2 等)を用いてこれにより膜を形成
し、例えば180°の位相差をもたらす厚みで位相シフ
ト部、いわゆるシフター部を形成することにより、構成
できる。その他ドーピングにより屈折率を変えたりし
て、光路長を変えることによって位相差をもたらす部分
を形成するなど、各種の手段を用いることができる。
域が、フォトリソグラフィー工程において被露光感光剤
を感光させない程度に光を透過し、かつ、光透過領域と
は互いに位相を異ならしめて光を透過するものであるこ
とを特徴とする請求項10に記載のフォマスクであっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
パラメータが、マスクパターンサイズ、光透過領域の位
相、遮光領域の透過率、遮光領域の位相のいずれか1
つ、またはいずれか2以上の組み合わせであることを特
徴とする請求項10ないし12のいずれかに記載のフォ
トマスクであって、これにより上記目的を達成するもの
である。
と遮光領域を有するフォトマスクの製造方法において、
あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
を求め、該パターンが設定時における許容条件を満たす
か否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定
した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全
てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範囲であ
るデフォーカス裕度を求め、マスクパラメータが、該デ
フォーカス裕度を最大にする構成で設定されていること
を特徴とするフォトマスクの製造方法であって、これに
よって上記目的を達成するものである。
求める場合に、あらかじめ設定した露光量裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内の複数個の露光量、マスク
パターンサイズの値の組み合わせを設定するが、この設
定は、該あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパター
ンサイズ裕度の範囲内をできるだけ細かく網羅する組み
合わせで設定することが好ましい。更にこの組み合わせ
に基づき、各組み合わせについて、デフォーカスをジャ
ストフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パター
ンを求めるのであるが、このデフォーカスを変化させて
その各場合に得られる転写パターンを求めるのは、シミ
ュレーション等を用いる計算による操作でも、実験等に
よる実測によるものでも、双方を組み合わせて求めるの
でもよい。
ォトリソグラフィー時の転写レジストパターンであり、
かかる転写レジストパターンを求める態様で好ましく実
施できる。各種手段により求めた各場合の転写パターン
が、設定時における許容条件を満たすか否かを判定し、
即ち例えば該パターンにおいて、パターンサイズ、パタ
ーン面積、あるいはパターン形状等が、設計時(半導体
装置形成用マスクであれば、半導体装置設計時)におけ
る許容条件を満たすか否かを判定する。この判定に基づ
いて、前記あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパタ
ーンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たす
デフォーカスの範囲即ちデフォーカス裕度を求めるので
ある。このデフォーカス裕度を最大とするように、少な
くともいずれかのマスクパラメータを設定する。このマ
スクパラメータとしては、例えば、設計パターンの形状
及びサイズ、光透過領域の透過率及び位相、遮光領域の
透過率及び位相等のマスクパラメータを挙げることがで
きる。
を求めることができ、これによって最適なマスクを製造
することができる。
同時に露光条件の最適化条件を定めるようにすることが
できる。
グラフィー工程において、あらかじめ設定した露光量裕
度及びマスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個の露
光量、マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定
し、さらにデフォーカスを変化させて、得られる転写パ
ターンを求め、該パターンが設計時における許容条件を
満たすか否かを判定し、これより前記においてあらかじ
め設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範
囲内全てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範
囲であるデフォーカス裕度を求め、露光パラメータが該
デフォーカス裕度を最大にする構成で設定されているこ
とを特徴とする露光方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。かかる露光パラメータとして
は、レンズ開口部(NA)、パーシャルコヒーレンシ
ー、露光波長、光源形状、瞳フィルター形等が挙げられ
る。
と遮光領域を有するフォトマスクを用いる露光方法にお
いて、あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターン
サイズ裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターン
サイズの値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスを
ジャストフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パ
ターンを求め、該パターンが設計時における許容条件を
満たすか否かを判定し、これより前記においてあらかじ
め設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範
囲内全てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範
囲であるデフォーカス裕度を求め、マスクパラメータ
が、該デフォーカス裕度を最大にする構成で設定された
フォトマスクであることを特徴とする露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
条件の設定は、上記請求項13ないし15で採用できる
手段によって、この設定を行うことができる。
じめ設定した露光量裕度及びマスクパターンサイズ裕度
に基づいてそのデフォーカス裕度を求めるフォトマスク
の設計条件の最適化の際に、同時に該フォトマスクを用
いる露光条件の最適化を行って最適露光条件を求める構
成としたことを特徴とする請求項16に記載の露光方法
であって、これにより上記目的を達成するものである。
の設定と同様に、このマスク使用時の露光最適条件を決
めることができるので、有利である。
と遮光領域を有するフォトマスクを用いたフォトリソグ
ラフィーにより半導体装置を製造する半導体装置の製造
方法において、あらかじめ設定した露光量裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内の複数個の露光量、マスク
パターンサイズの値の組み合わせを設定し、更にデフォ
ーカスをジャストフォーカス近傍で変化させて、得られ
る転写パターンを求め、該パターンが設計時における許
容条件を満たすか否かを判定し、これより前記において
あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たすデフォーカ
スの範囲であるデフォーカス裕度を求め、マスクパラメ
ータが、該デフォーカス裕度を最大にする構成で設定さ
れているフォトマスクを用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
LSIとして好適に利用できる。例えば、論理演算素
子、CCD素子、LCD素子、メモリ素子等として具体
化することができる。なお本明細書中、上記請求項10
ないし18の発明を、第2の態様の発明と称することに
する。
と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、あらかじめ
設定した露光量裕度及びデフォーカス裕度の範囲内の複
数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わせを設定
し、更にマスクパターンサイズを変化させて、得られる
転写パターンを求め、該パターンが設計時における許容
条件を満たすか否かを判定し、これより前記においてあ
らかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の範囲
内全てにおいて許容条件を満たすマスクパターンサイズ
の範囲であるマスクパターンサイズ裕度を求め、マスク
パラメータが、該マスクパターンサイズ裕度を最大にす
る構成で設定されていることを特徴とするフォトマスク
であって、これによって上記目的を達成するものであ
る。
ズ裕度を求める場合に、あらかじめ設定した露光量裕
度、デフォーカス裕度の範囲内の複数個の露光量、デフ
ォーカスの値の組み合わせを設定するが、この設定は、
該あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の
範囲内をできるだけ細かく網羅する組み合わせで設定す
ることが好ましい。更にこの組み合わせに基づき、各組
み合わせについて、マスクパターンサイズをあらかじめ
設定したマスクパターンサイズ近傍で変化させて、得ら
れる転写パターンを求めるのであるが、このマスクパタ
ーンサイズを変化させてその各場合に得られる転写パタ
ーンを求めるのは、シミュレーション等を用いる計算に
よる操作でも、実験等による実測によるものでも、双方
を組み合わせて求めるものでもよい。これは、フォトリ
ソグラフィー時の転写レジストパターンを求める態様で
好ましく実施できる。このように各種手段により求めた
各場合の転写パターンが、設定時における許容条件を満
たすか否かを判定し、即ち例えば該パターンにおいて、
パターンサイズ、パターン面積、あるいはパターン形状
等が、設計時(半導体装置形成用マスクであれば、半導
体装置設計時)における許容条件を満たすか否かを判定
する。この判定に基づいて、前記あらかじめ設定した露
光量裕度、デフォーカス裕度の範囲内全てにおいて許容
条件を満たすマスクパターンサイズの範囲即ちマスクパ
ターンサイズ裕度を求めるのである。このマスクパター
ンサイズ裕度を最大にするように、少なくともいずれか
のマスクパラメータを設定する。このマスクパラメータ
としては、例えば、設計パターンの形状及びサイズ、光
透過領域の透過率及び位相、遮光領域の透過率及び位相
等のマスクパラメータを挙げることができる。
領域が、互いに位相を異ならしめて光を透過する少なく
とも2つの部分を備えることを特徴とする請求項19に
記載のフォトマスクであって、これによって上記目的を
達成するものである。
ことにより、解像度を高めることができる。設計によっ
ては、それ以外の位相差をもたせるようにしてもよい。
むことにより厚みを変えた部分で位相シフト部、いわゆ
るシフター部を形成したり、あるいは位相シフト材料
(レジスト、SiO2 等)を用いて、これにより膜を形
成し、例えば180°の位相差をもたらす厚みで位相シ
フト部、いわゆるシフター部を形成することにより、構
成できる。その他ドーピングにより屈折率を変えたりし
て、光路長を変えることによって位相差をもたらす部分
を形成するなど、各種の手段を用いることができる。
域が、フォトリソグラフィー工程において被露光感光剤
を感光させない程度に光を透過し、かつ、光透過領域と
は互いに位相を異ならしめて光を透過するものであるこ
とを特徴とする請求項16ないし18のいずれかに記載
のフトォマスクであって、これにより上記目的を達成す
るものである。
パラメータが、マスクパターンサイズ、光透過領域の位
相、遮光領域の透過率、遮光領域の位相のいずれか1
つ、またはいずれか2以上の組み合わせであることを特
徴とする請求項19ないし21のいずれかに記載のフォ
トマスクであって、これにより上記目的を達成するもの
である。
と遮光領域を有するフォトマスクの製造方法において、
あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の範
囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わせ
を設定し、更にマスクパターンサイズ裕度を変化させ
て、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時
における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前
記においてあらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカ
ス裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を満たすマスク
パターンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度
を求めることにより該マスクパターンサイズ裕度を求
め、マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ裕度
を最大にする構成で設定されていることを特徴とするフ
ォトマスクの製造方法であって、これによって上記目的
を達成するものである。
ズ裕度を求める場合に、あらかじめ設定した露光量裕
度、デフォーカス裕度の範囲内の複数個の露光量、デフ
ォーカスの値の組み合わせを設定するが、この設定は、
該あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の
範囲内をできるだけ細かく網羅する組み合わせで設定す
ることが好ましい。更にこの組み合わせに基づき、各組
み合わせについて、マスクパターンサイズを変化させ
て、得られる転写パターンを求めるのであるが、このデ
フォーカスを変化させてその各場合に得られる転写パタ
ーンを求めるのは、シミュレーション等を用いる計算に
よる操作でも、実験等による実測によるものでも、双方
を組み合わせて求めるのでもよい。
ォトリソグラフィー時の転写レジストパターンであり、
かかる転写レジストパターンを求める態様で好ましく実
施できる。各種手段により求めた各場合の転写パターン
が、設定時における許容条件を満たすか否かを判定し、
即ち例えば該パターンにおいて、パターンサイズ、パタ
ーン面積、あるいはパターン形状等が、設計時(半導体
装置形成用マスクであれば、半導体装置設計時)におけ
る許容条件を満たすか否かを判定する。この判定に基づ
いて、前記あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカ
ス裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たすマスクパ
ターンサイズの範囲即ちマスクパターンサイズ裕度を求
めるのである。このマスクパターンサイズ裕度は、少な
くともいずれかのマスクパラメータが、該マスクパター
ンサイズ裕度を最大にするように設定する。このマスク
パラメータとしては、例えば、設計パターンの形状及び
サイズ、光透過領域の透過率及び位相、遮光領域の透過
率及び位相等のマスクパラメータを挙げることができ
る。
を求めることができ、これによって最適なマスクを製造
することができる。
同時に、露光条件の最適化条件を定めるようにすること
ができる。
グラフィー工程において、あらかじめ設定した露光量裕
度及びデフォーカス裕度の範囲内の複数個の露光量、デ
フォーカスの値の組み合わせを設定し、さらにマスクパ
ターンサイズを変化させて、得られる転写パターンを求
め、該パターンが設計時における許容条件を満たすか否
かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定した
露光裕度、デフォーカス裕度の範囲内全てにおいて該許
容条件を満たすマスクパターンサイズの範囲であるマス
クパターンサイズ裕度を求め、露光パラメータが該マス
クパターンサイズ裕度を最大にする構成で設定されてい
ることを特徴とする露光方法であって、これにより上記
目的を達成するものである。かかる露光パラメータとし
ては、レンズ開口部(NA)、パーシャルコヒーレンシ
ー、露光波長、光源形状、瞳フィルター形等が挙げられ
る。
と遮光領域を有するフォトマスクを用いる露光方法にお
いて、あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕
度の範囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み
合わせを設定し、更にマスクパターンサイズを変化させ
て、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時
における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前
記においてあらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカ
ス裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を満たすマスク
パターンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度
を求め、マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ
裕度を最大にする構成で設定されたフォトマスクである
ことを特徴とする露光方法であって、これにより上記目
的を達成するものである。
件の設定は、上記請求項21ないし24で採用できる手
段によって、この設定を行うことができる。
てあらかじめ設定したデフォーカス裕度及び露光量裕度
に基づいてそのマスクパターンサイズ裕度を求めるフォ
トマスクの設計条件の最適化の際に、同時に該フォトマ
スクを用いる露光条件の最適化を行って最適露光条件を
求める構成としたことを特徴とする請求項25に記載の
露光方法であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
の設定と同様に、このマスク使用時の露光最適条件を決
めることができるので、有利である。
と遮光領域を有するフォトマスクを用いたフォトリソグ
ラフィーにより半導体装置を製造する半導体装置の製造
方法において、あらかじめ設定した露光量裕度及びデフ
ォーカス裕度の範囲内の複数個の露光量、デフォーカス
の値の組み合わせを設定し、更にマスクパターンサイズ
を変化させて、得られる転写パターンを求め、該パター
ンが設定時における許容条件を満たすか否かを判定し、
これより前記においてあらかじめ設計した露光量裕度、
デフォーカス裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満た
すマスクパターンサイズの範囲であるマスクパターンサ
イズ裕度を求め、マスクパラメータが、該マスクパター
ンサイズ裕度を最大にする構成で設定されているフォト
マスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
LSIとして好適に利用できる。例えば、論理演算素
子、CCD素子、LCD素子、メモリ素子等として具体
化することができる。なお本明細書中、上記請求項19
ないし27の発明を、第3の態様の発明と称することに
する。
明すると、次のとおりである。図1は、第2の態様の発
明、特に請求項14の発明を例にとって図示するもので
ある。図1に示すように、デフォーカス裕度を求める場
合に、あらかじめ設定した露光量裕度(ターゲット露光
裕度)I、マスクパターンサイズ裕度(ターゲット転写
パターンサイズであるマスク線幅裕度)IIの範囲内の複
数個の露光量、マスクパターンサイズの値の組み合わせ
を設定し(好ましくはあらかじめ設定した露光量裕度
I、マスクパターンサイズ裕度IIの範囲内をできるだけ
網羅する組み合わせで設定し)、更にこの組み合わせに
基づき、各組み合わせについて、デフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
をシミュレーション等もしくは実験等、もしくは双方を
組み合わせて求める。これにより、得られた各点におけ
る転写パターンが、解像条件を満たすか、満たさないか
を知ることができる。複数(なるべく多数)の点をとる
ことによって、解像条件を満たす領域と満たさない領域
の境界Rを求めることができる(図1中、境界Rより下
の部分が、これを満たす許容条件範囲である)。これに
基づいて、R面上のデフォーカスを最小にする値(R面
上のデフォーカスの最小値DOF)III を求めて、これ
によりデフォーカス裕度を求めるのである。
フォーカス裕度を最大にする構成で設定される。
度、マスクパターンサイズ裕度、露光量裕度のいずれか
1つを、あらかじめ設定した他の2つの範囲内の複数個
のデータの組み合わせで各々組み合わせて、この組み合
わせの中で許容される範囲を求めることによりその最適
値を決定するものであるから、最適なフォトマスクを得
ることができる。
ーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度、露光量裕度の
いずれか1つを、あらかじめ設定した他の2つの範囲内
の複数個のデータの組み合わせで各々組み合わせて、こ
の組み合わせの中で許容される範囲を求めることにより
その最適値を決定するものであるから、最適なフォトマ
スク形成条件を得ることができる。
されたフォトマスクを用いるので、良好なパターン形成
に用いることができ、また、最適化した適正な露光条件
により露光を行うことも可能である。
適条件で形成されたフォトマスクを用いるので、性能の
良好な半導体装置を得ることができ、微細化・集積化に
も好適である。
ちろん本発明は以下に述べる実施例に限定されるもので
はない。
されたレジスト材料に対して露光光により転写パターン
形状等を形成するとき、縮小投影に使用されるものをレ
ティクル、一対一投影に使用されるものをマスクと称し
たり、あるいは原盤に相当するものをレティクル、それ
を複製したものをマスクと称したりすることがあるが、
本明細書においては、このような種々の意味におけるレ
ティクルやマスクを総称してマスクと呼ぶ。
0.3の露光条件において、本発明をハーフトーン方式
位相シフトマスクについて適用した例である。(以下述
べる実施例1ないし実施例4は、本出願の第1の態様の
発明を具体化したものである)。
て、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00μ
m)及びマスクパターンサイズ裕度を±0.05μm
(5倍レティクル上)と設定した。0.3μmのコンタ
クトホールを転写する場合において、該半遮光領域の振
幅透過率及びマスクパターンサイズ(5倍レティクル
上)の組み合わせをそれぞれ、25%・1.50μm,
30%・1.60μm,35%・1.75μm,40%
・1.85μm,45%・1.95μmの5通りに設定
し、これら5通りのマスクにそれぞれにおいて以下の手
続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記5通りのマスクにおいて設定した。
5μm,±,0.50μm,±0.75μm,±1.0
0μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパターン
サイズのずれは、−0.05μm,0.00μm,0.
05μmと設定した。また、露光量の設定値からのずれ
を、−20%,−15%,─10%,−5%,0%,5
%,10%,15%,20%と設定した。これらのシミ
ュレーションパラメータは連続値であることが望ましい
が、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これら全て
のパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー回折理
論に基づいた光強度シミュレーターを用いて光強度分布
を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。但し、レジストパタ
ーンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.3μm
からのずれが10%以内であることと設定した。
マスクパターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合
わせによって得られるレジストパターンがあらかじめ設
定された許容条件の範囲内であるところの、露光量の範
囲を求め、これを露光量裕度とした。
光領域透過率及びマスクパターンサイズの組み合わせに
おいて、半遮光領域透過率の振幅透過率が45%、マス
クパターンサイズが1.95μmの組み合わせにおい
て、最も大きな露光量裕度が得られた。
深度2.0μm、マスクパターンサイズ裕度±0.05
μm(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、露光
量裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露光す
ることが可能となったとともに、シャープなレジストパ
ターン形状を得ることができた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
サイズ裕度及びレジストパターンサイズ許容条件につい
ても、本実施例の値に限定されることはなく、他の条件
でもよい。
の最適化に適用した例を示す。本実施例は、露光波長2
48nm、NA0.45とし、σが0.3の場合と、
0.5の場合のどららの露光条件を採用するか判定した
例である。
て、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00μ
m)及びマスクパターンサイズ裕度を±0.05μm
(5倍レティクル上)と設定した。また、ハーフトーン
方式位相シフトマスクの半遮光領域の振幅透過率を40
%とし、0.3μmのコンタクトホールを転写する場合
におけるマスクパターンサイズ(5倍レティクル上)
を、σが0.3の場合は1.85μm、σが0.5の場
合は1.75μmとして、この2通りの露光条件で以下
の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記2通りの露光条件において設定した。
5μm,±.0.50μm,±0.75μm,±1.0
0μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパターン
サイズのずれは、−0.05μm,0.00μm,0.
05μmと設定した。また、露光量の設定値からのずれ
を、−20%,−15%,−10%,−5%,0%,5
%,10%,15%,20%と設定した。これらのシミ
ュレーションパラメータは連続値であることが望ましい
が、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これら全て
のパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー回折理
論に基づいた光強度シミュレーターを用いて光強度分布
を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。但し、レジストパタ
ーンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.3μm
からのずれが10%以内であることと設定した。
マスクパターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合
わせによって得られるレジストパターンがあらかじめ設
定された許容条件の範囲内であるところの、露光量の範
囲を求め、これを露光量裕度とした。
うち、σ=0.3において最大の露光量裕度が得られ
た。従って、σ=0.3を採用した。
深度2.0μm、マスクパターンサイズ裕度±0.05
μm(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、露光
量裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露光す
ることが可能となったとともに、シャープなレジストパ
ターン形状を得ることができた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
サイズ裕度及びレジストパターンサイズ許容条件につい
ても、本実施例の値に限定されることはなく、他の条件
でもよい。
スクの露光条件の最適化に適用した例を示す。本実施例
では、露光波長248nm、NA0.45において、σ
が0.3の場合と、0.5の場合、露光波長365n
m、NA0.57において、σが0.3の場合と、0.
5の場合、の4通りの露光条件のどの条件を採用するか
判定した例である。
て、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00μ
m)及びマスクパターンサイズ裕度を±0.05μm
(5倍レティクル上)と設定した。また、0.5μmの
コンタクトホールを転写する場合におけるマスクパター
ンサイズを、2.5μm(5倍レティクル上)として、
この4通りの露光条件で以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記4通りの露光条件において設定した。
5μm,±0.50μm,±0.75μm,±1.00
μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパターンサ
イズのずれは、−0.05μm,0.00μm,0.0
5μmと設定した。また、露光量の設定値からのずれ
を、−20%,−15%,−10%,−5%,0%,5
%,10%,15%,20%と設定した。これらのシミ
ュレーションパラメータは連続値であることが望ましい
が、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これら全て
のパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー回折理
論に基づいた光強度シミュレーターを用いて光強度分布
を求めた。
おける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、
転写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更
に光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線
を求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。但し、レジストパタ
ーンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μm
からのずれが10%以内であることと設定した。
マスクパターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合
わせによって得られるレジストパターンがあらかじめ設
定された許容条件の範囲内であるところの、露光量の範
囲を求め、これを露光量裕度とした。
条件のうち、露光波長248nm,NA0.45,σ
0.3の場合において、最大の露光量裕度が得られた。
従って、該条件を採用した。
深度2.0μm、マスクパターンサイズ裕度±0.5μ
m(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、露光量
裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露光する
ことが可能となったとともに、シャープなレジストパタ
ーン形状を得ることができた。
域から構成されるフォトマスクに本発明を適用したが、
これに限定されるものではなく、位相シフトマスク等に
おいても同様の効果が得られる。また、本実施例におい
ては、コンタクトホールパターンに本発明を用いたが、
あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン以外
のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
サイズ裕度及びレジストパターンサイズ許容条件につい
ても、本実施例の値に限定されることはなく、他の条件
でもよい。
の露光条件において、露光領域と光透過領域から構成さ
れるフォトマスクに適用した例を示す。
て、デフォーカスの裕度を1.0μm(±0.5μm)
及びマスクパターンサイズ裕度を±0.5μm(5倍レ
ティクル上)と設定した。また、0.5μmのコンタク
トホールを転写する場合における5倍レティクル上での
マスクパターンサイズを、2.40μm,2.45μ
m,2.50μm,2.55μmとして、この4通りの
マスクパターンで以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記4通りのマスクにおいて設定した。
5μm,±0.50μmと設定し、5倍レティクル上で
のマスクパターンサイズのずれは、−0.05μm,
0.00μm,0.05μmと設定した。また、露光量
の設定値からのずれを、−20%,−15%,−10
%,−5%,0%,5%,10%,15%,20%と設
定した。これらのシミュレーションパラメータは連続値
であることが望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な
値とした。これら全てのパラメータ値の組み合わせにお
いて、スカラー回折理論に基づいた光強度シミュレータ
ーを用いて光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。但し、レジストパタ
ーンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μm
からのずれが10%以内であることと設定した。
マスクパターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合
わせによって得られるレジストパターンがあらかじめ設
定された許容条件の範囲内であるところの、露光量の範
囲を求め、これを露光量裕度とした。
クパターンのうち、マスクパターンサイズが2.40μ
mの場合において、最大の露光量裕度が得られた。従っ
て、該条件を採用した。
深度1.0μm、マスクパターンサイズ裕度±0.05
μm(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、露光
量裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露光す
ることが可能となったとともに、シャープなレジストパ
ターン形状を得ることができた。
域から構成されるフォトマスクに本発明を適用したが、
これに限定されるものではなく、位相シフトマスク等に
おいても同様の効果が得られる。また、本実施例におい
ては、コンタクトホールパターンに本発明を用いたが、
あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン以外
のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
サイズ裕度及びレジストパターンサイズ許容条件につい
ても、本実施例の値に限定されることはなく、他の条件
でもよい。
の発明を具体化したものである。
0.45,σ0.3の露光条件において、この発明をハ
ーフトーン方式位相シフトマスクに適用した例である。
て、露光量裕度を±5%及びマスクパターンサイズ裕度
を±0.05μm(5倍レティクル上)と設定した。
0.3μmのコンタクトホールを転写する場合におい
て、該半遮光領域の振幅透過率及びマスクパターンサイ
ズ(5倍レティクル上)の組み合わせをそれぞれ、25
%・1.50μm,30%・1.60μm,35%・
1.75μm,40%・1.85μm,45%・1.9
5μmの5通りに設定し、これら5通りのマスクにそれ
ぞれにおいて以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記5通りのマスクにおいて設定した。
%,0%,5%と設定し、5倍レティクル上でのマスク
パターンサイズのずれは、−0.05μm,0.00μ
m,0.05μmと設定した。また、デフォーカスを、
0μm,±0.25μm,±0.50μm,±0.75
μm,±1.00μm,±1.25μmと設定した。こ
れらのシミュレーションパラメータは連続値であること
が望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。
これら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカ
ラー回折理論に基づいた光強度シミュレーターを用いて
光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.3
μmからのずれが10%以内と設定した。
パターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合わせに
よって得られるレジストパターンがあらかじめ設定され
た許容条件の範囲内であるところの、デフォーカスの範
囲を求め、これをデフォーカス裕度とした。
光領域透過率及びマスクパターンサイズの組み合わせに
おいて、半遮光領域透過率の振幅透過率が45%、マス
クパターンサイズが1.95μmの組み合わせにおい
て、最も大きなデフォーカス裕度が得られた。
量裕度±5%、マスクパターンサイズ裕度±0.05μ
m(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、デフォ
ーカス裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露
光が可能となったとともに、シャープなレジストパター
ン形状を得ることができた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
の最適化に適用した例を示す。本実施例では、露光波長
248nm、NA0.45とし、σが0.3の場合と、
0.5の場合のどちらの露光条件を採用するか判定した
例である。
て、露光量裕度を±5%及びマスクパターンサイズ裕度
を±0.05μm(5倍レティクル上)と設定した。ま
た、ハーフトーン方式位相シフトマスクの半遮光領域の
振幅透過率を40%とし、0.3μmのコンタクトホー
ルを転写する場合におけるマスクパターンサイズ(5倍
レティクル上)を、σが0.3の場合は1.85μm、
σが0.5の場合は1.75μmとして、この2通りの
露光条件で以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記2通りの露光条件において設定した。
%,0%,5%と設定し、5倍レティクル上でのマスク
パターンサイズのずれは、−0.05μm,0.00μ
m,0.05μmと設定した。また、デフォーカスを、
0μm,±0.25μm,±0.50μm,±0.75
μm,±1.00μm,±1.25μmと設定した。こ
れらのシミュレーションパラメータは連続値であること
が望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。
これら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカ
ラー回折理論に基づいた光強度シミュレーターを用いて
光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.3
μmからのずれが10%以内と設定した。
パターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合わせに
よって得られるレジストパターンがあらかじめ設定され
た許容条件の範囲内であるところの、デフォーカスの範
囲を求め、これをデフォーカス裕度とした。
うち、σ=0.3において最大のデフォーカス裕度が得
られた。従って、σ=0.3を採用した。
量裕度±5%、マスクパターンサイズ裕度±0.05μ
m(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、デフォ
ーカス裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露
光が可能となったとともに、シャープなレジストパター
ン形状を得ることができた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
裕度及びレジストパターンサイズ許容条件についても、
本実施例の値に限定されることはなく、他の条件でもよ
い。
光条件の最適化に本発明を適用した例を示す。本実施例
では、露光波長248nm、NA0.45において、σ
が0.3の場合と、0.5の場合、露光波長365n
m、NA0.57において、σが0.3の場合と、0.
5の場合、の4通りの露光条件のどの条件を採用するか
判定した例である。
て、露光量裕度を±5%及びマスクパターンサイズ裕度
を±0.05μm(5倍レティクル上)と設定した。ま
た、0.5μmのコンタクトホールを転写する場合にお
けるマスクパターンサイズを、2.5μm(5倍レティ
クル上)として、この4通りの露光条件で以下の手続き
を行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記4通りの露光条件において設定した。
%,0%,5%と設定し、5倍レティクル上でのマスク
パターンサイズのずれは、−0.05μm,0.00μ
m,0.05μmと設定した。また、デフォーカスを、
0μm,±0.25μm,±0.50μm,±0.75
μm,±1.00μm,±1.25μmと設定した。こ
れらのシミュレーションパラメータは連続値であること
が望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。
これら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカ
ラー回折理論に基づいた光強度シミュレーターを用いて
光強度分布を求めた。
おける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、
転写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更
に光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線
を求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.5
μmからのずれが10%以内と設定した。
パターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合わせに
よって得られるレジストパターンがあらかじめ設定され
た許容条件の範囲内であるところの、デフォーカスの範
囲を求め、これをデフォーカス裕度とした。
条件のうち、露光波長248nm,NA0.45,σ
0.3の場合において、最大のデフォーカス裕度が得ら
れた。従って、該条件を採用した。
量裕度±5%、マスクパターンサイズ裕度±0.05μ
m(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、デフォ
ーカス裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露
光が可能となったとともに、シャープなレジストパター
ン形状を得ることができた。
域から構成されるフォトマスクに本発明を適用したが、
これに限定されるものではなく、位相シフトマスク等に
おいても同様の効果が得られる。また、本実施例におい
ては、コンタクトホールパターンに本発明を用いたが、
あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン以外
のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
裕度及びレジストパターンサイズ許容条件についても、
本実施例の値に限定されることはなく、他の条件でもよ
い。
3の露光条件において、遮光領域と光透過領域から構成
されるフォトマスクに適用した例を示す。
て、露光量裕度を±5%及びマスクパターンサイズ裕度
を±0.05μm(5倍レティクル上)と設定した。ま
た、0.5μmのコンタクトホールを転写する場合にお
ける5倍レティクル上でのマスクパターンサイズを、
2.40μm,2.45μm,2.50μm,2.55
μmとして、この4通りのマスクパターンで以下の手続
きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記4通りのマスクにおいて設定した。
%,0%,5%と設定し、5倍レティクル上でのマスク
パターンサイズのずれは、−0.05μm,0.00μ
m,0.05μmと設定した。また、デフォーカスを、
0μm,±0.25μm,±0.50μm,±0.75
μm,±1.00μm,±1.25μmと設定した。こ
れらのシミュレーションパラメータは連続値であること
が望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。
これら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカ
ラー回折理論に基づいた光強度シミュレーターを用いて
光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.5
μmからのずれが10%以内と設定した。
パターンサイズの組み合わせにおいて、該組み合わせに
よって得られるレジストパターンがあらかじめ設定され
た許容条件の範囲内であるところの、デフォーカスの範
囲を求め、これをデフォーカス裕度とした。
クパターンのうち、マスクパターンサイズが2.40μ
mの場合において、最大のデフォーカス裕度が得られ
た。従って、該条件を採用した。
量裕度±5%、マスクパターンサイズ裕度±0.05μ
m(5倍レティクル上)を十分にみたし、かつ、デフォ
ーカス裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露
光が可能となったとともに、シャープなレジストパター
ン形状を得ることができた。
域から構成されるフォトマスクに本発明を適用したが、
これに限定されるものではなく、位相シフトマスク等に
おいても同様の効果が得られる。また、本実施例におい
ては、コンタクトホールパターンに本発明を用いたが、
あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン以外
のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
裕度及びレジストパターンサイズ許容条件についても、
本実施例の値に限定されることはなく、他の条件でもよ
い。
様の発明を具体化したものである。
0.45,σ0.3の露光条件において、本発明をハー
フトーン方式位相シフトマスクに本発明を適用した例で
ある。
て、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00μ
m)及び露光量裕度を±5%と設定した。0.3μmの
コンタクトホールを転写する場合において、該半遮光領
域の振幅透過率及びマスクパターンサイズ(5倍レティ
クル上)の組み合わせをそれぞれ、25%・1.50μ
m,30%・1.60μm,35%・1.75μm,4
0%・1.85μm,45%・1.95μmの5通りに
設定し、これら5通りのマスクにそれぞれにおいて以下
の操作を行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記5通りのマスクにおいて設定した。
5μm,±0.50μm,±0.75μm,±1.00
μmと設定し、露光量の設定値からのずれを、−5%,
0%,5%と設定した。また、5倍レティクル上でのマ
スクパターンサイズのずれは、−0.20μm,−0.
15μm,−0.10μm,−0.05μm,0.00
μm,0.05μm,0.10μm,0.15μm,
0.20μmと設定した。これらのシミュレーションパ
ラメータは連続値であることが望ましいが、計算時間を
考慮し、離散的な値とした。これら全てのパラメータ値
の組み合わせにおいて、スカラー回折理論に基づいた光
強度シミュレーターを用いて光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.3
μmからのずれが10%以内と設定した。
露光量の組み合わせにおいて、該組み合わせによって得
られるレジストパターンがあらかじめ設定された許容条
件の範囲内であるところの、マスクパターンサイズの範
囲を求め、これをマスクパターンサイズ裕度とした。
光領域透過率及びマスクパターンサイズの組み合わせに
おいて、半遮光領域透過率の振幅透過率が45%、また
マスクパターンサイズが1.95μmの組み合わせにお
いて、最も大きなマスクパターンサイズ裕度が得られ
た。
ォーカス裕度2.0μm、露光量の裕度±5%を十分に
みたし、かつ、マスクパターンサイズ裕度が十分に大き
いため、十分な裕度をもってマスク製造が可能となった
とともに、シャープなレジストパターン形状を得ること
ができた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
の最適化に適用した例を示す。本実施例では、露光波長
248nm、NA0.45とし、σが0.3の場合と、
0.5の場合のどちらの露光条件を採用するか判定した
例である。
として、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00
μm)と、露光量裕度を±5%と設定した。また、ハー
フトーン方式位相シフトマスクの半遮光領域の振幅透過
率を40%とし、0.3μmのコンタクトホールを転写
する場合におけるマスクパターンサイズ(5倍レティク
ル上)を、σが0.3の場合は1.85μm、σが0.
5の場合は1.75μmとして、この2通りの露光条件
で以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.3
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
それぞれマスクにおいて設定した。
ォーカスを、0μm,±0.25μm,±0.50μ
m,±0.75μm,±1.00μmと設定し、露光量
の設定値からのずれを、−5%,0%,5%と設定し
た。また、5倍レティクル上でのマスクパターンサイズ
のずれは、−0.20μm,−0.15μm,−0.1
0μm,−0.05μm,0.00μm,0.05μ
m,0.10μm,0.15μm,0.20μmと設定
した。これらのシミュレーションパラメータは連続値で
あることが望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値
とした。これら全てのパラメータ値の組み合わせにおい
て、スカラー回折理論に基づいた光強度シミュレーター
を用いて光強度シミュレーションを行った。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.3
μmからのずれが10%以内と設定した。
露光量の組み合わせにおいて、該組み合わせによって得
られるレジストパターンがあらかじめ設定された許容条
件の範囲内であるところの、マスクパターンサイズの範
囲を求め、これをマスクパターンサイズ裕度とした。
うち、σ=0.3において最大のマスクパターンサイズ
裕度が得られた。従って、σ=0.3を採用した。
ォーカス裕度2.0μm、露光量の裕度±5%を十分に
みたし、かつ、マスクパターンサイズ裕度が十分に大き
いため、十分な裕度をもってマスク製造が可能となっ
た。
クより、デフォーカスの裕度2.0μm、露光量の裕度
±10%を十分に満たして、シャープなレジストパター
ン形状を得ることができ、これにより半導体装置を歩留
まりよく製造できた。
相シフトマスクに本発明を適用したが、これに限定され
るものではなく、従来方式のマスク及び他の方式の位相
シフトマスクにおいても同様の効果が得られる。また、
本実施例においては、コンタクトホールパターンに本発
明を用いたが、あくまでも例示であり、コンタクトホー
ルパターン以外のパターンにおいても同様の効果が得ら
れる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
ォトマスクの露光条件の最適化に適用した例を示す。本
実施例では、露光波長248nm、NA0.45におい
て、σが0.3の場合と、0.5の場合、露光波長36
5nm、NA0.57において、σが0.3の場合と、
0.5の場合、の4条件の露光条件のどの条件を採用す
るか判定した例である。
として、デフォーカスの裕度を2.0μm(±1.00
μm)と、露光量裕度を±5%と設定した。また、0.
5μmのコンタクトホールを転写する場合におけるマス
クパターンサイズ(5倍レティクル上)を、2.5μm
として、この4通りの露光条件で以下の手続きを行っ
た。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
それぞれのマスクにおいて設定した。
ォーカスを、0μm,±0.25μm,±0.50μ
m,±0.75μm,±1.00μmと設定し、露光量
の設定値からのずれを、−5%,0%,5%と設定し
た。また、5倍レティクル上でのマスクパターンサイズ
のずれは、−0.20μm,−0.15μm,−0.1
0μm,−0.05μm,0.00μm,0.05μ
m,0.10μm,0.15μm,0.20μmと設定
した。これらのシミュレーションパラメータは連続値で
あることが望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値
とした。これら全てのパラメータ値の組み合わせにおい
て、スカラー回折理論に基づいた光強度シミュレーター
を用いて光強度シミュレーションを行った。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。即ち、レジストパタ
ーンサイズ許容条件として、設計パターンサイズ0.5
μmからのずれが10%以内と設定した。
露光量の組み合わせにおいて、該組み合わせによって得
られるレジストパターンがあらかじめ設定された許容条
件の範囲内であるところの、マスクパターンサイズの範
囲を求め、これをマスクパターンサイズ裕度とした。
条件のうち、露光波長248nm、NA0.45、σ
0.3の場合において、最大のマスクパターンサイズ裕
度が得られた。従って、該条件を採用した。
ォーカス裕度2.0μm、露光量の裕度±5%を十分に
みたし、かつ、マスクパターンサイズ裕度が十分に大き
いため、十分な裕度をもってマスク製造が可能となっ
た。
クにより、デフォーカスの裕度2.0μm、露光量の裕
度±10%を十分に満たして、シャープなレジストパタ
ーン形状を得ることができ、これにより半導体装置を歩
留まりよく製造できた。
透過領域から構成されるフォトマスクに本発明を適用し
たが、これに限定されるものではなく、位相シフトマス
ク等においても同様の効果が得られる。また、本実施例
においては、コンタクトホールパターンに本発明を用い
たが、あくまでも例示であり、コンタクトホールパター
ン以外のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
の露光条件において、遮光領域と光透過領域から構成さ
れるフォトマスクに適用した例を示す。
て、デフォーカスの裕度を1.0μm(±0.5μm)
及び露光量裕度を±5%と設定した。また、0.5μm
のコンタクトホールを転写する場合における5倍レティ
クル上でのマスクパターンサイズを、2.40μm,
2.45μm,2.50μm,2.55μmとして、こ
の4通りのマスクパターンで以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記4通りのマスクにおいて設定した。
5μm,±0.50μmと設定し、露光量の設定値から
のずれを、−5%,0%,5%と設定した。また、5倍
レティクル上でのマスクパターンサイズのずれは、−
0.20μm,−0.15μm,−0.10μm,−
0.05μm,0.00μm,0.05μm,0.10
μm,0.15μm,0.20μmと設定した。これら
のシミュレーションパラメータは連続値であることが望
ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これ
ら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー
回折理論に基づいた光強度シミュレーターを用いて光強
度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、更に
光強度しきい値に相当する図4に示すような等高線を
求め、これを転写レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。但し、レジストパタ
ーンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μm
からのずれが10%以内であることと設定した。
露光量の組み合わせにおいて、該組み合わせによって得
られるレジストパターンがあらかじめ設定された許容条
件の範囲内であるところの、マスクパターンサイズの範
囲を求め、これをマスクパターンサイズ裕度とした。
クパターンのうち、マスクパターンサイズが2.40μ
mの場合において、最大のマスクパターンサイズ裕度が
得られた。従って、該条件を採用した。
深度1.0μm、露光裕度±5%を十分にみたし、か
つ、露光量裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもっ
て露光することが可能となったとともに、シャープなレ
ジストパターン形状を得ることができた。
域から構成されるフォトマスクに本発明を適用したが、
これに限定されるものではなく、位相シフトマスク等に
おいても同様の効果が得られる。また、本実施例におい
ては、コンタクトホールパターンに本発明を用いたが、
あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン以外
のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって得られた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレーター
を用いてもよく、更には光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレーターや他の計算方法を用い
てもよく、転写実験によって直接転写レジストパターン
を求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
領域とから構成されるフォトマスクの露光条件の最適化
に、本発明を適用した例を示す。本実施例は、露光波長
365nm、NA0.57、σが0.6において、発光
回数を2回としたフレックス露光において、焦点位置の
ピッチを、1.5μmと2.0μmの2通りの露光条件
のどの条件を採用するか判定した例である。
て、デフォーカス裕度を2.0μm(±1.00μm)
およびマスクパターンサイズ裕度を±0.05μm(5
倍レティクル上)と設定した。また、0.5μmのコン
タクトホールを転写する場合におけるマスクパターンサ
イズを、0.5μmとして、この2通りの露光条件で以
下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記2通りの露光方法において設定した。
5μm、±0.50μm、±0.7.5μm、±1.0
0μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパターン
サイズのずれは、−0.05μm、0.00μm、0.
05μmと設定した。また、露光量の設定値からのずれ
を、−20%、−15%、−10%、−5%、0%、5
%、10%、15%、20%と設定した。これらのシミ
ュレーションパラメータは連続値であることが望ましい
が、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これら全て
のパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー回析理
論に基づいた光強度シミュレータを用いて光強度分布を
求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、さら
に光強度しきい値に相当する等高線を求め、これを転写
レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。ただし、レジストパ
ターンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μ
mからのずれが10%以内であることを設定した。
ズおよびレジストパターンサイズにおいて、あらかじめ
設定された許容条件の範囲において、露光量の許容範
囲、すなわち、露光量裕度が得られた。
条件のうち、焦点位置のピッチが1.5μmの場合にお
いて、最大の露光量裕度が得られた。したがって、該条
件を採用した。
点深度2.0μm、マスクパターンサイズ裕度±0.0
5μm(5倍レティクル上)を十分にみたし、且つ、露
光量裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって露光
することが可能となったとともに、シャープなレジスト
パターン形状を得ることができた。
透過領域から構成されるフォトマスクに本発明を適用し
たが、これに限定されるものでなく、位相シフトマスク
等においても同様の効果が得られる。また、本実施例に
おいては、コンタクトホールパターンに本発明を用いた
が、あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン
以外のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回析理論の光強度シミュレーションに
よって与えられた光強度分布の光強度しきい値での等高
線を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回析理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
ンサイズおよびレジストパターンサイズ許容条件につい
ても、本実施例の値に限定されることはなく、他の条件
でもよい。
領域から構成されるフォトマスクの露光条件の最適化
に、本発明を適用した例を示す。本実施例は、露光波長
365nm、NA0.57、σが0.6において、露光
回数を2回としたフレックス露光において、焦点位置の
ピッチを、1.5μmと2.0μmの2通りの露光条件
のどの条件を採用するか判定した例である。
て、露光量裕度を±5%およびマスクパターンサイズ裕
度を±0.05μm(5倍レティクル上)と設定した。
また、0.5μmのコンタクトホールを転写する場合に
おけるマスクパターンサイズを、0.5μmとして、こ
の2通りの露光条件で以下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記2通りの露光方法において設定した。
%、0%、5%とし、5倍レティクル上でのマスクパタ
ーンサイズのすれは、−0.05μm、0.00μm、
0.05μm設定した。また、デフォーカスを、0μ
m、±0.25μm、±0.50μm、±0.75μ
m、±1.00μm0±1.25μmと設定した。これ
らのシミュレーションパラメータは連続値であることが
望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。こ
れら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラ
ー回折理論に基づいた光強度シミュレータを用いて光強
度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、さら
に光強度しきい値に相当する等高線を求め、これを転写
レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。ただし、レジストパ
ターンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μ
mからのずれが10%以内であることを設定した。
びレジストパターンサイズにおいて、あらかじめ設定さ
れた許容条件の範囲において、デフォーカスの許容範
囲、すなわち、デフォーカス裕度が得られた。
条件のうち、焦点位置のピッチが2.0μmの場合にお
いて、最大のデフォーカス裕度が得られた。したがっ
て、該条件を採用した。
光量裕度±5%、マスクパターンサイズ裕度±0.05
μm(5倍レティクル上)を十分にみたし、且つ、デフ
ォーカス裕度が十分に大きいため、十分な裕度をもって
露光することが可能となったとともに、シャープなレジ
ストパターン形状を得ることができた。
透過領域から構成されるフォトマスクに本発明を適用し
たが、これに限定されるものでなく、位相シフトマスク
等においても同様の効果が得られる。また、本実施例に
おいては、コンタクトホールパターンに本発明を用いた
が、あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン
以外のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回析理論の光強度シミュレーションに
よってえられた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回析理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
ズおよびレジストパターンサイズ許容条件についても、
本実施例の値に限定されることはなく、他の条件でもよ
い。
領域から構成されるフォトマスクの露光条件の最適化
に、本発明を適用した例を示す。本実施例は、露光波長
365nm、NA0.57、σが0.6において、露光
回数を2回としたフレックス露光において、焦点位置の
ピッチを、1.5μmと2.0μmの2通りの露光条件
のどの条件を採用するか判定した例である。
て、デフォーカス裕度を2.0μm(±1.00μm)
およびマスクパターンサイズ裕度を±0.05μm(5
倍レティクル上)と設定した。また、0.5μmのコン
タクトホールを転写する場合におけるマスクパターンサ
イズを、0.5μmとして、この2通りの露光条件で以
下の手続きを行った。
スクパターンサイズのずれがない条件において、0.5
μmの転写コンタクトホールが得られるように露光量を
上記2通りの露光方法において設定した。
%、0%、5%とし、デフォーカスを、0μm、±0.
25μm、±0.50μm、、±0.75μm、±1.
00μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパター
ンサイズのずれは、−0.20μm、−0.15μm、
−0.10μm、−0.05μm、0.00μm、0.
05μm、0.10μm、0.15μm、0.20μm
と設定した。これらのシミュレーションパラメータは連
続値であることが望ましいが、計算時間を考慮し、離散
的な値とした。これら全てのパラメータ値の組み合わせ
において、スカラー回析理論に基づいた光強度シミュレ
ータを用いて光強度分布を求めた。
ける露光量と実験的に得られたレジストの感度から、転
写パターンサイズを与える光強度しきい値を求め、さら
に光強度しきい値に相当する等高線を求め、これを転写
レジストパターンとした。
おけるコンタクトホールのサイズを求め、該サイズがコ
ンタクトホールサイズに対してあらかじめ設定された許
容条件を満たすか否かを判定した。ただし、レジストパ
ターンサイズ許容条件は、設計パターンサイズ0.5μ
mからのずれが10%以内であることを設定した。
トパターンサイズにおいて、あらかじめ設定された許容
条件の範囲において、マスクパターンサイズの許容範
囲、すなわち、マスクパターンサイズ裕度が得られた。
条件のうち、焦点位置のピッチが1.5μmの場合にお
いて、最大のマスクパターンサイズ量裕度が得られた。
したがって、該条件を採用した。
り、デフォーカス裕度1.5μm、露光量の裕度±5%
を十分にみたし、且つ、マスクパターンサイズ裕度が十
分な裕度をもってマスク製造が可能となり、これらを用
いて、シャープなレジストパターン形状を得ることがで
き、これにより半導体装置を歩留りよく製造できた。
透過領域から構成されるフォトマスクに本発明を適用し
たが、これに限定されるものでなく、位相シフトマスク
等においても同様の効果が得られる。また、本実施例に
おいては、コンタクトホールパターンに本発明を用いた
が、あくまでも例示であり、コンタクトホールパターン
以外のパターンにおいても同様の効果が得られる。
として、スカラー回析理論の光強度シミュレーションに
よって与えられた光強度分布の光強度しきい値での等高
線を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回析理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
レジストパターンサイズ許容条件についても、本実施例
の値に限定されることはなく、他の条件でもよい。
のパラメータ、例えば3個以上のパラメータについてそ
れらの相関関係を見い出すことができ、これらの相関に
より最適条件を求めることができ、実際の条件との乖離
も小さく、各種性能の定量的な把握が可能で、時間とコ
ストの低減も図ることができ、マスクパターンサイズの
ばらつきなどの影響をも考慮できて、実際の最適化が可
能であるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光
方法及び半導体装置の製造方法を提供することができ
た。
により、露光工程におけるパラメータ、マスクの製造パ
ラメータを、実際のプロセスに即して、定量的に評価す
ることができた。特に、露光量裕度、デフォーカス、マ
スクパターンサイズをパラメータとして選択し、これら
の相互関係を露光装置の種々の露光条件において正確に
評価することによって、歩留まりよく例えば、半導体装
置を製造することができるとともに、製造プロセスの構
築を効率良く、かつ低コストで構築することが可能とな
った。
ジスト感度から求めた、転写パターンサイズを与える光
強度しきい値に相当する光等高線(コンター図)を示す
ものである。
(ターゲットマスクパターンサイズ裕度) III 求めたデフォーカス裕度(R面上のデフォーカス
の最小値) R 解像条件を満たす領域と満たさない領域の境界
ラフィー工程において、あらかじめ設定したデフォーカ
ス裕度及びマスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個
のデフォーカス、マスクパターンサイズの値の組み合わ
せを設定し、さらに露光量を変化させて、得られる転写
パターンを求め、該パターンが設計時における許容条件
を満たすか否かを判定し、これより前記においてあらか
じめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を満たす露光量の
範囲である露光量裕度を求め、露光パラメータが該露光
量裕度を最大にする構成で設定されていることを特徴と
する露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
口部(NA)、パーシャルコヒーレンシー、露光波長、
光源形状、瞳フィルター形状等が挙げられる。
グラフィー工程において、あらかじめ設定した露光量裕
度及びマスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個の露
光量、マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定
し、さらにデフォーカスを変化させて、得られる転写パ
ターンを求め、該パターンが設計時における許容条件を
満たすか否かを判定し、これより前記においてあらかじ
め設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範
囲内全てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範
囲であるデフォーカス裕度を求め、露光パラメータが該
デフォーカス裕度を最大にする構成で設定されているこ
とを特徴とする露光方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。
口部(NA)、パーシャルコヒーレンシー、露光波長、
光源形状、瞳フィルター形状等が挙げられる。
グラフィー工程において、あらかじめ設定した露光量裕
度及びデフォーカス裕度の範囲内の複数個の露光量、デ
フォーカスの値の組み合わせを設定し、さらにマスクパ
ターンサイズを変化させて、得られる転写パターンを求
め、該パターンが設計時における許容条件を満たすか否
かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定した
露光裕度、デフォーカス裕度の範囲内全てにおいて該許
容条件を満たすマスクパターンサイズの範囲であるマス
クパターンサイズ裕度を求め、露光パラメータが該マス
クパターンサイズ裕度を最大にする構成で設定されてい
ることを特徴とする露光方法であって、これにより上記
目的を達成するものである。
口部(NA)、パーシャルコヒーレンシー、露光波長、
光源形状、瞳フィルター形状等が挙げられる。
マスクパターンサイズ裕度、露光量裕度のいずれか1つ
を、あらかじめ設定した他の2つの範囲内の複数個のデ
ータの組み合わせで各々組み合わせて、この組み合わせ
の中で許容される範囲を求めることによりその最適値を
決定するものであるから、最適な露光条件を得ることが
できる。
されたフォトマスクを用い、更に、最適化した適正な露
光条件により露光を行うことにより、良好なパターン形
成を行うことができる。
領域とから構成されるフォトマスクの露光条件の最適化
に、本発明を適用した例を示す。本実施例は、露光波長
365nm、NA0.57、σが0.6において、露光
回数を2回としたフレックス露光において、焦点位置の
ピッチを、1.5μmと2.0μmの2通りの露光条件
のどの条件を採用するか判定した例である。
5μm、±0.50μm、±0.7.5μm、±1.0
0μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパターン
サイズのずれは、−0.05μm、0.00μm、0.
05μmと設定した。また、露光量の設定値からのずれ
を、−20%、−15%、−10%、−5%、0%、5
%、10%、15%、20%と設定した。これらのシミ
ュレーションパラメータは連続値であることが望ましい
が、計算時間を考慮し、離散的な値とした。これら全て
のパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラー回折理
論に基づいた光強度シミュレータを用いて光強度分布を
求めた。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって与えられた光強度分布の光強度しきい値での等高
線を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回析理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
%、0%、5%とし、5倍レティクル上でのマスクパタ
ーンサイズのずれは、−0.05μm、0.00μm、
0.05μm設定した。また、デフォーカスを、0μ
m、±0.25μm、±0.50μm、±0.75μ
m、±1.00μm0±1.25μmと設定した。これ
らのシミュレーションパラメータは連続値であることが
望ましいが、計算時間を考慮し、離散的な値とした。こ
れら全てのパラメータ値の組み合わせにおいて、スカラ
ー回折理論に基づいた光強度シミュレータを用いて光強
度分布を求めた。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よってえられた光強度分布の光強度しきい値での等高線
を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
%、0%、5%とし、デフォーカスを、0μm、±0.
25μm、±0.50μm、、±0.75μm、±1.
00μmと設定し、5倍レティクル上でのマスクパター
ンサイズのずれは、−0.20μm、−0.15μm、
=0.10μm、−0.05μm、0.00μm、0.
05μm、0.10μm、0.15μm、0.20μm
と設定した。これらのシミュレーションパラメータは連
続値であることが望ましいが、計算時間を考慮し、離散
的な値とした。これら全てのパラメータ値の組み合わせ
において、スカラー回折理論に基づいた光強度シミュレ
ータを用いて光強度分布を求めた。
条件のうち、焦点位置のピッチが1.5μmの場合にお
いて、最大のマスクパターンサイズ裕度が得られた。し
たがって、該条件を採用した。
として、スカラー回折理論の光強度シミュレーションに
よって与えられた光強度分布の光強度しきい値での等高
線を求める方法を用いたが、これに限定されることはな
く、ベクトル回折理論やその他の光強度シミュレータを
用いてもよく、さらには光強度分布を実験によって求め
てもよく、光強度分布から転写レジストパターンを求め
るにあたって現像シミュレータや他の計算方法を用いて
もよく、転写実験によって直接転写レジストパターンを
求めてもよい。
Claims (27)
- 【請求項1】フォトリソグラフィー工程に用いられ、光
透過領域と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、 あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターン
サイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパ
ターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を
変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターン
が設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、こ
れより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許
容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求め、 更にマスクパラメータが、前記求められた露光量裕度を
最大にする構成で設定されていることを特徴とするフォ
トマスク。 - 【請求項2】前記光透過領域が、互いに位相を異ならし
めて光を透過する少なくとも2つの部分を備えることを
特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。 - 【請求項3】前記遮光領域が、フォトリソグラフィー工
程において被露光感光剤を感光させない程度に光を透過
し、かつ、光透過領域とは互いに位相を異ならしめて光
を透過するものであることを特徴とする請求項1に記載
のフォトマスク。 - 【請求項4】前記マスクパラメータが、マスクパターン
サイズ、光透過領域の位相、遮光領域の透過率、遮光領
域の位相のいずれか1つ、またはいずれか2以上の組み
合わせであることを特徴とする請求項1ないし3のいず
れかに記載のフォトマスク。 - 【請求項5】光透過領域と遮光領域を有するフォトマス
クの製造方法において、 あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターン
サイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパ
ターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を
変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターン
が設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、こ
れより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて該
許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求
め、 マスクパラメータが、該露光量裕度を最大にする構成で
設定されていることを特徴とするフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項6】フォトリソグラフィー工程において、あら
かじめ設定したデフォーカス裕度及びマスクパターンサ
イズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパタ
ーンサイズの値の組み合わせを設定し、さらに露光量を
変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターン
が設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、こ
れより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて該
許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求
め、露光パラメータが該露光量裕度を最大にする構成で
設定されていることを特徴とする露光方法。 - 【請求項7】光透過領域と遮光領域を有するフォトマス
クを用いる露光方法において、 あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターン
サイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパ
ターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を
変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターン
が設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、こ
れより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて該
許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求
め、 マスクパラメータが、該露光量裕度を最大にする構成で
設定されたフォトマスクを用いることを特徴とする露光
方法。 - 【請求項8】前記あらかじめ設定したデフォーカス裕度
及びマスクパターンサイズ裕度に基づいてその露光量裕
度を求めるフォトマスクの設計条件の最適化の際に、同
時に該フォトマスクを用いる露光条件の最適化を行って
最適露光条件を求める構成としたことを特徴とする請求
項7に記載の露光方法。 - 【請求項9】光透過領域と遮光領域を有するフォトマス
クを用いたフォトリソグラフィーにより半導体装置を製
造する半導体装置の製造方法において、 あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターン
サイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパ
ターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を
変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターン
が設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、こ
れより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕
度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許
容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求め、 マスクパラメータが、該露光量裕度を最大にする構成で
設定されているフォトマスクを用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクにおいて、 あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
を求め、該パターンが設計時における許容条件を満たす
か否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定
した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全
てにおいて許容条件を満たすデフォーカスの範囲である
デフォーカス裕度を求め、 マスクパラメータが、該デフォーカス裕度を最大にする
構成で設定されていることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項11】前記光透過領域が、互いに位相を異なら
しめて光を透過する少なくとも2つの部分を備えること
を特徴とする請求項10に記載のフォトマスク。 - 【請求項12】前記遮光領域が、フォトリソグラフィー
工程において被露光感光剤を感光させない程度に光を透
過し、かつ、光透過領域とは互いに位相を異ならしめて
光を透過するものであることを特徴とする請求項10に
記載のフォマスク。 - 【請求項13】前記マスクパラメータが、マスクパター
ンサイズ、光透過領域の位相、遮光領域の透過率、遮光
領域の位相のいずれか1つ、またはいずれか2以上の組
み合わせであることを特徴とする請求項10ないし12
のいずれかに記載のフォトマスク。 - 【請求項14】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクの製造方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
を求め、該パターンが設計時における許容条件を満たす
か否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定
した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全
てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範囲であ
るデフォーカス裕度を求め、 マスクパラメータが、該デフォーカス裕度を最大にする
構成で設定されていることを特徴とするフォトマスクの
製造方法。 - 【請求項15】フォトリソグラフィー工程において、あ
らかじめ設定した露光量裕度及びマスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、さらにデフォーカスを変化
させて、得られる転写パターンを求め、該パターンが設
計時における許容条件を満たすか否かを判定し、これよ
り前記においてあらかじめ設定した露光量裕度、マスク
パターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を
満たすデフォーカスの範囲であるデフォーカス裕度を求
め、露光パラメータが該デフォーカス裕度を最大にする
構成で設定されていることを特徴とする露光方法。 - 【請求項16】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクを用いる露光方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
を求め、該パターンが設計時における許容条件を満たす
か否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定
した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全
てにおいて該許容条件を満たすデフォーカスの範囲であ
るデフォーカス裕度を求め、 マスクパラメータが、該デフォーカス裕度を最大にする
構成で設定されたフォトマスクであることを特徴とする
露光方法。 - 【請求項17】前記あらかじめ設定した露光量裕度及び
マスクパターンサイズ裕度に基づいてそのデフォーカス
裕度を求めるフォトマスクの設計条件の最適化の際に、
同時に該フォトマスクを用いる露光条件の最適化を行っ
て最適露光条件を求める構成としたことを特徴とする請
求項16に記載の露光方法。 - 【請求項18】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクを用いたフォトリソグラフィーにより半導体装置を
製造する半導体装置の製造方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度、マスクパターンサイズ
裕度の範囲内の複数個の露光量、マスクパターンサイズ
の値の組み合わせを設定し、更にデフォーカスをジャス
トフォーカス近傍で変化させて、得られる転写パターン
を求め、該パターンが設計時における許容条件を満たす
か否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定
した露光量裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全
てにおいて許容条件を満たすデフォーカスの範囲である
デフォーカス裕度を求め、 マスクパラメータが、該デフォーカス裕度を最大にする
構成で設定されているフォトマスクを用いることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項19】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクにおいて、 あらかじめ設定した露光量裕度及びデフォーカス裕度の
範囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わ
せを設定し、更にマスクパターンサイズを変化させて、
得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時にお
ける許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記に
おいてあらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕
度の範囲内全てにおいて許容条件を満たすマスクパター
ンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度を求
め、 マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ裕度を最
大にする構成で設定されていることを特徴とするフォト
マスク。 - 【請求項20】前記光透過領域が、互いに位相を異なら
しめて光を透過する少なくとも2つの部分を備えること
を特徴とする請求項19に記載のフォトマスク。 - 【請求項21】前記遮光領域が、フォトリソグラフィー
工程において被露光感光剤を感光させない程度に光を透
過し、かつ、光透過領域とは互いに位相を異ならしめて
光を透過するものであることを特徴とする請求項19に
記載のフトォマスク。 - 【請求項22】前記マスクパラメータが、マスクパター
ンサイズ、光透過領域の位相、遮光領域の透過率、遮光
領域の位相のいずれか1つ、またはいずれか2以上の組
み合わせであることを特徴とする請求項19ないし21
のいずれかに記載のフォトマスク。 - 【請求項23】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクの製造方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の範
囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わせ
を設定し、更にマスクパターンサイズ裕度を変化させ
て、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時
における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前
記においてあらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカ
ス裕度の範囲内全てにおいて該許容条件を満たすマスク
パターンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度
を求め、 マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ裕度を最
大にする構成で設定されていることを特徴とするフォト
マスクの製造方法。 - 【請求項24】フォトリソグラフィー工程において、あ
らかじめ設定した露光量裕度及びデフォーカス裕度の範
囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わせ
を設定し、さらにマスクパターンサイズを変化させて、
得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時にお
ける許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記に
おいてあらかじめ設定した露光裕度、デフォーカス裕度
の範囲内全てにおいて該許容条件を満たすマスクパター
ンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度を求
め、露光パラメータが該マスクパターンサイズ裕度を最
大にする構成で設定されていることを特徴とする露光方
法。 - 【請求項25】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクを用いる露光方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度の範
囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わせ
を設定し、更にマスクパターンサイズを変化させて、得
られる転写パターンを求め、該パターンが設計時におけ
る許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記にお
いてあらかじめ設定した露光量裕度、デフォーカス裕度
の範囲内全てにおいて該許容条件を満たすマスクパター
ンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度を求
め、 マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ裕度を最
大にする構成で設定されたフォトマスクであることを特
徴とする露光方法。 - 【請求項26】前記においてあらかじめ設定したデフォ
ーカス裕度及び露光量裕度に基づいてそのマスクパター
ンサイズ裕度を求めるフォトマスクの設計条件の最適化
の際に、同時に該フォトマスクを用いる露光条件の最適
化を行って最適露光条件を求める構成としたことを特徴
とする請求項25に記載の露光方法。 - 【請求項27】光透過領域と遮光領域を有するフォトマ
スクを用いたフォトリソグラフィーにより半導体装置を
製造する半導体装置の製造方法において、 あらかじめ設定した露光量裕度及びデフォーカス裕度の
範囲内の複数個の露光量、デフォーカスの値の組み合わ
せを設定し、更にマスクパターンサイズを変化させて、
得られる転写パターンを求め、該パターンが設定時にお
ける許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記に
おいてあらかじめ設計した露光量裕度、デフォーカス裕
度の範囲内全てにおいて許容条件を満たすマスクパター
ンサイズの範囲であるマスクパターンサイズ裕度を求
め、 マスクパラメータが、該マスクパターンサイズ裕度を最
大にする構成で設定されているフォトマスクであること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
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