JP2007163686A - マスクパターン評価方法及び評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一形態のマスクパターン評価方法は、フォトマスクのパターン画像を取得し(S2)、前記パターン画像からパターンの側壁角に関する側壁角データを生成し(S3)、前記パターン画像からパターン輪郭を抽出して輪郭データを生成し(S5)、前記輪郭データと前記側壁角データを基にリソグラフィシミュレーションを行い(S7)、露光余裕度を算出する(S8)。
【選択図】 図4
Description
W.C. Wang et al."Mask pattern fidelity quantification method" SPIE Vol.5256(2003) p.p.266-275
まず、通常のフォトマスク製造プロセスにより製作したフォトマスクであるArF−ハーフトーン(HT)マスクを用意した。このArF−HTマスク上に形成したパターンは55nmデザインルールのメモリーデバイスであり、このマスクパターンに対してリソグラフィマージンが少ない箇所(ホットスポットと呼ぶ)を予め抽出してある。ホットスポットの抽出は、設計データに光近接効果補正(OPC)を行った後のデータから、チップ全面のリソグラフィシミュレーションによりリソグラフィマージンの少ない箇所を特定したものである。今回は64箇所のホットスポットを抽出した。
第2の実施の形態として、パターン側壁角データを基にパターン輪郭データを補正する場合を説明する。ホットスポットのSEM像からパターン側壁角データとパターン輪郭データを取得するまでの手順は上述した第1の実施の形態と同じある。異なる点は、パターン側壁角データを基にパターン輪郭データの輪郭位置を補正することにある。
Claims (5)
- フォトマスクのパターン画像を取得し、
前記パターン画像からパターンの側壁角に関する側壁角データを生成し、
前記パターン画像からパターン輪郭を抽出して輪郭データを生成し、
前記輪郭データと前記側壁角データを基にリソグラフィシミュレーションを行い、露光余裕度を算出することを特徴とするマスクパターン評価方法。 - フォトマスクのパターン画像を取得し、
前記パターン画像からパターンの側壁角に関する側壁角データを生成し、
前記パターン画像からパターン輪郭を抽出して輪郭データを生成し、
前記側壁角データを基に前記輪郭データのパターン輪郭位置を補正し、
補正された前記輪郭データを基にリソグラフィシミュレーションを行い、露光余裕度を算出することを特徴とするマスクパターン評価方法。 - 前記側壁角データの生成は、走査型電子顕微鏡で得たパターン画像のパターン輪郭を構成する白線の強度プロファイルを基に行うことを特徴とする請求項1または2に記載のマスクパターン評価方法。
- フォトマスクのパターン画像を取得するパターン画像取得手段と、
前記パターン画像取得手段で取得したパターン画像からパターンの側壁角に関する側壁角データを生成するパターン側壁角解析手段と、
前記パターン画像取得手段で取得したパターン画像からパターン輪郭を抽出して輪郭データを生成するパターン輪郭抽出手段と、
前記パターン輪郭抽出手段で生成された輪郭データと前記パターン側壁角解析手段で生成された側壁角データを基にリソグラフィシミュレーションを行い、露光余裕度を算出するリソグラフィシミュレータと、
を具備したことを特徴とするマスクパターン評価装置。 - フォトマスクのパターン画像を取得するパターン画像取得手段と、
前記パターン画像取得手段で取得したパターン画像からパターンの側壁角に関する側壁角データを生成するパターン側壁角解析手段と、
前記パターン画像取得手段で取得したパターン画像からパターン輪郭を抽出して輪郭データを生成するパターン輪郭抽出手段と、
前記パターン側壁角解析手段で生成された側壁角データを基に前記パターン輪郭抽出手段で生成された輪郭データのパターン輪郭位置を補正する輪郭データ補正手段と、
前記輪郭データ補正手段で補正された前記輪郭データを基にリソグラフィシミュレーションを行い、露光余裕度を算出するリソグラフィシミュレータと、
を具備したことを特徴とするマスクパターン評価装置。
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