JP2009122199A - マスクパターン寸法検査方法およびマスクパターン寸法検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SEM画像データから取得する閾値の異なる2個以上のパターン輪郭位置データの輪郭位置の差分と光学的な方法により求めた光学的な輪郭位置との関係を示す側壁形状補正関数を予め求め(S1、S2)、リソグラフィシミュレーションを行いたいSEM画像データから閾値の異なる2個以上のパターン輪郭位置データを取得し(S5)、その輪郭位置の差分と前記側壁形状補正関数から擬似的な光学的パターン輪郭位置データを求め(S6)、この擬似的な光学的パターン輪郭位置データを用いてリソグラフィシミュレーションを行う。
【選択図】 図2
Description
(M.Kariya et al, "Mask pattern quality assurance based on lithography simulation with fine pixel SEM image", Proceedings of SPIE Vol.5992)
検査対象となる被検査パターンのSEM画像を取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一、前記第二及び前記第三の閾値を用いてパターン輪郭位置データを夫々取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第二及び前記第三の閾値を用いて取得した2個の前記パターン輪郭位置データの輪郭位置差分データを取得し、
前記関数を参照して前記輪郭位置差分データから対応するオフセット量を取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一の閾値を用いて取得した前記パターン輪郭位置データに、前記オフセット量を加算することにより擬似光学的輪郭位置データを決定し、
前記擬似光学的輪郭位置データを用いて前記被検査パターンのリソグラフィシミュレーションを行うことを特徴とするマスクパターン寸法検査方法が得られる。
Claims (5)
- フォトマスク上に形成された側壁形状の異なる複数のマスクパターンの輪郭位置データが光学的な方法により光学的輪郭位置データとして求められ、前記複数のマスクパターンのSEM画像データが取得され、前記複数のマスクパターンのSEM画像データから第一の閾値を用いて複数のパターン輪郭位置データが夫々取得され、前記第一の閾値を用いて前記マスクパターン画像データごとに取得した前記パターン輪郭位置データと前記光学的輪郭位置データとのオフセット量が求められ、前記複数のマスクパターンのSEM画像データから互いに異なる第二及び第三の閾値を用いて前記各マスクパターン画像データについてそれぞれ2個のパターン輪郭位置データが取得され、前記第二及び第三の閾値を用いて前記マスクパターン画像データごとに取得した前記2個のパターン輪郭位置データの輪郭位置差分データが取得され、前記マスクパターン画像データごとに取得した前記オフセット量と前記輪郭位置差分データとの対応関係が求められることにより、前記対応関係が関数化されている関数を用意し、
検査対象となる被検査パターンのSEM画像を取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一、前記第二及び前記第三の閾値を用いてパターン輪郭位置データを夫々取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第二及び前記第三の閾値を用いて取得した2個の前記パターン輪郭位置データの輪郭位置差分データを取得し、
前記関数を参照して前記輪郭位置差分データから対応するオフセット量を取得し、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一の閾値を用いて取得した前記パターン輪郭位置データに、前記オフセット量を加算することにより擬似光学的輪郭位置データを決定し、
前記擬似光学的輪郭位置データを用いて前記被検査パターンのリソグラフィシミュレーションを行うこと
を特徴とするマスクパターン寸法検査方法。 - 前記マスクパターンの前記光学的輪郭位置データは、前記擬似光学的輪郭位置データに対して適用される前記リソグラフィシミュレーションと同一のリソグラフィシミュレーションを前記光学的輪郭位置データに対して適用することにより得られる空間像が、空間像検査装置を用いて得られる前記マスクパターンの空間像と一致するように求められていることを特徴とする請求項1記載のマスクパターン寸法検査方法。
- 前記リソグラフィシミュレーションでは、2次元マスクに適用される計算モデルが使用されることを特徴とする請求項2記載のマスクパターン寸法検査方法。
- 前記第一の閾値は、前記SEM画像中に示される輝度の範囲の中間値であることを特徴とする請求項1記載のマスクパターン寸法検査方法。
- フォトマスク上に形成された側壁形状の異なる複数のマスクパターンの輪郭位置データを光学的な方法により光学的輪郭位置データとして求め、前記複数のマスクパターンのSEM画像データを取得し、前記複数のマスクパターンのSEM画像データから第一の閾値を用いて複数のパターン輪郭位置データを夫々取得し、前記第一の閾値を用いて前記マスクパターン画像データごとに取得した前記パターン輪郭位置データと前記光学的輪郭位置データとのオフセット量を求め、前記複数のマスクパターンのSEM画像データから互いに異なる第二及び第三の閾値を用いて前記各マスクパターン画像データについてそれぞれ2個のパターン輪郭位置データを取得し、前記第二及び第三の閾値を用いて前記マスクパターン画像データごとに取得した前記2個のパターン輪郭位置データの輪郭位置差分データを取得し、前記マスクパターン画像データごとに取得した前記オフセット量と前記輪郭位置差分データとの対応関係を求めて前記対応関係が関数化された関数を読み出す手段と、
検査対象となる被検査パターンのSEM画像を取得する手段と、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一、前記第二及び前記第三の閾値を用いてパターン輪郭位置データを夫々取得する手段と、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第二及び前記第三の閾値を用いて取得した2個の前記パターン輪郭位置データの輪郭位置差分データを取得し、
前記関数読み出し手段から読み出された前記関数を参照することにより、前記輪郭位置差分データから対応するオフセット量を取得する手段と、
前記被検査パターンのSEM画像から前記第一の閾値を用いて取得した前記パターン輪郭位置データに、前記オフセット量を加算することにより擬似光学的輪郭位置データを決定する手段と、
前記擬似光学的輪郭位置データを用いて前記被検査パターンのリソグラフィシミュレーションを行う手段と、を具備することを特徴とするマスクパターン寸法検査装置。
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