JP2012198436A - フォトマスクのパターンの輪郭抽出方法、輪郭抽出装置、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程S2と、2次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する工程S3と、2次元分布情報に基づき、補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する工程S4と、第1の方法によって抽出されたエッジ位置と第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程とS5、2次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第2の方法によって抽出する工程S6と、所望エッジのエッジ位置を補正値に基づいて補正する工程S7とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法を示したフローチャートである。
次に、第2の実施形態について説明する。本実施形態は、第1の実施形態で説明した輪郭抽出方法を行うための輪郭抽出装置に関するものである。
16…非パターン領域 17…パターン領域 18…ホワイトバンド領域
21…フォトマスク 22…走査型電子顕微鏡(SEM)
23…電子銃 24…電子光学系 25…XYステージ
26…2次電子検出部 27…制御計算機 28…表示装置
29…入力装置 30…制御回路システム 31…データ記憶装置
32…画像処理システム 33…1次電子ビーム 34…2次電子
41…補正値取得用エッジ位置抽出部 42…第1のエッジ位置抽出部
43…第2のエッジ位置抽出部 44…補正値取得部
45…所望エッジ位置抽出部 46…補正部
Claims (9)
- フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程と、
前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、
前記2次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、
前記第1の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程と、
前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第2の方法によって抽出する工程と、
前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する工程と、
を備えたことを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法。 - 前記第1の方法は、前記2次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布のピーク強度位置を求めることを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。 - 前記第2の方法は、前記2次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布の中間強度位置を求めることを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。 - 前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジが属するパターンの幅に基づいて決められる
ことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。 - 前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジと前記補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められる
ことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。 - 前記補正値取得用エッジは、前記披測定パターンの設計データに基づいて決められる
ことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。 - フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を取得するための走査型電子顕微鏡と、
前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する第1のエッジ位置抽出部と、
前記2次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する第2のエッジ位置抽出部と、
前記第1の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として所得する補正値取得部と、
前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第2の方法によって抽出する所望エッジ位置抽出部と、
前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する補正部と、
を備えたことを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出装置。 - 請求項1の方法によって抽出された輪郭のデータに基づいて、マスクパターンを保証することを特徴とするフォトマスクの保証方法。
- 請求項8の方法によって保証されたフォトマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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