KR101450518B1 - 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법 - Google Patents

전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 종류에 따라 조사할 전자빔의 초점을 보정하는 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법은 기판의 높이를 측정하는 단계, 측정된 높이의 측정 오차를 나타내는 높이 값 맵을 참조하여, 측정된 높이를 보정하는 단계 및 보정된 높이에 따라 조사할 전자빔의 초점을 조정하는 단계를 포함한다.

Description

전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법{ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY AND METHOD FOR ADJUSTING FOCUS THEREOF}
본 발명은 전자빔 리소그래피 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판의 종류에 따라 초점을 보정하여 미세 패턴을 구현하는 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법에 관한 것이다.
전자빔 리소그래피 장치는 전자현미경과 유사한 전자 광학계에 의하여 4~5 nm 크기로 전자빔을 집속하여 미세 패턴을 만드는 장치로서 일반적으로 포토마스크 등을 패터닝하는 데 사용된다.
이때, 전자빔 리소그래피 장치는 전자빔에 반응하는 레지스트(resist) 막이 코팅된 기판 위에 전자빔을 직접 조사함으로써, 원하는 소자의 패턴을 구현한다. 예를 들어 투명한 유리 기판상에 빛이 투과하지 못하는 크롬 등으로 막을 형성한 후, 그 위에 전자빔이나 빛에 반응하는 레지스트 막을 형성한 다음, 전자빔을 조사하여 패터닝할 모양을 노광하고, 레지스트 막을 현상(development)함으로써 레지스트 패턴을 형성한다.
그런데, 전자빔 리소그래피 장치가 원하는 기판에 초점을 맞추어 미세 패턴을 구현할 때, 전자빔의 초점이 올바르게 맞추어지지 않으면 미세 패턴을 적절히 구현할 수 없다. 종래의 전자빔 리소그래피 장치는 실리콘 기판에 대해서만 올바르게 초점을 맞출 수 있도록 되어 있어, 다른 소재의 기판에 종래의 전자빔 리소그래피 장치를 적용하면 초점이 올바르게 맞추어지지 않는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 다양한 소재의 기판에 대해서 초점을 보정할 수 있는 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 초점 보정을 통해, 미세 패턴을 정확하게 구현하는 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법은 기판의 높이를 측정하는 단계; 상기 측정된 높이의 측정 오차를 나타내는 높이 값 맵을 참조하여, 상기 측정된 높이를 보정하는 단계; 및 상기 보정된 높이에 따라 조사할 전자빔의 초점을 조정하는 단계를 포함한다.
실시 예로서, 상기 높이 값 맵은 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들에 대한 측정 오차들을 포함한다.
실시 예로서, 상기 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들은 실리콘 기판을 포함한다.
실시 예로서, 상기 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들은 갈륨비소 기판, 유리 기판 또는 사파이어 기판을 포함한다.
실시 예로서, 상기 높이 값 맵은 상기 전자빔 리소그래피 장치 내의 저장 매체에 저장된다.
실시 예로서, 상기 측정된 높이를 보정하는 단계는, 상기 전자빔 리소그래피 장치에 저장 또는 로드된 프로그램에 의해, 상기 저장 매체에 저장된 높이 값 맵을 읽어내고, 상기 기판의 종류에 따라 상기 읽어낸 높이 값 맵으로부터 측정 오차를 추출하고, 상기 추출된 측정 오차를 상기 측정된 기판의 높이에 적용하여 상기 측정된 높이를 보정하는 단계를 포함한다.
실시 예로서, 상기 조정된 초점에 따라 상기 기판에 전자빔을 조사하여 상기 기판을 노광시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따르면, 다양한 소재의 기판에 대해서 초점을 보정할 수 있는 전자빔 리소그래피 장치가 제공된다. 또한, 초점의 보정을 통해, 다양한 소재의 기판에 대해 미세 패턴을 더욱 정확하게 구현할 수 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치를 예시적으로 나타내는 블록도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 초점 보정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따라 형성된 미세 패턴을 대비적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치의 초점 자동 보정 방법을 나타내는 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
도 1은, 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치를 예시적으로 나타내는 블록도이다. 전자빔 리소그래피 장치는 프로세서(1), 제 1 저장부(2), 제 2 저장부(3), 버스(4), 인터페이스 회로(5), 데이터 메모리(6), 검출회로(7), 보정회로(19), 위치 제어 회로(20), 전자빔 컬럼(8) 및 위치 센서(18)를 포함한다.
프로세서(1)는 각종 컴퓨팅 처리 및 연산을 수행하거나 전자빔 리소그래피 장치의 다른 모듈들을 제어하는 중앙 처리 장치이다. 그리고, 후술되는 높이 값 맵을 참조하여 측정된 기판의 높이를 보정하는 연산을 수행한다. 수행된 연산의 결과는 보정 높이로서 보정회로(19)에 제공된다. 이때, 보정 높이는 인터페이스 회로(5) 또는 데이터 메모리(6)를 경유하여 보정회로(19)에 제공될 수 있다.
제 1 저장부(2) 및 제 2 저장부(3)는 디지털 데이터를 저장하는 저장 매체로서, 여기서 제 1 저장부(2)는 전자빔 리소그래피 장치에 내장된 저장 매체이고, 제 2 저장부(2)는 전자빔 리소그래피 장치로부터 분리 가능한 이동용 저장 매체일 수 있다. 프로세서(1), 제 1 저장부(2) 및 제 2 저장부(3)는 버스(4)에 의해 서로 연결되며, 버스(4) 및 인터페이스 회로(5)를 통해 데이터 메모리(6)에 접속될 수 있다.
인터페이스 회로(5)는 프로세서(1), 제 1 저장부(2), 제 2 저장부(3)와 전자빔 리소그래피 장치 내의 다른 모듈들 간의 제어 또는 신호 전달을 중개한다.
데이터 메모리(6)는 데이터를 저장하는 저장 매체로서, 인터페이스 회로(5)를 통해 전달된 데이터를 저장한다. 실시 예로서, 데이터 메모리(6)는 제 1 저장부(2) 또는 제 2 저장부(3)로부터 데이터를 읽어내고 읽어낸 데이터를 자신에게 저장할 수 있다. 데이터 메모리(6)는 캐시 메모리일 수 있다.
데이터 메모리(6)는 다양한 기판의 종류에 따른 각각의 높이 값들을 나타내는 높이 값 맵을 저장한다. 높이 값 맵은 프로세서(1)에 의해 생성되어 데이터 메모리(6)에 저장된 것일 수 있고, 또는 제 1 저장부(2)나 제 2 저장부(3)로부터 읽어내어 데이터 메모리(6)에 저장된 것일 수 있다. 데이터 메모리(6)는 기판의 높이 값 보정을 위해 저장된 높이 값 맵을 프로세서(1)에 제공하거나, 프로세서(1)에 의해 계산된 보정 높이를 일시적으로 저장하여 보정회로(19)에 제공한다. 높이 값 맵에 대한 상세한 내용은 아래에서 후술된다.
다만 이는 예시적인 것으로서, 높이 값 맵은 데이터 메모리(6)가 아닌 제 1 저장부(2) 또는 제 2 저장부(3)에 저장되어 프로세서(1)에 제공될 수도 있다.
보정회로(19)는 제공된 보정 높이를 참조하여 노광을 실시할 기판의 측정된 높이 값(이하, 측정된 높이값)을 보정한다. 그리고, 보정된 높이 값을 위치 제어 회로(20)에 제공한다.
검출회로(7)는 위치 센서(18)로부터 측정된 빛의 높이를 참조하여 노광될 기판의 높이를 측정한다. 측정된 결과는 인터페이스 회로(5)를 통해 전자빔 리소그래피 장치의 각 모듈로 제공된다.
위치 제어 회로(20)는 보정된 높이 값에 따라 전자빔 컬럼(8)에서 조사되는 전자빔의 초점 위치를 보정한다. 그리고, 보정된 초점 위치에 따라 기판이 노광되도록 전자빔 컴럼(8)을 제어한다.
전자빔 컬럼(8)은 내부에 전자총(9), 제 1 렌즈(10), 블랭킹 전극(11), 제 2 렌즈(12), 서브 디플렉터(부편향기)용 전극(14), 투영렌즈(15), 메인 디플렉터(주편향기)용 코일(16)을 포함한다. 전자빔 컬럼(8)에 대한 구체적인 내용은 아래에서 후술된다.
한편, 전자빔 컬럼(8)의 아래에는 스테이지(17)가 위치하고, 스테이지(17)의 위에는 노광될 기판(100)이 놓여진다. 스테이지(17)는 별도의 스테이지 제어회로(미도시)의 출력 신호에 의해 가로 방향 및 세로 방향으로 이동 제어될 수 있다.
그리고, 위치 센서(18)가 스테이지(17)의 측면에 위치되어, 노광될 기판(100)의 높이값을 측정한다.
전자빔 컬럼(8)에서 전자총(9)은 전자빔을 방사한다. 전자총(9)에 의해 방사된 전자빔은, 제 1 렌즈(10)를 통과하고, 블랭킹 전극(11)에 의해 투과 또는 차단된다. 예를 들어, 3μm 이하의 평행한 임의의 숏(shot) 사이즈의 구형 빔에 더 정형(整形)된 후, 서브 디플렉터용 전극(14) 및 메인 디플렉터용 코일(16)에 의해 편향되고, 투영렌즈(15)를 통과하여 노광될 기판의 표면에 집속된다. 이때, 서브 디플렉터의 편향가능영역은 메인 디플렉터의 편향가능영역보다 작고, 응답 속도는 반대로 서브 디플렉터에 의한 정정(整定)시간이 메인 디플렉터에 의한 정정시간보다 짧을 수 있다.
위치 센서(18)는, 별도의 광원 발생기(미도시)로부터 방출되어 기판(100)에서 반사되거나 산란된 빛을 검출한다. 검출된 결과는 검출회로(7)에 제공되고, 검출회로(7)는 검출된 빛의 위치에 따라 기판(100)의 높이 값을 측정한다. 측정된 높이 값은 인터페이스회로(5)를 통해 전자빔 리소그래피 장치의 각 모듈(예를 들어, 프로세서(1) 또는 데이터 메모리(6))에 제공된다.
그리고, 측정된 높이 값은 위에서 설명한 바와 같이, 높이 값 맵을 참조하여 프로세서(1)에 의해 보정되고, 보정된 결과에 따라 위치 제어 회로(20)에 의해 초점 위치가 보정된다.
그리고, 보정된 초점 위치는 DA 컨버터(DAC, 24, 26) 및 앰프들(21, 25, 27)을 통해 전자빔 컬럼(8)의 전극들(11, 14) 및 코일(16) 등에 제공되고, 그에 따라 전자빔 컬럼(8)으로부터 기판(100)에 조사되는 전자빔의 초점이 제어된다.
단, 여기서 설명된 전자빔 컬럼(8)의 구성은 예시적인 것으로서, 전자빔 컬럼(8)은 도 1에 도시된 구성 외에도 빔 성형용의 편향기나 어퍼쳐, 초점을 미세조정하기 위한 코일 등을 비롯한 다수의 요소를 더 포함할 수 있다.
한편, 전자빔 리소그래피 장치에서 기판의 높이를 측정할 때, 각 기판마다 갖는 굴절률의 차이로 인해 측정된 높이 값에는 오차가 발생한다. 즉, 앞서 설명한 위치 센서(18)를 이용하여 기판들의 높이를 측정하는 경우, 서로 동일한 높이의 기판이라도 각각의 굴절률 차 때문에 위치 센서가 감지하는 반사된 빛의 위치는 상이하게 될 수 있고 그에 따라 측정 높이에도 오차가 발생하게 된다.
예를 들어, 실리콘(굴절률 3.49) 기판의 높이가 10mm로 측정된다고 가정한다. 이때, 실리콘 기판과 동일한 높이를 갖지만 다른 소재로 이루어진 기판들은(예를 들어, 갈륨비소(굴절률 3.42), 유리(굴절률 1.5) 등) 실리콘 기판과의 굴절률 차이 때문에 10mm보다 크거나 작은 높이를 갖는 것으로 측정될 수 있다.
따라서, 실리콘 기판의 측정에 맞추어진 일반적인 전자빔 리소그래피 장치를 가지고 실리콘 기판 외의 기판의 높이를 측정하면, 높이 측정에 오차가 발생하고 그에 따라 전자빔이 초점도 맞지 않게 된다.
이에, 본 발명에서는 다양한 종류의 기판들에 대해서, 높이 값 맵을 참조하여 측정된 높이 값을 보정한다. 이를 통해, 기판의 소재에 따른 높이 값 측정 오차를 제거할 수 있고, 전자빔의 초점도 올바르게 보정할 수 있다.
본 발명에서, 전자빔의 초점 위치를 보정하기 위해 참조되는 높이 값 맵은 다양한 소재의 기판에 대한 높이 값의 차들을 나타내는 라이브러리를 의미한다. 높이 값 맵은 다양한 소재의 기판들에 대해, 높이 값의 측정 오차들을 미리 측정하여 그 오차 내지 편차들을 저장한다. 높이 값 맵의 일부를 나타내는 예가 표 1에 나타나있다.
측정 높이 기판 종류 오차(측정 편차)

300㎛		 실리콘 0
갈륨비소 -50㎛
사파이어 -150㎛
유리 -200㎛
표 1을 참조하면, 측정된 높이가 300㎛일 때, 실리콘 기판의 오차는 0이다. 이는 실리콘 기판의 실제 높이도 300㎛인 것을 의미한다. 즉, 전자빔 리소그래피 장치의 위치 측정 방법은 실리콘 기판을 기준으로 설정되었기 때문에(즉, 실리콘 기판이 높이 값 측정에 있어서 기준 기판이기 때문에), 실리콘 기판의 경우, 측정된 높이와 실제 높이가 서로 일치한다.
반면에, 갈륨비소, 사파이어, 유리 기판과 같은 이종 기판들은 오차가 0이 아니다. 이는, 비록 갈륨비소, 사파이어, 유리 기판의 높이가 300㎛로 측정되었지만 여기에는 오차가 포함되어 있어, 갈륨비소, 사파이어, 유리 기판의 실제 높이는 측정된 높이와 차이가 있는 것을 의미한다. 이는 위에서 설명한 바대로 각 기판이 갖는 굴절률 차이 때문에 위치 센서로 반사되는 빛의 위치가 달라져, 실제 높이와 측정 높이 사이에 오차가 발생하기 때문이다.
따라서, 이러한 기판의 소재에 따른 측정 오차들이 미리 측정되어 높이 값 맵에 저장된다. 표 1을 참조하면, 측정 높이 300㎛에서, 갈륨비소, 사파이어, 유리 기판의 오차는 각각 -50㎛, -150㎛, -200㎛이다. 즉, 이때의 갈륨비소, 사파이어,유리 기판의 실제 높이는 300㎛에서 각각의 오차 크기를 감산한, 250㎛, 150㎛, 100㎛이 된다. 본 발명의 전자빔 리소그래피 장치는 이처럼 높이 값 맵을 참조하여, 갈륨비소, 사파이어,유리 기판의 높이를 각각 250㎛, 150㎛, 100㎛로 보정하고, 보정된 높이정보를 이용하여 전자빔의 초점을 보정한다. 본 실시예에서, 실리콘과 다른 이종 기판의 예로서 갈륨비소 기판, 유리 기판 또는 사파이어 기판을 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들을 포함한다.
한편, 여기서 표 1은 측정 높이가 300㎛인 경우에 대해서만 도시되었지만, 높이 값 맵은 그외의 다양한 측정 높이에 대한 오차를 포함할 수 있다.
또한, 여기서 전자빔 리소그래피 장치는 실리콘 기판을 기준으로 설정된 것으로 설명되었지만, 이는 예시적인 것으로서, 전자빔 리소그래피 장치는 실리콘 기판이 아닌 다른 기판을 기준으로 설정될 수도 있다. 이 경우, 실리콘 기판의 높이를 측정할 때, 측정 값에는 오차가 포함되고 그에 따라 높이 값 보정이 수행될 수 있다.
실시 예로서, 이러한 측정 높이 값의 보정 또는 전자빔 초점의 보정은 전자빔 리소그래피 장치에 미리 저장된 프로그램에 의해 제어되어, 기판의 종류에 따라 자동적으로 수행될 수 있다.
상기와 같은 구성에 따르면, 높이 값 맵을 이용하여 측정된 높이 값의 보정이 이루어지므로, 별도의 조작 없이도 다양한 기판에 대해 초점 보정을 할 수 있고, 그에 따라 다양한 기판에 대한 미세 패턴이 정확하게 구현될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 초점 보정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2a에는 기판의 측정된 높이에 따른 전자빔 조사 부분(A)이 도시되고, 도 2b에는 기판의 보정된 높이에 따른 전자빔 조사 부분(A´)이 도시된다.
도 2a에서 광원으로부터 방출된 빛은 기판의 표면에서 굴절 및 반사되어 위치 센서(18)에 도달한다. 위치 센서(18)는 빛의 도달된 높이(a)를 측정하고, 측정된 높이에 따라 전자빔의 초점이 조정된다. 한편, 도 2a에서 기판은 실리콘 기판(즉, 기준 기판으로서 설정된)이 아닌 것으로 가정된다. 이때, 측정된 높이는 실제 기판과 상이할 수 있다. 따라서, 측정된 높이에 따라 전자빔의 초점을 조정하는 경우, 도 2a에서 보여지는 바와 같이 전자빔의 초점과 기판의 표면은 서로 일치하지 않게 되고, 전자빔 조사 부분(A)은 기판의 표면상에 넓게 퍼진다.
이에, 본 발명에 따른 리소그래피 장치는 기판의 종류에 따라, 높이 값 맵을 참조하여 측정 높이를 보정한다. 그리고 보정된 높이를 기준으로 전자빔의 초점을 보정한다. 높이 값 맵을 참조하여 측정 높이를 보정하는 방법은 도 1에서 설명된 바와 동일하므로, 여기서는 그에 대한 설명이 생략된다.
도 2b는 높이 값 맵을 참조하여 측정 높이가 보정된 경우의, 조사 부분(A´)이 도시된다. 도 2b에서, 위치 센서(18)에서 측정된 빛의 실제 높이는 a 지점이지만, 높이 값 맵을 참조하여 측정 높이는 a´ 지점으로 보정된다. 그리고, 보정된 높이(a´)에 대응하도록 전자빔 초점이 보정되고, 그 결과 전자빔의 초점과 기판의 표면은 서로 일치하게 된다. 도 2b에서 전자빔 조사 부분(A´)은 기판의 표면상의 한 지점에 집중되어, 미세 패턴을 구현하기에 용이해진 것을 확인할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따라 형성된 미세 패턴을 대비적으로 도시하는 평면도이다. 도 3a는 일반적인 전자빔 리소그래피 장치를 이용하여 형성된 패턴을 나타내는 도면이고, 도 3b는 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치를 이용하여 형성된 패턴을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b에서 패턴이 형성된 기판은 기준 기판(예를 들어, 실리콘 기판)이 아닌 것으로 가정된다.
도 2a에서 설명한 바와 같이, 기판의 측정 높이와 실제 위치가 서로 상이하여, 기판의 측정 값에는 오차가 발생할 수 있다. 따라서, 별도의 높이 값 보정 수단을 구비하지 않은 일반적인 전자빔 리소그래피 장치를 이용하여, 패턴을 구현하면 도 3a에서 보여지는 바와 같이 상대적으로 넓은 폭을 갖는 패턴이 형성된다.
반면에, 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치는 기판의 종류에 따라 측정된 높이를 보정하여 전자빔의 초점 위치를 조정하므로, 기판 표면의 좁은 지역에 전자빔을 집중적으로 조사한다. 따라서, 도 3b에서 보여지는 바와 같이 상대적으로 좁은 폭을 갖는 미세 패턴을 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치의 초점 자동 보정 방법을 나타내는 순서도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 전자빔 리소그래피 장치의 초점 자동 보정 방법은 S110 단계 내지 S140 단계를 포함한다.
S110 단계에서, 기판의 종류에 따른 높이 값 맵을 생성한다. 이때, 높이 값 맵은 전자빔 리소그래피 장치가 직접 복수의 기판의 높이를 측정하여 그 결과에 따라 생성한 것일 수도 있고, 별도의 외부 측정 수단에 의해 미리 작성된 데이터를 이용하여 생성한 것일 수도 있다.
실시 예로서, 높이 값 맵은 전자빔 리소그래피 장치 내의 저장 매체에 저장된다.
S120 단계에서, 전자빔 리소그래피 장치는 노광될 기판의 높이를 측정한다. 기판이 높이는 앞에서 설명한 위치 센서(18) 및 위치 측정 방법에 따라 측정된다. 측정된 높이는 위치 센서(18) 및 검출 회로(7)를 경유하여 프로세서(1)에 전달된다.
S130 단계에서, 전자빔 리소그래피 장치는 미리 저장된 높이 값 맵을 참조하여 측정된 높이를 보정한다. 이때, 보정을 위한 연산은 프로세서(1)에 의해 수행될 수 있다. 보정된 높이는 보정회로(19) 및 위치 제어 회로(20)에 의해 전자빔 컬럼(8)에 전달되어, 전자빔 초점 조정에 참조된다.
S140 단계에서, 전자빔 리소그래피 장치는 보정된 높이에 따라 전자빔의 초점을 조정하고, 조정된 초점 위치로 전자빔을 조사하여 노광을 수행한다.
상기와 같은 구성에 따르면, 높이 값 맵을 이용하여 측정된 높이 값의 보정이 이루어지므로, 별도의 조작 없이도 다양한 기판에 대해 초점 보정을 할 수 있고, 그에 따라 다양한 기판에 대한 미세 패턴이 정확하게 구현될 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한 각 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있다.
또한, 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허 청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
1: 프로세서 2: 제 1 메모리
3: 제 2 메모리 4: 버스
5: 인터페이스 회로 6: 데이터 메모리
7: 검출회로 8: 전자빔 컬럼
19: 보정회로 20: 위치 제어 회로
24, 26: DA 컨버터 21, 25, 27: 앰프
100: 기판 17: 스테이지
18: 위치 센서

Claims (7)

  1. 기판의 높이를 측정하는 단계;
    상기 측정된 높이의 측정 오차를 나타내는 높이 값 맵을 참조하여, 상기 측정된 높이를 보정하는 단계; 및
    상기 보정된 높이에 따라 조사할 전자빔의 초점을 조정하는 단계를 포함하고,
    상기 높이 값 맵은 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들의 굴절률 차이에 의한 측정 높이의 오차들을 보정하기 위한 측정 오차들을 포함하고,
    상기 기판의 높이를 측정하는 단계는 광원으로부터 방출되어 상기 기판의 표면에서 반사된 빛의 도달 높이를 이용하여 상기 기판의 높이를 측정하고,
    상기 측정된 높이를 보정하는 단계는 상기 기판의 종류에 따라 상기 높이 값 맵 중 상기 기판의 측정 오차를 추출하고, 상기 추출된 측정 오차를 상기 측정된 기판의 높이에 적용하여 상기 측정된 높이를 보정하는, 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들은 실리콘 기판을 포함하고,
    상기 서로 다른 소재로 구성된 복수의 기판들은 갈륨비소 기판, 유리 기판 또는 사파이어 기판을 포함하는, 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 높이 값 맵은 상기 전자빔 리소그래피 장치 내의 저장 매체에 저장되는, 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정된 초점에 따라 상기 기판에 전자빔을 조사하여 상기 기판을 노광시키는 단계를 더 포함하는, 전자빔 리소그래피 장치의 초점 보정 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07208965A (ja) * 1994-01-17 1995-08-11 Nippon Steel Corp 放射線による鋼板の板厚測定方法
JP2009147254A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置

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