JP5386502B2 - パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 93
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 11
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
(実施例1)
図3は本発明に係る電子顕微鏡の構成の概念図である。本発明は電子を放出する電子源2、電子源2から発生した電子線を収束させるコンデンサレンズ3、電子線を偏向させる偏向器4、電子線を試料上で最小スポットとなるように収束させる対物レンズ5、観察試料7、観察試料7を搭載し観察領域まで移動するステージ6、試料から発生する二次電子あるいは反射電子を検出する検出器8とを有する電子光学系1、得られた信号波形を処理してパターン寸法を計測する演算部100、オペレータが入力を行い、走査電子顕微鏡像の表示を行うための表示部10、過去のデータを格納している記憶部11、電子線照射条件を電子光学系に反映し制御する電子光学系制御部14、で構成されている。図1中の12は結果を記憶部に保存するなどのフローを示し、13は記憶部に保存されているデータを呼び出すなどのフローを示す。
(1)<標準偏差>を選択した場合のばらつき指標値
エッジのばらつき指標値として<標準偏差>を選択した際のばらつき指標値算出のフローチャートを図6に示す。図2に記載されているコンタクトホールパターンの場合、図2中のEdge1からEdge Nのエッジ位置からエッジ位置の標準偏差を求め、ばらつき指標値とする。該ばらつき指標値と前記エッジ平均位置から、エッチング工程で転写されるレジストのパターン寸法を下記式によって算出する。
ここでCDとは管理すべきパターン寸法であり、Eとは前記複数のエッジ位置から求めたエッジ平均位置であり、σはばらつき指標値である。また、Nは任意の定数を示す。この定数Nは、図7のGUIで示すようにユーザーの入力によって決められる。あるいは観察対象の材料情報から自動的に反映される。つまり測定対象のパターン形状や材料などによって、Nは可変のパラメータである。
本指標値は統計学に基づいた標準偏差であり、簡便な計算式で算出されるとともに信頼性の高いバラツキ指標値である。
(2)<特定周波数成分>を選択した場合のばらつき指標値
エッジのばらつき指標値として<特定周波数成分>を選択した際のばらつき指標値算出のフローチャートを図9に示す。図2中のEdge1からEdge Nのエッジ位置を検出し、そのエッジ位置検出結果から、計測パターンのエッジ位置の揺らぎを周波数成分に分解するためFFT(Fast Fourier Transform)あるいはDFT(Discrete Fourier Transform)を用いる。本手法のフローチャートを図9に示す。検出された複数のエッジ位置の揺らぎをFFTあるいはDFTを用いて周波数成分に分解する。図2に示すコンタクトホールパターンのエッジ位置とDFTによって各周波数成分に分解した結果を図10に示す。図10ではエッジ位置の揺らぎが周波数成分に分解され、各周波数成分の振幅をプロットしている。このようにすることで、観察したい周波数の揺らぎの大きさがどの程度であるかを確認できる。図10のように得られた各周波数成分のうち観察したい周波数成分を図11のGUIを用いて選択する。図11中の11001は周波数の選択枠であり、選択肢として<100 nm以上>・<100 nm未満>・<π/2以上>・<π/2未満>などが選択できる。ここで、<100 nm以上>・<100 nm未満>というのは実空間上での周期の長さを示しており、例えば、<100 nm以上>では100 nm以上の周期を持つ揺らぎからばらつき指標値を算出する。
本指標値を用いることで、ユーザーの求めに応じた周波数成分のみを抽出でき、より精度の高い寸法管理が可能である。
(3)<符号>を選択した場合のばらつき指標値
エッジのばらつき指標値として<符号>を選択した際のばらつき指標値算出のフローチャートを図12に示す。まず、複数のエッジ位置とエッジ位置の平均値との差をそれぞれ算出する(ステップ12002)。ステップ12002で算出される値は平均的なエッジ位置からそれぞれのエッジの凹凸が定量的に算出される。本発明で計測する凹になっているエッジは(エッジ位置)−(エッジ位置平均値)が正になるので、ステップ12003では符号の正負を判定し、正になるエッジのみを抽出する。次にステップ12004で凹になっているエッジの平均的な凹み具合を算出している。ここで算出した平均的な凹み具合をばらつき指標値とし、式(1)のσに代入することでパターン寸法を計測する。
本指標値では、凸と凹を判定するだけであり、演算部に負荷をかけずにすむ。
(4)<シミュレーションとの差>を選択した場合のばらつき指標値
エッジのばらつき指標値として<シミュレーションとの差>を選択した際のばらつき指標値算出のフローチャートを図13に示す。まず、ステップ13002において、以前に露光強度分布を計算した事があるかを判定する。以前に計算をした事がある場合はステップ13004に進み、その結果を記憶部11から読み出す。以前に計算をした事がない場合はステップ13003で露光強度分布を計算する。図14に露光強度分布計算から得られるパターンエッジの計算結果と実際に検出されたエッジを模式的に表す。14001はレジストパターンを示し、14002は露光強度分布計算から得られたパターンエッジの計算結果である。次に得られた露光強度分布の計算結果と実際に検出したエッジを比較する。(エッジ位置)−(計算結果)を計算し、その平均値をステップ13006で算出する。ステップ13006で算出された平均値をエッジ位置のばらつき指標値として式(1)に代入し、パターン寸法を求める。
本指標値の算出方法は、露光強度分布の計算結果と実パターンの比較を行っているため、信頼性の高い値が得られる。
(5)<シュリンク>を選択した場合のばらつき指標値
エッジのばらつき指標値として<シュリンク>を選択した際のばらつき指標値算出のフローチャートを図15に示す。レジストは電子ビーム照射によって収縮する現象(シュリンク)が知られている。このシュリンクもエッチング時と同様に凸になっているエッジはより多くシュリンクする傾向がある。そこで同一パターンを二度観察し、各エッジのシュリンクの様子からエッチング時に残るエッジと残らないエッジを分類し、ばらつき指標値を算出する。まず、観察パターンで二度の画像取得を行い(ステップ15002)、それぞれの画像からエッジ点を抽出する(ステップ15003)。次に一回目撮像で得られたエッジ位置と二回目撮像で得られたエッジ位置の差を計算し、各エッジ点のシュリンクを算出する(ステップ15004)。算出された各エッジ点のシュリンク量と全エッジのシュリンク量の平均値を比較し(ステップ15005)、平均的なシュリンク量よりも少ないシュリンク量のエッジを抽出する(ステップ15006)。ステップ15006で抽出
されたエッジの平均位置と全体のエッジ平均位置から(15006エッジの平均位置)-(全体のエッジ平均位置)を算出する(ステップ15007)。ステップ15007で求めた値をばらつき指標値として式(1)のσに代入し、パターン寸法を求める。
本指標値は実際の形状変化量から消失エッジの決定を行っており、信頼性の高い値が得られる。
(実施例2)
次に本実施例では図1に示すようなゲートパターンを計測する場合を考える。実施例1に記載したものと同様の処理を行うが、本実施例ではゲートパターン線幅を計測するため、レジスト自身を計測することとなる。一方、実施例1ではレジストにあけた穴のパターンを計測しているため、式(1)の符号が正負逆になる。つまり、
CD=E−σ×N ・・・式(2)
を用いてゲートパターン寸法を計測する。コンタクトホールパターン計測とゲートパターン計測の違いを図16に示す。図16の16001は平均的なエッジ位置から算出されるゲートパターン線幅であり、本発明では16002に示す凹形状になっている寸法を計測する。ゆえに式(2)のようにエッジ平均位置とエッジ位置のばらつき指標値の差でパターン寸法が算出される。一方、コンタクトホールパターンの場合は16003がエッジ平均位置から算出されるホール径であり、16004が本発明による凹形状のエッジから求めた寸法計測結果である。つまり、式(1)のようにエッジ平均位置とエッジ位置のばらつき指標値の和でパターン寸法が算出される。
(実施例3)
本発明ではエッジ検出の精度によってばらつき指標値が大きく影響を受ける。エッジ検出の精度は主に画像の信号対雑音比によって決まる。前述したようにレジスト材料はシュリンクするので、多くの電子ビームを照射すると元の形状から大きく異なってしまい、正確な寸法検査が行えない。そこで、照射する電子ビームの量やエネルギーを小さくするのだが、この条件では信号対雑音比が悪くなり、エッジ検出精度が悪くなってしまう。この雑音はランダムノイズであるため、一般的には信号対雑音比が悪い画像から求めたばらつき指標値は真の値よりも大きな値となってしまう。そこで、本発明では計測対象の画像の信号対雑音比を算出し、予めユーザーが登録した信号対雑音比以下の場合は、算出されたばらつき指標値に0以上1以下の任意の係数を乗算し、大きく見積もられたばらつき指標値を補正することを可能にしている。ここで補正時に乗算する値は信号対雑音比で決まる。予め記憶部に登録されている補正テーブルを参照し、係数を決定する。
(実施例4)
実施例1から実施例3では主にレジスト材料を観察する例を示してきたが、本発明はこれに限るものではない。酸化ケイ素材や窒化ケイ素材などを用いるハードマスクと呼ばれる材料にも適用される。
Claims (14)
- ステージ上に載置された試料の観察領域に対して電子線を走査しながら照射し、該試料から発生する反射電子または二次電子を検出器を用いて検出する工程と、検出された前記反射電子強度または二次電子強度の情報を用いて前記観察領域内に配置された寸法測定対象となるレジストまたはハードマスクパターンの二次元画像を取得する工程と、該パターンのエッジ位置を前記二次元画像を用いて該パターンの複数箇所で検出することにより前記観察領域内のパターンの寸法を計測する工程とを有するパターン寸法計測方法において、
前記パターンの複数箇所で検出された複数のエッジ位置のばらつき指標値の算出方法を指定する工程と、
前記指定された算出方法に応じたばらつき指標値を算出する工程と、
前記複数のエッジの平均位置を算出する工程と、
前記パターンに基づいてエッチング加工される前記試料の被加工膜のパターン寸法に関するパターン検査指標値を、前記エッジの平均位置を基準とし前記ばらつき指標値を用いて該基準からのずれを加味して算出する工程とを有することを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
前記ばらつき指標値が、前記複数のエッジ位置の標準偏差であり、
前記複数のエッジの平均位置をEとし、前記エッジのばらつき指標値をσとし、観察対象の材料情報により決定される任意定数をNとした時、
E±σ×N・・・式(1)
(ここで、式(1)中の±は、ゲートパターンでは負(−)、ホールパターンでは正(+)を適用する。)
式(1)を用いて算出された値をパターン検査指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
前記ばらつき指標値は、前記複数のエッジ位置を周波数分解し特定周波数成分から算出したエッジ位置の標準偏差であり、
前記複数のエッジの平均位置をE’とし、前記エッジのばらつき指標値をσ’とし、任意定数をN’とした時、
E’±σ’×N’・・・式(2)
(ここで、式(2)中の±は、ゲートパターンでは負(−)、ホールパターンでは正(+)を適用する。)
式(2)を用いて算出された値をパターン検査指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
前記ばらつき指標値は、前記複数のエッジの平均位置と各エッジの差分であり、
該ばらつき指標値の符号からエッジの凹凸情報を判定し、該判定結果に基づいてくぼんでいるエッジの平均位置を算出し、該算出結果をパターン検査指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
前記ばらつき指標値は、予め計算で求めたパターン形状と前記エッジ位置との差分であり、
該ばらつき指標値の符号からエッジの凹凸情報を判定し、該判定結果に基づいてくぼんでいるエッジの平均位置を算出し、該算出結果をパターン検査指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
同一箇所で複数回計測したエッジ位置のそれぞれを比較してエッジ位置変化量を算出し、該エッジ位置変化量を前記ばらつき指標値とし、
前記ばらつき指標値が、ばらつき指標値の平均値よりも小さいエッジの平均位置を算出し、該算出結果をパターン検査指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
エッジ検出の精度を決定する前記二次元画像の信号対雑音比に予め閾値を設定し、前記取得した二次元画像が該閾値に満たない場合、前記閾値を満たす範囲になるように、前記二次元画像の信号対雑音比に応じて定められる1以下の任意の定数を前記算出されたばらつき指標値に乗算し、該計算結果をばらつき指標値とすることを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項7記載のパターン寸法計測方法において、
前記観察試料の材料から前記任意の定数を設定することを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
前記複数のエッジ位置を算出する工程と、
該エッジ位置での接線に対して垂直な方向に電子線を走査して得られる反射電子または二次電子の強度分布を算出する工程と、
前記算出された強度分布に基づいて、前記複数の該エッジ位置のそれぞれを再算出する工程とを有することを特徴とするパターン寸法計測方法。 - 請求項1記載のパターン寸法計測方法において、
該エッジ位置での接線に対して垂直な方向に電子線を走査して得られる反射電子または二次電子の強度分布を算出し、
前記算出された強度分布に基づいて、前記複数の該エッジ位置のそれぞれを再び算出することを特徴とするパターン寸法計測方法。 - ステージ上に載置された試料の観察領域に対して電子線を走査しながら照射し、該試料から発生する反射電子または二次電子を検出する検出器を備え、前記検出器で検出された前記反射電子強度または二次電子強度の情報を用いて前記観察領域内に配置された寸法測定対象となるレジストまたはハードマスクパターンの二次元画像を取得する手段と、前記観察領域内に配置された寸法測定対象となるレジストまたはハードマスクパターンのエッジ位置を、前記二次元画像を用いて該パターンの複数箇所で検出することにより前記観察領域内のパターンの寸法を計測する手段とを有する走査電子顕微鏡において、
前記走査電子顕微鏡あるいは表示部から入力された情報を基にして演算を行う演算部と、
前記演算部への入力情報あるいは前記演算部での演算結果を表示する前記表示部と、
前記演算部での演算結果あるいは前記演算部に供給する情報を保持する記憶部を有し、
前記演算部は、複数箇所で検出された前記パターンのエッジの平均位置を算出するパターンエッジ平均位置算出部と、前記表示部に表示された前記複数のエッジ位置のばらつき指標値の算出方法から選択された算出方法に応じて決定されるばらつき指標値を算出するばらつき指標値算出部と、前記パターンに基づいてエッチング加工される前記試料の被加工膜のパターン寸法に関するパターン検査指標値を、前記エッジの平均位置を基準とし前記ばらつき指標値を用いて該基準からのずれを加味して算出するパターン検査指標値算出部とを有することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項11記載の走査電子顕微鏡において、
算出された前記パターン検査指標値が前記表示部に表示されることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項11記載の走査電子顕微鏡において、
前記寸法測定対象となるパターンに対して前記電子線の照射を複数回行う指示を出す制御系と、
前記電子線の照射による複数の観察画像を取得する画像メモリと、
前記記憶部に保存された前記複数の観察画像のうちの任意の二つの画像を読み出し、前記読み出した二つの画像からそれぞれのエッジ検出し、該エッジ同士の位置の差分によりばらつき指標を求めるために該検出されたエッジ同士の比較を行うエッジ検出部とを、さらに有することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項11記載の走査電子顕微鏡において、
エッジ検出の精度を決定する前記二次元画像の信号対雑音比に予め閾値を設定する手段をさらに有し、
前記取得した二次元画像が該閾値に満たない場合、前記閾値を満たす範囲になるように、前記二次元画像の信号対雑音比に応じて定められる1以下の任意の定数を前記算出されたばらつき指標値に乗算し、
前記表示部に該乗算結果をばらつき指標値として表示することを特徴とする走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010536657A JP5386502B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-28 | パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008284560 | 2008-11-05 | ||
JP2008284560 | 2008-11-05 | ||
JP2010536657A JP5386502B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-28 | パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
PCT/JP2009/005695 WO2010052855A1 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-28 | パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010052855A1 JPWO2010052855A1 (ja) | 2012-04-05 |
JP5386502B2 true JP5386502B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=42152668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536657A Expired - Fee Related JP5386502B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-28 | パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110208477A1 (ja) |
JP (1) | JP5386502B2 (ja) |
WO (1) | WO2010052855A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013178143A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | パターン計測方法およびパターン計測装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5651511B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | フォトマスクのパターンの輪郭抽出方法、輪郭抽出装置 |
JP5859795B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2016-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測方法、データ処理装置及びそれを用いた電子顕微鏡 |
JP6018803B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-11-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測方法、画像処理装置、及び荷電粒子線装置 |
JP6133603B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2017-05-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置用の検査データ処理装置 |
US9480860B2 (en) * | 2013-09-27 | 2016-11-01 | Varian Medical Systems, Inc. | System and methods for processing images to measure multi-leaf collimator, collimator jaw, and collimator performance utilizing pre-entered characteristics |
JP2022091592A (ja) | 2020-12-09 | 2022-06-21 | ブラザー工業株式会社 | コンピュータプログラム、画像処理装置、および、画像処理方法 |
JP2022091591A (ja) | 2020-12-09 | 2022-06-21 | ブラザー工業株式会社 | コンピュータプログラム、画像処理装置、および、画像処理方法 |
JP2022093212A (ja) | 2020-12-12 | 2022-06-23 | ブラザー工業株式会社 | コンピュータプログラム、画像処理装置、および、画像処理方法 |
WO2024053043A1 (ja) * | 2022-09-08 | 2024-03-14 | 株式会社日立ハイテク | 寸法計測システム、推定システム、および寸法計測方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003269943A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Sony Corp | プロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置 |
JP2004251743A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Hitachi Ltd | パターン検査方法 |
JP2004349704A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Texas Instr Inc <Ti> | エッチングプロセスにおける臨界寸法を制御する方法 |
JP2005038976A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 最適エッチングパラメタ自動設定システムおよびエッチング出来ばえ評価システム |
JP2006038779A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形状評価方法、評価装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2006126532A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 寸法計測走査型電子顕微鏡システム並びに回路パターン形状の評価システム及びその方法 |
JP2006215020A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 高精度パターン形状評価方法及びその装置 |
JP2006284351A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | ホールラフネス計測方法および装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4656358A (en) * | 1985-03-12 | 1987-04-07 | Optoscan Corporation | Laser-based wafer measuring system |
JP4263416B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2009-05-13 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子顕微鏡評価システム |
JP4791141B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法 |
-
2009
- 2009-10-28 JP JP2010536657A patent/JP5386502B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-28 WO PCT/JP2009/005695 patent/WO2010052855A1/ja active Application Filing
- 2009-10-28 US US13/126,768 patent/US20110208477A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003269943A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Sony Corp | プロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置 |
JP2004251743A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Hitachi Ltd | パターン検査方法 |
JP2004349704A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Texas Instr Inc <Ti> | エッチングプロセスにおける臨界寸法を制御する方法 |
JP2005038976A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 最適エッチングパラメタ自動設定システムおよびエッチング出来ばえ評価システム |
JP2006038779A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形状評価方法、評価装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2006126532A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 寸法計測走査型電子顕微鏡システム並びに回路パターン形状の評価システム及びその方法 |
JP2006215020A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 高精度パターン形状評価方法及びその装置 |
JP2006284351A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | ホールラフネス計測方法および装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6012035749; Masaru Kurihara, et al.: '"Gate CD Control Considering Variation of Gate and STI Structure"' Proceedings of the 15th International Symposium on Semiconductor Manufacturing(ISSM 2006) , 20060925, p.95-98 * |
JPN6012035751; Atsuko Yamaguchi, et al.: '"Impact of Long-Period Line-Edge Roughness(LER) on Accuracy in Critical Dimension(CD) Measurement a' Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.7B, 20050731, p.5575-5580 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013178143A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | パターン計測方法およびパターン計測装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010052855A1 (ja) | 2010-05-14 |
US20110208477A1 (en) | 2011-08-25 |
JPWO2010052855A1 (ja) | 2012-04-05 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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