JP2007102230A - 交互位相シフトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】位相シフトマスク100は、
位相シフト領域106,108を備え、位相シフト領域をエッチングして形成する際に、溝バイアス、光阻止バイアスなどのマスクパラメータを、位相シフトマスク100を用いるリソグラフ処理に使用されるしきい値または照射量を考慮して選択して作られるようにして、イメージ不均衡を、焦点露出処理ウィンドウ内で低減させる。
【選択図】図2
Description
[数1]
しきい値 ∝ 1/照射量
様々な方法で結合されてもよいが、当業者には理解されるように、少なくとも1つのバスのシステムを含む。メモリサブシステム405に関するメモリは、ある時間で、組みの命令の一部または全てを保持するかもしれない(いずれの場合もそのメモリは411で示す)。その組みの命令は、処理システム400で実行された時、以下に述べる方法の実施形態のステップを実行する。結果、図9で示したような処理システム400は従来技術であるが、この発明の態様を実施するための命令を含むシステムは、従来技術ではなく、従って、図9は、従来技術として決められてはならない。
後者は、しきい値を考慮に入れることにより、または照射量を考慮に入れることによって、イメージ不均衡の補償最適化にして得られる。
102:基板
104:光阻止層
106:第1の位相シフト領域
108:第2の位相シフト領域
110:溝
Claims (15)
- 基板(102)内または基板上に位相シフトマスク(100)を作る方法であり、前記位相シフトマスク(100)は、予め決定された照射量を用いるデバイスのリソグラフ処理に適し、前記方法は、
マスクパラメータに基づき前記基板(102)をエッチングするステップを備え、
そのエッチングするステップは、位相シフト(110)を発生させるために、少なくとも1つの手段を形成するステップを備え、
位相シフト(110)を発生するための前記手段の少なくとも1つのサイズを備える前記マスクパラメータは、前記照射量を考慮して選択されることを特徴とする方法(200)。 - 前記基板(102)をエッチングするステップは、前記基板内(102)に溝(110)を形成するステップを備え、前記マスクパラメータは、溝(110)に対する少なくとも1つのエッチング深さを備える請求項1記載の方法(200)。
- 位相シフトマスク(100)を設計する方法(150)であり、前記マスク(100)は、位相シフト(110)を発生するための少なくとも1つの手段を備え、前記マスク(100)は、予め決定された照射量を用いるデバイスのリソグラフ処理に適し、前記方法(150)は、1組みのマスクパラメータを選択するステップと、位相シフト(100)を発生するための前記手段の少なくとも1つのサイズを備えるステップと、前記照射量を考慮するステップを備えることを特徴とする方法(150)。
- 1組みのマスクパラメータを選択するステップは、
実質的に合焦内の前記位相シフトマスク(100)に対して適切な複数組みのマスクパラメータを選択するステップと、
予め決定された焦点範囲外での前記照射量で、前記シフトマスク(100)を用いることに適した少なくとも1つの組みのパラメータを、前記複数組みのマスクパラメータから選択するステップを備える請求項3記載の方法(105)。 - 前記マスク(100)は、少なくとも1つの溝(110)および光阻止用ブロック部(104)を備え、そして、前記マスクパラメータは、少なくとも1つの溝バイアス、光阻止用部分バイアス及び、前記溝のエッチング深さを備え、
前記マスクはデバイス上に形をプリントするのに適し、
実質的に合焦の前記位相シフトマスク(100)を使用するのに適した複数組みのマスクパラメータを選択するステップは、光阻止用部分バイアスを形のサイズに修正するために調節し、そして、形の位置を修正するために、溝の深さを調節するステップを備える請求項3または4に記載の方法(150)。 - 前記マスク(100)は少なくとも1つの溝(110)を備え、そして前記マスクパラメータは、前記溝(110)の少なくとも1つのエッチング深さを備え、
予め決定された焦点範囲外において、前記照射量で前記シフトマスク(100)を用いるのに適したマスクパラメータの少なくとも1組を選択するステップは、予め決定されたエッチング深さに対応する1組のマスクパラメータを選択するステップを備える請求項3から5のいずれかに記載の方法(150)。 - 予め決定された焦点範囲外において、前記照射量で前記シフトマスクを用いるのに適したマスクパラメータの少なくとも1組を選択するステップは、
複数組みのマスクパラメータに対する前記マスクを用いてプリントできる形に対し、焦点露出マトリックスまたは、形の変位量のいずれかを決定するステップと、そして、
前記マスクを用いてプリントできる形に対する前記焦点露出マトリックスまたは、形の変位量を評価するステップを備える請求項3から6のいずれかに記載の方法(150)。 - 前記方法は、前記マスクを用いてプリントできる形に対する焦点露出ウインドウ(322)を評価するステップを備え、前記焦点露出ウインドウ(322)は、前記マスクを用いてプリントできる前記形の少なくとも2つのエッジに対する焦点露出ウインドウ(320)の共通部分により決定される請求項3から7のいずれかに記載の方法。
- デバイスのリソグラフ処理を実行するための方法であり、その方法は、位相シフト(110)を発生させ、そして照射量を用いるための手段を備える位相シフトマスク(100)を用いるステップを備え、前記位相シフトマスク(100)および前記照射量の一方は、他方の関数として選択されることを特徴とする方法。
- 予め決定された照射量に対し、前記位相シフトマスク(100)は、請求項1または2のいずれかに基づいて作られ、また、前記位相シフトマスク(100)は、請求項3から8のいずれかに基づいて設計される請求項8記載の方法。
- 予め決定された位相シフトマスク(100)に対し、照射量は、前記位相シフトマスク(100)の位相シフト(100)の関数として選択される請求項8記載の方法。
- 予め決定された照射量を用いた、デバイスのリソグラフ処理に適した位相シフトマスク(100)であり、
その位相シフトマスク(100)は、位相シフト(110)を発生するための少なくとも1つの基板(102)を備え、
位相シフト(110)を発生するための前記手段の幾何学的なサイズは、前記照射量を考慮して決定される。 - 請求項3から8のいずれかに基づく位相シフトマスクを設計するためのコンピュータプログラム製品。
- 請求項13のコンピュータプログラム製品を備えるマシン読み出し可能なデータ格納デバイス。
- 請求項13によるコンピュータプログラム製品を、ローカルまたは広域の遠隔通信ネットワークへの送信。
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