JP2002357889A - 位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相シフトマスクを使用するパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に
起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、
高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフ
トマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方
法を提供する。 【解決手段】 レベンソン位相シフトマスクの作製装置
には、所定のパターンデータに基づき当初マスクパター
ンを作成する第１のマスクパターン作成部２１と、この
当初マスクパターンについて、パターン形状及びパター
ン密度を基準に複数種類のマスクパターンに分割し、導
波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を各
種類のマスクパターン毎に求める位置ずれ量演算部２２
と、この位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を
求めるパターン補正量演算部２３と、このマスクパター
ン補正量によって当初マスクパターンを補正し、最終マ
スクパターンを作成する第２のマスクパターン作成部２
４とが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は位相シフトマスクの
作製装置及び作製方法並びに位相シフトマスクを使用す
るパターン形成方法に係り、特に半導体デバイスを作製
する際のフォトリソグラフィ工程において使用する位相
シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相シフト
マスクを使用するパターン形成方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（Integrated Circuit；集積回路）
等の半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソ
グラフィ工程においては、パターンの微細化に伴って露
光波長から決定される解像限界を超えた高解像度が要求
されている。そして、このような要求に応え、露光波長
以下の微細パターンを形成する技術として、近年、光の
位相差を利用して高解像度を得る位相シフトマスクが利
用されている。

【０００３】この位相シフトマスクには、例えば遮光膜
として光を僅かに透過する材質を使用するハーフトーン
型や、周期的なパターンにおいて隣接するパターン毎に
位相を反転させるレベンソン型や、本来のパターンの周
囲に位相反転用パターンを配置する補助パターン型や、
パターンのエッジ部で位相を反転させるエッジ強調型
や、基板の厚さの変化のみによって位相を反転させるク
ロムレス型などがある。ここでは、ＤＲＡＭ（Dynamic
Random Access Memory）や高速ＬＳＩ（Large Scale In
tegration）等の製造プロセスにおいて既に実用化され
ているレベンソン位相シフトマスクについて説明する。

【０００４】従来のレベンソン位相シフトマスクにおい
ては、図６（ａ）〜（ｃ）に示されるように、石英基板
４０上に、所定の形状にパターニングされた遮光膜４１
ａ、４１ｂ、４１ｃが周期的に形成されており、これら
の遮光膜４１ａ、４１ｂ、４１ｃに挟まれた領域が露光
光を透過する透過部となっている。そして、隣接する透
過部を透過する露光光の位相を反転する方法としては、
例えば隣接する透過部における石英基板４０に深さの異
なる掘り込み４２、４３を入れる基板掘り込み型（図６
（ａ）参照）や、一方の透過部に所定の屈折率と厚さと
をもつ位相シフタを付与したりする位相シフタ付与型
（図６（ｂ）、（ｃ）参照）がある。そして、この位相
シフタ付与型にも、石英基板４０上に遮光膜膜４１ａ、
４１ｂ、４１ｃを形成した後、所定の透過部に位相シフ
タ４４を形成する位相シフタ上置き型（図６（ｂ）参
照）や、石英基板４０上に位相シフタ４５を形成した
後、その位相シフタ４５上に遮光膜４１ａ、４１ｂ、４
１ｃを形成し、更に隣接する透過部の一方の側の位相シ
フタ４５を除去しておく位相シフタ下置き型（図６
（ｃ）参照）等がある。こうしたレベンソン位相シフト
マスクの中でも、図６（ａ）に示される基板掘り込み型
のレベンソン位相シフトマスクは、位相反転の制御性や
作製の容易さから広く利用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、超ＬＳＩ等の
半導体デバイスの微細化の進展により、従来以上に厳し
いデザインルールが要求され、更に高度の位置合わせ精
度が求められるようになると、上記従来のレベンソン位
相シフトマスクにおいても幾つかの問題点が顕在化して
きた。

【０００６】例えば上記図６（ａ）に示される基板掘り
込み型のレベンソン位相シフトマスクを使用する場合、
露光光が透過部を透過する際に、透過部における掘り込
みの内壁で反射及び屈折が起こるため、隣接する透過部
の異なる深さの掘り込みを透過した後の露光光の強度及
びその分布にばらつきが生じる。これは一般にレベンソ
ン位相シフトマスクの導波路効果と呼ばれるものであ
る。従って、レベンソン位相シフトマスクを用いて露光
処理を行い、そのマスクパターンをレジスト膜に転写す
る際に、レジストパターンの線幅のずれが生じるのみな
らず、レジストパターンの位置ずれ（プレースメント・
エラー）が発生するという問題が顕在化してきた。

【０００７】しかも、実際の露光の際には、レジスト膜
厚のふらつきやその下地の凹凸や露光装置の装置的な要
因により、どうしてもベストフォーカスからのずれが発
生する。そして、このデフォーカスの程度により、レベ
ンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジス
トパターンの位置ずれが更に大きく変動するという問題
も顕在化してきた。

【０００８】更に、レベンソン位相シフトマスクの導波
路効果に起因するレジストパターンの位置ずれは、レジ
ストパターンのパターン形状によってその位置ずれ量が
異なるため、各種類のマスクパターンが配置されている
場合には、その各種類のマスクパターン毎に位置合わせ
精度が変動するという問題も顕在化してきた。

【０００９】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、レベンソン位相シフトマスクの導波路
効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑
制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位
相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相シフ
トマスクを使用するパターン形成方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係る位相シフトマスクの作製装置及び作製方
法並びに位相シフトマスクを使用するパターン形成方法
により達成される。即ち、請求項１に係る位相シフトマ
スクの作製装置は、微細パターンの微細線幅両側を透過
する光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上さ
せる位相シフトマスクの作製装置であって、所定のパタ
ーンデータを入力するパターンデータ入力部と、このパ
ターンデータ入力部に入力した所定のパターンデータに
基づき、当初マスクパターンを作成する第１のマスクパ
ターン作成部と、この第１のマスクパターン作成部にお
いて作成した当初マスクパターンについて、位相シフト
マスクを使用する際の導波路効果に起因するレジストパ
ターンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、この
位置ずれ量演算部において求めたレジストパターンの位
置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を求める補正
量演算部と、この補正量演算部において求めたマスクパ
ターン補正量によって前記当初マスクパターンを補正し
て、最終マスクパターンを作成する第２のマスクパター
ン作成部と、を有することを特徴とする。

【００１１】このように請求項１に係る位相シフトマス
クの作製装置においては、所定のパターンデータに基づ
き、当初マスクパターンを作成する第１のマスクパター
ン作成部と、この当初マスクパターンについて、位相シ
フトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジス
トパターンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、
このレジストパターンの位置ずれ量を是正するマスクパ
ターン補正量を求める補正量演算部と、このマスクパタ
ーン補正量によって当初マスクパターンを補正して、最
終マスクパターンを作成する第２のマスクパターン作成
部とを有することにより、位相シフトマスクを使用する
際の導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ
量を予め定量的に求め、更にこのレジストパターンの位
置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を定量的に求
め、このマスクパターン補正量によって当初マスクパタ
ーンを補正して、最終マスクパターンが作成される。こ
のため、位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジ
ストパターンの位置ずれの発生を適正に抑制して、超Ｌ
ＳＩのフォトリソグラフィ工程において要求される高度
の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマ
スクが作製される。

【００１２】また、請求項２に係る位相シフトマスクの
作製装置は、微細パターンの微細線幅両側を透過する光
の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる位
相シフトマスクの作製装置であって、所定のパターンデ
ータを入力するパターンデータ入力部と、このパターン
データ入力部に入力した所定のパターンデータに基づ
き、当初マスクパターンを作成する第１のマスクパター
ン作成部と、この第１のマスクパターン作成部において
作成した当初マスクパターンについて、パターン形状及
びパターン密度を基準として複数種類のマスクパターン
に分割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフト
マスクを使用する際の導波路効果に起因するレジストパ
ターンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、この
位置ずれ量演算部において求めたレジストパターンの位
置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を各種類のマ
スクパターン毎に求める補正量演算部と、この補正量演
算部において求めたマスクパターン補正量によって当初
マスクパターンを各種類のマスクパターン毎に補正し
て、最終マスクパターンを作成する第２のマスクパター
ン作成部と、を有することを特徴とする。

【００１３】このように請求項２に係る位相シフトマス
クの作製装置においては、所定のパターンデータに基づ
き、当初マスクパターンを作成する第１のマスクパター
ン作成部と、この当初マスクパターンについて、パター
ン形状及びパターン密度を基準として複数種類のマスク
パターンに分割して、各種類のマスクパターン毎に、位
相シフトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレ
ジストパターンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部
と、このレジストパターンの位置ずれ量を是正する補正
量を各種類のマスクパターン毎に求める補正量演算部
と、このマスクパターン補正量によって当初マスクパタ
ーンを各種類のマスクパターン毎に補正して、最終マス
クパターンを作成する第２のマスクパターン作成部とを
有することにより、各種類のマスクパターン毎に位相シ
フトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジス
トパターンの位置ずれ量を予め定量的に求め、更にこの
レジストパターンの位置ずれ量を是正する補正量を各種
類のマスクパターン毎に定量的に求め、このマスクパタ
ーン補正量によって当初マスクパターンを各種類のマス
クパターン毎に補正して、最終マスクパターンが作成さ
れる。このため、パターン形状の異なる各種類のマスク
パターンが配置されている複雑なマスクパターンの場合
であっても、位相シフトマスクの導波路効果に起因する
レジストパターンの位置ずれの発生を各種類のマスクパ
ターン毎に適正に抑制して、超ＬＳＩのフォトリソグラ
フィ工程において要求される高度の位置合わせ精度を達
成することが可能な位相シフトマスクが作製される。

【００１４】また、請求項３に係る位相シフトマスクの
作製方法は、微細パターンの微細線幅両側を透過する光
の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる位
相シフトマスクの作製方法であって、所定のパターンデ
ータに基づき、当初マスクパターンを作成するステップ
と、この当初マスクパターンについて、位相シフトマス
クを使用する際の導波路効果に起因するレジストパター
ンの位置ずれ量を求めるステップと、このレジストパタ
ーンの位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を求
めるステップと、このマスクパターン補正量によって当
初マスクパターンを補正して、最終マスクパターンを作
成するステップと、を有することを特徴とする。

【００１５】このように請求項３に係る位相シフトマス
クの作製方法においては、所定のパターンデータに基づ
き、当初マスクパターンを作成するステップと、この当
初マスクパターンについて、位相シフトマスクを使用す
る際の導波路効果に起因するレジストパターンの位置ず
れ量を求めるステップと、このレジストパターンの位置
ずれ量を是正するマスクパターン補正量を求めるステッ
プと、このマスクパターン補正量によって当初マスクパ
ターンを補正して、最終マスクパターンを作成するステ
ップとを有することにより、位相シフトマスクを使用す
る際の導波路効果に起因するレジストパターンの位置ず
れ量を予め定量的に求め、更にこのレジストパターンの
位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を定量的に
求め、このマスクパターン補正量によって当初マスクパ
ターンを補正して、最終マスクパターンが作成される。
このため、位相シフトマスクの導波路効果に起因するレ
ジストパターンの位置ずれの発生を適正に抑制して、超
ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程において要求される高
度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフト
マスクが作製される。

【００１６】また、請求項４に係る位相シフトマスクの
作製方法は、微細パターンの微細線幅両側を透過する光
の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる位
相シフトマスクの作製方法であって、所定のパターンデ
ータに基づき、当初マスクパターンを作成するステップ
と、この当初マスクパターンについて、パターン形状及
びパターン密度を基準として複数種類のマスクパターン
に分割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフト
マスクを使用する際の導波路効果に起因するレジストパ
ターンの位置ずれ量を求めるステップと、このレジスト
パターンの位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量
を各種類のマスクパターン毎に求めるステップと、この
マスクパターン補正量によって当初マスクパターンを各
種類のマスクパターン毎に補正して、最終マスクパター
ンを作成するステップと、を有することを特徴とする。

【００１７】このように請求項４に係る位相シフトマス
クの作製方法においては、所定のパターンデータに基づ
き、当初マスクパターンを作成するステップと、この当
初マスクパターンについて、パターン形状及びパターン
密度を基準として複数種類のマスクパターンに分割し
て、各種類のマスクパターン毎に、位相シフトマスクを
使用する際の導波路効果に起因するレジストパターンの
位置ずれ量を求めるステップと、このレジストパターン
の位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を各種類
のマスクパターン毎に求めるステップと、このマスクパ
ターン補正量によって当初マスクパターンを各種類のマ
スクパターン毎に補正して、最終マスクパターンを作成
するステップとを有することにより、各種類のマスクパ
ターン毎に位相シフトマスクを使用する際の導波路効果
に起因するレジストパターンの位置ずれ量を予め定量的
に求め、更にこのレジストパターンの位置ずれ量を是正
するマスクパターン補正量を各種類のマスクパターン毎
に定量的に求め、このマスクパターンの補正量によって
当初マスクパターンを各種類のマスクパターン毎に補正
して、最終マスクパターンが作成される。このため、パ
ターン形状の異なる各種類のマスクパターンが配置され
ている複雑なマスクパターンの場合であっても、位相シ
フトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの
位置ずれの発生を各種類のマスクパターン毎に適正に抑
制して、超ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程において要
求される高度の位置合わせ精度を達成することが可能な
位相シフトマスクが作製される。

【００１８】また、請求項５に係るパターン形成方法
は、微細パターンの微細線幅両側を透過する光の位相差
による干渉効果を用いて解像力を向上させる位相シフト
マスクを使用するパターン形成方法であって、所定のパ
ターンデータに基づき、当初マスクパターンを作成し、
この当初マスクパターンについて、位相シフトマスクを
使用する際の導波路効果に起因するレジストパターンの
位置ずれ量を求め、このレジストパターンの位置ずれ量
を是正するマスクパターン補正量を求め、このマスクパ
ターン補正量によって当初マスクパターンを補正して、
最終マスクパターンを作成し、前記位相シフトマスクを
作製するステップと、この位相シフトマスクを用いて露
光処理を行い、最終マスクパターンを転写したレジスト
パターンを形成するステップと、を有することを特徴と
する。

【００１９】このように請求項５に係るパターン形成方
法においては、上記請求項３に係る作製方法を用いて位
相シフトマスクを作製するステップと、この位相シフト
マスクを用いて露光処理を行い、最終マスクパターンを
転写したレジストパターンを形成するステップとを有す
ることにより、位相シフトマスクを使用する際の導波路
効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を是正す
る補正を予め行っている最終マスクパターンの位相シフ
トマスクを用いて露光処理を行うことになる。このた
め、この位相シフトマスクを用いた露光の際に、位相シ
フトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの
位置ずれの発生を抑制して、超ＬＳＩのフォトリソグラ
フィ工程において要求される高度の位置合わせ精度を達
成することが可能なレジストパターンが形成される。

【００２０】また、請求項６に係るパターン形成方法
は、微細パターンの微細線幅両側を透過する光の位相差
による干渉効果を用いて解像力を向上させる位相シフト
マスクを使用するパターン形成方法であって、所定のパ
ターンデータに基づき、当初マスクパターンを作成し、
この当初マスクパターンについて、パターン形状及びパ
ターン密度を基準として複数種類のマスクパターンに分
割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフトマス
クを使用する際の導波路効果に起因するレジストパター
ンの位置ずれ量を求め、このレジストパターンの位置ず
れ量を是正するマスクパターン補正量を各種類のマスク
パターン毎に求め、このマスクパターン補正量によって
当初マスクパターンを各種類のマスクパターン毎に補正
して、最終マスクパターンを作成し、位相シフトマスク
を作製するステップと、この位相シフトマスクを用いて
露光処理を行い、最終マスクパターンを転写したレジス
トパターンを形成するステップと、を有することを特徴
とする。

【００２１】このように請求項６に係るパターン形成方
法においては、上記請求項４に係る作製方法を用いて位
相シフトマスクを作製するステップと、この位相シフト
マスクを用いて露光処理を行い、最終マスクパターンを
転写したレジストパターンを形成するステップとを有す
ることにより、位相シフトマスクを使用する際の導波路
効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を是正す
る補正を各種類のマスクパターン毎に予め行っている最
終マスクパターンの位相シフトマスクを用いて露光処理
を行うことになる。このため、パターン形状の異なる各
種類のマスクパターンが配置されている複雑なマスクパ
ターンの場合であっても、この位相シフトマスクを用い
た露光の際に、位相シフトマスクの導波路効果に起因す
るレジストパターンの位置ずれの発生を各種類のマスク
パターン毎に適正に抑制して、超ＬＳＩのフォトリソグ
ラフィ工程において要求される高度の位置合わせ精度を
達成することが可能なレジストパターンが形成される。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るレベンソン位相シフトマスクの作製装置を示
す概略ブロック図である。

【００２３】図１に示されるように、本実施形態に係る
レベンソン位相シフトマスクの作製装置は、所定のパタ
ーンデータを入力するパターンデータ入力部１０と、こ
のパターンデータ入力部に入力した所定のパターンデー
タに所定の処理を施した後、その処理後のパターンデー
タに基づいてマスクパターンを作成するレベンソン位相
シフトマスクパターン作成部２０と、このレベンソン位
相シフトマスクパターン作成部２０において作成された
マスクパターンに基づいて具体的にレベンソン位相シフ
トマスクを作製するレベンソン位相シフトマスク作製部
３０とに大別される。

【００２４】そして、レベンソン位相シフトマスクパタ
ーン作成部２０においては、パターンデータ入力部１０
に入力した所定のパターンデータに基づき当初マスクパ
ターンを作成する第１のマスクパターン作成部２１と、
この第１のマスクパターン作成部２１において作成した
当初マスクパターンについて、そのパターン形状及びパ
ターン密度を基準として複数種類のマスクパターンに分
割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフトマス
クを使用する際の導波路効果に起因するレジストパター
ンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部２２と、この
位置ずれ量演算部２２において求めたレジストパターン
の位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を各種類
のマスクパターン毎に求めるパターン補正量演算部２３
と、このパターン補正量演算部２３において求めたパタ
ーン補正量によって当初マスクパターンを各種類のマス
クパターン毎に補正し、最終マスクパターンを作成する
第２のマスクパターン作成部２４とが設けられている。

【００２５】また、レベンソン位相シフトマスク作製部
３０は、通常のレベンソン位相シフトマスク作製部と同
様の構成をなしている。具体的には、レベンソン位相シ
フトマスクパターン作成部２０において作成された最終
マスクパターンに基づき、石英基板上に遮光膜を形成し
更にレジスト膜を塗布したマスクブランク上に、原画パ
ターンを描画するパターン描画部３１と、パターン描画
部３１において描画された原画パターンのレジスト膜を
マスクとして遮光膜を選択的にエッチングする遮光膜エ
ッチング部３２と、遮光膜に被覆されていない透過部に
おける石英基板を選択的にエッチングして、隣接する透
過部毎に深さの異なる掘り込みを形成する石英基板エッ
チング部３３と、原画パターンのレジスト膜を除去した
後のマスクブランクを洗浄する洗浄部３４と、石英基板
上に形成された遮光膜の線幅や遮光膜に挟まれた透過部
のスペース幅や所定の位相差を発生させるための掘り込
みの深さ等を測定する線幅・位相差測定部３５と、石英
基板上に形成された遮光膜からなるマスクパターンの欠
陥の有無を検査し、その欠陥を修正する欠陥修正部３６
とが設けられている。

【００２６】次に、図１に示されるレベンソン位相シフ
トマスクの作製装置を用いてレベンソン位相シフトマス
クを作製する作製方法を、図２〜図５を用いて説明す
る。ここで、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図
１に示すレベンソン位相シフトマスクの作製装置の第１
のマスクパターン作成部２１において作成した当初マス
クパターンを各種類のマスクパターン毎に示す平面図で
あり、図３は図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す当初マ
スクパターンについて位相シフトマスクを使用する際の
導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を
求めるためのシミュレーションを行う際に用いたレベン
ソン位相シフトマスクの断面構造を示す概略断面図であ
り、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の当初マスクパターンについて
シミュレーションによって求めた位置ずれ量及びその位
置ずれ量を是正するパターン補正量を示すグラフであ
り、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図１に示す
レベンソン位相シフトマスクの作製装置の第２のマスク
パターン作成部２４において作成した補正後の最終マス
クパターンを各種類のマスクパターン毎に示す平面図で
ある。

【００２７】先ず、所定のパターンデータをパターンデ
ータ入力部１０に入力する。そして、このパターンデー
タ入力部１０に入力した所定のパターンデータに基づ
き、レベンソン位相シフトマスクパターン作成部２０の
第１のマスクパターン作成部２１においては、当初マス
クパターンを作成する。なお、ここでは、この第１のマ
スクパターン作成部２１において作成する当初マスクパ
ターンとしては、デザインルール０．１０μｍ世代の論
理（Logic）回路パターンを想定する。

【００２８】次に、位置ずれ量演算部２２において、第
１のマスクパターン作成部２１において作成された論理
回路の当初マスクパターンを、そのパターン形状及びパ
ターン密度を基準として複数種類のマスクパターンに分
割する。ここでは、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にそれ
ぞれ示されるように、３種類のマスクパターンを選択し
た。即ち、図２（ａ）に示されるライン幅Ｌ＝０．１０
μｍ、ピッチＰ＝０．２６μｍのＬ＆Ｓ（ライン・アン
ド・スペース）パターンを作製するためのマスクパター
ンと、図２（ｂ）に示されるライン幅Ｌ＝０．１０μ
ｍ、ピッチＰ＝０．３４μｍのＬ＆Ｓパターンを作製す
るためのマスクパターンと、図２（ｃ）に示されるライ
ン幅Ｌ＝０．１０μｍ、スペース幅Ｓ＝０．１５μｍの
孤立パターンを作製するためのマスクパターンの３種類
である。狙いのレジストパターンとマスクパターンの線
幅は、本実施例では一致していない。本実施例は投影倍
率４倍の露光機を想定しており、実際のマスク上寸法は
上記値の４倍である。

【００２９】続いて、これら図２（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示される３種類のマスクパターンについて、位
相シフトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレ
ジストパターンの位置ずれ量をそれぞれに求める。な
お、ここでは、その具体的な方法として、レベンソン位
相シフトマスクの断面構造の影響を加味した光強度シミ
ュレーションを行った。

【００３０】そして、その光強度シミュレーションの際
に想定したレベンソン位相シフトマスクの断面構造とし
ては、図３に示されるような基板掘り込み型の断面構造
を採用した。即ち、光強度シミュレーションに用いたレ
ベンソン位相シフトマスクは、石英基板４０上に、所定
の形状にパターニングされた遮光膜４１ａ、４１ｂ、４
１ｃが周期的に形成されており、これらの遮光膜４１
ａ、４１ｂ、４１ｃに挟まれた領域が露光光を透過する
透過部となっている。そして、遮光膜４１ａ、４１ｂに
挟まれた透過部の石英基板４０には深さ３１０ｎｍの掘
り込み４２が形成され、遮光膜４１ｂ、４１ｃに挟まれ
た透過部の石英基板４０には深さ５５８ｎｍの掘り込み
４３が形成されている。また、この光強度シミュレーシ
ョンに用いる他の光学条件としては、露光光の波長を２
４８ｎｍ、投影倍率を４倍、ＮＡ（開口数）を０．６
０、σを０．４０とする。こうして、深さの異なる掘り
込み４２、４３が形成された隣接する透過部を透過する
露光光の実効的な光路長を変化させ、その位相を反転す
るようにした。

【００３１】そして、この光強度シミュレーションによ
って求めた図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各種類のマス
クパターンについての露光の際のフォーカス（Focus）
と導波路効果に起因するマスクパターンの位置ずれ量と
の関係は、それぞれ図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のグラ
フに細い実線で表されるようなった。但し、図４（ｂ）
のグラフにおける細い実線は太い実線と重なっているも
のとする。

【００３２】即ち、図４（ａ）において、いま必要なＤ
ＯＦ（Depth of Focus）の範囲を±０．２μｍとする
と、図２（ａ）のライン幅Ｌ＝０．１０μｍ、ピッチＰ
＝０．２６μｍのＬ＆Ｓパターンの場合、その位置ずれ
量は−２．６ｎｍ〜＋１０．５ｎｍとなり、そのセンタ
ー値は＋４．０ｎｍとなっている。同様に、図４（ｂ）
においては、図２（ｂ）のライン幅Ｌ＝０．１０μｍ、
ピッチＰ＝０．３４μｍのＬ＆Ｓパターンの場合の位置
ずれ量は−２．８ｎｍ〜＋３．１ｎｍとなり、そのセン
ター値は＋０．２ｎｍとなっている。また、図４（ｃ）
においては、図２（ｃ）のライン幅Ｌ＝０．１０μｍ、
スペース幅Ｓ＝０．１５μｍの孤立パターンの場合の位
置ずれ量は−３．５ｎｍ〜＋９．１ｎｍとなり、そのセ
ンター値は＋２．８ｎｍとなっている。

【００３３】次に、パターン補正量演算部２３におい
て、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のグラフの細い実線で
表される位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を
求めると、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各種類のマス
クパターンの位置ずれ量を是正するマスクパターン補正
量は各種類のレジストパターンの位置ずれ量のセンター
値に対応して、それぞれ図２（ａ）のＬ＆Ｓパターンの
場合に４．０ｎｍ、図２（ｂ）のＬ＆Ｓパターンの場合
に０．２ｎｍ、図２（ｃ）の孤立パターンの場合に２．
８ｎｍとなる。

【００３４】但し、実際には、マスクブランク上にマス
クパターンを描画する際に、描画グリッドに合わせて位
置を動かすことになるため、上記のパターン補正量は、
この描画グリッドの移動ピッチに規格化される。従っ
て、いま、描画グリッドの移動ピッチを２ｎｍとする
と、実際の補正量は、それぞれ図２（ａ）のＬ＆Ｓパタ
ーンの場合に４ｎｍ、図２（ｂ）のＬ＆Ｓパターンの場
合に０ｎｍ、図２（ｃ）の孤立パターンの場合に２ｎｍ
となる。

【００３５】なお、本発明者がライン幅Ｌ＝０．１０μ
ｍのＬ＆ＳパターンのピッチＰを種々に変化させた場合
について、同様な光強度シミュレーションを行い、各種
類のマスクパターンについての補正量を求めたところ、
次の表に表されるような結果が得られた。

【００３６】

【表１】

【００３７】次に、第２のマスクパターン作成部２４に
おいて、パターン補正量演算部２３で求めた補正量によ
る補正を行うと、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各種類
のマスクパターンについての位置ずれ量は、図４
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のグラフの細い実線で表される
位置ずれ量がそれぞれ補正量だけシフトされて、それぞ
れ図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のグラフの太い実線で表
されるようなる。

【００３８】即ち、図４（ａ）において、図２（ａ）の
Ｌ＆Ｓパターンの場合の補正後の位置ずれ量は−６．５
ｎｍ〜＋６．５ｎｍとなり、その最大値が補正前の＋１
０．５ｎｍから＋６．５ｎｍに減少する。同様に、図４
（ｃ）においては、図２（ｃ）の孤立パターンの場合の
補正後の位置ずれ量は−５．５ｎｍ〜＋７．１ｎｍとな
り、その最大値が補正前の＋９．１ｎｍから＋７．１ｎ
ｍに減少する。但し、図４（ｂ）においては、補正量が
０ｎｍであるため、変化はない。

【００３９】続いて、このような内容の補正を第１のマ
スクパターン作成部２１において作成された当初マスク
パターンについて行うと、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示されるような当初マスクパターンはそれぞれ図５
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるようなマスクパター
ンになり、この補正後のマスクパターンが最終マスクパ
ターンとなる。

【００４０】即ち、図５（ａ）に示される最終マスクパ
ターンにおいては、図２（ａ）に示される当初マスクパ
ターンの各透過部のスペース幅がいずれも０．１５μｍ
であるのに対して、補正量４．０ｎｍの補正を行い、一
番左側の透過部のスペース幅は右側に隣接するラインの
影響を受けて０．１５４μｍに変更され、この透過部に
隣接する位相が反転する透過部のスペース幅は両側に隣
接するラインの影響を受けて０．１４２μｍに変更さ
れ、更にこの透過部に隣接する位相が反転する透過部の
スペース幅は両側に隣接するラインの影響を受けて０．
１５８μｍに変更され、更にこの透過部に隣接する位相
が反転する透過部のスペース幅は左側に隣接するライン
の影響を受けて０．１４６μｍに変更される。

【００４１】同様に、図５（ｃ）に示される最終マスク
パターンにおいては、図２（ｃ）に示される当初マスク
パターンの各透過部のスペース幅がいずれも０．１５μ
ｍであるのに対して、補正量２．０ｎｍの補正を行い、
左側の透過部のスペース幅は右側に隣接するラインの影
響を受けて０．１５２μｍに変更され、この透過部に隣
接する位相が反転する右側の透過部のスペース幅は左側
に隣接するラインの影響を受けて０．１４８μｍに変更
される。但し、図５（ｂ）に示される最終マスクパター
ンおいては、補正量が０ｎｍであるため、図２（ｂ）に
示される当初マスクパターンの場合と変化はなく、各透
過部のスペース幅はいずれも０．２３μｍのままであ
る。

【００４２】このようにして、図２（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示される当初マスクパターンのパターン位置を
各種類のマスクパターン毎に所定の補正量だけずらす補
正を行うことにより、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
される最終マスクパターンが作成され、予想されるデフ
ォーカス内で最も精度よくパターン位置精度を出すこと
が可能になる。

【００４３】次に、図示は省略するが、レベンソン位相
シフトマスク作製部３０において、レベンソン位相シフ
トマスクパターン作成部２０の第２のマスクパターン作
成部２４において作成された最終マスクパターンに基づ
き、具体的にレベンソン位相シフトマスクを作製する。
但し、このレベンソン位相シフトマスク作製部３０にお
けるレベンソン位相シフトマスクの作製プロセスは、従
来の場合と同様であるため、その詳細な説明は省略す
る。

【００４４】次に、図示は省略するが、このレベンソン
位相シフトマスク作製部３０において作製されたレベン
ソン位相シフトマスクを用いてパターン形成を行う。即
ち、所定のレジスト膜を表面に塗布した半導体基体に、
このレベンソン位相シフトマスクを用いて露光処理を行
い、更に現像、洗浄等の処理を経て、レベンソン位相シ
フトマスクのマスクパターンを転写したレジストパター
ンを形成する。但し、このレベンソン位相シフトマスク
を用いたフォトリソグラフィ工程は、従来の場合と同様
であるため、その詳細な説明は省略する。

【００４５】そして、このようにして、補正後の最終マ
スクパターンが描画されたレベンソン位相シフトマスク
を用いてレジストパターンの形成を行うと、そのレベン
ソン位相シフトマスクを用いた露光の際の導波路効果に
起因するレジストパターンの位置ずれが各種類のマスク
パターン毎に発生するが、補正後の最終マスクパターン
においては既にレジストパターンの位置ずれ量が所定の
補正量によって各種類のマスクパターン毎に是正されて
いるため、パターン形状の異なる各種類のマスクパター
ンが配置されている複雑なマスクパターンの場合であっ
ても、レジストパターンの位置ずれの発生を各種類のマ
スクパターン毎に適正に抑制して、高度の位置合わせ精
度を達成することができる。

【００４６】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相
シフトマスクを使用するパターン形成方法によれば、次
のような効果を奏することができる。即ち、請求項１に
係る位相シフトマスクの作製装置によれば、所定のパタ
ーンデータに基づき、当初マスクパターンを作成する第
１のマスクパターン作成部と、この当初マスクパターン
について、位相シフトマスクを使用する際の導波路効果
に起因するレジストパターンの位置ずれ量を求める位置
ずれ量演算部と、このレジストパターンの位置ずれ量を
是正するマスクパターン補正量を求める補正量演算部
と、このマスクパターン補正量によって当初マスクパタ
ーンを補正して、最終マスクパターンを作成する第２の
マスクパターン作成部とを有することにより、位相シフ
トマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジスト
パターンの位置ずれ量を予め定量的に求め、更にこのレ
ジストパターンの位置ずれ量を是正するマスクパターン
補正量を定量的に求め、このマスクパターン補正量によ
って当初マスクパターンを補正して、最終マスクパター
ンが作成されるため、位相シフトマスクの導波路効果に
起因するレジストパターンの位置ずれの発生を適正に抑
制して、超ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程において要
求される高度の位置合わせ精度を達成することが可能な
位相シフトマスクを作製することができる。

【００４７】また、請求項２に係る位相シフトマスクの
作製装置によれば、所定のパターンデータに基づき、当
初マスクパターンを作成する第１のマスクパターン作成
部と、この当初マスクパターンについて、パターン形状
及びパターン密度を基準として複数種類のマスクパター
ンに分割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフ
トマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジスト
パターンの位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、こ
のレジストパターンの位置ずれ量を是正する補正量を各
種類のマスクパターン毎に求める補正量演算部と、この
マスクパターン補正量によって当初マスクパターンを各
種類のマスクパターン毎に補正して、最終マスクパター
ンを作成する第２のマスクパターン作成部とを有するこ
とにより、各種類のマスクパターン毎に位相シフトマス
クを使用する際の導波路効果に起因するレジストパター
ンの位置ずれ量を予め定量的に求め、更にこのレジスト
パターンの位置ずれ量を是正する補正量を各種類のマス
クパターン毎に定量的に求め、このパターン補正量によ
って当初マスクパターンを各種類のマスクパターン毎に
補正して、最終マスクパターンが作成されるため、パタ
ーン形状の異なる各種類のマスクパターンが配置されて
いる複雑なマスクパターンの場合であっても、位相シフ
トマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位
置ずれの発生を各種類のマスクパターン毎に適正に抑制
して、超ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程において要求
される高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位
相シフトマスクを作製することができる。

【００４８】また、請求項３に係る位相シフトマスクの
作製方法によれば、所定のパターンデータに基づき、当
初マスクパターンを作成するステップと、この当初マス
クパターンについて、位相シフトマスクを使用する際の
導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を
求めるステップと、このレジストパターンの位置ずれ量
を是正するマスクパターン補正量を求めるステップと、
このマスクパターン補正量によって当初マスクパターン
を補正して、最終マスクパターンを作成するステップと
を有することにより、位相シフトマスクを使用する際の
導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ量を
予め定量的に求め、更にこのレジストパターンの位置ず
れ量を是正するマスクパターン補正量を定量的に求め、
このマスクパターン補正量によって当初マスクパターン
を補正して、最終マスクパターンが作成されるため、位
相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパター
ンの位置ずれの発生を適正に抑制して、超ＬＳＩのフォ
トリソグラフィ工程において要求される高度の位置合わ
せ精度を達成することが可能な位相シフトマスクを作製
することができる。

【００４９】また、請求項４に係る位相シフトマスクの
作製方法によれば、所定のパターンデータに基づき、当
初マスクパターンを作成するステップと、この当初マス
クパターンについて、パターン形状及びパターン密度を
基準として複数種類のマスクパターンに分割して、各種
類のマスクパターン毎に、位相シフトマスクを使用する
際の導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれ
量を求めるステップと、このレジストパターンの位置ず
れ量を是正するマスクパターン補正量を各種類のマスク
パターン毎に求めるステップと、このマスクパターン補
正量によって当初マスクパターンを各種類のマスクパタ
ーン毎に補正して、最終マスクパターンを作成するステ
ップとを有することにより、各種類のマスクパターン毎
に位相シフトマスクを使用する際の導波路効果に起因す
るレジストパターンの位置ずれ量を予め定量的に求め、
更にこのレジストパターンの位置ずれ量を是正するマス
クパターン補正量を各種類のマスクパターン毎に定量的
に求め、このマスクパターンの補正量によって当初マス
クパターンを各種類のマスクパターン毎に補正して、最
終マスクパターンが作成されるため、パターン形状の異
なる各種類のマスクパターンが配置されている複雑なマ
スクパターンの場合であっても、位相シフトマスクの導
波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生
を各種類のマスクパターン毎に適正に抑制して、超ＬＳ
Ｉのフォトリソグラフィ工程において要求される高度の
位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマス
クを作製することができる。

【００５０】また、請求項５に係るパターン形成方法に
よれば、上記請求項３に係る作製方法を用いて位相シフ
トマスクを作製するステップと、この位相シフトマスク
を用いて露光処理を行い、最終マスクパターンを転写し
たレジストパターンを形成するステップとを有すること
により、位相シフトマスクを使用する際の導波路効果に
起因するレジストパターンの位置ずれ量を是正する補正
を予め行っている最終マスクパターンの位相シフトマス
クを用いて露光処理を行うことになるため、この位相シ
フトマスクを用いた露光の際に、位相シフトマスクの導
波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生
を抑制して、超ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程におい
て要求される高度の位置合わせ精度を達成することが可
能なレジストパターンを形成することができる。

【００５１】また、請求項６に係るパターン形成方法に
よれば、上記請求項４に係る作製方法を用いて位相シフ
トマスクを作製するステップと、この位相シフトマスク
を用いて露光処理を行い、最終マスクパターンを転写し
たレジストパターンを形成するステップとを有すること
により、位相シフトマスクを使用する際の導波路効果に
起因するレジストパターンの位置ずれ量を是正する補正
を各種類のマスクパターン毎に予め行っている最終マス
クパターンの位相シフトマスクを用いて露光処理を行う
ことになるため、パターン形状の異なる各種類のマスク
パターンが配置されている複雑なマスクパターンの場合
であっても、この位相シフトマスクを用いた露光の際
に、位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジスト
パターンの位置ずれの発生を各種類のマスクパターン毎
に適正に抑制して、超ＬＳＩのフォトリソグラフィ工程
において要求される高度の位置合わせ精度を達成するこ
とが可能なレジストパターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るレベンソン位相シフ
トマスクの作製装置を示す概略ブロック図である。

【図２】図１に示すレベンソン位相シフトマスクの作製
装置の第１のマスクパターン作成部において作成した当
初マスクパターンを各種類のマスクパターン毎に示す平
面図である。

【図３】図２に示す当初マスクパターンについて位相シ
フトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジス
トパターンの位置ずれ量を求めるためのシミュレーショ
ンに用いたレベンソン位相シフトマスクの断面構造を示
す概略断面図である。

【図４】図２に示す当初マスクパターンについてシミュ
レーションによって求めた位置ずれ量及びその位置ずれ
量を是正するパターン補正量を示すグラフである。

【図５】図１に示すレベンソン位相シフトマスクの作製
装置の第２のマスクパターン作成部２４において作成し
た補正後の最終マスクパターンを各種類のマスクパター
ン毎に示す平面図である。

【図６】従来のレベンソン位相シフトマスクを示す概略
断面図である。

【符号の説明】

１０……パターンデータ入力部、２０……レベンソン位
相シフトマスクパターン作成部、２１……第１のマスク
パターン作成部、２２……位置ずれ量演算部、２３……
パターン補正量演算部、２４……第２のマスクパターン
作成部、３０……レベンソン位相シフトマスク作製部、
３１……パターン描画部、３２……遮光膜エッチング
部、３３……石英基板エッチング部、３４……洗浄部、
３５……線幅・位相差測定部、３６……欠陥修正部、４
０……石英基板、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ……遮光膜、
４２、４３……掘り込み、４４、４５……位相シフタ。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクの作製装置であって、 所定のパターンデータを入力するパターンデータ入力部
   と、 前記パターンデータ入力部に入力した前記所定のパター
   ンデータに基づき、当初マスクパターンを作成する第１
   のマスクパターン作成部と、 前記第１のマスクパターン作成部において作成した前記
   当初マスクパターンについて、位相シフトマスクを使用
   する際の導波路効果に起因するレジストパターンの位置
   ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、 前記位置ずれ量演算部において求めた前記レジストパタ
   ーンの位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を求
   める補正量演算部と、 前記補正量演算部において求めた前記マスクパターン補
   正量によって前記当初マスクパターンを補正して、最終
   マスクパターンを作成する第２のマスクパターン作成部
   と、 を有することを特徴とする位相シフトマスクの作製装
   置。
2. 【請求項２】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクの作製装置であって、 所定のパターンデータを入力するパターンデータ入力部
   と、 前記パターンデータ入力部に入力した前記所定のパター
   ンデータに基づき、当初マスクパターンを作成する第１
   のマスクパターン作成部と、 前記第１のマスクパターン作成部において作成した前記
   当初マスクパターンについて、パターン形状及びパター
   ン密度を基準として複数種類のマスクパターンに分割し
   て、各種類のマスクパターン毎に、位相シフトマスクを
   使用する際の導波路効果に起因するレジストパターンの
   位置ずれ量を求める位置ずれ量演算部と、 前記位置ずれ量演算部において求めた前記レジストパタ
   ーンの位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を各
   種類のマスクパターン毎に求める補正量演算部と、 前記補正量演算部において求めた前記マスクパターン補
   正量によって前記当初マスクパターンを各種類のマスク
   パターン毎に補正して、最終マスクパターンを作成する
   第２のマスクパターン作成部と、 を有することを特徴とする位相シフトマスクの作製装
   置。
3. 【請求項３】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクの作製方法であって、 所定のパターンデータに基づき、当初マスクパターンを
   作成するステップと、 前記当初マスクパターンについて、位相シフトマスクを
   使用する際の導波路効果に起因するレジストパターンの
   位置ずれ量を求めるステップと、 前レジストパターンの位置ずれ量を是正するマスクパタ
   ーン補正量を求めるステップと、 前記マスクパターン補正量によって前記当初マスクパタ
   ーンを補正して、最終マスクパターンを作成するステッ
   プと、 を有することを特徴とする位相シフトマスクの作製方
   法。
4. 【請求項４】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクの作製方法であって、 所定のパターンデータに基づき、当初マスクパターンを
   作成するステップと、 前記当初マスクパターンについて、パターン形状及びパ
   ターン密度を基準として複数種類のマスクパターンに分
   割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シフトマス
   クを使用する際の導波路効果に起因するレジストパター
   ンの位置ずれ量を求めるステップと、 前記レジストパターンの位置ずれ量を是正するマスクパ
   ターン補正量を各種類のマスクパターン毎に求めるステ
   ップと、 前記マスクパターン補正量によって前記当初マスクパタ
   ーンを各種類のマスクパターン毎に補正して、最終マス
   クパターンを作成するステップと、 を有することを特徴とする位相シフトマスクの作製方
   法。
5. 【請求項５】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクを使用するパターン形成方法であっ
   て、 所定のパターンデータに基づき、当初マスクパターンを
   作成し、前記当初マスクパターンについて、位相シフト
   マスクを使用する際の導波路効果に起因するレジストパ
   ターンの位置ずれ量を求め、前記レジストパターンの位
   置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を求め、前記
   マスクパターン補正量によって前記当初マスクパターン
   を補正して、最終マスクパターンを作成し、位相シフト
   マスクを作製するステップと、 前記位相シフトマスクを用いて露光処理を行い、前記最
   終マスクパターンを転写したレジストパターンを形成す
   るステップと、 を有することを特徴とするパターン形成方法。
6. 【請求項６】 微細パターンの微細線幅両側を透過する
   光の位相差による干渉効果を用いて解像力を向上させる
   位相シフトマスクを使用するパターン形成方法であっ
   て、 所定のパターンデータに基づき、当初マスクパターンを
   作成し、前記当初マスクパターンについて、パターン形
   状及びパターン密度を基準として複数種類のマスクパタ
   ーンに分割して、各種類のマスクパターン毎に、位相シ
   フトマスクを使用する際の導波路効果に起因するレジス
   トパターンの位置ずれ量を求め、前記レジストパターン
   の位置ずれ量を是正するマスクパターン補正量を各種類
   のマスクパターン毎に求め、前記マスクパターン補正量
   によって前記当初マスクパターンを各種類のマスクパタ
   ーン毎に補正して、最終マスクパターンを作成し、位相
   シフトマスクを作製するステップと、 前記位相シフトマスクを用いて露光処理を行い、前記最
   終マスクパターンを転写したレジストパターンを形成す
   るステップと、 を有することを特徴とするパターン形成方法。