JPH11119411A - 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 位相シフトマスクについて、導波路効果を良
好に消失もしくは軽減させ得、かつこの効果を、パター
ンサイズ等に依存せずに、制御制良く得ることも可能に
でき、かつ各種洗浄も可能である位相シフトマスク、及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基体１を掘り込んでパターンを形成
する場合に、透明パターンの側壁に遮光作用を持つサイ
ドウォール４を形成し、あるいは側壁が遮光材料からな
るようにして、透明部が側壁を有することによる導波路
効果を消失もしくは軽減させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
及び位相シフトマスクの製造方法に関する。本発明は特
に、導波路効果を生ぜしめることなくパターン露光が可
能で、かつマスクの洗浄を可能とした位相シフトマスク
及びその製造方法を提供するものである。本発明は、マ
スクの像を被露光材に転写する各種の露光技術に適用で
き、たとえば、微細化・集積化した電子材料（半導体装
置等）の製造のためのパターン転写に用いる位相シフト
マスク及びその製造方法として、好適に使用することが
できる。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置等の電子材料の分
野において、パターン転写により各種のパターン形成を
行うことが知られている。たとえば、メモリ素子、論理
演算素子、ＣＣＤ素子、ＬＣＤ素子、メモリ論理演算混
載素子等の各種の半導体装置を製造する際のパターン転
写工程においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程が
行われ、ここではフォトマスク上に形成されている回路
パターンを被露光材である半導体ウェハ基体に塗布され
たレジストに、たとえば紫外から可視領域にかかる波長
の光によって転写し、レジストを現像し、所望の回路パ
ターンを形成する。

【０００３】近年、半導体装置の微細化に伴い、ウェハ
基体上に塗布されたレジストを現像して形成される回路
パターンの線幅ないしホール径はますます縮小が要せら
れ、転写に使用される光の波長よりも小さな線幅ないし
ホール径の回路パターンが形成されるようになって来て
いる。

【０００４】たとえば、波長２４８ｎｍの光により、線
幅ないしホール径を０．２４μｍ、もしくはそれを下回
る微細状に形成することが要求されている。

【０００５】このように極めて微細なパターン形成が要
求されるに至っており、このような場合に、たとえば上
記のように光の波長よりも小さな線幅ないしホール径の
形成が要求される場合に、位相シフトマスクを用いるこ
とが検討されている。位相シフトマスクは、解像度や焦
点深度を向上させ得る技術として、注目されており、い
くつかの種類が知られている。

【０００６】たとえば、ライン幅と、スペース幅とが略
等しい繰り返しパターン（以下、適宜ラインアンドスペ
ースパターンと称することもある）、また、ホール径
と、隣合うホールの間隔が略等しいパターン（以下、適
宜密ホールパターンと称することもある）のような、密
集したパターンに対しては、レベンソン方式の位相シフ
トマスクが顕著に有効であることが知られている。

【０００７】レベンソン方式の位相シフトマスクは、代
表的には図５５に示すように、遮光膜からなる遮光部２
と、透過する光の位相を互いに略１８０度異ならせて光
を透過させる２つの光透過パターン３Ａ，３Ｂを有し、
この位相反転構造を利用して、解像度の高いパターン形
成を行うものである。図５５の例は、光透過パターン３
Ａはガラス等の透明基体１（露光光に対して透明）を掘
り込んで形成することにより、光透過パターン３Ｂと位
相を略１８０度異ならせるようにしている。

【０００８】しかしながら、位相シフトマスクは、その
２つの光透過パターン３Ａ，３Ｂが、これらを透過する
光の位相を互いに略１８０度異ならせて光を透過させる
ものであるので、両者を透過して被露光材に与えられる
光の強度が互いに異なることがある。すなわち、図示従
来技術にあっては導波効果により、図５５の光強度グラ
フに符号Ｆａ，Ｆｂで示すように、隣り合う光透過領域
（パターン３Ａ，３Ｂ）を透過した光の光強度は、互い
に異なるものとなる。このため、被露光材であるウェハ
上に塗布されたレジストに形成されるパターンの幅が、
異なったものとなってしまう。

【０００９】この問題を避けるために、この種の位相シ
フトマスクについて、図５６に示すように、一方の光透
過パターン３Ａに対し、遮光膜２を庇状に形成し、この
遮光膜の庇２１により、導波路効果を消失もしくは軽減
させるようにすることが提案されている。この構造で
は、掘り込まれて形成された光透過パターン３Ａに、約
０．１０μｍ程度の庇状に遮光膜を残している。

【００１０】この構造は、図５７から図６３に示す方法
で、作製される。図５７に示すように、透明（マスクと
して使用するときの露光光に対して透明）基体であるガ
ラス基体１上に、クロムにより遮光膜２０を形成し、さ
らに電子線レジスト１ａを形成する。図５７に、第一の
電子線描画予定領域を、符号Ｒ１１，Ｒ１２で示す。

【００１１】電子線レジスト１ａの電子線描画によるパ
ターニングに従って、領域Ｒ１１，Ｒ１２を描画・エッ
チングし、図５８の構造を得る。これにより、遮光膜２
０がパターニングされて遮光部２が形成される。レジス
ト剥離して、図５９の構造を得る。

【００１２】上記構造に対し、再度電子線レジスト１ａ
を塗布し、その上に帯電防止膜１ｂを形成し、図６０の
構造とする。第二の電子線描画予定領域を、符号Ｒ２で
示す。

【００１３】第二の電子線描画を行って、領域Ｒ２を描
画・エッチングし、図６１に示すように、領域Ｒ２の基
体１を露出させる。基体１のエッチング領域の開口の工
程に当たる。

【００１４】等方性エッチングを行って、基体１をエッ
チングする。等方性エッチングであるので、図６２のよ
うに、エッチングされた上方に、遮光膜２が、庇２１の
形で残った構造になる。レジストを除去すると、図６３
の構造が得られる。

【００１５】図６３の構造のマスクにより露光すると、
図５６に示すように、領域３Ａを透過した光の強度ＦＡ
と、領域３Ｂを透過した光の強度ＦＢとは、ほぼ等しく
なる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上記した手法には、次
のような問題点がある。すなわち、上記手法では、ガラ
ス基体１をウェットエッチングし、このウェットエッチ
ングで遮光膜２の庇２１の長さの制御を行っているが、
これには、次の難点がある。

【００１７】まず、等方性のウェットエッチングを用い
ているために、ガラス基体１を掘り込んで形成されるパ
ターンの底部は、丸まっている。該丸まりにより、位相
が１８０度の反転からずれるので、パターンの転写特性
が劣化する。さらに、遮光膜による庇の長さは、ウェッ
トエッチング溶剤、ウェットエッチング時間等により制
御は可能ではあるが、線幅ないしはホール径が異なるパ
ターンが混在している場合、該パターンサイズによって
エッチング速度が互いに異なるため、庇の長さはパター
ンサイズにより互いに異なってしまう。

【００１８】さらに、遮光膜からなる庇は、空中に浮い
ている構造であるために、洗浄工程におけるスクライブ
洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄などによって、簡
単にとれてしまい、導波路効果を消失もしくは軽減させ
る庇としての機能が失われてしまう。また、ダストとな
って、製造装置を汚染させてしまう。たとえば上記工程
で得られた位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メ
ガソニック洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の各条件
で洗浄テストを行ったところ、いずれにおいても、遮光
膜（クロム）の庇が剥がれた。よって、洗浄は不可能と
いうことであり、この種の位相シフトマスクは、洗浄す
ることを避けなければならないことになる。

【００１９】さらに、図５７ないし６３に示した製造工
程では、第一の描画工程に対する第二の描画工程の位置
ずれ（かかる位置ずれを完全に無くすことはできない）
のために、遮光膜（クロム）の庇の長さは、左右同一に
形成することはできず、よって導波路効果を完全には抑
制できず、ガラス基体を掘り込んだパターンと、相隣り
合う掘り込まれないパターンとにおいて、光強度のむら
が生じる。

【００２０】本発明は上記問題点を解決して、位相シフ
トマスクについて、導波路効果を良好に消失もしくは軽
減させ得、かつこの効果を、パターンサイズ等に依存せ
ずに、制御制良く得ることも可能にでき、かつ各種洗浄
も可能である位相シフトマスク、及びその製造方法を提
供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の発
明により、達成される。すなわち、露光光に対して透明
な基体に、遮光膜からなる遮光部と、光透過パターンで
ある第１のパターンと第２のパターンとを形成し、該第
１のパターンは基体を掘り込んで形成したものであり、
第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過
した光の位相は略１８０度異なる位相シフトマスクにお
いて、第１のパターンの側壁には、サイドウォール状パ
ターンが形成されており、該サイドウォールパターンも
しくはサイドウォールパターン上の遮光膜が導波路効果
を消失もしくは軽減することにより、第１のパターンを
透過した光によって被露光材上に転写されるパターンの
線幅と、第２のパターンを透過した光によって被露光材
上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものとし
たことを特徴とする位相シフトマスクによって、達成さ
れる。

【００２２】また、露光光に対して透明な基体を掘り込
むことにより第１のパターンを形成する工程と、犠牲膜
を形成する工程と、該犠牲膜をエッチバックする工程
と、基体に遮光膜を形成する工程と、該遮光膜に第２の
パターンを形成する工程からなり、第１のパターンを透
過した光と、第２のパターンを透過した光の位相は略１
８０度異なっており、第１のパターンの側壁には、犠牲
膜をエッチバックする工程において残留する犠牲膜形成
材料がサイドウォール状に形成されており、該サイドウ
ォールもしくはサイドウォール上の遮光膜が導波路効果
を消失もしくは軽減することにより、第１のパターンを
透過した光によって被露光材上に転写されるパターンの
線幅と、第２のパターンを透過した光によって被露光材
上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものとな
るようにマスク形成することを特徴とする位相シフトマ
スクの製造方法によって、達成される。

【００２３】また、露光光に対して透明な基体に遮光膜
を形成する工程と、遮光膜をエッチングしかつ基体を堀
り込むことにより第１のパターンを形成する工程と、犠
牲膜を形成する工程と、該犠牲膜をエッチバックする工
程と、遮光膜に第２のパターンを形成する工程からな
り、第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを
透過した光の位相は略１８０度異なっており、第１のパ
ターンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする工程にお
いて残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール状に形成
されており、該サイドウォールもしくはサイドウォール
上の遮光膜が導波路効果を消失もしくは軽減することに
より、第１のパターンを透過した光によって被露光材上
に転写されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過
した光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅
とがほぼ等しいものとなるようにマスク形成することを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法によって、達成
される。

【００２４】また、露光光に対して透明な基体に遮光膜
を形成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパタ
ーン及び第２のパターンを同時に形成する工程と、第１
のパターンの基体を掘り込む工程と、犠牲膜を形成する
工程と、該犠牲膜をエッチバックする工程からなり、第
１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過し
た光の位相は略１８０度異なっており、第１のパターン
の側壁には、犠牲膜をエッチバックする工程において残
留する犠牲膜形成材料がサイドウォール状に形成されて
おり、該サイドウォールもしくはサイドウォール上の遮
光膜が導波路効果を消失もしくは軽減することにより、
第１のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過した光
によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
ぼ等しいものとなるようにマスク形成することを特徴と
する位相シフトマスクの製造方法によって、達成され
る。

【００２５】また、露光光に対して透明な基体に、遮光
膜からなる遮光部と、光透過パターンである第２のパタ
ーンと第３のパターンとを形成し、遮光部は基体を掘り
込んで形成した第１のパターンを用いて形成することに
より、パターンの側壁は遮光材料からなるようにしたも
のであり、第２のパターンを透過した光と、第３のパタ
ーンを透過した光の位相は略１８０度異なる位相シフト
マスクであって、第２のパターンを透過した光によって
被露光材上に転写されるパターンの線幅と、第３のパタ
ーンを透過した光によって被露光材上に転写されるパタ
ーンの線幅とがほぼ等しいものとなることを特徴とする
位相シフトマスクによって、達成される。

【００２６】また、露光光に対して透明な基体を掘り込
むことによって第１のパターンを形成する工程と、遮光
膜を形成する工程と、該遮光膜を研磨する工程と、第２
のパターン及び第３のパターンを形成する工程からな
り、該第２のパターンと第３のパターンの少なくともい
ずれかは遮光膜を加工することにより形成するものであ
り、第２のパターンを透過した光と、第３のパターンを
透過した光の位相は略１８０度異なっており、第２のパ
ターンを透過した光によって被露光材上に転写されるパ
ターンの線幅と、第３のパターンを透過した光によって
被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しい
ものとなるようにマスク形成することを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法によって、達成される。

【００２７】本発明によれば、透明基体を掘り込んで形
成されるパターンの側壁にサイドウォールを形成するこ
とにより、該サイドウォールパターンによって、そのよ
うなサイドウォールが無い場合においては顕著である透
明基体側壁における光の干渉効果を抑制して、導波路効
果を消失もしくは軽減せしめることができる。すなわ
ち、該サイドウォールが、遮光作用を有する材料で形成
されている場合はそのサイドウォール自体が、該サイド
ウォールが透明もしくは半透明の材料で形成されている
場合にはサイドウォール上の遮光膜が、側壁での光の干
渉効果を抑制し、導波路効果を消失もしくは軽減すると
いう作用を示す。

【００２８】また、本発明の他の実施の形態によれば、
導波路効果をもたらす透明基体のパターン側壁を具備せ
ず、遮光膜のパターン側壁のみを具備させることによ
り、透明基体の側壁における光の干渉効果を無くし、導
波路効果を消失させるという作用を示す。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
さらに詳細に説明し、また、本発明の好ましい実施の形
態の具体例について、図面を参照して説明する。但し当
然のことではあるが、本発明は以下述べる実施の形態例
に限定されるものではない。

【００３０】本発明の実施においては、基体は露光に用
いる露光光に対し透明（完全に１００％の透過率は要さ
ないが、露光に供し得る程度に透明であればよい）なも
のを用いる。代表的には、石英基体である。その他、ガ
ラス等、適宜の材料の基体を用いることができる。

【００３１】遮光部を構成する遮光膜の材料は、代表的
にはクロムやタングステンであり、あるいはその他の高
融点金属や、その化合物を使用することもできる。

【００３２】以下、本発明の好ましい実施の形態例につ
いて、具体的に詳述する。当然のことではあるが、本発
明は以下述べる実施の形態例に限定されるものではな
い。以下の実施の形態例においては、ラインアンドスペ
ースパターンを例示して説明するが、もちろん、繰り返
して配置されるホールパターンにも同様に適用できる。
さらには、繰り返しパターンから構成される任意のデバ
イスパターンにも同様に適用できる。また、描画方法と
して電子線による方法で例示するが、電子線に限らず、
光、レーザービーム、イオンビーム等であってもよい。
また、犠牲膜の材料は、以下の例で示すもののほか、Ｓ
ｉＯ₂ 、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、スピンオンガラス等
の、各種アモルファスもしくは結晶粒径の小さな無機膜
などを用いることができ、さらに、ハードベークされた
レジスト等の有機物でもよい。遮光膜を形成するための
遮光材料についても、クロム系ないし高融点金属系材料
のほか、遮光能のある材料であれば任意であり、例えば
その他の金属系材料、各種合金等を適宜選択して用いる
ことができる。なお、以下の実施の形態例において例示
されるパターン幅は、５倍レティクル上の寸法で表示さ
れている。

【００３３】実施の形態例１ 図１に本例に係る位相シフトマスクの構造を示し、図２
にその作用を示し、図３ないし図９に、本例の位相シフ
トマスクの製造工程を示す。

【００３４】本例においては、露光光に対して透明な基
体を掘り込むことにより第１のパターンを形成する工程
と、犠牲膜を形成する工程と、該犠牲膜をエッチバック
する工程と、基体に遮光膜を形成する工程と、該遮光膜
に第２のパターンを形成する工程からなり、第１のパタ
ーンを透過した光と、第２のパターンを透過した光の位
相は略１８０度異なっており、第１のパターンの側壁に
は、犠牲膜をエッチバックする工程において残留する犠
牲膜形成材料がサイドウォール状に形成されており、該
サイドウォールもしくはサイドウォール上の遮光膜が導
波路効果を消失もしくは軽減することにより、第１のパ
ターンを透過した光によって被露光材上に転写されるパ
ターンの線幅と、第２のパターンを透過した光によって
被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しい
ものとなるようにマスク形成する位相シフトマスクの製
造方法を、具体化して実施した。

【００３５】本例の位相シフトマスクは、図１に示すよ
うに、露光光に対して透明な基体１（ここではガラス基
体）に、遮光膜からなる遮光部２と、光透過パターンで
ある第１のパターン３Ａと第２のパターン３Ｂとを形成
し、該第１のパターン３Ａは基体１を掘り込んで形成し
たものであり、第１のパターン３Ａを透過した光と、第
２のパターン３Ｂを透過した光の位相は略１８０度異な
る位相シフトマスクにおいて、第１のパターン３Ａの側
壁には、サイドウォール状パターン４（ここではシリコ
ンナイトライドからなる）が形成されており、該サイド
ウォールパターン４上の遮光膜５が導波路効果を消失も
しくは軽減することにより、第１のパターン３Ａを透過
した光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅
と、第２のパターン３Ｂを透過した光によって被露光材
上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものとし
た位相シフトマスクである。

【００３６】この位相シフトマスクは、図２に示すよう
に、上記サイドウォールパターン４もしくはサイドウォ
ールパターン４上の遮光膜５の作用で、導波路効果を消
失もしくは軽減し、第１のパターン３Ａを透過した光の
光強度ＦＡと、第２のパターン３Ｂを透過した光の強度
ＦＢとは、略等しくなる。この作用については、後記詳
述する。

【００３７】以下、図３から図９を参照して、本例の位
相シフトマスクの製造工程を説明する。図３に示したよ
うに、ガラス基体１に、電子線レジスト１ａを、膜厚５
００ｎｍになるように回転塗布した。この電子線レジス
ト１ａ上には、帯電防止膜１ｂを形成した。次にこの図
３に示す工程においては、第一の描画予定領域Ｉにおけ
るレジスト１を、電子線で描画した。ここでは、電子線
の加速電圧が、１０ｋＶのものを用いた。パターンの幅
は、１．４０μｍとした。

【００３８】次に図４に示すように、ガラス基体１を、
ＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いた反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）により、深さが２６９ｎｍにな
るようにエッチングした。これにより、第１のパターン
３Ａをガラス基体１を掘り込むことによって、形成し
た。ここで、２６９ｎｍの深さは、図１に示した領域３
Ａ（第１のパターン３Ａの領域）を透過する波長２４８
ｎｍの光の位相と、領域３Ｂ（第２のパターン３Ｂの領
域）を透過する波長２４８ｎｍの光の位相とが、互いに
１８０度異なるように設定されたものである。

【００３９】次に図５に示す工程において、犠牲膜６と
なるＳｉ₃ Ｎ₄ 膜を、３００ｎｍの厚さになるように形
成した。Ｓｉ₃ Ｎ₄ 膜は、減圧ＣＶＤにより、ＳｉＨ₄
ガスと、ＮＨ₃ ガスを原料ガスとして、形成した。反応
温度は、略８００℃であった。ここで犠牲膜とは、最終
的にはその膜自体は（ここではサイドウォールとして残
るが）最終構造に残らない膜を言う。

【００４０】次に図６に示す工程において、ＣＦ₄ と酸
素からなる反応ガスを用いて、犠牲膜６であるＳｉ₃ Ｎ
₄ 膜をエッチバックした。この工程において、ガラス基
体１の側壁に形成されたＳｉ₃ Ｎ₄ 膜は、３００ｎｍよ
りも厚く形成されるため、エッチバック工程においても
サイドウォールとして残る。ガラス基体パターン底部に
おけるサイドウォールの幅は０．１０μｍになるように
バックエッチング時間を制御した。これにより図６に示
すサイドウォールパターン４を、第１のパターン３Ａの
側壁に、犠牲膜６をエッチバックする工程で残留させ
た。

【００４１】次に図７に示す工程において、ここではク
ロムからなる遮光膜２０を、ＤＣスパッタ法により形成
した。遮光膜２０を構成するクロム膜の膜厚は、１０５
ｎｍとした。

【００４２】次に図８に示す工程において、電子線レジ
スト７を塗布した。図８中、符号ＩＩａ，ＩＩｂで、第
二の描画予定領域を示す。

【００４３】図８に示されている第二の描画予定領域Ｉ
Ｉａ，ＩＩｂにしたがって、加速電圧が１０ｋＶである
電子線で、これらの領域ＩＩａ，ＩＩｂを描画した。パ
ターンの幅は、１．２０μｍとした。

【００４４】次に図９の工程において、上記電子線描画
により形成したパターン状のレジスト７をマスクとし
て、遮光膜２０をエッチングしてパターニングした。こ
こでは塩素及び酸素からなるエッチングガスを用いたＲ
ＩＥでエッチングし、所定のパターンの遮光部２を形成
した。

【００４５】レジスト７を剥離して、図１の構造の位相
シフトマスクを得た。なお、図１で形成されたパターン
の幅は、パターン３Ａのサイドウォール間の幅が１．２
０μｍ、パターンＢについては幅が１．２０μｍであっ
た。

【００４６】本例の位相シフトマスクの作用を説明す
る。本例では、図１のサイドウォールパターン４には、
符号５で示すように、遮光膜２をなすクロムが堆積して
いる。このため、たとえばガラス基体１の掘りこまれた
部分の光透過領域（第１のパターン３Ａ）と、掘りこま
れていない部分の光透過領域（第２のパターン３Ｂ）と
が繰り返し形成されているパターン配置において、各領
域Ａ，Ｂ（第１のパターン３Ａ、第２のパターン３Ｂ）
を透過した光の強度ＦＡ，ＦＢ（図２）は、略等しい。

【００４７】このような光強度になることについて、図
２に模式的に示した。図２に示すとおり、各領域Ａ，Ｂ
（第１のパターン３Ａ、第２のパターン３Ｂ）を透過し
た光の強度ＦＡ，ＦＢは略等しくなっている。

【００４８】すなわち、サイドウォール４に堆積した遮
光膜５は、ガラス基体１の側壁における透過光の回折を
生じさせないために、いわゆる導波路効果を生ぜしめな
い。さらに、サイドウォール４の幅は、図５の工程にお
ける犠牲膜６の厚さ、及び図６の工程におけるエッチバ
ック条件により、精密な制御ができる。たとえば本実施
の形態例においては、サイドウォール幅が、０．０５μ
ｍから０．１５μｍまで、マスクパターン形成領域にお
いて、３σ０．０１μｍの精度で形成することができ
た。

【００４９】さらに、本実施の形態例において作製した
位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック
洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テスト
を行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じ
ず、良好に洗浄することができた。

【００５０】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、サイドウォールパターンを形成したことにより、レ
ベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、導波路効果
を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のないパ
ターン転写が可能であり、かつ、洗浄が可能なものであ
るという利点を有する。

【００５１】実施の形態例２ この実施の形態例は、実施の形態例１と同じ発明を具体
化したものである。ただしこの例では、犠牲膜を遮光材
料から形成し、よってサイドウォールパターン自体が遮
光効果を有するものとした。

【００５２】すなわち本例の位相シフトマスクは、図１
０に示すように、光透過領域である第１のパターン３Ｃ
の側壁のサイドウォールパターン４は、遮光材料（ここ
では窒化タングステンを使用）からなり、これにより導
波路効果を防止ないし抑制する。本例では、サイドウォ
ールパターン４上に、遮光部２がかかっている必要は無
い。

【００５３】以下、図１１から図１７を参照して、本例
の位相シフトマスクの製造工程を説明する。図１１に示
したように、ガラス基体１に、電子線レジスト１ａを、
膜厚５００ｎｍになるように回転塗布した。この電子線
レジスト１ａ上には、帯電防止膜１ｂを形成した。次に
この図１１に示す工程においては、第一の描画予定領域
Ｉにおけるレジスト１を、電子線で描画した。ここで
は、電子線の加速電圧が、１０ｋＶのものを用いた。パ
ターンの幅は、１．４０μｍとした。

【００５４】次に図１２に示す工程において、ガラス基
体１を、ＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、深さが２６９
ｎｍになるようにエッチングした。これにより、第１の
パターン３Ｃをガラス基体１を掘り込むことによって、
形成した。ここで、２６９ｎｍの深さにしたのは、実施
の形態例１と同様の理由であり、図１０に示した領域３
Ｃ（第１のパターン３Ｃの領域）を透過する波長２４８
ｎｍの光の位相と、領域３Ｄ（第２のパターン３Ｄの領
域）を透過する波長２４８ｎｍの光の位相とが、互いに
１８０度異なるように設定したものである。

【００５５】次に図１３に示す工程において、犠牲膜６
となる窒化タングステン膜を、３００ｎｍの厚さになる
ように形成した。窒化タングステン（ＷＮｘ）膜は、プ
ラズマＣＶＤ法により、ＷＦ₆ ガスと、ＮＨ₃ ガスを原
料ガスとして、形成した。反応温度は、略３００℃であ
った。また、窒素は、組成比で２０％になるようにし、
窒化タングステンの構造がアモルファスとなるようにし
た。

【００５６】次に図１４に示す工程において、ＣＦ₄ と
酸素からなる反応ガスを用いて、犠牲膜６である窒化タ
ングステン膜をエッチバックした。この工程において、
ガラス基体１の側壁に形成された窒化タングステン膜
は、３００ｎｍよりも厚く形成されるため、エッチバッ
ク工程においてもサイドウォールとして残る。ガラス基
体パターン底部におけるサイドウォールの幅は０．１０
μｍになるようにバックエッチング時間を制御した。こ
れにより図１４に示すサイドウォールパターン４を、第
１のパターン３Ｃの側壁に、犠牲膜６をエッチバックす
る工程で残留させた。

【００５７】次に図１５に示す工程において、ここでは
クロムからなる遮光膜２０を、ＤＣスパッタ法により形
成した。遮光膜２０を構成するクロム膜の膜厚は、１０
５ｎｍとした。

【００５８】次に図１６に示す工程において、電子線レ
ジスト７を塗布した。図８中、符号Ｍ，Ｎで、第二の描
画予定領域を示す。

【００５９】図１７に示されている第二の描画予定領域
Ｍ，Ｎにしたがって、加速電圧が１０ｋＶである電子線
で、これらの領域Ｍ，Ｎを描画した。パターンの幅は、
１．２０μｍとした。

【００６０】次に図１７の工程において、上記電子線描
画により形成したパターン状のレジスト７をマスクとし
て、遮光膜２０をエッチングしてパターニングした。こ
こでは塩素及び酸素からなるエッチングガスを用いたＲ
ＩＥでエッチングし、所定のパターンの遮光部２を形成
した。

【００６１】レジスト７を剥離して、図１０の構造の位
相シフトマスクを得た。なお、図１０で形成されたパタ
ーンの幅は、パターン３Ｃのサイドウォール間の幅が
１．２０μｍ、パターンＤについては幅が１．２０μｍ
であった。

【００６２】本例の位相シフトマスクの作用を説明す
る。この実施の形態例にあっては、サイドウォール４
は、遮光材料である窒化タングステンからなる。よっ
て、図１６の描画工程において、光透過領域３Ｃ（第１
のパターン３Ｃ）に対応する部分の描画領域（第二の描
画予定領域Ｍ）は、サイドウォール間距離よりも、大き
く設定してよい。遮光膜２がサイドウォールパターンに
かかる必要がない（実施の形態例１におけるサイドウォ
ールパターン上の遮光膜５が無くてよい）からである。
また、アモルファス構造の窒化タングステンによりサイ
ドウォールが形成されているため、多結晶構造の金属膜
に見られるような、結晶粒によるエッジラフネスもな
い。

【００６３】本例では、サイドウォールパターン４は、
遮光材料である窒化タングステンで形成されているの
で、それ自体、ガラス基体１の側壁における透過光の回
折を生じさせない。このために、いわゆる導波路効果を
生ぜしめない。図２に模式的に示した実施の形態例１
と、同様の光強度が得られる。さらに、サイドウォール
４の幅は、図１３の工程における犠牲膜６の厚さ、及び
図１４の工程におけるエッチバック条件により、精密な
制御ができる。たとえば本実施の形態例においては、サ
イドウォール幅が、０．０５μｍから０．１５μｍま
で、マスクパターン形成領域において、３σ０．０１の
精度で形成することができた。

【００６４】さらに、本実施の形態例において作製した
位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック
洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テスト
を行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じ
ず、良好に洗浄することができた。

【００６５】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、サイドウォールパターンを形成したことにより、レ
ベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、導波路効果
を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のないパ
ターン転写が可能である。また、第二の描画工程におけ
る描画予定領域のとり方に自由度があり、場合によって
は、次の実施の形態例３において詳述するように、第一
の描画工程と第二の描画工程における位置ずれが生じて
も効果が損なわれない。かつ、洗浄が可能なものである
という利点を有する。

【００６６】実施の形態例３ この実施の形態例は、実施の形態例１，２と同じ発明を
具体化したものである。本例は、第二の描画工程におい
て、第一の描画工程に対する位置ずれがあること、第一
の描画領域の幅が１．６０μｍであること、サイドウォ
ール幅が０．２０μｍであること以外は、実施の形態例
２と同様である。

【００６７】すなわち本例の位相シフトマスクは、図１
８に示すように、光透過領域である第１のパターン３Ｅ
の側壁のサイドウォールパターン４は、遮光材料（ここ
では窒化タングステンを使用）からなり、これにより導
波路効果を防止ないし抑制するが、本例では、位置ずれ
があった場合でも、サイドウォールパターン４上に遮光
部２がかかるような態様で、その位置ずれは吸収され
る。

【００６８】以下、図１９から図２５を参照して、本例
の位相シフトマスクの製造工程を説明する。工程として
は、実施の形態例２と同じ手順をとる。図１９に示した
ように、ガラス基体１に、電子線レジスト１ａを、膜厚
５００ｎｍになるように回転塗布した。この電子線レジ
スト１ａ上には、帯電防止膜１ｂを形成した。次にこの
図１１に示す工程においては、第一の描画予定領域Ｉに
おけるレジスト１を、電子線で描画した。ここでは、電
子線の加速電圧が、１０ｋＶのものを用いた。パターン
の幅は、実施の形態例２では１．４０μｍとしたが、こ
こでは１．６０μｍとした。

【００６９】次に図２０に示す工程において、ガラス基
体１を、ＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、深さが２６９
ｎｍになるようにエッチングした。これにより、第１の
パターン３Ｃをガラス基体１を掘り込むことによって、
形成した。ここで、２６９ｎｍの深さにしたのは、実施
の形態例２におけると同じで、実施の形態例１と同様の
理由であり、図１８に示した領域３Ｅ（第１のパターン
３Ｅの領域）を透過する波長２４８ｎｍの光の位相と、
領域３Ｆ（第２のパターン３Ｆの領域）を透過する波長
２４８ｎｍの光の位相とが、互いに１８０度異なるよう
に設定したものである。

【００７０】次に図２１に示す工程において、犠牲膜６
となる窒化タングステン膜を、３００ｎｍの厚さになる
ように形成した。窒化タングステン（ＷＮｘ）膜は、プ
ラズマＣＶＤ法により、ＷＦ₆ ガスと、ＮＨ₃ ガスを原
料ガスとして、形成した。反応温度は、略３００℃であ
った。また、窒素は、組成比で２０％になるようにし、
窒化タングステンの構造がアモルファスとなるようにし
た。

【００７１】次に図２２に示す工程において、ＣＦ₄ と
酸素からなる反応ガスを用いて、犠牲膜６である窒化タ
ングステン膜をエッチバックした。この工程において、
ガラス基体１の側壁に形成された窒化タングステン膜
は、３００ｎｍよりも厚く形成されるため、エッチバッ
ク工程においてもサイドウォールとして残る。ガラス基
体パターン底部におけるサイドウォールの幅は、本例で
は０．２０μｍになるようにバックエッチング時間を制
御した。これにより図２２に示すサイドウォールパター
ン４を、第１のパターン３Ｅの側壁に、犠牲膜６をエッ
チバックする工程で残留させた。

【００７２】次に図２３に示す工程において、ここでは
クロムからなる遮光膜２０を、ＤＣスパッタ法により形
成した。遮光膜２０を構成するクロム膜の膜厚は、１０
５ｎｍとした。

【００７３】次に図２４に示す工程において、電子線レ
ジスト７を塗布した。図８中、符号Ｐ，Ｑで、第二の描
画予定領域を示す。ここで、光透過領域Ｅ（第１のパタ
ーンＥ）に対応する第二の描画予定領域Ｐは、サイドウ
ォール４間距離よりも、大きく設定してある。図１８の
サイドウォール４は、遮光機能のある窒化タングステン
膜で形成されてあるから、実施の形態例２と同じく、遮
光膜２がサイドウォールパターンにかかる必要がない
（実施の形態例１におけるサイドウォールパターン上の
遮光膜５が無くてよい）からである。すなわちここで
は、第二の描画予定領域Ｐ（第１のパターンＥに対応）
の幅を１．４０μｍ、第二の描画予定領域Ｑ（第２のパ
ターンＦに対応）の幅を１．２０μｍとした。また、光
透過領域である第１のパターンＥに対応する描画予定領
域Ｐは、前記実施の形態例２では、サイドウォール４の
中心にかかるように設定したが（図１６参照）、本例の
図２４の工程では、サイドウォール幅の半分の大きさの
位置ずれが生じてある場合を示している。このような位
置ずれが生じている場合においても、遮光作用のある材
料であるここでは窒化タングステンによりサイドウォー
ル４が形成されているため、図１８の光透過領域Ｅ（第
１のパターンＥ）に示されるように、導波路効果を生ぜ
しめることは無い。

【００７４】このような図２４に示されている第二の描
画予定領域Ｐ，Ｑにしたがって、加速電圧が１０ｋＶで
ある電子線で、これらの領域Ｐ，Ｑを描画した。各パタ
ーンの幅は、上記したとおりである。

【００７５】次に図２５の工程において、上記電子線描
画により形成したパターン状のレジスト７をマスクとし
て、遮光膜２０をエッチングしてパターニングした。こ
こでは塩素及び酸素からなるエッチングガスを用いたＲ
ＩＥでエッチングし、所定のパターンの遮光部２を形成
した。

【００７６】その後レジスト７を剥離して、図１８の構
造の本例に係る位相シフトマスクを得た。上記したとお
り、本例では、描画領域の位置ずれが生じているが、導
波路効果防止については全く問題が無い。

【００７７】一般に、第一の描画工程に対する第二の描
画工程の位置ずれ、いわゆる重ね合わせ誤差を完全に無
くすことは、不可能である。重ね合わせ誤差は、通常、
０．０６μｍ程度は発生する。本例においては、サイド
ウォール幅が０．２０μｍであり、かつ、描画領域を、
サイドウォール幅中心に対応するように設定されている
ため、少なくとも片側０．１０μｍの重ね合わせ誤差が
あったとしても、なんら問題無い。実際、本例では、マ
スク全面において３σ０．０６３μｍの重ね合わせ誤差
があったが、なんら問題無く、光透過領域Ｅ（第１のパ
ターンＥ）を形成することができた。

【００７８】さらに、本実施の形態例において作製した
位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック
洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テスト
を行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じ
ず、良好に洗浄することができた。

【００７９】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、サイドウォールパターンを形成したことにより、レ
ベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、導波路効果
を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のないパ
ターン転写が可能である。また、第一の描画工程と、第
二の描画工程における位置ずれが生じても問題が無いと
言う利点がある。かつ、洗浄が可能なものであるという
利点を有する。

【００８０】実施の形態例４ この実施の形態例は、露光光に対して透明な基体に遮光
膜を形成する工程と、遮光膜をエッチングしかつ基体を
堀り込むことにより第１のパターンを形成する工程と、
犠牲膜を形成する工程と、該犠牲膜をエッチバックする
工程と、遮光膜に第２のパターンを形成する工程からな
り、第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを
透過した光の位相は略１８０度異なっており、第１のパ
ターンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする工程にお
いて残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール状に形成
されており、該サイドウォールもしくはサイドウォール
上の遮光膜が導波路効果を消失もしくは軽減することに
より、第１のパターンを透過した光によって被露光材上
に転写されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過
した光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅
とがほぼ等しいものとなるようにマスク形成する位相シ
フトマスクの製造方法を、具体化して実施した。

【００８１】本例の位相シフトマスクの構造を、図２６
に示す。本例の位相シフトマスクは、図２６に示すよう
に、露光光に対して透明な基体１（ここではガラス基
体）に、遮光膜からなる遮光部２と、光透過パターンで
ある第１のパターン３Ｇと第２のパターン３Ｈとを有
し、基体１を掘り込んで形成した第１のパターン３Ｇを
透過した光と、第２のパターン３Ｂを透過した光の位相
は略１８０度異なる位相シフトマスクにおいて、第１の
パターン３Ｇの側壁には、サイドウォール状パターン４
（ここでは窒化タングステンからなる）が形成されてお
り、該サイドウォールパターン４が導波路効果を消失も
しくは軽減することにより、第１のパターン３Ｇを透過
した光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅
と、第２のパターン３Ｈを透過した光によって被露光材
上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものとし
た位相シフトマスクである。

【００８２】以下、図２７から図３３を参照して、本例
の位相シフトマスクの製造工程を説明する。本例では、
遮光膜が先に形成されることが、前掲の実施の形態例１
〜３と異なる。

【００８３】本例ではまず図２７に示すように、ガラス
基体１に、ここではクロムからなる遮光膜２０を、ＤＣ
スパッタ法により形成した。遮光膜２０を構成するクロ
ム膜の膜厚は、１０５ｎｍとした。次に電子線レジスト
１ａを、膜厚５００ｎｍになるように回転塗布した。符
号Ｉで、第一の描画予定領域を示す。

【００８４】次に図２８に示す工程において、第一の描
画予定領域Ｉにおけるレジスト１を、電子線で描画し
た。ここでは、電子線の加速電圧が、１０ｋＶのものを
用いた。パターンの幅は、１．４０μｍとした。次い
で、遮光膜２０を、ここでは塩素及び酸素からなるエッ
チングガスを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
でエッチングした。

【００８５】次に図２９に示す工程において、ガラス基
体１を、ここではＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを
用いたＲＩＥにより、深さが２６９ｎｍになるようにエ
ッチングした。これにより、第１のパターン３Ｇをガラ
ス基体１を掘り込むことによって、形成した。ここで、
２６９ｎｍの深さに設定した理由は、実施の形態例１に
おけると同様である。

【００８６】次に図３０に示す工程において、犠牲膜６
となる窒化タングステン膜を、３００ｎｍの厚さになる
ように形成した。窒化タングステン（ＷＮｘ）膜は、プ
ラズマＣＶＤ法により、ＷＦ₆ ガスと、ＮＨ₃ ガスを原
料ガスとして、形成した。反応温度は、略３００℃であ
った。また、窒素は、組成比で２０％になるようにし、
窒化タングステンの構造がアモルファスとなるようにし
た。

【００８７】次に図３１に示す工程において、ＣＦ₄ と
酸素からなる反応ガスを用いて、犠牲膜６である窒化タ
ングステン膜をエッチバックした。この工程において、
ガラス基体１の側壁に形成された窒化タングステン膜
は、３００ｎｍよりも厚く形成されるため、エッチバッ
ク工程においてもサイドウォールとして残る。ガラス基
体パターン底部におけるサイドウォールの幅は、本例で
は０．１０μｍになるようにバックエッチング時間を制
御した。これにより図３１に示すサイドウォールパター
ン４を、第１のパターン３Ｇの側壁に、犠牲膜６をエッ
チバックする工程で残留させた。

【００８８】次に図３２に示す工程において、電子線レ
ジスト７を塗布した。図３２中、符号ＩＩで、第二の描
画予定領域を示す。

【００８９】図３２に示されている第二の描画予定領域
ＩＩにしたがって、加速電圧が１０ｋＶである電子線
で、この領域ＩＩを描画した。パターンの幅は、１．２
０μｍとした。

【００９０】次に図３３の工程において、上記電子線描
画により形成したパターン状のレジスト７をマスクとし
て、遮光膜２０をエッチングしてパターニングした。こ
こでは塩素及び酸素からなるエッチングガスを用いたＲ
ＩＥでエッチングし、所定のパターンの遮光部２を形成
した。

【００９１】レジスト７を剥離して、図２６の構造の位
相シフトマスクを得た。図２６の構造で形成されたパタ
ーンの幅は、パターン３Ｇのサイドウォール間の幅が
１．２０μｍ、パターンＨについては幅が１．２０μｍ
であった。

【００９２】本例では、サイドウォールパターン４は、
遮光材料である窒化タングステンで形成されているの
で、それ自体、ガラス基体１の側壁における透過光の回
折を生じさせない。このために、いわゆる導波路効果を
生ぜしめない。図２に模式的に示した実施の形態例１
と、同様の光強度が得られる。さらに、サイドウォール
４の幅は、図３０の工程における犠牲膜６の厚さ、及び
図３１の工程におけるエッチバック条件により、精密な
制御ができる。たとえば本実施の形態例においては、サ
イドウォール幅が、０．０５μｍから０．１５μｍま
で、マスクパターン形成領域において、３σ０．０１μ
ｍの精度で形成することができた。

【００９３】さらに、本実施の形態例において作製した
位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック
洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テスト
を行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じ
ず、良好に洗浄することができた。

【００９４】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、サイドウォールパターンを形成したことにより、レ
ベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、導波路効果
を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のないパ
ターン転写が可能であり、かつ、洗浄が可能なものであ
るという利点を有する。

【００９５】実施の形態例５ この実施の形態例は、露光光に対して透明な基体に遮光
膜を形成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパ
ターン及び第２のパターンを同時に形成する工程と、第
１のパターンの基体を掘り込む工程と、犠牲膜を形成す
る工程と、該犠牲膜をエッチバックする工程からなり、
第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過
した光の位相は略１８０度異なっており、第１のパター
ンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする工程において
残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール状に形成され
ており、該サイドウォールもしくはサイドウォール上の
遮光膜が導波路効果を消失もしくは軽減することによ
り、第１のパターンを透過した光によって被露光材上に
転写されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過し
た光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅と
がほぼ等しいものとなるようにマスク形成する位相シフ
トマスクの製造方法を、具体化して実施したものであ
る。

【００９６】本例の位相シフトマスクの構造を、図３４
に示す。本例の位相シフトマスクは、図３４に示すよう
に、露光光に対して透明な基体１（ここではガラス基
体）に、遮光膜からなる遮光部２と、光透過パターンで
ある第１のパターン３Ｇと第２のパターン３Ｈとを有
し、基体１を掘り込んで形成した第１のパターン３Ｇを
透過した光と、第２のパターン３Ｂを透過した光の位相
は略１８０度異なる位相シフトマスクにおいて、第１の
パターン３Ｇの側壁には、サイドウォール状パターン４
（ここでは窒化タングステンからなる）が形成されてお
り、該サイドウォールパターン４が導波路効果を消失も
しくは軽減することにより、第１のパターン３Ｇを透過
した光によって被露光材上に転写されるパターンの線幅
と、第２のパターン３Ｈを透過した光によって被露光材
上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものとし
た位相シフトマスクである。

【００９７】以下、図３５から図３９を参照して、本例
の位相シフトマスクの製造工程を説明する。

【００９８】本例ではまず図３５に示すように、ガラス
基体１に、ここではクロムからなる遮光膜２０を、ＤＣ
スパッタ法により形成した。遮光膜２０を構成するクロ
ム膜の膜厚は、１０５ｎｍとした。次に電子線レジスト
１ａを、膜厚５００ｎｍになるように回転塗布した。符
号Ｒ，Ｓで示すのは、第一の描画予定領域である。

【００９９】次に図３６に示す工程において、第一の描
画予定領域Ｒ，Ｓにおけるレジスト１ａを、電子線で描
画した。ここでは、電子線の加速電圧が、１０ｋＶのも
のを用いた。パターンの幅は、第一の描画予定領域Ｒに
おけるパターン幅が１．４０μｍであり、第一の描画予
定領域Ｓにおけるパターン幅が１．２０μｍとした。次
いで、遮光膜２０を、ここでは塩素及び酸素からなるエ
ッチングガスを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）でエッチングした。これにより遮光部２を形成し
た。

【０１００】次に図３７に示す工程において、電子線レ
ジスト７を、膜厚５００ｎｍになるように回転塗布し
た。この電子線レジスト７上には、帯電防止膜１ｂを形
成した。図３７中、符号ＩＩで、第二の描画予定領域を
示す。この図３７に示された第二の描画予定領域ＩＩに
したがって、加速電圧が１０ｋＶである電子線で描画を
行い、レジストパターンを形成した。

【０１０１】次に図３８に示す工程において、上記レジ
ストパターンをマスクとして、ガラス基体１を、ここで
はＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いたＲＩＥに
より、深さが２６９ｎｍになるようにエッチングした。
これにより、第１のパターン３Ｉをガラス基体１を掘り
込むことによって、形成した。ここで、２６９ｎｍの深
さに設定した理由は、実施の形態例１におけると同様で
ある。

【０１０２】次に図３９に示す工程において、犠牲膜６
となる窒化タングステン膜を、３００ｎｍの厚さになる
ように形成した。窒化タングステン（ＷＮｘ）膜は、プ
ラズマＣＶＤ法により、ＷＦ₆ ガスと、ＮＨ₃ ガスを原
料ガスとして、形成した。反応温度は、略３００℃であ
った。また、窒素は、組成比で２０％になるようにし、
窒化タングステンの構造がアモルファスとなるようにし
た。

【０１０３】次に、上記した図３４に示す最終構造を得
る工程において、ＣＦ₄ と酸素からなる反応ガスを用い
て、犠牲膜６である窒化タングステン膜をエッチバック
した。この工程において、ガラス基体１の側壁に形成さ
れた窒化タングステン膜は、３００ｎｍよりも厚く形成
されるため、エッチバック工程においてもサイドウォー
ルとして残る。ガラス基体パターン底部におけるサイド
ウォールの幅は、本例では０．１０μｍになるようにバ
ックエッチング時間を制御した。これにより図３４に示
すサイドウォールパターン４を、第１のパターン３Ｉの
側壁に、犠牲膜６をエッチバックする工程で残留させ
た。このとき、遮光部２を構成するクロムは、安定した
フッ化物を形成するため、犠牲膜６のエッチングにおい
ても、エッチングされることはなかった。レジストを剥
離して、図３４の構造の位相シフトマスクを得た。な
お、この図３４の構造のパターン幅は、パターン３Ｉの
サイドウォール間の幅が１．２０μｍ、パターンＪにつ
いては幅が１．２０μｍであった。

【０１０４】本例では、サイドウォールパターン４は、
遮光材料である窒化タングステンで形成されているの
で、それ自体、ガラス基体１の側壁における透過光の回
折を生じさせない。このために、いわゆる導波路効果を
生ぜしめない。図２に模式的に示した実施の形態例１
と、同様の光強度が得られる。さらに、サイドウォール
４の幅は、図３９の工程における犠牲膜６の厚さ、及び
図３１の最終構造を得る工程におけるエッチバック条件
により、精密な制御ができる。たとえば本実施の形態例
においては、サイドウォール幅が、０．０５μｍから
０．１５μｍまで、マスクパターン形成領域において、
３σ０．０１μｍの精度で形成することができた。

【０１０５】さらに、本実施の形態例において作製した
位相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック
洗浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テスト
を行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じ
ず、良好に洗浄することができた。

【０１０６】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、サイドウォールパターンを形成したことにより、レ
ベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、導波路効果
を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のないパ
ターン転写が可能であり、かつ、洗浄が可能なものであ
るという利点を有する。

【０１０７】実施の形態例６ 図４０に本例に係る位相シフトマスクの構造を示し、図
５４に作用を示し、図４１から図４６に、本例の位相シ
フトマスクの製造工程を示す。

【０１０８】本例においては、露光光に対して透明な基
体を掘り込むことによって第１のパターンを形成する工
程と、遮光膜を形成する工程と、該遮光膜を研磨する工
程と、該遮光膜を加工することにより第２のパターンを
形成し、また第３のパターンを、第２のパターンを透過
した光と、第３のパターンを透過した光の位相は略１８
０度異なるように形成する工程を有し、第２のパターン
を透過した光によって被露光材上に転写されるパターン
の線幅と、第３のパターンを透過した光によって被露光
材上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等しいものと
なるようにマスク形成する位相シフトマスクの製造方法
を、具体化して実施した。

【０１０９】本例の位相シフトマスクは、図４０に示す
ように、露光光に対して透明な基体１（ここではガラス
基体）に、遮光膜からなる遮光部２と、光透過パターン
である第２のパターンと第３のパターンとを形成し、遮
光部２は基体１を掘り込んで形成した第１のパターンＰ
１（図４２参照）を用いて形成したものであり、第２の
パターンＰ２を透過した光と、第３のパターンＰ３を透
過した光の位相は略１８０度異なる位相シフトマスクで
あって、第２のパターンＰ２を透過した光によって被露
光材上に転写されるパターンの線幅と、第３のパターン
Ｐ３を透過した光によって被露光材上に転写されるパタ
ーンの線幅とがほぼ等しいものとなるようにした位相シ
フトマスクである。

【０１１０】この位相シフトマスクは、図５４に示すよ
うに、導波路効果を生じさせる透明基体１の側壁を具備
せず、遮光部２をなす遮光膜パターン側壁のみを持たせ
た構造になっており、よって、ガラス側壁等における光
の干渉効果は無く、導波路効果は生じず、これにより、
第２のパターンＰ２を透過した光と、第３のパターンＰ
３を透過した光との光強度Ｆ２，Ｆ３が略等しくなる。

【０１１１】以下、図４１から図４６を参照して、本例
の位相シフトマスクの製造工程を説明する。図４１に示
したように、ガラス基体１に、電子線レジスト１ａを、
膜厚５００ｎｍになるように回転塗布した。この電子線
レジスト１ａ上には、帯電防止膜１ｂを塗布形成した。
次にこの図４１に示す工程においては、第一の描画予定
領域Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃにおけるレジスト１ａを、電子線
で描画した。ここでは、電子線の加速電圧が、１０ｋＶ
のものを用いた。各パターンの幅は、１．２０μｍとし
た。

【０１１２】次に図４２に示すように、ガラス基体１
を、ＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）により、深さが２６９ｎｍ
になるようにエッチングした。これにより、第１のパタ
ーンＰ１（図示例では３か所）をガラス基体１を掘り込
むことによって、形成した。ここで、２６９ｎｍの深さ
は、この第１のパターンＰ１と同じ深さに形成される図
４０の領域Ｐ２（第２のパターンＰ２の領域）を透過す
る波長２４８ｎｍの光の位相と、図４０の領域Ｐ３（第
３のパターンＰ３の領域）を透過する波長２４８ｎｍの
光の位相とが、互いに１８０度異なるように設定された
ものである。レジスト剥離して、図４２の構造を得た。

【０１１３】次に図４３に示すように、ここではタング
ステンからなる遮光膜２０を、３００ｎｍの厚さになる
ように、ＤＣスパッタ法により形成した。

【０１１４】次に化学的機械研磨（ＣＭＰ）により、上
記形成したタングステンからなる遮光膜２０を研磨し、
図４４に示すように、遮光部２を形成した。

【０１１５】次に図４５に示す工程において、電子線レ
ジスト７を塗布した。図８中、符号ＩＩで、第二の描画
予定領域を示す。この図４５に示されている第二の描画
予定領域ＩＩにしたがって、加速電圧が１０ｋＶである
電子線で、この領域ＩＩを描画した。パターンの幅は、
１．２０μｍとした。

【０１１６】次に図４６に示す工程において、上記電子
線描画により形成したパターン状のレジスト７をマスク
として、ガラス基体１を、ここではＣＦ₄ からなるエッ
チングガスを用いたＲＩＥにより、掘り込んだ。最終的
に、図４０に示すように、遮光部２の形成用の第１のパ
ターンＰ１と同じ深さの２６９ｎｍの深さまで掘り込ん
で、第２のパターンＰ２とした。レジスト７を剥離して
得たのが、図４０の構造の位相シフトマスクである。

【０１１７】本例の位相シフトマスクの作用を説明す
る。本例では、図４０に示すように、また作用を示す図
５４に示すように、透明基体１（ガラス基体）の側壁は
無く、側壁を形成するのは遮光膜２（ここではタングス
テンからなる）である。この結果、透明基体１（ガラス
基体）の側壁がもたらす導波路効果は生じない。よっ
て、図５４に示すように、ガラス側壁等における光の干
渉効果は無く、導波路効果を生じず、これにより、第２
のパターンＰ２を透過した光と、第３のパターンＰ３を
透過した光との光強度Ｆ２，Ｆ３が略等しくなる。

【０１１８】本実施の形態例において作製した位相シフ
トマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック洗浄１５
分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テストを行った
ところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じず、良好に
洗浄することができた。

【０１１９】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、レベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、パタ
ーンの側壁が遮光材料からなるようにしたので、導波路
効果を生ぜしめることなく、よって、線幅の不均一のな
いパターン転写が可能であり、かつ、洗浄が可能なもの
であるという利点を有する。

【０１２０】実施の形態例７ 図４７に本例に係る位相シフトマスクの構造を示し、図
４８から図５３に、本例の位相シフトマスクの製造工程
を示す。

【０１２１】本例は、実施の形態例６と同じ発明を具体
化したものである。本例の位相シフトマスクは、図４７
に示すように、実施の形態例７と同様な、露光光に対し
て透明な基体１（ここではガラス基体）に、遮光膜から
なる遮光部２と、光透過パターンである第２のパターン
と第３のパターンとを形成し、遮光部２は基体１を掘り
込んで形成した第１のパターンＰ１（図４９参照）を用
いて形成したものであり、第２のパターンＰ２を透過し
た光と、第３のパターンＰ３を透過した光の位相は略１
８０度異なる位相シフトマスクであって、第２のパター
ンＰ２を透過した光によって被露光材上に転写されるパ
ターンの線幅と、第３のパターンＰ３を透過した光によ
って被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほぼ等
しいものとなるようにした位相シフトマスクである。

【０１２２】この位相シフトマスクは、図５４に示すよ
うな作用を示し、これは、実施の形態例６におけると、
同様である。本例は、実施の形態例６では当初形成した
第１のパターンがそのまま遮光部２を形成する個所にな
るのに対して、第１のパターンに対応して形成した遮光
材料膜をさらにパターニングして、遮光部２を形成する
ものである。

【０１２３】以下、図４８ないし図５３を参照して、本
例の位相シフトマスクの製造工程を説明する。図４８に
示したように、ガラス基体１に、電子線レジスト１ａ
を、膜厚５００ｎｍになるように回転塗布した。この電
子線レジスト１ａ上に、帯電防止膜１ｂを塗布形成し
た。次にこの図４８に示す工程においては、第一の描画
予定領域ＩＡ，ＩＢにおけるレジスト１ａを、電子線で
描画した。ここでは、電子線の加速電圧が、１０ｋＶの
ものを用いた。ここで、第一の描画予定領域ＩＢは、実
施の形態例６を示す図４１の第一の描画予定領域Ｉｃに
対応する幅で形成したが、第一の描画予定領域ＩＡは、
実施の形態例６を示す図４１の第一の描画予定領域Ｉａ
からＩｂにかけての全幅にわたる長さで形成した。

【０１２４】次に図４９に示すように、ガラス基体１
を、ＣＦ₄ ガスからなるエッチングガスを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）により、深さが２６９ｎｍ
になるようにエッチングした。これにより、第１のパタ
ーンＰ１を、上記した第一の描画予定領域ＩＡ，ＩＢに
したがう幅で、ガラス基体１を掘り込むことによって形
成した。ここで、２６９ｎｍの深さとしたは、上述した
実施の形態例６におけると同様であり、この第１のパタ
ーンＰ１と同じ深さに形成される図４７の領域Ｐ２（第
２のパターンＰ２の領域）を透過する波長２４８ｎｍの
光の位相と、図４７の領域Ｐ３（第３のパターンＰ３の
領域）を透過する波長２４８ｎｍの光の位相とが、互い
に１８０度異なるように設定されたものである。図４９
は、レジスト剥離して得た構造である。

【０１２５】次に図５０に示すように、ここではタング
ステンからなる遮光膜２０を、３００ｎｍの厚さになる
ように、ＤＣスパッタ法により形成した。

【０１２６】次に化学的機械研磨（ＣＭＰ）により、上
記形成したタングステンからなる遮光膜２０を研磨し、
図５１に示すように、遮光材料膜２′を形成した。

【０１２７】次に図５２に示す工程において、電子線レ
ジスト７を塗布した。図８中、符号ＩＩで、第二の描画
予定領域を示す。この図５２に示されている第二の描画
予定領域ＩＩにしたがって、加速電圧が１０ｋＶである
電子線で、この領域ＩＩを描画した。パターンの幅は、
１．２０μｍとした。

【０１２８】次に図５３に示す工程において、上記電子
線描画により形成したパターン状のレジスト７をマスク
として、遮光材料膜２′を、ここではＣＦ₄ 及び酸素か
らなるエッチングガスを用いたＲＩＥによりエッチング
した。エッチング終点検出により、エッチングをジャス
トで終了させた。これにより第２のパターンＰ２を形成
するとともに、遮光部２を得た。このようにして、図５
３に示すように、遮光部２の形成用の第１のパターンＰ
１と同じ深さの２６９ｎｍの深さの第２のパターンＰ２
とした。レジスト７を剥離して得たのが、図４７の構造
の位相シフトマスクである。

【０１２９】本例の位相シフトマスクの作用を説明す
る。本例では、実施の形態例６と同様、透明基体１（ガ
ラス基体）の側壁は無く、側壁を形成するのは遮光膜２
（ここではタングステンからなる）である。この結果、
透明基体１（ガラス基体）の側壁がもたらす導波路効果
は生じない。よって、図５４に示すように、ガラス側壁
等における光の干渉効果は無く、導波路効果を生じず、
これにより、第２のパターンＰ２を透過した光と、第３
のパターンＰ３を透過した光との光強度が略等しくな
る。

【０１３０】さらに本実施の形態例において作製した位
相シフトマスクを、超音波洗浄１０分、メガソニック洗
浄１５分、スクライブ洗浄１０分の条件で洗浄テストを
行ったところ、いずれの場合も膜等の剥がれは生じず、
良好に洗浄することができた。

【０１３１】上述したように、本例の位相シフトマスク
は、レベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、パタ
ーンの側壁が遮光材料からなるので、導波路効果を生ぜ
しめることなく、よって、線幅の不均一のないパターン
転写が可能であり、かつ、洗浄が可能なものであるとい
う利点を有する。

【０１３２】

【発明の効果】本発明によれば、位相シフトマスクにつ
いて、導波路効果を良好に消失もしくは軽減させ得、か
つこの効果を、パターンサイズ等に依存せずに、制御制
良く得ることも可能にでき、かつ各種洗浄も可能である
位相シフトマスク、及びその製造方法を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態例１の位相シフトマスクを示す断
面略示図である。

【図２】 実施の形態例１の位相シフトマスクの作用を
説明する図である。

【図３】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（１）。

【図４】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（２）。

【図５】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（３）。

【図６】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（４）。

【図７】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（５）。

【図８】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（６）。

【図９】 実施の形態例１の製造工程を順に断面図で示
すものである（７）。

【図１０】 実施の形態例２の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図１１】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図１２】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図１３】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図１４】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図１５】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図１６】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（６）。

【図１７】 実施の形態例２の製造工程を順に断面図で
示すものである（７）。

【図１８】 実施の形態例３の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図１９】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図２０】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図２１】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図２２】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図２３】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図２４】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（６）。

【図２５】 実施の形態例３の製造工程を順に断面図で
示すものである（７）。

【図２６】 実施の形態例４の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図２７】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図２８】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図２９】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図３０】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図３１】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図３２】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（６）。

【図３３】 実施の形態例４の製造工程を順に断面図で
示すものである（７）。

【図３４】 実施の形態例５の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図３５】 実施の形態例５の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図３６】 実施の形態例５の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図３７】 実施の形態例５の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図３８】 実施の形態例５の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図３９】 実施の形態例５の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図４０】 実施の形態例６の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図４１】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図４２】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図４３】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図４４】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図４５】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図４６】 実施の形態例６の製造工程を順に断面図で
示すものである（６）。

【図４７】 実施の形態例７の位相シフトマスクを示す
断面略示図である。

【図４８】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（１）。

【図４９】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（２）。

【図５０】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（３）。

【図５１】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（４）。

【図５２】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（５）。

【図５３】 実施の形態例７の製造工程を順に断面図で
示すものである（６）。

【図５４】 実施の形態例６の位相シフトマスクの作用
を説明する図である。

【図５５】 従来技術及びその問題点を示す図である。

【図５６】 従来技術及びその問題点を示す図である。

【図５７】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（１）。

【図５８】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（２）。

【図５９】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（３）。

【図６０】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（４）。

【図６１】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（５）。

【図６２】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（６）。

【図６３】 従来技術の製造工程を順に断面図で示すも
のである（７）。

【符号の説明】

１・・・透明基体（ガラス基体）、１ａ・・・電子線レ
ジスト、１ｂ・・・帯電防止膜、２・・・遮光部、２０
・・・遮光膜、２′・・・遮光材料膜、３Ａ・・・第１
のパターン、３Ｂ・・・第２のパターン、４・・・サイ
ドウォール状のパターン、５・・・サイドウォール状パ
ターン上の遮光膜、６・・・犠牲膜、７・・・レジス
ト、Ｐ１・・・第１のパターン、Ｐ２・・・第２のパタ
ーン、Ｐ３・・・第３のパターン。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光光に対して透明な基体に、遮光膜か
   らなる遮光部と、光透過パターンである第１のパターン
   と第２のパターンとを形成し、該第１のパターンは基体
   を掘り込んで形成したものであり、第１のパターンを透
   過した光と、第２のパターンを透過した光の位相は略１
   ８０度異なる位相シフトマスクにおいて、 第１のパターンの側壁には、サイドウォール状パターン
   が形成されており、 該サイドウォールパターンもしくはサイドウォールパタ
   ーン上の遮光膜が導波路効果を消失もしくは軽減するこ
   とにより、 第１のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとしたことを特徴とする位相シフトマス
   ク。
2. 【請求項２】 露光光に対して透明な基体を掘り込むこ
   とにより第１のパターンを形成する工程と、犠牲膜を形
   成する工程と、該犠牲膜をエッチバックする工程と、基
   体に遮光膜を形成する工程と、該遮光膜に第２のパター
   ンを形成する工程からなり、 第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過
   した光の位相は略１８０度異なっており、 第１のパターンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする
   工程において残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール
   状に形成されており、 該サイドウォールもしくはサイドウォール上の遮光膜が
   導波路効果を消失もしくは軽減することにより、 第１のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとなるようにマスク形成することを特徴と
   する位相シフトマスクの製造方法。
3. 【請求項３】 露光光に対して透明な基体に遮光膜を形
   成する工程と、遮光膜をエッチングしかつ基体を堀り込
   むことにより第１のパターンを形成する工程と、犠牲膜
   を形成する工程と、該犠牲膜をエッチバックする工程
   と、遮光膜に第２のパターンを形成する工程からなり、 第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過
   した光の位相は略１８０度異なっており、 第１のパターンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする
   工程において残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール
   状に形成されており、 該サイドウォールもしくはサイドウォール上の遮光膜が
   導波路効果を消失もしくは軽減することにより、 第１のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとなるようにマスク形成することを特徴と
   する位相シフトマスクの製造方法。
4. 【請求項４】 露光光に対して透明な基体に遮光膜を形
   成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパターン
   及び第２のパターンを同時に形成する工程と、第１のパ
   ターンの基体を掘り込む工程と、犠牲膜を形成する工程
   と、該犠牲膜をエッチバックする工程からなり、 第１のパターンを透過した光と、第２のパターンを透過
   した光の位相は略１８０度異なっており、 第１のパターンの側壁には、犠牲膜をエッチバックする
   工程において残留する犠牲膜形成材料がサイドウォール
   状に形成されており、 該サイドウォールもしくはサイドウォール上の遮光膜が
   導波路効果を消失もしくは軽減することにより、 第１のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第２のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとなるようにマスク形成することを特徴と
   する位相シフトマスクの製造方法。
5. 【請求項５】 露光光に対して透明な基体に、遮光膜か
   らなる遮光部と、光透過パターンである第２のパターン
   と第３のパターンとを形成し、遮光部は基体を掘り込ん
   で形成した第１のパターンを用いて形成することによ
   り、パターンの側壁は遮光材料からなるようにしたもの
   であり、第２のパターンを透過した光と、第３のパター
   ンを透過した光の位相は略１８０度異なる位相シフトマ
   スクであって、 第２のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第３のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとなることを特徴とする位相シフトマス
   ク。
6. 【請求項６】 露光光に対して透明な基体を掘り込むこ
   とによって第１のパターンを形成する工程と、 遮光膜を形成する工程と、該遮光膜を研磨する工程と、
   第２のパターン及び第３のパターンを形成する工程から
   なり、該第２のパターンと第３のパターンの少なくとも
   いずれかは遮光膜を加工することにより形成するもので
   あり、 第２のパターンを透過した光と、第３のパターンを透過
   した光の位相は略１８０度異なっており、 第２のパターンを透過した光によって被露光材上に転写
   されるパターンの線幅と、第３のパターンを透過した光
   によって被露光材上に転写されるパターンの線幅とがほ
   ぼ等しいものとなるようにマスク形成することを特徴と
   する位相シフトマスクの製造方法。