JP2005227666A - マスクデータ補正方法と半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行った後、フォトマスクのパターン形状から感光性材料膜パターン或いはこれを用いて加工される被加工膜パターンの予測形状を算出し、算出された予測形状と所望形状との誤差を算出し、次いで予め設定された注目箇所に対して算出された誤差に基づき、ルールベースの近接効果補正を行ってフォトマスクのパターン形状をさらに補正する。
【選択図】 図9
Description
即ち、本発明の一態様は、被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、前記フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行う工程と、前記モデルベースの近接効果補正後のフォトマスクのパターン形状から、前記感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜におけるパターンの予測形状を算出する工程と、前記算出された予測形状と所望形状との誤差を算出する工程と、予め設定された注目箇所に対して前記算出された誤差に基づき、ルールベースの近接効果補正を行って前記フォトマスクのパターン形状をさらに補正する工程と、を含むことを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施形態に使用したランダムロジックのゲート配線パターンの一例を説明する要部上面図である。
本実施形態では、まず、ルールベースOPCによりNecking部分のJOGのみ補正を加えた後(この場合のマスク形状を図10(a)に示す)、モデルベースOPCにより追加補正した(この場合のマスク形状を図10(b)に示す)。
本実施形態では、まず通常のモデルベースOPCを行った(この場合のマスク形状は前記図9(a)に示す通りである)。
本実施形態では、まず通常のモデルベースOPCを行った(この場合のマスク形状は前記図9(a)に示す通りである)。
以上説明したように本発明の一態様は、被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、次の (1)〜(4) の構成を特徴としている。
11…ゲート部
12…連結配線部
13…コンタクトパッド部
14…拡張部
21,31…クロム遮光部
22,32…0°開口部
23,33…180°開口部
24…トリムマスクのクロム遮光部
25…暗部
34…レジストパターン
35,36…下地材料膜
100…Si基板
101…素子領域
102…素子分離領域
201…ゲート絶縁膜
202…SiGe膜(電極材料膜)
203…TEOS膜
204…a−Si膜
205,207…ARC膜
206,208…レジスト
Claims (5)
- 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、
前記フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行う工程と、
前記モデルベースの近接効果補正後のフォトマスクのパターン形状から、前記感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜におけるパターンの予測形状を算出する工程と、
前記算出された予測形状と所望形状との誤差を算出する工程と、
予め設定された注目箇所に対して前記算出された誤差に基づき、ルールベースの近接効果補正を行って前記フォトマスクのパターン形状をさらに補正する工程と、
を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、
予め設定された注目箇所に対して、ルールベースの近接効果補正を行って前記フォトマスクのパターン形状を補正する工程と、
次いで、モデルベースの近接効果補正を行い、前記フォトマスクのパターン形状をさらに補正する工程と、
を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、
前記フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行う工程と、
前記モデルベースの近接効果補正後のフォトマスクのパターン形状から、前記感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜におけるパターンの予測形状を算出する工程と、
前記算出された予測形状と所望形状との誤差を算出する工程と、
予め設定された注目箇所に対し複数の補正量を与えて、感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜におけるパターンの形状を予測する工程と、
前記算出された予測形状と所望形状との誤差を最小とする最適なフォトマスクのパターン形状を選択する工程と、
を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターンの形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、
前記被処理基板上の露光或いは加工後形状を予測するモデルに従って前記フォトマスクのパターン形状に補正を加える第1の工程と、
第1の工程における補正アルゴリズムを変更して、さらに補正を行う第2の工程と、
を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - トランジスタゲート部を挟んで交互に0°開口部、180°開口部を設けたレベンソン型位相シフトマスクを用い、被処理基板上に所望パターンを露光するプロセスを有する半導体装置の製造方法であって、
前記レベンソン型位相シフトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すために、請求項1〜4の何れかに記載のマスクデータ補正方法を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007018127A1 (ja) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Nikon Corporation | ステージ装置及び露光装置 |
KR100688893B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-03-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법 |
JP2008096991A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-04-24 | Asml Masktools Bv | パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置 |
KR100847842B1 (ko) | 2007-06-26 | 2008-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 마스크 제작방법 |
JP2008249872A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
US7541117B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-06-02 | Sony Corporation | Mask pattern generating method |
JP2009139632A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | マスクパターン補正方法及び露光用マスク |
CN117434785A (zh) * | 2023-12-21 | 2024-01-23 | 华芯程(杭州)科技有限公司 | 一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4819540B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-11-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 回路パターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009099044A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | パターンデータ作成方法、設計レイアウト作成方法及びパターンデータ検証方法 |
US7765021B2 (en) * | 2008-01-16 | 2010-07-27 | International Business Machines Corporation | Method to check model accuracy during wafer patterning simulation |
JP4896898B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2012-03-14 | 株式会社東芝 | パターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
US8176446B2 (en) * | 2008-09-11 | 2012-05-08 | International Business Machines Corporation | Method for compensating for variations in structures of an integrated circuit |
CN102365584B (zh) | 2009-01-29 | 2014-07-30 | 迪吉福来克斯有限公司 | 用于在光聚合物表面上产生光掩模的工艺 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2697746B2 (ja) | 1989-09-01 | 1998-01-14 | 富士通株式会社 | 投影露光装置用光学マスク |
JP2636700B2 (ja) | 1993-10-04 | 1997-07-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000047366A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4115615B2 (ja) | 1999-03-11 | 2008-07-09 | 株式会社東芝 | マスクパターン設計方法 |
JP2001042545A (ja) | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001100390A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Microelectronics Corp | 露光用マスクのパターン補正方法 |
US6584609B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction |
US6516459B1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-02-04 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit design correction using fragment correspondence |
JP2002122978A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Sony Corp | マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP4014891B2 (ja) | 2001-03-29 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3592666B2 (ja) | 2001-12-04 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2004363390A (ja) | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Toshiba Corp | フォトマスクの補正方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-02-16 JP JP2004038034A patent/JP2005227666A/ja active Pending
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2005
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007018127A1 (ja) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Nikon Corporation | ステージ装置及び露光装置 |
KR100688893B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-03-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법 |
US7541117B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-06-02 | Sony Corporation | Mask pattern generating method |
JP2008096991A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-04-24 | Asml Masktools Bv | パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置 |
US8111921B2 (en) | 2006-09-13 | 2012-02-07 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model-based OPC for pattern decomposed features |
US8391605B2 (en) | 2006-09-13 | 2013-03-05 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model-based OPC for pattern decomposed features |
US8644589B2 (en) | 2006-09-13 | 2014-02-04 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model-based OPC for pattern decomposed features |
JP2008249872A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
KR100847842B1 (ko) | 2007-06-26 | 2008-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 마스크 제작방법 |
JP2009139632A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | マスクパターン補正方法及び露光用マスク |
CN117434785A (zh) * | 2023-12-21 | 2024-01-23 | 华芯程(杭州)科技有限公司 | 一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质 |
CN117434785B (zh) * | 2023-12-21 | 2024-03-01 | 华芯程(杭州)科技有限公司 | 一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质 |
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