JP2008096991A - パターン分解フィーチャのためのモデルベースｏｐｃを行うための方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】結像されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解する方法を提供する。
【解決手段】このプロセスは、印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップ、第１パターンおよび第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、第１パターンおよび第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、第１パターンと第１パターンの結像結像性能との間の第１誤差、および、第２パターンと第２パターンの結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、第１誤差を使用して第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、第２誤差を使用して第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、修正第１パターンおよび修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、を含む。
【選択図】図６

Description

[0001] 本明細書は、参照により本明細書に援用される２００６年９月１３日の米国仮出願第６０／８４４０７４号に基づく優先権を主張する。

[0002] 本開示は、全般に、マスクデザインに光近接効果補正（ＯＰＣ）を行うことに関し、より詳細には、複数パターンに分解されており、かつ（ダブルパターニング（ＤＰＴ）とも呼ばれる）多重露光プロセスを利用して結像（イメージング）されるマスクデザインにＯＰＣを行う方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。このような場合、マスクはＩＣの個々の層に対応した回路パターンを含むことができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分上に結像することができる。一般に、単一のウェーハは、１回に１つずつ投影システムを介して連続して照射される隣接したターゲット部分のネットワーク全体を含む。１つのタイプのリソグラフィ投影装置において、各ターゲット部分は、１回の工程実施においてターゲット部分上にマスクパターン全体を露光することにより照射される。このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる代替装置においては、各ターゲット部分が所与の基準方向（「スキャン」方向）において投影ビーム下でマスクパターンを漸進的にスキャンさせることにより照射される一方、これと同期して、この方向に平行または逆平行に基板テーブルをスキャンさせている。一般に、この投影システムは拡大係数Ｍ（一般に＜１）を有するため、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスクテーブルがスキャンされる速度の係数Ｍ倍となる。本明細書に説明されているリソグラフィデバイスに関するより多くの情報は、例えば、参照により本明細書に援用される米国特許第６０４６７９２号より収集することができる。

[0004] リソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスにおいて、マスクパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層により少なくとも部分的には覆われた基板上に結像される。この結像ステップに先立ち、基板は、下塗り、レジスト塗布、およびソフトベーキングなどの様々な手順を施すことができる。露光の後、基板は、露光後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキング、および結像されたフィーチャの測定／検査などの他の手順を受けることができる。この手順の並びは、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層をパターニングするための基礎として使用されている。このようなパターン形成された層は、次いで、全てが個々の層を仕上げることを意図されているエッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械式研磨などの様々なプロセスを施すことができる。もしいくつかの層が必要であれば、手順全体、または、その変形は、各々の新しい層のために反復されなければならない。その結果、デバイスのアレイが基板（ウェーハ）上に存在することとなる。これらのデバイスは、次いで、ダイシングまたはソーイングなどの技術により互いから分離され、その後、個々のデバイスはキャリアに搭載され、ピンに接続されるなどを行うことができる。

[0005] 簡略さのために、投影システムは、以下、「レンズ」と呼ぶこともできるが、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折光学系などを含めた様々なタイプの投影システムを包含するとして広義に解釈されたい。放射システムは、放射投影ビームを誘導し、整形し、または、制御するためのこれらの設計タイプのいずれかにより動作するコンポーネントも含むことができ、このようなコンポーネントは、以下、まとめて、または、単独で「レンズ」とも呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または、２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」デバイスにおいては、追加のテーブルを並行して使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルが露光に使用されている間、準備ステップを１つまたは複数の他のテーブル上で実行することができる。例えば、参照により本明細書に援用される米国特許第５９６９４４１号においては、ツインステージリソグラフィ装置が説明されている。

[0006] 上述したフォトリソグラフィマスクは、シリコンウェーハ上に集積されることになる回路コンポーネントに対応するジオメトリパターンを含んでいる。このようなマスクを作成するために使用されているパターンはＣＡＤ（computer-aided design）プログラムを利用して製作されており、このプロセスはしばしばＥＤＡ（electronic design automation）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能性マスクを製作するために所定の設計ルールセットに従っている。これらのルールはプロセスおよび設計の制限により設定されている。例えば、設計ルールは、回路デバイスまたは配線が望ましくない形で互いに相互作用しないことを確実にするために、（ゲート、コンデンサなどの）回路デバイス間または相互接続線（インターコネクトライン）間の空間的許容範囲を規定している。設計ルールの制限は通常「クリティカルディメンション」（ＣＤ）と呼ばれている。回路のクリティカルディメンションは、配線（ライン）もしくは孔（ホール）の最小幅、または、２本の配線もしくは２つの孔の間の最小空間として規定することができる。そのため、ＣＤは設計された回路の全体的なサイズおよび密度を決定する。

[0007] 当然、集積回路製造の目標の１つは（マスクを介して）ウェーハ上に本来の回路設計を忠実に再現することである。現在注目を浴びている１つの技術はダブルパターニングまたはＤＰＴである。一般に言えば、ダブルパターニングは、高密度の回路パターンを２つの別々のより低密度のパターンに分割(split)する（すなわち分ける(divide)または分離(separate)する）ことを含む露光方法である。単純化されたパターンは、次いで、２つの別々のマスクを使用してターゲットウェーハ上に別々に印刷される（一方のマスクは、一方のより低密度のパターンを結像するために使用され、他方のマスクは、他方のより低密度のパターンを結像するために使用される）。さらに、第２パターンは、結像されたウェーハが、例えば、２つのマスクのいずれかに見出されるフィーチャピッチの半分のピッチを有するように、第１パターンのライン間に印刷される。この技術はリソグラフィプロセスの複雑さを効果的に低減し、達成可能な解像度を向上させ、他の方法で可能であったものよりも遥かに小さなフィーチャの印刷を可能にする。

[0008] しかし、以下にさらに説明するように、ターゲットパターンを２つの別々のマスクにいかにして分離するかを決定することが可能である一方、個々のマスクの標準的なＯＰＣ処理は、許容できる結像性能を得るためには、しばしば不十分である。これは、例えば３２ｎｍモードなどにおける益々小さなＣＤを有するフィーチャを結像する際に発生するより強い近接効果に一部よるものである。確かに、個々のマスクに対する標準的なＯＰＣ処理は、損傷された輪郭または線の破断を示す結像された最後のパターンをしばしばもたらす。

[0009] したがって、本発明の目的は、ダブルパターニングプロセスにおいて複数パターン／マスクに分解されたマスクデザインにＯＰＣを適用するための上述の問題を克服する方法および装置を提供することである。

[0010] 上記を鑑みて、本発明の目的は、ダブルパターニングプロセスにおいて使用されるターゲットパターンの分解を行うための、改善された結像の結果を提供する改善されたプロセスを提供することである。

[0011] より詳細には、本発明は結像されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するための方法に関する。このプロセスは、印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップ、第１パターンおよび第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、第１パターンおよび第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、第１パターンと第１パターンの結像結像性能との間の第１誤差、および第２パターンと第２パターンの結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、第１誤差を使用して第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、第２誤差を使用して第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、および修正第１パターンおよび修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、を含む。

[0012] 本発明のプロセスは、ダブルパターニングなどのマルチ照明プロセスにおいて結像された際に、許容できる誤差基準内で所望のターゲットパターンを正確に再現する、複数パターンへの所与のターゲットパターンの分解を可能にする。重要なことに、上述のプロセスは、分解されたパターン間のステッチング領域において発生する破断した線および不連続を排除する。

[0013] 本文書においては、ＩＣの製造における本発明の使用に対して特に言及されているかもしれないが、本発明が多くの他の可能な用途を有することを明示的に理解されたい。例えば、本発明は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用することができる。当業者は、このような代替用途の文脈において、本文書における用語「レチクル」、「ウェーハ」、または、「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および「ターゲット部分」によりそれぞれ置き換えられると考えられることを理解されよう。

[0014] 本発明自体は、さらなる目的および利点とともに、以下の詳細な説明および添付の図面を参照することによってより良く理解することができる。

[0023] 本開示は、ダブルパターニングプロセスにおける使用のための複数マスクパターンへのターゲットパターンの分解からもたらされるマスクパターンにＯＰＣ処理を適用する方法を示す。本発明のＯＰＣプロセスを検討する前に、分解プロセスの簡単な概要が提供される。

[0024] 後で２つの分離されたマスクを作成するための基礎として使用される２つの分離されたパターンに、ターゲットパターンを分離（カラリング(coloring)とも呼ばれる）するための様々な技術が知られている。１つのそのような方法は、Coloring Line Method（ＣＬＮ）と呼ばれる。図１から図３はこのColoring Line Methodの例示的プロセスを示している。図１を参照すると、例えばどのフィーチャが分離された各マスクに割当てられるかを識別するためのピッチに基づき、ターゲットパターン１０が最初にカラリングされる。与えられた例において、短いフィーチャ１２は第１マスク１６に割当てられ、長いフィーチャ１４は第２マスク１８に割当てられている。示されたように、結果として得られた各マスクのフィーチャ間の結果的なピッチは、原ターゲットマスクにおけるフィーチャ間のピッチの２倍となっており、これにより、このピッチはフィーチャの適切な結像を可能にする。ターゲットパターンが分離されたマスク／パターンに分解された後、図１に示されたように個々のマスク２０、２２にＯＰＣを適用することができる。

[0025] 一旦ＯＰＣ処理が適用されれば、ウェーハは、最初に第１マスク２０を使用して、次いで第２マスク２２を使用して２回の露光を受け（しかし、露光の順序は逆でもよい）、次いで、図２に示されたようにウェーハに所望のパターンを生成するためにエッチングされる（参照符号２４を参照）。結果として得られたイメージは、第１および第２露光プロセスの「ＯＲ」結合を提示する。図３を参照すると、ダブル露光プロセスの後、平均強度変調は実質的に一定であることに留意されたい。

[0026] ターゲットパターンを複数パターンに分解または分割するための様々な方法および技術があることにさらに留意されたい。第１に、分解プロセスを行うためには、ルールベース技術(rule-based technique)およびモデルベース技術(model-based technique)の双方がある。第２に、所与のパターンのための分解プロセスを行うためには、多くの選択肢もある。図４は同じパターンの分解に関したいくつかの異なる例を示している。図４を参照すると、「分割１」は垂直線４５の中央で分解された水平線４１、４３を有するＨ字型フィーチャを示している。「分割２」は垂直線４５が水平線４３の内部エッジに接触する点において分解されているこのＨ字型フィーチャを示している。「分割３」は垂直線４３が水平線４３の外部エッジと接触する点において分解されているこのＨ字型フィーチャを示している。

[0027] 一旦ターゲットパターンが２つ以上のパターンに分離されれば、ＯＰＣ技術を個々のパターンに適用することができる。しかし、現在のプロセスはＯＰＣ処理を分解されたパターンに直接に適用している。図５は、図４の「分割１」に示された分解パターンの例へのＯＰＣ技術の適用を示している。示されたように、分解されたフィーチャ４１に対応する分解フィーチャは、ＯＰＣ処理を受ける（参照符号５１を参照）。フィーチャ４１の形状がＯＰＣ処理の間に修正されていることに留意されたい。加えて、ＯＰＣ処理は、マスクパターンへのアシストフィーチャ５２（または、散乱バーフィーチャ）の追加を含むことができる。次に、ＯＰＣ処理されたパターン５１は、ＯＰＣ処理されたフィーチャ５１からもたらされる印刷済み輪郭を決定するために照射（または、シミュレート）されるマスクを生成するために使用される。

[0028] 上述の例について続けると、結果として得られた印刷済み輪郭５５は図５に示されている。示されたように、フィーチャは結像の前にＯＰＣで処理されたが、結果として得られたフィーチャに対応する印刷済み輪郭は、短縮された相互接続区間を示している。同じくＯＰＣで処理されている分離されたマスクパターンに配置された反対側のフィーチャ４３も、短縮された相互接続区間を示している。結果として、マルチ結像プロセスの組み合わされた結果は、図５に示された不要な線の破断を示す最終的な輪郭５９を生成しており、したがって、所望の輪郭５７を生成しない。この問題が３２ｎｍモードではより重大になり、それが動作のこのモードにおけるより小さなクリティカルディメンションの要件に伴うより強い光近接効果によるものであることに留意されたい。本発明のプロセスは、上述の問題を排除する。

[0029] 図６は、本発明によるターゲットパターンを複数パターンに分解するプロセス、および分解されたパターンへのＯＰＣ処理の適用を示す例示的フローチャートを示している。図６を参照すると、プロセスの第１ステップ（ステップ６１）は、（ターゲットパターン(target pattern)とも呼ばれる）原ターゲット(original target)を規定することである。次いで、ターゲットパターンは、パターンを分解するためのいずれかの適切なルールベース技術またはモデルベース技術を使用して、複数パターン（６３、６４）に分解される（ステップ６２）。重要でないフィーチャとして与えられたターゲットパターンにおける密間隔のフィーチャ上に焦点を合わせた分解プロセスは、通常、いずれかのマスクパターンに設置できることに留意されたい。次のステップ（ステップ６５）は、分解パターンの各々にＯＰＣ処理を適用すること、およびステッチング領域（すなわち、図４に示されたように垂直フィーチャ４５など、ターゲットパターンにおけるフィーチャは互いに接触するが、分解パターンにおいては互いから分離されている領域）におけるターゲットパターンに関して分解されたパターンの結果的な輪郭の誤差を決定することである。誤差の決定は、例えば、各分解パターンの結像性能をシミュレートすること、および次いで、シミュレートされた分解輪郭と所望の分解輪郭との間の相違または誤差を決定するために、分解パターンとシミュレーションの結果を比較することにより達成される。分解パターンにＯＰＣを適用するために、ルールベース、または、モデルベースＯＰＣ処理などのいずれかの適したＯＰＣ処理を利用できることに留意されたい。加えて、ＯＰＣで処理された分解パターンの結像性能を決定するために、いずれかの適したシミュレーションプログラムを使用することができる。

[0030] 次のステップ（ステップ６７）において、所望のターゲットパターンとなる新しい分解パターンを生成するために、原分解パターンを調整するための基礎として、ステッチング領域の各々における誤差が使用される。より詳細には、誤差の量（例えば、示されたフィーチャの短縮の量）は、新しい分解パターンを形成するために、対応するステッチング領域における原分解パターンに追加される。このことは、例えば、対応してサイズ調整された多角形を使用して誤差領域のサイズを近接させること、および次いで、デザインの適切な領域において原分解パターンに誤差を表す多角形を追加することにより達成することができる。述べたように、これらの新しく形成されたパターンは、分解パターンのためのターゲットデザインとなる。

[0031] 次に、新しく形成された分解パターンはＯＰＣ処理を受ける（ステップ６９）。ステップ６５におけるように、いずれの適したＯＰＣ処理もステップ６９におけるＯＰＣ処理を適用するために使用することができる。ステップ６５およびステップ６９の双方において、同じＯＰＣが使用されることが好ましい。一旦ＯＰＣ処理が新しく形成された分解パターンに適用されれば、結果として得られたパターン（７１および７３）はマルチ照明プロセスにおいて使用される最終的パターンを提示する。任意選択のステップ（ステップ７５）において、ステップ６９の結果として生成されたパターンは、双方のマスクの組合せ露光の結果として得られたイメージが許容できる誤差の許容範囲内で所望のターゲットパターンを生成することを確認するために、２つのマスクの結像結像性能をシミュレートする検証プロセスを受けることができることに留意されたい。この検証プロセスは、適したシミュレーションプロセスを介しても実行できる。

[0032] 図７および図８は上述のプロセスの例示を与えている。先ず図７を参照すると、Ｈ字型フィーチャである原パターンまたはターゲットパターンから開始すると、このレイアウトは２つのフィーチャに分割されており、ステッチング領域は垂直接続フィーチャの中央にある。図７に示されたように、レイアウト１およびレイアウト２は原分解パターンを表している。次に、レイアウト１およびレイアウト２にＯＰＣ処理が適用され、次いで、レイアウト１およびレイアウト２の各々の予想された印刷済み輪郭を生成するために、シミュレーションプロセスが実行される。その後、印刷済み／シミュレート済みの輪郭とステッチング領域内の原分解パターンとの間の誤差を決定するために、結果として得られた印刷済み／シミュレート済みの輪郭が原分解パターンと比較される。この誤差の決定は、原分解パターンと印刷済み／シミュレート済みの輪郭の間の一次元比較または二次元比較に基づくことができるがこれらに限定されないことに留意されたい。次いで、各ステッチング領域における誤差は、誤差の量または値を表す多角形に変換され、ターゲットデザインとなる新しい分解パターンを生成するために、各ステッチング領域に対応する与えられた多角形が、対応するステッチング領域における原分解パターンに追加される。当然、結像誤差を決定する他の方法および原分解パターンの対応した調整も可能である。

[0033] 次いで図８を参照すると、新しく生成された分解パターンについて開始すると、これらのパターンはＯＰＣ処理、好ましくは、原分解フィーチャに実行されたものと同じＯＰＣプロセスを受ける。このＯＰＣプロセスからもたらされたパターンは、ダブルパターニングプロセスにおいて使用されるパターンを表す。次いで、これらのパターンは、原Ｈ字型ターゲットフィーチャを生成するために、マルチ照明プロセスにおいてウェーハに結像するために使用される。図８に示されたように、結果として結像されたパターンは、いかなる損傷された輪郭も有さず、Ｈ字型パターンは正確に再現されている。もし任意選択の検証ステップが実際の結像の前に実行されたなら、図８に示されたＯＰＣ処理済みパターンは、結果として結像されたウェーハが所望の結果を生成するか否かを決定するために、シミュレーションプロセスを受けることができることにも留意されたい。

[0034] 図９および図１０は、結像されるターゲットパターンに本発明のプロセスを適用する他の例を示している。図１０を参照すると、ターゲットパターン１０１は２つの分離パターンに分解され、ＯＰＣ処理を受ける（パターン１０２および１０３を参照）。パターン１０２および１０３の連続した露光からもたらされたイメージは、ターゲットパターンとステッチング領域内のシミュレートされたパターンとの間の結果として得られた誤差を決定するためにシミュレートされる（例えば、図９の領域１０４を参照）。この誤差の量が決定され、次いで、新しい分解パターン１０５および１０６を生成するために、フィーチャを誤差の量だけステッチング領域に延長するために使用される。次いで、パターン１０５および１０６はＯＰＣ処理を受け（パターン１０７および１０８を参照）、その後、実際の結像プロセスにおいてターゲットフィーチャを結像するために使用される。パターニングの最終的結果も図１０に示されている。最後に、図１１は、従来技術の結像プロセスからもたらされる結像の結果と本発明のプロセスからの結像の結果との間の比較を示している。灰色の輪郭１１１は本発明の結像の結果を表し、黒い太い線の輪郭１１２は従来技術のプロセスの結像の結果を表している。示されたように、黒い太い線の輪郭は、結果として得られたパターン全体を通じて大量の不要な損傷を有する。

[0035] 図１２は、以上で説明されたプロセスを実行するうえで支援することができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報を通信するバス１０２または他の通信機構、および情報を処理するためにバス１０２に接続されたプロセッサ１０４を含む。コンピュータシステム１００は、プロセッサ１０４によって実行される情報および命令を記憶するためにバス１０２に結合されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）または他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ１０６も含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に一時変数または他の中間情報を記憶するためにも使用することができる。コンピュータシステム１００はさらに、プロセッサ１０４用の静的情報および命令を記憶するためにバス１０２に結合されたリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１０８または他のスタティックストレージデバイスを含む。情報および命令を記憶するために、磁気ディスクまたは光ディスクなどのストレージデバイス１１０が提供され、バス１０２に結合される。

[0036] コンピュータシステム１００は、コンピュータのユーザに情報を表示するために、バス１０２を介して陰極線管（ＣＲＴ）またはフラットパネルもしくはタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１１２に結合することができる。情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４へ通信するために、英数字および他のキーを含む入力デバイス１１４が、バス１０２に結合される。他のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４に通信し、ディスプレイ１１２上のカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、またはカーソル方向キーなどのカーソルコントロール機器１１６である。この入力デバイスは通常、第１軸（例えばｘ）および第２軸（例えばｙ）にという２つの自由度を有し、デバイスが平面内の位置を指定することを可能にする。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイも入力デバイスとして使用することができる。

[0037] 本発明の一実施形態によれば、開示されたプロセスは、メインメモリ１０６に含まれる１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行するプロセッサ１０４に応答して、コンピュータシステム１００によって実行することができる。このような命令は、ストレージデバイス１１０などの他のコンピュータ読取可能媒体からメインメモリ１０６に読み込ませることができる。メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスを実行すると、プロセッサ１０４は本明細書で述べたプロセスステップを実行する。マルチプロセス構成内の１つまたは複数のプロセッサも、メインメモリ１０６に含まれた命令のシーケンスを実行するために使用することができる。代替実施形態では、ハードワイヤの回路を、ソフトウェア命令の代わりに、またはそれと組み合わせて使用し、本発明を実施することができる。したがって、本発明の実施形態は、ハードウェア回路およびソフトウェアのいずれの特定の組合せにも限定されない。

[0038] 本明細書において使用されている用語「コンピュータ読取可能媒体」とは、実行するために命令をプロセッサ１０４に提供することに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含めて、これらに限定されない多くの形態を取ることができる。不揮発性媒体は、ストレージデバイス１１０などの例えば光または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、バス１０２を構成するワイヤを含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）および赤外線（ＩＲ）のデータ通信中に発生するような音波または光波の形態もとることができる。コンピュータ読取可能媒体の一般的形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光学的媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを持つ任意の他の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、およびＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、以下に説明される搬送波、またはコンピュータが読み取ることができるいかなる他の媒体をも含む。

[0039] 様々な形態のコンピュータ読取可能媒体も、１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行のためにプロセッサ１０４に搬送することに従事することができる。例えば、命令は、最初に、遠隔コンピュータの磁気ディスクに担持させることができる。遠隔コンピュータは命令を自身のダイナミックメモリにロードし、モデムを使用して電話回線を介して命令を送信することができる。コンピュータシステム１００にローカルなモデムが電話回線でデータを受信し、赤外送信機を使用してデータを赤外線信号に変換することができる。バス１０２に結合された赤外ディテクタは赤外線信号で搬送されたデータを受信し、バス１０２上にデータを配置することができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６へ搬送し、そこからプロセッサ１０４が命令を検索し、実行する。メインメモリ１０６が受信した命令は、プロセッサ１０４による実行の前または後のいずれかに、任意選択でストレージデバイス１１０に記憶することができる。

[0040] コンピュータシステム１００は、バス１０２に結合された通信インターフェイス１１８を含むことが好ましい。通信インターフェイス１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０への双方向データ通信結合を提供する。例えば、通信インターフェイス１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するIntegrated Services Digital Network（ＩＳＤＮ）カードまたはモデムとすることができる。他の例として、通信インターフェイス１１８は、互換性ＬＡＮにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードとすることもできる。無線リンクも実施することができる。このような実施例のいずれにおいても、通信インターフェイス１１８は様々なタイプの情報を提示するデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気または光信号を送受信する。

[0041] ネットワークリンク１２０は通常、１つまたは複数のネットワークを介して他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を介してホストコンピュータ１２４またはインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６により運営されるデータ設備への接続を提供することができる。ＩＳＰ１２６は、現在は一般に「インターネット」と呼ばれている世界的なパケットデータ通信網を介してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２およびインターネット１２８は双方とも、デジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気、または光信号を使用する。コンピュータシステム１００との間でデジタルデータを搬送する、様々なネットワークを介した信号およびネットワークリンク１２０上にあり、通信インターフェイス１１８を介した信号は、情報を伝送する搬送波の例示的形態である。

[0042] コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、および通信インターフェイス１１８を介して、プログラムコードを含み、メッセージを送信しデータを受信できる。インターネットの例では、サーバ１３０は、アプリケーションプログラムのための要求されたコードをインターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、および通信インターフェイス１１８を介して送信することができる。本発明によれば、１つのこのようなダウンロードされたアプリケーションは、例えば本実施形態の開示されたプロセスを提供する。受信コードは、受信されるとプロセッサ１０４により実行する、および／または、後に実行するためにストレージデバイス１１０もしくは他の不揮発性ストレージに記憶することができる。このようにして、コンピュータシステム１００は搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。

[0043] 図１３は、本発明のプロセスとともにデザインされたマスクを結像するのに適したリソグラフィ投影装置を概略的に示している。この装置は、
− 放射投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬであって、この特定の場合において放射源ＬＡも含むシステムと、
− マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めする第１位置決め手段に接続された第１オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板Ｗ（例えばレジストコートシリコンウェーハ）を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２位置決め手段に接続された第２オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
− マスクＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折、反射、または屈折反射光学システム）と、を含む。

[0044] 本明細書に示している装置は透過タイプのもの（つまり透過型マスクを有する）である。しかし、一般に、装置は、例えば（反射性マスクを備えた）反射タイプのものとすることもできる。あるいは、装置はマスクの使用の代替として他の種類のパターニング手段を採用してもよく、その例はプログラマブルミラーアレイまたはＬＣＤマトリクスを含む。

[0045] 放射源ＬＡ（例えば水銀ランプまたはエキシマレーザ）は放射ビームを生成する。このビームは、直接的に、または例えばビームエキスパンダＥｘなどの調整手段を横切った後に照明システム（イルミネータ）ＩＬに供給される。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を設定する調節手段ＡＭを備えても良い。また、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えても良い。このように、マスクＭＡに当たったビームＰＢは、自身の断面にわたって所望の均一性および強度分布を有する。

[0046] 図１３に関して、放射源ＬＡは、（ソースＬＡが例えば水銀ランプの場合によくあるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離れていて、これが生成する放射ビームを（例えば適切な誘導ミラーの助けにより）装置内に導いてもよく、後者のシナリオは、放射源ＬＡが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、またはＦ_２のレージングに基づく）エキシマレーザである場合に多い。本発明はこれらのシナリオの双方を包含している。

[0047] その後、ビームＰＢはマスクテーブルＭＡ上に保持されたマスクＭＡを横切る。マスクＭＡを通り抜けると、ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＰＢを集束させるレンズＰＬを通過する。第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路において異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１位置決め手段を使用して、例えばマスクライブラリからのマスクＭＡの機械的検索の後に、またはスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１３に明示的には示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現される。しかし、ウェーハステッパの場合（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続できるか、または固定することができる。

[0048] 図示されたツールは２つの異なるモードで使用することができる。
− ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に維持され、マスクイメージ全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一「フラッシュ」）。次いで、別のターゲット部分ＣをビームＰＢにより照射できるように、基板テーブルＷＴがｘ方向および／またはｙ方向にシフトされる。
− スキャンモードにおいては、基本的に同じシナリオが当てはまるが、任意のターゲット部分Ｃが単一「フラッシュ」では露光されない。代わりに、マスクテーブルＭＴは、任意の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで移動可能となっており、これにより投影ビームＰＢはマスクイメージにわたり走査させられ、これと同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向または逆方向に同時に移動される。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４または１／５）である。このようにして、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光することができる。

[0049] 本発明を詳細に説明、図示してきたが、これは例証および例示にすぎず、限定と見なすものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲の用語によってのみ限定されることを明確に理解されたい。

[0015]パターン分解プロセスの例を示す。 [0015]パターン分解プロセスの例を示す。 [0016]図１および図２に示されたダブル露光プロセスの結果として得られたイメージの平均イメージ強度のグラフ。 [0017]所与のパターンフィーチャが分離フィーチャにいかにして分割できるかに関する例を示す。 [0018]図４の「分割１」に示された分解パターン例へのＯＰＣ技術の適用を示す。 [0019]本発明による複数パターンへのターゲットパターンの分解プロセスおよび分解パターンへのＯＰＣ処理の適用を図示する例示的フローチャートを示す。 [0020]図６のフローチャートにて示されたプロセスの例を示す。 [0020]図６のフローチャートにて示されたプロセスの例を示す。 [0020]図６のフローチャートにて示されたプロセスの例を示す。 [0020]図６のフローチャートにて示されたプロセスの例を示す。 [0020]図６のフローチャートにて示されたプロセスの例を示す。 [0021]本発明の実施形態による最適化されたショートレンジフレアモデルのパラメータを得るプロセスを実施できるコンピュータシステムを示す例示的ブロック図。 [0022]本発明の実施形態の助けによりデザインされたマスクを伴う使用に適した例示的なリソグラフィ投影装置を概略的に示す。

Claims (16)

1. ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するための方法であって、
   前記印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップ、
   前記第１パターンおよび前記第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、
   前記第１パターンおよび前記第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、
   前記第１パターンと前記第１パターンの前記結像結像性能との間の第１誤差、および前記第２パターンと前記第２パターンの前記結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、
   修正第１第１前記第１誤差を使用して前記第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、
   修正第２第２前記第２誤差を使用して前記第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、および
   前記修正第１パターンおよび前記修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
   を含む方法。
2. 前記フィーチャは、ルールベース分解プロセスを使用して前記第１パターンおよび前記第２パターンに分離される、請求項１に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
3. 前記フィーチャは、モデルベース分解プロセスを使用して前記第１パターンおよび前記第２パターンに分離される、請求項１に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
4. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正プロセスは同じプロセスである、請求項１に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
5. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正プロセスはルールベース補正プロセスを使用する、請求項４に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
6. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正はモデルベース補正プロセスを使用する、請求項４に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
7. 前記第１誤差および前記第２誤差は前記第１パターンおよび前記第２パターンに伴うステッチング領域において決定される、請求項１に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
8. ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するためのコンピュータプログラムを保存するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、実行時、
   前記印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップ、
   前記第１パターンおよび前記第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、
   前記第１パターンおよび前記第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、
   前記第１パターンと前記第１パターンの前記結像結像性能との間の第１誤差、および前記第２パターンと前記第２パターンの前記結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、
   前記第１誤差を使用して前記第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、
   前記第２誤差を使用して前記第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、および
   前記修正第１パターンおよび前記修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
   をコンピュータに行わせる、コンピュータ読取可能記憶媒体。
9. 前記フィーチャは、ルールベース分解プロセスを使用して前記第１パターンおよび前記第２パターンに分離される、請求項８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
10. 前記フィーチャは、モデルベース分解プロセスを使用して前記第１パターンおよび前記第２パターンに分離される、請求項８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
11. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正プロセスは同じプロセスである、請求項８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
12. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正はルールベース補正プロセスを使用する、請求項１１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
13. 前記第１光近接効果補正プロセスと前記第２光近接効果補正はモデルベース補正プロセスを使用する、請求項１１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
14. 前記第１誤差および前記第２誤差は前記第１パターンおよび前記第２パターンに伴うステッチング領域において決定される、請求項８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
15. （ａ）放射感応性材料層により少なくとも部分的に覆われている基板を設けるステップ、
    （ｂ）結像システムを使用して放射投影ビームを提供するステップ、
    （ｃ）前記投影ビームにその断面にてパターンを与えるためのマスク上のパターンを使用するステップ、
    （ｄ）パターン形成された放射ビームを前記放射感応性材料層のターゲット部分に投影するステップ、
    を含み、
    前記ステップ（ｃ）において、マスクにパターンを提供するステップは、
    印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップ、
    前記第１パターンおよび前記第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、
    前記第１パターンおよび前記第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、
    前記第１パターンと前記第１パターンの前記結像結像性能との間の第１誤差、および前記第２パターンと前記第２パターンの前記結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、
    前記第１誤差を使用して前記第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、
    前記第２誤差を使用して前記第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、および
    前記修正第１パターンおよび前記修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
    を含む、デバイス製造方法。
16. フォトリソグラフィプロセスにおいて利用されるマスクを製作するための方法であって、
    印刷されるフィーチャを第１パターンと第２パターンに分離するステップによりウェーハ上に印刷される前記フィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するステップ、
    前記第１パターンおよび前記第２パターンに第１光近接効果補正プロセスを行うステップ、
    前記第１パターンおよび前記第２パターンの結像結像性能を決定するステップ、
    前記第１パターンと前記第１パターンの前記結像結像性能との間の第１誤差、および前記第２パターンと前記第２パターンの前記結像結像性能との間の第２誤差を決定するステップ、
    前記第１誤差を使用して前記第１パターンを調整し、修正第１パターンを作成するステップ、
    前記第２誤差を使用して前記第２パターンを調整し、修正第２パターンを作成するステップ、
    前記修正第１パターンおよび前記修正第２パターンに第２光近接効果補正プロセスを適用するステップ、および
    前記第２光近接効果補正プロセスの後に前記修正第１パターンに対応した第１マスク、および前記第２光近接効果補正プロセスの後に前記修正第２パターンに対応した第２マスクを製作するステップ、
    を含む、マスクを製作するための方法。